GB∕T11313.201-2018 射頻連接器 第201部分：電氣試驗(yàn)方法 反射系數(shù)和電壓駐波比

ICS3312010L27 . .中 華 人 民 共 和 國(guó) 國(guó) 家 標(biāo) 準(zhǔn) GB/T113132012018 . 射頻連接器 第201部分 電氣試驗(yàn)方法 : 反射系數(shù)和電壓駐波比 Radio-freuenc connectorsPart201 Electricaltestmethods q y : Reflectioncoefficientandvoltagestandingwaveratio2018-09-17發(fā)布 2019-01-01實(shí)施 國(guó) 家 市 場(chǎng) 監(jiān) 督 管 理 總 局 發(fā) 布 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) GB/T113132012018 . 前 言 射頻連接器 的電氣試驗(yàn)方法部分計(jì)劃發(fā)布以下部分 GB/T11313 : 第 部分 電氣試驗(yàn)方法 反射系數(shù)和電壓駐波比 201 : ; 第 部分 電氣試驗(yàn)方法 插入損耗 202 : ; 第 部分 電氣試驗(yàn)方法 屏蔽效率 203 : ; 第 部分 電氣試驗(yàn)方法 耐射頻高電位電壓 204 : ; 本部分為 的第 部分 GB/T11313 201 。 本部分按照 給出的規(guī)則起草 GB/T1.12009 。 請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利 本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任 。 。 本部分由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出 。 本部分由全國(guó)電子設(shè)備用高頻電纜及連接器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) 歸口 (SAC/TC190) 。 本部分起草單位 中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十研究所 通鼎互聯(lián)信 : 、 、息股份有限公司 。 本部分主要起草人 吳正平 王鳳 喻志安 : 、 、 。 GB/T113132012018 . 射頻連接器 第201部分 電氣試驗(yàn)方法 : 反射系數(shù)和電壓駐波比1 范圍 的本部分規(guī)定了射頻連接器的反射系數(shù) 電壓駐波比和回波損耗的測(cè)試方法 包括頻 GB/T11313 、 , 域法 時(shí)域法 門(mén)控時(shí)域法 、 、 。 本部分適用于接電纜的射頻連接器 以下簡(jiǎn)稱電纜連接器 接微帶射頻連接器 以下簡(jiǎn)稱微帶連接 ( )、 ( 器 和射頻連接器轉(zhuǎn)接器 以下簡(jiǎn)稱轉(zhuǎn)接器 等的測(cè)試 也適用于多通道射頻連接器和混裝連接器中的各 ) ( ) , 射頻通道的測(cè)試 。2 規(guī)范性引用文件 下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的 凡是注日期的引用文件 僅注日期的版本適用于本文 。 , 件 凡是不注日期的引用文件 其最新版本 包括所有的修改單 適用于本文件 。 , ( ) 。 射頻連接器 第 部分 總規(guī)范 一般要求和試驗(yàn)方法 GB/T11313.1 1 :3 術(shù)語(yǔ)和定義 界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件 GB/T11313.1 。31 . 反射系數(shù) reflectionfactor 在連接器的任一截面上的反射波波矢量的幅值與入射波波矢量的幅值之比 用式 表示 , (1) 。 V Z -Z = r = L 0 V Z Z (1 ) i L + 0 式中 : 反射系數(shù) ; V 入射電壓 i ; V 反射電壓 r ; Z 傳輸線的標(biāo)稱阻抗 單位為歐姆 0 , (); Z 傳輸線終端負(fù)載阻抗 單位為歐姆 L , ()。32 . 電壓駐波比 voltagestandingwaveratio 在連接器的任一截面上的最大電壓與最小電壓之比 其表達(dá)式及與反射系數(shù)的關(guān)系用式 表示 , (2) 。