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文檔簡介
14 2PN結及其單向導電性 不論是P型半導體還是N型半導體 導電能力還遠不及金屬導體 都只能看做是一般的導電材料 不具有半導體器件的任何特點 半導體器件的核心是PN結 是在一塊半導體晶片的兩側分別制成P型半導體和N型半導體 在兩種摻雜半導體的交界面形成一個特殊的薄層 稱為PN結 各種二極管 三極管等半導體器件 都是以PN結為核心而制成的 正確認識PN結 是了解和使用各種半導體器件的關鍵所在 一 PN結的形成 P N 空間電荷區(qū) P區(qū) N區(qū) 多數(shù)載流子將擴散形成耗盡層 耗盡了載流子的交界處留下不可移動的離子形成空間電荷區(qū) 內電場 方向 N P 一塊晶體薄片的兩面分別制成P型半導體和N型半導體 內電場阻礙了多子的繼續(xù)擴散 耗盡層中載流子的擴散運動和漂移運動最后達到一種動態(tài)平衡 這樣的耗盡層結構就是PN結 二 PN結的單向導電性 PN結未加電壓時 載流子的擴散和漂移運動處于動態(tài)平衡 空間電荷區(qū)的寬度基本穩(wěn)定 當對PN結加有外部電壓時 其特性為 1 加正向電壓 將外電源的正端接P區(qū) 負端接N區(qū) 外電場與內電場方向相反 空間電荷區(qū)變窄 漂移運動變弱 擴散運動增強 I 由多數(shù)載流子擴散形成較大的正向電流 2 加反向電壓 將外電源的正端接N區(qū) 負端接P區(qū) 外電場與內電場方向相同 空間電荷區(qū)變寬 擴散運動變弱 漂移運動增強 P N I 0 少子是由熱激發(fā)產生的 即溫度愈高少子的數(shù)量愈多 反向電流受溫度的影響很大 PN結具有單向導電性
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