標(biāo)準(zhǔn)解讀

《T/CIE 148-2022 阻變存儲單元電學(xué)測試規(guī)范》是一項(xiàng)由中國電子學(xué)會發(fā)布的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，旨在為阻變存儲單元的電學(xué)性能測試提供統(tǒng)一的方法和要求。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了針對不同類型的阻變存儲器（如RRAM、CBRAM等）進(jìn)行電學(xué)特性評估時(shí)應(yīng)遵循的具體步驟和技術(shù)條件。

首先，標(biāo)準(zhǔn)明確了適用范圍，包括但不限于實(shí)驗(yàn)室研究、產(chǎn)品開發(fā)及質(zhì)量控制過程中對阻變存儲單元的電學(xué)性能進(jìn)行評價(jià)。其次，對于測試環(huán)境提出了具體要求，比如溫度、濕度以及電磁干擾水平等，確保測試結(jié)果的一致性和可靠性。

在測試方法方面，《T/CIE 148-2022》涵蓋了多種關(guān)鍵參數(shù)的測量技術(shù)，例如閾值電壓、保持電流、開關(guān)比等，并對每項(xiàng)參數(shù)給出了詳細(xì)的定義與計(jì)算方式。此外，還特別強(qiáng)調(diào)了數(shù)據(jù)采集過程中需要注意的操作細(xì)節(jié)，以減少人為因素導(dǎo)致的數(shù)據(jù)偏差。

對于測試設(shè)備的選擇與校準(zhǔn)也有明確指導(dǎo)，建議使用符合特定精度要求的專業(yè)儀器，并定期進(jìn)行維護(hù)檢查以保證其準(zhǔn)確度。同時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)還列舉了幾種常見的故障模式及其可能原因分析，幫助研究人員更好地理解實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象背后的原因。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2022-12-31 頒布
  • 2023-01-31 實(shí)施
?正版授權(quán)
T/CIE 148-2022阻變存儲單元電學(xué)測試規(guī)范_第1頁
T/CIE 148-2022阻變存儲單元電學(xué)測試規(guī)范_第2頁
T/CIE 148-2022阻變存儲單元電學(xué)測試規(guī)范_第3頁
T/CIE 148-2022阻變存儲單元電學(xué)測試規(guī)范_第4頁
T/CIE 148-2022阻變存儲單元電學(xué)測試規(guī)范_第5頁
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文檔簡介

ICS31200

CCSL.05

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/CIE148—2022

阻變存儲單元電學(xué)測試規(guī)范

Resistivememorycellelectricalparametertestsepcification

2022-12-31發(fā)布2023-01-31實(shí)施

中國電子學(xué)會發(fā)布

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版

T/CIE148—2022

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

設(shè)備

4………………………2

概述

4.1…………………2

脈沖信號發(fā)生器

4.2……………………2

溫度試驗(yàn)箱

4.3…………………………2

測試流程

5…………………2

目的

5.1…………………2

測試準(zhǔn)備

5.2……………2

阻變存儲單元寫操作

5.3………………2

阻變存儲單元擦操作

5.4………………3

阻變存儲單元讀操作

5.5………………3

阻變存儲單元連續(xù)讀測試

5.6…………3

阻變存儲單元擦寫循環(huán)測試

5.7………………………3

阻變存儲單元數(shù)據(jù)保持能力測試

5.8…………………4

測試報(bào)告

6…………………4

Ⅰ

T/CIE148—2022

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由中國電子學(xué)會可靠性分會提出并歸口

。

本文件起草單位工業(yè)和信息化部電子第五研究所廣東工業(yè)大學(xué)中國科學(xué)院微電子研究所北京

:、、、

大學(xué)黃河科技學(xué)院

、。

本文件主要起草人雷登云韋覃如張鋒高汭許曉欣來萍黃云黃鵬楊東王力緯侯波曲晨冰

:、、、、、、、、、、、、

孫宸劉遠(yuǎn)

、。

Ⅲ

T/CIE148—2022

引言

阻變存儲器作為一種新型的非易失性存儲器具有高速高集成度高兼容等特點(diǎn)受到了廣泛的關(guān)

,、、

注不同于等傳統(tǒng)非易失性存儲器不同機(jī)理不同材料不同結(jié)構(gòu)的阻變存儲器特性差異很

。Flash,、、

大造成阻變存儲器選型設(shè)計(jì)生產(chǎn)成本高昂隨著阻變存儲器從學(xué)術(shù)研究向著產(chǎn)業(yè)化方向快速發(fā)

,、、。

展對于其參數(shù)與可靠性等評價(jià)提出了更高的要求本文件通過將阻變存儲單元的測試標(biāo)準(zhǔn)化可以降

,。,

低阻變存儲單元由設(shè)計(jì)到生產(chǎn)所需時(shí)間和成本推進(jìn)阻變存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展

,。

Ⅳ

T/CIE148—2022

阻變存儲單元電學(xué)測試規(guī)范

1范圍

本文件規(guī)定了阻變存儲單元擦寫耐久性和數(shù)據(jù)保持等測試方法

、。

本文件適用于阻變存儲器器件的測試

。

本文件不適用于包含外部驅(qū)動電路的存儲單元

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

集成電路術(shù)語

GB/T9178

半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語

GB/T14113

半導(dǎo)體器件集成電路第部分?jǐn)?shù)字集成電路

GB/T175742:

非易失性存儲器耐久和數(shù)據(jù)保持試驗(yàn)方法

GB/T35003

3術(shù)語和定義

和界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T9178、GB/T14113GB/T17574。

31

.

阻變存儲單元resistivememorycell

一種在外部電場的作用下能夠改變阻值的非易失性存儲單元

。

32

.

形成操作formingoperation

向未經(jīng)使用的阻變存儲單元在初始時(shí)施加特定電壓從而使之具備阻變特性的過程

溫馨提示

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