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2019/6/28,Atomic Emission Spectrometry,AES,第三節(jié) 等離子體發(fā)射光譜儀,plasma emission spectrometry,一、 概述 generalization 二、ICP-AES結(jié)構(gòu)流程 structure of ICP-AES 三、 ICP -AES原理 principle and feature of ICP-AES 四、ICP-AES的特點(diǎn) feature of ICP-AES 五、等離子體發(fā)射光譜儀 plasma emission spectrometry,原子發(fā)射光譜分析法,2019/6/28,原子發(fā)射光譜在50年代發(fā)展緩慢; 1960年,工程熱物理學(xué)家 Reed ,設(shè)計(jì)了環(huán)形放電感耦等離子體炬,指出可用于原子發(fā)射光譜分析中的激發(fā)光源;,1960年,工程熱物理學(xué)家 Reed 設(shè)計(jì)了環(huán)形放電感耦等離子體炬; 指出可用于原子發(fā)射光譜分析中的激發(fā)光源; 光譜學(xué)家法塞爾和格倫菲爾德用于發(fā)射光譜分析,建立了電感耦合等離子體光譜儀(ICP-AES); 70年代獲ICP-AES應(yīng)用廣泛。,一、概述 generalization,2019/6/28,等離子體噴焰作為發(fā)射光譜的光源主要有以下三種形式: (1)直流等離子體噴焰(direct currut plasmajet,DCP) 弧焰溫度高 8000-10000K,穩(wěn)定性好,精密度接近ICP,裝置簡(jiǎn)單,運(yùn)行成本低; (2)電感耦合等離子體(inductively coupled plasma, ICP) ICP的性能優(yōu)越,已成為最主要的應(yīng)用方式 ; (3) 微波感生等離子體(microwave induced plasma, MIP) 溫度5000-6000K,激發(fā)能量高,可激發(fā)許多很難激發(fā)的非金屬元素:C、N、F、Br、Cl、C、H、O 等,可用于有機(jī)物成分分析,測(cè)定金屬元素的靈敏度不如DCP和ICP。,等離子體光源的形成類(lèi)型,2019/6/28,采用ICP作為光源是ICP-AES與其他光譜儀的主要不同之處。,主要部分: 1. 高頻發(fā)生器 自激式高頻發(fā)生器,用于中、低檔儀器; 晶體控制高頻發(fā)生器,輸出功率和頻率穩(wěn)定性高,可利用同軸電纜遠(yuǎn)距離傳送。 2. 等離子體炬管 三層同心石英玻璃管 3. 試樣霧化器 4. 光譜系統(tǒng),二、 ICP-AES的結(jié)構(gòu)流程 Structure of ICP-AES and Process,2019/6/28,ICP-AES,2019/6/28,ICP是由高頻發(fā)生器和等離子體炬管組成。,1. 晶體控制高頻發(fā)生器 石英晶體作為振源,經(jīng)電壓和功率放大,產(chǎn)生具有一定頻率和功率的高頻信號(hào),用來(lái)產(chǎn)生和維持等離子體放電。 石英晶體固有振蕩頻率:6.78MHz,二次倍頻后 為27.120MHz,電壓和功率放大后,功率為1-2kW;,三、 ICP-AES的原理 principle and feature of ICP-AES,2019/6/28,三層同心石英玻璃炬管置于高頻感應(yīng)線(xiàn)圈中,等離子體工作氣體從管內(nèi)通過(guò),試樣在霧化器中霧化后,由中心管進(jìn)入火焰; 外層Ar從切線(xiàn)方向進(jìn)入,保護(hù)石英管不被燒熔,中層Ar用來(lái)點(diǎn)燃等離子體;,2. 炬管與霧化器,2019/6/28,當(dāng)高頻發(fā)生器接通電源后,高頻電流I通過(guò)感應(yīng)線(xiàn)圈產(chǎn)生交變磁場(chǎng)(綠色)。 開(kāi)始時(shí),管內(nèi)為Ar氣,不導(dǎo)電,需要用高壓電火花觸發(fā),使氣體電離后,在高頻交流電場(chǎng)的作用下,帶電粒子高速運(yùn)動(dòng),碰撞,形成“雪崩”式放電,產(chǎn)生等離子體氣流。在垂直于磁場(chǎng)方向?qū)a(chǎn)生感應(yīng)電流(渦電流,粉色),其電阻很小,電流很大(數(shù)百安),產(chǎn)生高溫。又將氣體加熱、電離,在管口形成穩(wěn)定的等離子體焰炬。,3. 原理,2019/6/28,(1)溫度高,惰性氣氛,原子化條件好,有利于難熔化合物的分解和元素激發(fā),有很高的靈敏度和穩(wěn)定性; (2)“趨膚效應(yīng)”,渦電流在外表面處密度大,使表面溫度高,軸心溫度低,中心通道進(jìn)樣對(duì)等離子的穩(wěn)定性影響小。也有效消除自吸現(xiàn)象,線(xiàn)性范圍寬(45個(gè)數(shù)量級(jí)); (3) ICP中電子密度大,堿金屬電離造成的影響??; (4) Ar氣體產(chǎn)生的背景干擾??; (5) 無(wú)電極放電,無(wú)電極污染; ICP焰炬外型像火焰,但不是化學(xué)燃燒火焰,氣體放電; 缺點(diǎn):對(duì)非金屬測(cè)定的靈敏度低,儀器昂貴,操作費(fèi)用高。,四、 ICP-AES 特點(diǎn) feature of ICP-AES,2019/6/28,1. 光電直讀等離子體發(fā)射光譜儀 光電直讀是利用光電法直接獲得光譜線(xiàn)的強(qiáng)度; 兩種類(lèi)型:多道固定狹縫式和單道掃描式;,一個(gè)出射狹縫和一個(gè)光電倍增管,可接受一條譜線(xiàn),構(gòu)成一個(gè)測(cè)量通道; 單道掃描式是轉(zhuǎn)動(dòng)光柵進(jìn)行掃描,在不同時(shí)間檢測(cè)不同譜線(xiàn);,多道固定狹縫式則是安裝多個(gè)(多達(dá)70個(gè)),同時(shí)測(cè)定多個(gè)元素的譜線(xiàn);,五、 等離子體發(fā)射光譜儀 plasma emission spectrometry,2019/6/28,多道型光電直讀光度儀多采用凹面光柵; 羅蘭圓:Rowland(羅蘭)發(fā)現(xiàn)在曲率半徑為R 的凹面反射光柵上存在著一個(gè)直徑為R的圓,不同波長(zhǎng)的光都成像在圓上,即在圓上形成一個(gè)光譜帶;,凹面光柵既具有色散作用也起聚焦作用(凹面反射鏡將色散后的光聚焦)。,凹面光柵與羅蘭圓,2019/6/28,(1) 多達(dá)70個(gè)通道可選擇設(shè)置,同時(shí)進(jìn)行多元素分析,這是其他金屬分析方法所不具備的; (2) 分析速度快,準(zhǔn)確度高; (3) 線(xiàn)性范圍寬, 45個(gè)數(shù)量級(jí),高、中、低濃度都可分析; 缺點(diǎn):出射狹縫固定,各通道檢測(cè)的元素譜線(xiàn)一定; 改進(jìn)型: n+1型ICP光譜儀 在多道儀器的基礎(chǔ)上,設(shè)置一個(gè)掃描單色器,增加一個(gè)可變通道;,特點(diǎn) :,2019/6/28,采用CID陣列檢測(cè)器,可同時(shí)檢測(cè)165800nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)出現(xiàn)的全部譜線(xiàn);,中階梯光柵分光系統(tǒng),儀器結(jié)構(gòu)緊湊,體積大大縮??; 兼具多道型和掃描型特點(diǎn);,CID:電荷注入式檢測(cè)器(charge injection detector,CID), 2828mm半導(dǎo)體芯片上,26萬(wàn)個(gè)感光點(diǎn)點(diǎn)陣( 每個(gè)相當(dāng)于一個(gè)光電倍增管);,2. 全譜直讀等離子體光譜儀,2019/6/28,對(duì)比,2019/6/28,2019/6/28,儀器特點(diǎn):,(1) 測(cè)定每個(gè)元素可同時(shí)選用多條譜線(xiàn); (2) 可在一分鐘內(nèi)完成70個(gè)元素的定量測(cè)定; (3) 可在一分鐘內(nèi)完成對(duì)未知樣品中多達(dá)70多元素的定性; (4) 1mL的樣品可檢測(cè)所有可分析元素; (5) 扣除基體光譜干擾; (6) 全自動(dòng)操作; (7) 分析精度:CV 0.5%。,2019/6/28,光路圖,2019/6/28,檢測(cè)器,2019/6/28,第一節(jié) 原子發(fā)射光譜分析基本原理 basic principle of Atomic emission spectrometry 第二

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