YB 1601-1983 硅多晶.pdf

Y日中華人民共和國冶金工業(yè)部部標準Y B 1 6 0 1 -8 3硅多 曰 日日1 9 8 3 - 0 8 - 1 8 發(fā)布1 9 8 4 - 1 0 - 0 1 實施中華人民共和國冶金工業(yè)部批 準中華人民共和國冶金工業(yè)部部標準YB 1 6 0 1 - 8 3硅多晶本標準適用于三抓氫硅、四氯化硅氫還原法和硅烷熱 分解法制取的棒狀高純硅 多晶.技術要求. 1 硅多晶技術參數(shù)指標應符合下表規(guī)定.特級 ， 品一級品二級品表面及斷面狀態(tài)結晶致密，表面較平整，斷面無夾層結晶致密，表面較平整，無氧化夾層直徑，mm 2 5 2 5 Z 5 2 5直徑允許偏差.%士 5士 5土 5土 5基硼電阻率，0 c m) 4 5 0 0 2 6 0 0 1 5 0 0 1 0 0 0N型電阻率，0 c m異 4 5 0 3 0 0奮 1 5 0 6 0N 型少數(shù)載流子壽命，W s芬 5 0 0 3 0 0李 1 5 0李 1 0 0含碳盈，個原子/cm1 2 x 1 0 5 x 1 0 1 6 5 x 1 0 0含板且，個原子/ c m6 1 x 1 0 1 ,提 5 x 1 0 1 1 5 x 1 0 1 1注: 基硼電阻率和碳.氧含量為保證值。生產廠應經常進行基硼電阻串的檢測。每年定期進行碳、氧含量的分 析。 N型少數(shù)載流子壽命值系指氫氣下檢驗工藝測試的壽命值。 需方如有特殊要隸.供需雙方可另行協(xié)議。試驗方法和檢驗規(guī)則 2 . 1 試驗方法 2 : 1 . 1 導電 類型測試按G B 1 5 5 0 -7 9 a 硅單晶導電類型測定 方法 進行. 2 . 1 . 2 N型少數(shù)載流子壽命測試按G B 1 5 5 3 -7 9 高頻光電導衰減方法 進行，取其縱向中間部位所測得的壽命值。 2 . 1 . 3 P型、N型電阻率測試按GB 1 5 5 2 -7 9 硅單晶電阻率直流器探針測量方法進行. 2 . 1 . 4 含氧量、含碳量的測試分別按 GB 1 5 5 7 -8 3 硅單晶中間隙氧 含 量 的紅 外吸收 方 法及G B 1 5 5 8 -8 3 硅單品中代位碳含量的紅 外吸 收方法 進行. 2 . 1 . 5 表面狀態(tài)用肉眼檢查。 2. 1 . 6 斷而狀態(tài)檢驗按GB 4 0 6 1 -8 3 a硅多晶的斷面夾層化學腐蝕檢驗方法 進行. 2 . 1 . 了 直徑用游標卡尺測量. 直徑及其偏差測量位置 ( 系指同一支多晶棒)如下圖所示. 直徑允許偏差的規(guī)定僅適用于區(qū)熔法用的硅多晶。 2. 2 檢驗規(guī)則 2 , 2 . 1 產品應由 供 方技術監(jiān)督部門進行驗收，保證產品符合本標準 要求 ，并填寫產品質量證明 書. 2 . 2 . 2 需方可對收到的產品進行質量檢驗，如檢驗結果與本標準規(guī)定不符時，可在收到產 品之日起三個月內向供方提出，由供需雙方協(xié)商解決.中華人民共和國冶金工業(yè)部1 9 8 3 一8 - 佃發(fā)布1 9 8 4 - 1 0 - 0 1 實施YB 1 6 0 1 -8 3徑 相 等在此位置 任愈部位 側t直徑吝 標志 、包裝 、運輸、貯 存 3 , 1 產品要進行防沾污、防震包裝.區(qū) 熔用硅多晶應保持硅棒完整，防 止斷 裂. 產品 外運時 必須用 箱子包 裝。箱內 需用軟物將 周圍墊 塞緊，防 止硅棒 相互 碰撞.箱外應標有 “ 小心輕放” 及防水標志， 并標明: a . 收貨單位及地址; b . 產品名稱: c .產品數(shù)量、毛重、 凈重; d . 發(fā)貨單位. 3 . 2 每批產品應附 產品 質量證明 書，注明 : a .供方名稱: b產品名稱及等級; c .產品 批號 ( 爐次號); d . 批重、支數(shù): e ， 各項分 析檢驗結 果