【LDO總體版圖設(shè)計(jì)案例1100字】VIP

LDO總體版圖設(shè)計(jì)案例目錄TOC\o"1-3"\h\u3911LDO總體版圖設(shè)計(jì)案例 144911.1切分單元 1306171.2總體布局 2316951.3總體布線 354351.4版圖驗(yàn)證 5151641.1DRC驗(yàn)證 513071.2LVS驗(yàn)證 61.1切分單元根據(jù)LDO電路圖所示，對其進(jìn)行重新布局，如圖1.1所示。根據(jù)PMOS管、NMOS管與babby的連接，將其分為三個(gè)部分進(jìn)行繪制。②①①②③③②③①②①①②③③②③①圖1.1總電路圖因?yàn)榭紤]到三個(gè)部分每個(gè)部分的隔離環(huán)都互相連接，所以每個(gè)部分公用一個(gè)隔離環(huán)，最后個(gè)繪制完成后如圖1.2、圖1.3、圖1.4所示。圖1.21號單元版圖圖1.32號單元版圖圖1.43號單元版圖1.2總體布局將單個(gè)器件繪制完成后，根據(jù)對電路的分析，進(jìn)行總體的布局，如圖1.5所示。根據(jù)圖1.5所示，將mos管集中放置在版圖邊緣，以便于外界模塊信號的輸入與輸出，將電容集中放在一起，可以減少其他對其信號的影響，考慮到電阻會產(chǎn)生熱的問題，為了放置影響其他單元，所以將其三個(gè)LDO不同的電阻單元放置在版圖的邊緣。11133321333333332222222221111111321113332133333333222222222111111132圖1.5LDO總體布局由電路分析可知，大部分電容下極板接地，又因?yàn)殡娙荽蟛糠譃檎叫吻曳较蛳嗤疾捎谜叫蔚慕Y(jié)構(gòu)，所以對電容進(jìn)行匹配設(shè)計(jì)，采用共質(zhì)心的機(jī)構(gòu)。1.3總體布線將其布局完成后進(jìn)行布線工作。其中孫麗莉等人所寫的“集成電路版圖設(shè)計(jì)技巧”向我們說明了“同層Metal線要保持相同走線方向，相鄰層Metal走線方向相互垂直”[10]。所以根據(jù)上述所說，如圖1.6所示，采用多條總線的方式，使各個(gè)單元進(jìn)行連接布線，使其更加明顯方便布線以防出現(xiàn)錯誤。3231321112233321221133321321213213②①3231321112233321221133321321213213②①圖1.6LDO總體布線圖1.7LDO金屬1布線圖1.8LDO金屬2布線根據(jù)圖1.6布線所示，考慮到布線的方便和以防錯誤，將分走兩種總線的形式進(jìn)行布線，第一條均為金屬1線，如圖1.7所示，來連接mos管之間和mos管與電阻之間的連接，第二條均為金屬2線，如圖1.8所示，來連接mos管與電容之間的連接。根據(jù)電路所示，mos管、電阻和電容的隔離環(huán)相連，所有隔離環(huán)均使用金屬1進(jìn)行連接，將其全部完成后，LDO總體的布局布線也基本完成。隨后進(jìn)入版圖的最后一個(gè)部分，版圖的驗(yàn)證。1.4版圖驗(yàn)證1.1DRC驗(yàn)證在劉斌垚寫的“初探集成電路版圖設(shè)計(jì)的技巧”中提到“由于版圖的設(shè)計(jì)過程是一個(gè)不斷優(yōu)化的過程，因此，為了切實(shí)得到一個(gè)較好的設(shè)計(jì)方式，需要對版圖設(shè)計(jì)的總體布線和布局進(jìn)行反復(fù)地檢查和驗(yàn)證，這些是必不可少的環(huán)節(jié)”[11]。所以根據(jù)畫好的LDO版圖進(jìn)行DRC的規(guī)則檢查驗(yàn)證，根據(jù)第一個(gè)LDO版圖的驗(yàn)證，同樣的步驟進(jìn)行驗(yàn)證，其驗(yàn)證結(jié)果為圖1.9所示，其中出現(xiàn)錯誤最多的地方為兩條總線每條金屬線的寬度與間距之間的問題，隨后的問題就是在連接每個(gè)電阻的隔離環(huán)時(shí)，金屬1的寬度太大，導(dǎo)致無法通過DRC，將其改正過后，DRC驗(yàn)證完成。圖1.9LDO總體版圖DRC驗(yàn)證通過1.2LVS驗(yàn)證通過DRC驗(yàn)證后，隨后進(jìn)行LVS驗(yàn)證，因?yàn)楸敬握n題版圖設(shè)計(jì)采用分塊