標(biāo)準(zhǔn)解讀
《T/CSMT-DZ 005-2023 顯示用量子點(diǎn)材料性能測(cè)試方法》這一標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了用于顯示技術(shù)中的量子點(diǎn)材料的性能測(cè)試方法。該標(biāo)準(zhǔn)旨在提供一套統(tǒng)一、科學(xué)且可重復(fù)的測(cè)試流程,以確保不同批次或來(lái)源的量子點(diǎn)材料在性能上的一致性和可靠性。它覆蓋了從樣品準(zhǔn)備到具體測(cè)試項(xiàng)目的全過(guò)程。
首先,在樣品制備部分,標(biāo)準(zhǔn)明確了如何正確地準(zhǔn)備待測(cè)樣品,包括但不限于樣品的保存條件、處理方式等細(xì)節(jié)要求,保證測(cè)試結(jié)果不受外界因素干擾。接著,針對(duì)量子點(diǎn)材料的關(guān)鍵性能指標(biāo)如發(fā)光效率、色純度、穩(wěn)定性等設(shè)定了具體的測(cè)試項(xiàng)目,并為每一項(xiàng)測(cè)試提供了詳細(xì)的實(shí)驗(yàn)步驟說(shuō)明,包括所需儀器設(shè)備、操作方法及數(shù)據(jù)記錄方式等。
此外,《T/CSMT-DZ 005-2023》還特別強(qiáng)調(diào)了安全注意事項(xiàng),在進(jìn)行相關(guān)測(cè)試時(shí)必須遵守實(shí)驗(yàn)室安全規(guī)范,采取適當(dāng)防護(hù)措施以避免潛在風(fēng)險(xiǎn)。同時(shí),為了提高測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可信度,標(biāo)準(zhǔn)中也提到了關(guān)于質(zhì)量控制和校準(zhǔn)的要求,比如定期對(duì)使用中的測(cè)量工具進(jìn)行校正等。
如需獲取更多詳盡信息,請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 正在執(zhí)行有效
- 2023-03-21 頒布
- 2023-04-20 實(shí)施





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ICS31030
CCSL.90
團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)
T/CSMT-DZ005—2023
顯示用量子點(diǎn)材料性能測(cè)試方法
Measurementmethodsofquantumdotsperformancefordisplayapplications
2023-03-21發(fā)布2023-04-20實(shí)施
中國(guó)計(jì)量測(cè)試學(xué)會(huì)發(fā)布
中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版
T/CSMT-DZ005—2023
目次
前言
…………………………Ⅲ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語(yǔ)定義和縮略語(yǔ)
3、………………………1
術(shù)語(yǔ)和定義
3.1…………………………1
縮略語(yǔ)
3.2………………2
測(cè)試條件
4…………………2
測(cè)試環(huán)境條件
4.1………………………2
測(cè)試暗室條件
4.2………………………2
測(cè)試啟動(dòng)條件
4.3………………………2
測(cè)試配置
4.4……………2
發(fā)光器件制備及要求
5……………………3
發(fā)光器件制備
5.1………………………3
發(fā)光器件要求校準(zhǔn)
5.2()………………3
效率測(cè)試方法
6……………4
亮度計(jì)法
6.1……………4
積分球法
6.2……………7
亮度維持時(shí)間
7……………9
測(cè)試設(shè)備
7.1……………9
測(cè)試步驟
7.2……………10
測(cè)試結(jié)果
7.3……………10
附錄規(guī)范性標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光器件制備方法
A()………………11
附錄資料性發(fā)光器件成像示例
B()……………………13
附錄資料性發(fā)光器件亮度衰減示例示意圖
C()QLED()……………14
圖測(cè)量系統(tǒng)安裝示意圖
1…………………3
圖基于亮度計(jì)法采集發(fā)光器件的成像圖
2QLED……………………4
圖亮度隨電壓變化曲線
3…………………7
圖電流密度隨電壓變化曲線
4……………7
圖電流效率隨電壓變化曲線
5……………7
圖電流效率隨亮度變化曲線
6……………7
圖電流效率隨電流密度變化曲線
7………………………7
圖積分球測(cè)試外量子效率的裝置示意圖
8………………8
圖發(fā)光器件與信號(hào)輸入光纖積分球直接接觸處的側(cè)視圖和頂視圖
9QLED()………8
Ⅰ
T/CSMT-DZ005—2023
圖發(fā)光器件基本結(jié)構(gòu)示意圖
A.1QLED………………12
圖發(fā)光器件像素成像示例
B.1QLED()………………13
圖發(fā)光器件亮度衰減示例逐漸衰減
C.1QLED()……………………14
圖發(fā)光器件亮度衰減示例先增強(qiáng)后逐漸衰減
C.2QLED()…………14
表基于亮度計(jì)法采集測(cè)試結(jié)果示例
1……………………4
Ⅱ
T/CSMT-DZ005—2023
前言
本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任
。。
本文件由京東方科技集團(tuán)股份有限公司提出
。
本文件由中國(guó)計(jì)量測(cè)試學(xué)會(huì)歸口
。
本文件起草單位京東方科技集團(tuán)股份有限公司中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院杭州遠(yuǎn)方光電信息股份有
:、、
限公司聯(lián)想北京有限公司通標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)服務(wù)上海有限公司廈門市計(jì)量檢定測(cè)試院深圳中國(guó)計(jì)
、()、()、、
量科學(xué)研究院技術(shù)創(chuàng)新研究院
。
本文件主要起草人王宇高陽(yáng)陳卓李延釗張志剛陳赤徐英瑩李倩潘建根林巍巍蘇躍峰
:、、、、、、、、、、、
梁倩霞阮育嬌
、。
Ⅲ
T/CSMT-DZ005—2023
顯示用量子點(diǎn)材料性能測(cè)試方法
1范圍
本文件描述了顯示用發(fā)光量子點(diǎn)材料的效率和壽命測(cè)試方法
。
本文件適用于電致發(fā)光量子點(diǎn)材料性能的評(píng)價(jià)
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。,
件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;,()
本文件
。
光度學(xué)物理光度系統(tǒng)
GB/T20151—2006CIE
有機(jī)發(fā)光二極管顯示器第部分光學(xué)和光電參數(shù)測(cè)試方法
GB/T20871.61—20136-1:
納米技術(shù)硒化鎘量子點(diǎn)納米晶體表征熒光發(fā)射光譜法
GB/T36081—2018
3術(shù)語(yǔ)定義和縮略語(yǔ)
、
31術(shù)語(yǔ)和定義
.
和界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件
GB/T36081—2018GB/T20151—2006。
311
..
量子點(diǎn)quantumdots
一種具有量子限域效應(yīng)的熒光納米粒子
。
注主要由族或族元素組成尺寸一般介于具有激發(fā)光譜波長(zhǎng)范圍寬而發(fā)射光譜波長(zhǎng)范
:Ⅱ-ⅥⅢ-Ⅴ,2nm~10nm。
圍窄熒光發(fā)射峰的波長(zhǎng)隨納米晶體尺寸的減少而逐漸藍(lán)移熒光發(fā)射峰半峰寬與納米晶尺寸的單分散性相關(guān)
,,
的光學(xué)特性
溫馨提示
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