大學(xué)物理(工科)03-04(2).doc

第 5 頁(yè) 共4頁(yè)工科大學(xué)物理試題（20032004學(xué)年第二學(xué)期）題號(hào)一二三總分分?jǐn)?shù)注意：第一大題和第二大題的答案填寫在題后的表格內(nèi)，否則按零分處理。一、 單選題 1、關(guān)于功，下列說(shuō)法中正確的是 （A） 作用力的功與反作用力的功必等值異號(hào) （B） 作用于一個(gè)物體的摩擦力只能做負(fù)功(C) 保守力做正功時(shí)，系統(tǒng)內(nèi)相應(yīng)的勢(shì)能增加 (D) 質(zhì)點(diǎn)運(yùn)動(dòng)經(jīng)一閉合路徑，保守力對(duì)質(zhì)點(diǎn)做的功為零2、將細(xì)繩繞在一個(gè)具有水平光滑軸的飛輪邊緣上，在繩下端掛一質(zhì)量為m的重物，飛輪的角加速度為。如果以拉力mg代替重物拉繩時(shí)，飛輪的角加速度將 （A）不變 （B）變小 （C）變大 （D）無(wú)法判斷3、1摩爾剛性雙原子分子的理想氣體，當(dāng)溫度為T時(shí)，其內(nèi)能為 （A） (B) (C ) (D) 4、速率分布函數(shù)f(v)的物理意義為 (A) 具有速率v的分子占總分子數(shù)的百分比 (B) 速率分布在v附近的單位速率間隔中的分子數(shù)占總分子數(shù)的百分比 (C) 具有速率v的分子數(shù)（D） 速率分布在v附近的單位速率間隔中的分子數(shù)5、在一容積不變的封閉容器內(nèi)理想氣體分子的平均速率若提高為原來(lái)的二倍，則 。 （A）溫度和壓強(qiáng)都提高為原來(lái)的二倍(B) 溫度為原來(lái)的二倍，壓強(qiáng)為原來(lái)的四倍 (C) 溫度為原來(lái)的四倍，壓強(qiáng)為原來(lái)的二倍 （D）溫度和壓強(qiáng)都為原來(lái)的四倍 6、一絕熱容器被隔板分成兩半，一半是真空，另一半是理想氣體。若把隔板抽出，氣體將進(jìn)行自由膨脹，達(dá)到平衡后 （A） 溫度不變，熵增加 ( B)溫度升高，熵增加 （C） 溫度降低，熵增加 （D）溫度不變，熵不變7、根據(jù)熱力學(xué)第二定律可知 (A) 功可以全部轉(zhuǎn)換為熱，但熱不能全部轉(zhuǎn)換為功(B) 熱量可以從高溫物體傳到低溫物體，但不能從低溫物體傳到高溫物體 (C) 不可逆過(guò)程就是不能向相反方向進(jìn)行的過(guò)程 (D) 一切與熱現(xiàn)象有關(guān)的實(shí)際宏觀過(guò)程都是不可逆的8、兩塊導(dǎo)體大平板A、B ，面積均為S，平行放置，A板帶電,B板帶電，如果使B板接地，則兩板間電場(chǎng)強(qiáng)度的大小為 （A） (B) (C ) (D) 9、當(dāng)單匝線圈的幾何形狀 、大小及周圍磁介質(zhì)分布不變，且無(wú)鐵磁性物質(zhì)時(shí)，若線圈中的電流強(qiáng)度變小，則線圈的自感系數(shù)L （A）變大、與電流成反比關(guān)系 (B)變小 (C ) 不變 (D)變大、但與電流不成反比關(guān)系B10、半徑為R，通有電流I的單匝圓線圈，置于均勻磁場(chǎng)B中，此載流線圈所受磁力矩的大小和方向?yàn)?I30O（A） ,方向向外 (B) ,方向向外(C ) ，方向向里 (D) ，方向向里 一題答案12345678910二、填空題（將答案填寫在題后表格內(nèi)）1、一質(zhì)點(diǎn)沿x軸運(yùn)動(dòng)，其加速度為a=2t (SI),已知t=0時(shí)，質(zhì)點(diǎn)位于x0=5m處，初速度v0=0,求其運(yùn)動(dòng)方程為 。2、一質(zhì)量為m的子彈，以速度v0水平射入墻壁中，若射入過(guò)程中子彈受到的阻力與深入深度成正比，即f=-kx,則子彈射入墻中最大深度為 。3、一質(zhì)量為m的質(zhì)點(diǎn)沿x軸運(yùn)動(dòng)，速度大小與坐標(biāo)關(guān)系為v=bx (b為常量)，則質(zhì)點(diǎn)在坐標(biāo)為x處所受的力F為 。4、一水平的勻質(zhì)圓盤，可繞通過(guò)盤心的豎直光滑固定軸自由轉(zhuǎn)動(dòng)，圓盤質(zhì)量為m，半徑為R。初始時(shí)圓盤靜止，今有一質(zhì)量也為m的子彈以速度v0水平射入圓盤邊緣并留在其內(nèi)，則子彈與圓盤的角速度為 。5、將一負(fù)電荷從無(wú)窮遠(yuǎn)處移到一個(gè)不帶電的導(dǎo)體附近，則導(dǎo)體內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度 ，導(dǎo)體的電勢(shì) 。（填增大、不變、減?。?、半徑為R，電荷面密度為的均勻帶電球面，若挖掉一小面積元后，則球心處電場(chǎng)強(qiáng)度大小為 。27、一根無(wú)限長(zhǎng)導(dǎo)線彎成如圖形狀，其中第二段是半徑為R的1/4圓弧，其余為直線，導(dǎo)線中通有電流I，求圖中O點(diǎn)處的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為 。cIBRR34I1 aobaO題7圖 題8圖8、一半徑為a，通有電流I的1/4圓弧形載流導(dǎo)線bc，按圖示方式置于均勻外磁場(chǎng)B中，則該載流導(dǎo)線bc所受安培力大小為 。9、質(zhì)量為m帶電量為q的粒子，在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中做速率為v、半徑為R的圓周運(yùn)動(dòng)，磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小為 。10、一卡諾熱機(jī)由溫度為7270C的高溫?zé)嵩次鼰?，向溫度?270C的低溫?zé)嵩捶艧?。若每一循環(huán)吸熱2000J，則此熱機(jī)每一循環(huán)對(duì)外做的凈功為 。11、對(duì)于處在平衡態(tài)下溫度為T的理想氣體，的物理意義是 。（K為玻耳茲曼常量）12、將半徑為R的無(wú)限長(zhǎng)導(dǎo)體薄圓筒沿軸向割去一寬度為h （hR）的無(wú)限長(zhǎng)狹縫后，再沿軸向均勻地流有電流，其面電流密度為i（垂直于電流方向單位長(zhǎng)度上的電流），則圓筒軸線上磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小是 。 avR B ihc b 題12圖 題13圖13、一導(dǎo)線abc被彎成圖示形狀（ab=bc=L）,在垂直于紙面的均勻磁場(chǎng)B中按圖示方向以速度v運(yùn)動(dòng)，則導(dǎo)線上a、c兩點(diǎn)間的電勢(shì)差為 。14、渦旋電場(chǎng)是由 產(chǎn)生的。位移電流的實(shí)質(zhì)是 。二題答案請(qǐng)按題號(hào)將答案填入表格（1） （2）12613714 （1） （2）三、計(jì)算題要求有計(jì)算步驟1、 已知質(zhì)點(diǎn)在鉛直平面內(nèi)運(yùn)動(dòng)，運(yùn)動(dòng)方程為 （SI），試求：（1）任一時(shí)刻速度的大?。?）t=1s時(shí)的切向加速度大?。?）t=1s時(shí)的法向加速度大??； 2、質(zhì)量為m的小球，在水中受的浮力為常力F，當(dāng)它從靜止開始沉降時(shí)，受到水的粘滯阻力為f=kv （k為常數(shù)）。試求小球在水中豎直沉降的速度v隨時(shí)間t變化的函數(shù)式。 3、一長(zhǎng)為L(zhǎng)，質(zhì)量為m的勻質(zhì)細(xì)桿可繞通過(guò)其一端的光滑軸O在豎直平面內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)，細(xì)桿的另一端固連一質(zhì)量也為m的小球。今使桿從水平位置開始自由下擺，試求：（1）細(xì)桿開始擺動(dòng)時(shí)，剛體的角加速度；（2）細(xì)桿轉(zhuǎn)到豎直位置時(shí)的角速度。4、剛性雙原子分子的理想氣體在一等壓膨脹過(guò)程中所做的功為A，試求： （1）此過(guò)程中氣體內(nèi)能的增量； （2）此過(guò)程中氣體吸收的熱量。 5、一個(gè)均勻帶電的球?qū)?，其電荷體密度為，球?qū)觾?nèi)表面半徑為R1,外表面半徑為R2。試求：R1（1）各區(qū)的場(chǎng)強(qiáng)分布； O （2）空腔內(nèi)徑任一點(diǎn)（r(b-a),可以忽略邊緣效應(yīng)。試求（1）電容器的電容； （2）電容器儲(chǔ)存的能量7、一無(wú)限長(zhǎng)圓柱形導(dǎo)體，半徑為R，電流I沿軸線方向均勻分布在圓柱導(dǎo)體截面上，求空間的磁感應(yīng)強(qiáng)度的分布。（導(dǎo)體的相對(duì)磁導(dǎo)率） 8、如圖真空中一長(zhǎng)直導(dǎo)線通有電流(式中I0 、為常量，t為時(shí)間)。有一帶滑動(dòng)邊的矩形導(dǎo)線框與長(zhǎng)直導(dǎo)線平行共面，二者相距