S3C2440對NandFlash操作和電路原理

1、S3C2440對Nand Flash操作和電路原理S3C2440內(nèi)部集成了一個Nand flash控制器。S3C2440的Nand flash控制器包含了如下的特性：l一個引導(dǎo)啟動單元l Nand Flash存儲器接口，支持8位或16位的每頁大小為256字，512字節(jié)，1K字和2K字節(jié)的Nand flash l軟件模式：用戶可以直接訪問Nand Flash存儲器，此特性可以用于Nand Flash存儲器的讀、擦除和編程。l S3C2440支持8/16位的Nand Flash存儲器接口總線l硬件ECC生成，檢測和指示(軟件糾錯)。l Steppingstone接口，支持大/小端模式的按字節(jié)/半字

2、/字訪問。我用的開發(fā)板是天嵌的TQ2440，板子用到的Nand Flash是Samsung公司的K9F2G08U0A，它是8位的Nand flash。本文只介紹Nand Flash的電路原理和Nand Flash的讀、寫、擦除等基本操作，暫不涉及Nand Flash啟動程序的問題。Nand Flash的電路連接如圖1所示：圖1 Nand Flash電路原理上圖的左邊為K9F2G08U0A與2440的連接圖，原理方面就不多介紹，去看看datasheet估計就懂得了，右邊的部分是S3C2440的Nand控制器的配置。配置引腳NCON，GPG13，GPG14和GPG15用來設(shè)置Nand Flash的

3、基本信息，Nand控制器通過讀取配置引腳的狀態(tài)獲取外接的Nand Flash的配置信息，圖2是這四個配置引腳的定義：圖2 Nand控制配置引腳信息由于K9F2G08U0A的總線寬度為8位，頁大小為2048字節(jié)，需要5個尋址命令，所以NCON、GPG13和GPG14應(yīng)該接高電平，GPG15應(yīng)該接低電平。K9F2G08U0A沒有地址或數(shù)據(jù)總線，只有8個IO口，這8個IO口用于傳輸命令、地址和數(shù)據(jù)。K9F2G08U0A主要以page(頁)為單位進(jìn)行讀寫，以block(塊)為單位進(jìn)行擦除。每一頁中又分為main區(qū)和spare區(qū)，main區(qū)用于正常數(shù)據(jù)的存儲，spare區(qū)用于存儲一些附加信息，如塊好壞的

4、標(biāo)記、塊的邏輯地址、頁內(nèi)數(shù)據(jù)的ECC校驗和等。K9F2G08U0A的存儲陣列如圖3所示：圖3 K9F2G08U0A內(nèi)部存儲陣列由上圖，我們可以知道：K9F2G08U0A的一頁為(2K+64)字節(jié)(2K表示的是main區(qū)容量，64表示的是spare區(qū)容量)，它的一塊為64頁，而整個設(shè)備包括了2048個塊。這樣算下來一共有2112M位容量，如果只算main區(qū)容量則有256M字節(jié)(即256M8位)。圖4 K9F2G08U0A地址序列要實現(xiàn)用8個IO口來要訪問這么大的容量，如圖4所示：K9F2G08U0A規(guī)定了用5個周期來實現(xiàn)。第一個周期訪問的地址為A0A7；第二個周期訪問的地址為A8A11，它作用在

5、IO0IO3上，而此時IO4IO7必須為低電平；第三個周期訪問的地址為A12A19；第四個周期訪問的地址為A20A27；第五個周期訪問的地址為A28，它作用在IO0上，而此時IO1IO7必須為低電平。前兩個周期傳輸?shù)氖橇械刂?，后三個周期傳輸?shù)氖切械刂?。通過分析可知，列地址是用于尋址頁內(nèi)空間，行地址用于尋址頁，如果要直接訪問塊，則需要從地址A18開始。由于所有的命令、地址和數(shù)據(jù)全部從8位IO口傳輸，所以Nand flash定義了一個命令集來完成各種操作。有的操作只需要一個命令(即一個周期)即可，而有的操作則需要兩個命令(即兩個周期)來實現(xiàn)。K9F2G08U0A的命令說明如圖5所示：圖5 K9F2

6、G08U0A命令表為了方便使用，我們宏定義了K9F2G08U0A的常用命令#define CMD_READ1 0x00/頁讀命令周期1#define CMD_READ2 0x30/頁讀命令周期2#define CMD_READID 0x90/讀ID命令#define CMD_WRITE1 0x80/頁寫命令周期1#define CMD_WRITE2 0x10/頁寫命令周期2#define CMD_ERASE1 0x60/塊擦除命令周期1#define CMD_ERASE2 0xd0/塊擦除命令周期2#define CMD_STATUS 0x70/讀狀態(tài)命令#define CMD_RESET 0

7、xff/復(fù)位#define CMD_RANDOMREAD1 0x05/隨意讀命令周期1#define CMD_RANDOMREAD2 0xE0/隨意讀命令周期2#define CMD_RANDOMWRITE 0x85/隨意寫命令接下來介紹幾個Nand Flash控制器的寄存器。Nand Flash控制器的寄存器主要有NFCONF(Nand Flash配置寄存器)，NFCONT(Nand Flash控制寄存器)，NFCMMD(Nand Flash命令集寄存器)，NFADDR(Nand Flash地址集寄存器)，NFDATA(Nand Flash數(shù)據(jù)寄存器)，NFMECCD0/1(Nand Fla

8、sh的main區(qū)ECC寄存器)，NFSECCD(Nand Flash的spare區(qū)ECC寄存器)，NFSTAT(Nand Flash操作狀態(tài)寄存器)，NFESTAT0/1(Nand Flash的ECC狀態(tài)寄存器)，NFMECC0/1(Nand Flash用于數(shù)據(jù)的ECC寄存器)，以及NFSECC(Nand Flash用于IO的ECC寄存器)。(1)NFCONF：2440的NFCONF寄存器是用來設(shè)置NAND Flash的時序參數(shù)TACLS、TWRPH0、TWRPH1。配置寄存器的3：0是只讀位，用來指示外部所接的Nand Flash的配置信息，它們是由配置引腳NCON，GPG13，GPG14和

9、GPG15所決定的(比如說K9F2G08U0A的配置為NCON、GPG13和GPG14接高電平，GPG15接低電平，所以3：0位狀態(tài)應(yīng)該是1110)。(2)NFCONT：用來使能/禁止NAND Flash控制器、使能/禁止控制引腳信號nFCE、初始化ECC。它還有其他功能，在一般的應(yīng)用中用不到，比如鎖定NAND Flash。(3)NFCMMD：對于不同型號的Flash，操作命令一般不一樣。參考前面介紹的K9F2G08U0A命令序列。(4)NFADDR：當(dāng)寫這個寄存器時，它將對Flash發(fā)出地址信號。只用到低8位來傳輸，所以需要分次來寫入一個完整的32位地址，K9F2G08U0A的地址序列在圖4

10、已經(jīng)做了詳細(xì)說明。(5)NFDATA：只用到低8位，讀、寫此寄存器將啟動對NAND Flash的讀數(shù)據(jù)、寫數(shù)據(jù)操作。(6)NFSTAT：只用到位0，用來檢測NAND是否準(zhǔn)備好。0：busy，1：ready。NFCONF寄存器使用TACLS、TWRPH0、TWRPH1這3個參數(shù)來控制NAND Flash信號線CLE/ALE與寫控制信號nWE的時序關(guān)系，它們之間的關(guān)系如圖6和圖7所示：圖6 CLE/ALE時序圖圖7 nWE和nRE時序圖TACLS為CLE/ALE有效到nWE有效之間的持續(xù)時間，TWRPH0為nWE的有效持續(xù)時間，TWRPH1為nWE無效到CLE/ALE無效之間的持續(xù)時間，這些時間都

11、是以HCLK為單位的。通過查閱K9F2G08U0A的數(shù)據(jù)手冊，我們可以找到并計算與S3C2440相對應(yīng)的時序：K9F2G08U0A中的Twp與TWRPH0相對應(yīng)，Tclh與TWRPH1相對應(yīng)，TACLS應(yīng)該是與Tcls相對應(yīng)。K9F2G08U0A給出的都是最小時間，2440只要滿足它的最小時間即可。TACLS、TWRPH0、TWRPH1這三個變量取值大一些會更保險，在這里，這三個值分別取1，2和0。下面就開始詳細(xì)介紹K9F2G08U0A的基本操作，包括復(fù)位，讀ID，頁讀、寫數(shù)據(jù)，隨意讀、寫數(shù)據(jù)，塊擦除等。為了更好地應(yīng)用ECC和使能Nand Flash片選，我們還需要一些宏定義：#define

12、NF_nFCE_L()rNFCONT&=(1 1)；#define NF_CE_L()NF_nFCE_L()/打開nandflash片選#define NF_nFCE_H()rNFCONT|=(1 1)；#define NF_CE_H()NF_nFCE_H()/關(guān)閉nandflash片選#define NF_RSTECC()rNFCONT|=(1 4)；/復(fù)位ECC#define NF_MECC_UnLock()rNFCONT&=(1 5)；/解鎖main區(qū)ECC#define NF_MECC_Lock()rNFCONT|=(1 5)；/鎖定main區(qū)ECC#define NF_SECC_Un

13、Lock()rNFCONT&=(1 6)；/解鎖spare區(qū)ECC#define NF_SECC_Lock()rNFCONT|=(1 6)；/鎖定spare區(qū)ECC NFSTAT是另一個比較重要的寄存器，它的第0位可以用于判斷nandflash是否在忙，第2位用于檢測RnB引腳信號：#define NF_WAITRB()while(！(rNFSTAT&(1 0)；/等待Nand Flash不忙#define NF_CLEAR_RB()rNFSTAT|=(1 2)；/清除RnB信號#define NF_DETECT_RB()while(！(rNFSTAT&(1 2)；/等待RnB信號變高，即不忙

14、NFCMMD，NFADDR和NFDATA分別用于傳輸命令，地址和數(shù)據(jù)，為了方便起見，我們可以定義一些宏定義用于完成上述操作：#define NF_CMD(data)rNFCMD=(data)；/傳輸命令#define NF_ADDR(addr)rNFADDR=(addr)；/傳輸?shù)刂?define NF_RDDATA()rNFDATA)/讀32位數(shù)據(jù)#define NF_RDDATA8()(rNFDATA8)/讀8位數(shù)據(jù)#define NF_WRDATA(data)rNFDATA=(data)；/寫32位數(shù)據(jù)#define NF_WRDATA8(data)rNFDATA8=(data)；/寫8

15、位數(shù)據(jù)首先，是初始化操作void rNF_Init(void)rNFCONF=(TACLS 12)|(TWRPH0 8)|(TWRPH1 4)|(0 0)；/初始化時序參數(shù)rNFCONT=(0 13)|(0 12)|(0 10)|(0 9)|(0 8)|(1 6)|(1 5)|(1 4)|(1 1)|(1 0)；/非鎖定，屏蔽nandflash中斷，初始化ECC及鎖定main區(qū)和spare區(qū)ECC，使能nandflash片選及控制器rNF_Reset()；/復(fù)位芯片復(fù)位操作，寫入復(fù)位命令static void rNF_Reset()NF_CE_L()；/打開nandflash片選NF_CLEA

16、R_RB()；/清除RnB信號NF_CMD(CMD_RESET)；/寫入復(fù)位命令NF_DETECT_RB()；/等待RnB信號變高，即不忙NF_CE_H()；/關(guān)閉nandflash片選讀取K9F2G08U0A芯片ID的操作如下：時序圖在datasheet的figure18。首先需要寫入讀ID命令(0x90)，然后再寫入0x00地址，并等待芯片就緒，就可以讀取到一共五個周期的芯片ID，第一個周期為廠商ID，第二個周期為設(shè)備ID，第三個周期至第五個周期包括了一些具體的該芯片信息，函數(shù)如下static char rNF_ReadID()char pMID；char pDID；char cyc3,c

17、yc4,cyc5；NF_nFCE_L()；/打開nandflash片選NF_CLEAR_RB()；/清RnB信號NF_CMD(CMD_READID)；/讀ID命令NF_ADDR(0x0)；/寫0x00地址for(i=0；i 100；i+)；等一段時間/讀五個周期的ID pMID=NF_RDDATA8()；/廠商ID：0xEC pDID=NF_RDDATA8()；/設(shè)備ID：0xDA cyc3=NF_RDDATA8()；/0x10 cyc4=NF_RDDATA8()；/0x95 cyc5=NF_RDDATA8()；/0x44 NF_nFCE_H()；/關(guān)閉nandflash片選return(pD

18、ID)；下面介紹Nand Flash讀操作，讀操作是以頁為單位進(jìn)行的。如果在讀取數(shù)據(jù)的過程中不進(jìn)行ECC校驗判斷，則讀操作比較簡單，在寫入讀命令的兩個周期之間寫入要讀取的頁地址，然后讀取數(shù)據(jù)即可。如果為了更準(zhǔn)確地讀取數(shù)據(jù)，則在讀取完數(shù)據(jù)之后還要進(jìn)行ECC校驗判斷，以確定所讀取的數(shù)據(jù)是否正確。在上文中已經(jīng)介紹過，Nand Flash的每一頁有兩區(qū)：main區(qū)和spare區(qū)，main區(qū)用于存儲正常的數(shù)據(jù)，spare區(qū)用于存儲其他附加信息，其中就包括ECC校驗碼。當(dāng)我們在寫入數(shù)據(jù)的時候，我們就計算這一頁數(shù)據(jù)的ECC校驗碼，然后把校驗碼存儲到spare區(qū)的特定位置中，在下次讀取這一頁數(shù)據(jù)的時候，同樣我

19、們也計算ECC校驗碼，然后與spare區(qū)中的ECC校驗碼比較，如果一致則說明讀取的數(shù)據(jù)正確，如果不一致則不正確。ECC的算法較為復(fù)雜，好在S3C2440能夠硬件產(chǎn)生ECC校驗碼，這樣就省去了不少的麻煩事。S3C2440既可以產(chǎn)生main區(qū)的ECC校驗碼，也可以產(chǎn)生spare區(qū)的ECC校驗碼。因為K9F2G08U0A是8位IO口，因此S3C2440共產(chǎn)生4個字節(jié)的main區(qū)ECC碼和2個字節(jié)的spare區(qū)ECC碼。在這里我們規(guī)定，在每一頁的spare區(qū)的第0個地址到第3個地址存儲main區(qū)ECC，第4個地址和第5個地址存儲spare區(qū)ECC。產(chǎn)生ECC校驗碼的過程為：在讀取或?qū)懭肽膫€區(qū)的數(shù)據(jù)之前

20、，先解鎖該區(qū)的ECC，以便產(chǎn)生該區(qū)的ECC。在讀取或?qū)懭胪陻?shù)據(jù)之后，再鎖定該區(qū)的ECC，這樣系統(tǒng)就會把產(chǎn)生的ECC碼保存到相應(yīng)的寄存器中。main區(qū)的ECC保存到NFMECC0/1中(因為K9F2G08U0A是8位IO口，因此這里只用到了NFMECC0)，spare區(qū)的ECC保存到NFSECC中。對于讀操作來說，我們還要繼續(xù)讀取spare區(qū)的相應(yīng)地址內(nèi)容，以得到上次寫操作時所存儲的main區(qū)和spare區(qū)的ECC，并把這些數(shù)據(jù)分別放入NFMECCD0/1和NFSECCD的相應(yīng)位置中。最后我們就可以通過讀取NFESTAT0/1(因為K9F2G08U0A是8位IO口，因此這里只用到了NFESTAT

21、0)中的低4位來判斷讀取的數(shù)據(jù)是否正確，其中第0位和第1位為main區(qū)指示錯誤，第2位和第3位為spare區(qū)指示錯誤。下面是一段具體的頁讀操作程序：U8 rNF_ReadPage(U32 page_number)U32 i,mecc0,secc；NF_RSTECC()；/復(fù)位ECC NF_MECC_UnLock()；/解鎖main區(qū)ECC NF_nFCE_L()；/使能芯片NF_CLEAR_RB()；/清除RnB NF_CMD(CMD_READ1)；/頁讀命令周期1，0x00/寫入5個地址周期NF_ADDR(0x00)；/列地址A0-A7 NF_ADDR(0x00)；/列地址A8-A11 NF

22、_ADDR(addr)&0xff)；/行地址A12-A19 NF_ADDR(addr 8)&0xff)；/行地址A20-A27 NF_ADDR(addr 16)&0xff)；/行地址A28 NF_CMD(CMD_READ2)；/頁讀命令周期2，0x30 NF_DETECT_RB()；/等待RnB信號變高，即不忙for(i=0；i 2048；i+)bufi=NF_RDDATA8()；/讀取一頁數(shù)據(jù)內(nèi)容NF_MECC_Lock()；/鎖定main區(qū)ECC值NF_SECC_UnLock()；/解鎖spare區(qū)ECC mecc0=NF_RDDATA()；/讀spare區(qū)的前4個地址內(nèi)容，即第20482

23、051地址，這4個字節(jié)為main區(qū)的ECC/把讀取到的main區(qū)的ECC校驗碼放入NFMECCD0/1的相應(yīng)位置內(nèi)rNFMECCD0=(mecc0&0xff00)8)|(mecc0&0xff)；rNFMECCD1=(mecc0&0xff 000000)8)|(mecc0&0xff0000)16)；NF_SECC_Lock()；/鎖定spare區(qū)的ECC值secc=NF_RDDATA()；/繼續(xù)讀spare區(qū)的4個地址內(nèi)容，即第20522055地址，其中前2個字節(jié)為spare區(qū)的ECC值/把讀取到的spare區(qū)的ECC校驗碼放入NFSECCD的相應(yīng)位置內(nèi)rNFSECCD=(secc&0xff00

24、)8)|(secc&0xff)；NF_nFCE_H()；/關(guān)閉nandflash片選/判斷所讀取到的數(shù)據(jù)是否正確if(rNFESTAT0&0xf)=0x0)return 0x66；/正確else return 0x44；/錯誤這段程序是把某一頁的內(nèi)容讀取到全局變量數(shù)組buffer中。該程序的輸入?yún)?shù)直接就為K9F2G08U0A的第幾頁，例如我們要讀取第128064頁中的內(nèi)容，可以調(diào)用該程序為：rNF_ReadPage(128064)。由于第128064頁是第2001塊中的第0頁(128064=200164+0)，所以為了更清楚地表示頁與塊之間的關(guān)系，也可以寫為：rNF_ReadPage(200

25、1*64)。頁寫操作的大致流程為：在兩個寫命令周期之間分別寫入頁地址和數(shù)據(jù)，當(dāng)然如果為了保證下次讀取該數(shù)據(jù)時的正確性，還需要把main區(qū)的ECC值和spare區(qū)的ECC值寫入到該頁的spare區(qū)內(nèi)。然后我們還需要讀取狀態(tài)寄存器，以判斷這次寫操作是否正確。下面就給出一段具體的頁寫操作程序，其中輸入?yún)?shù)也是要寫入數(shù)據(jù)到第幾頁：U8 rNF_WritePage(U32 page_number)U32 i,mecc0,secc；U8 stat,temp；temp=rNF_IsBadBlock(page_number 6)；/判斷該塊是否為壞塊if(temp=0x33)return 0x42；/是壞塊，

26、返回NF_RSTECC()；/復(fù)位ECC NF_MECC_UnLock()；/解鎖main區(qū)的ECC NF_nFCE_L()；/打開nandflash片選NF_CLEAR_RB()；/清RnB信號NF_CMD(CMD_WRITE1)；/頁寫命令周期1/寫入5個地址周期NF_ADDR(0x00)；/列地址A0A7 NF_ADDR(0x00)；/列地址A8A11 NF_ADDR(page_number)&0xff)；/行地址A12A19 NF_ADDR(page_number 8)&0xff)；/行地址A20A27 NF_ADDR(page_number 16)&0xff)；/行地址A28 for

27、(i=0；i 2048；i+)/寫入一頁數(shù)據(jù)NF_WRDATA8(char)(i+6)；NF_MECC_Lock()；/鎖定main區(qū)的ECC值mecc0=rNFMECC0；/讀取main區(qū)的ECC校驗碼/把ECC校驗碼由字型轉(zhuǎn)換為字節(jié)型，并保存到全局變量數(shù)組ECCBuf中ECCBuf0=(U8)(mecc0&0xff)；ECCBuf1=(U8)(mecc0 8)&0xff)；ECCBuf2=(U8)(mecc0 16)&0xff)；ECCBuf3=(U8)(mecc0 24)&0xff)；NF_SECC_UnLock()；/解鎖spare區(qū)的ECC/把main區(qū)的ECC值寫入到spare區(qū)的

28、前4個字節(jié)地址內(nèi)，即第20482051地址for(i=0；i 4；i+)NF_WRDATA8(ECCBufi)；NF_SECC_Lock()；/鎖定spare區(qū)的ECC值secc=rNFSECC；/讀取spare區(qū)的ECC校驗碼/把ECC校驗碼保存到全局變量數(shù)組ECCBuf中ECCBuf4=(U8)(secc&0xff)；ECCBuf5=(U8)(secc 8)&0xff)；/把spare區(qū)的ECC值繼續(xù)寫入到spare區(qū)的第20522053地址內(nèi)for(i=4；i 6；i+)NF_WRDATA8(ECCBufi)；NF_CMD(CMD_WRITE2)；/頁寫命令周期2 delay(1000)

29、；/延時一段時間，以等待寫操作完成NF_CMD(CMD_STATUS)；/讀狀態(tài)命令/判斷狀態(tài)值的第6位是否為1，即是否在忙，該語句的作用與NF_DETECT_RB()；相同dostat=NF_RDDATA8()；while(！(stat&0x40)；NF_nFCE_H()；/關(guān)閉Nand Flash片選/判斷狀態(tài)值的第0位是否為0，為0則寫操作正確，否則錯誤if(stat&0x1)temp=rNF_MarkBadBlock(page_number 6)；/標(biāo)注該頁所在的塊為壞塊if(temp=0x21)return 0x43/標(biāo)注壞塊失敗else return 0x44；/寫操作失敗else

30、 return 0x66；/寫操作成功該段程序先判斷該頁所在的壞是否為壞塊，如果是則退出。在最后寫操作失敗后，還要標(biāo)注該頁所在的塊為壞塊，其中所用到的函數(shù)rNF_IsBadBlock和rNF_MarkBadBlock，我們在后面介紹。我們再總結(jié)一下該程序所返回數(shù)值的含義，0x42：表示該頁所在的塊為壞塊；0x43：表示寫操作失敗，并且在標(biāo)注該頁所在的塊為壞塊時也失??；0x44：表示寫操作失敗，但是標(biāo)注壞塊成功；0x66：寫操作成功。擦除是以塊為單位進(jìn)行的，因此在寫地址周期是，只需寫三個行周期，并且要從A18開始寫起。與寫操作一樣，在擦除結(jié)束前還要判斷是否擦除操作成功，另外同樣也存在需要判斷是否

31、為壞塊以及要標(biāo)注壞塊的問題。下面就給出一段具體的塊擦除操作程序：U8 rNF_EraseBlock(U32 block_number)char stat,temp；temp=rNF_IsBadBlock(block_number)；/判斷該塊是否為壞塊if(temp=0x33)return 0x42；/是壞塊，返回NF_nFCE_L()；/打開片選NF_CLEAR_RB()；/清RnB信號NF_CMD(CMD_ERASE1)；/擦除命令周期1/寫入3個地址周期，從A18開始寫起NF_ADDR(block_number 6)&0xff)；/行地址A18A19 NF_ADDR(block_numb

32、er 2)&0xff)；/行地址A20A27 NF_ADDR(block_number 10)&0xff)；/行地址A28 NF_CMD(CMD_ERASE2)；/擦除命令周期2 delay(1000)；/延時一段時間NF_CMD(CMD_STATUS)；/讀狀態(tài)命令/判斷狀態(tài)值的第6位是否為1，即是否在忙，該語句的作用與NF_DETECT_RB()；相同dostat=NF_RDDATA8()；while(！(stat&0x40)；NF_nFCE_H()；/關(guān)閉Nand Flash片選/判斷狀態(tài)值的第0位是否為0，為0則擦除操作正確，否則錯誤if(stat&0x1)temp=rNF_MarkB

33、adBlock(page_number 6)；/標(biāo)注該塊為壞塊if(temp=0x21)return 0x43/標(biāo)注壞塊失敗else return 0x44；/擦除操作失敗else return 0x66；/擦除操作成功該程序的輸入?yún)?shù)為K9F2G08U0A的第幾塊，例如我們要擦除第2001塊，則調(diào)用該函數(shù)為：rNF_EraseBlock(2001)。K9F2G08U0A除了提供了頁讀和頁寫功能外，還提供了頁內(nèi)地址隨意讀、寫功能。頁讀和頁寫是從頁的首地址開始讀、寫，而隨意讀、寫實現(xiàn)了在一頁范圍內(nèi)任意地址的讀、寫。隨意讀操作是在頁讀操作后輸入隨意讀命令和頁內(nèi)列地址，這樣就可以讀取到列地址所指定地

34、址的數(shù)據(jù)。隨意寫操作是在頁寫操作的第二個頁寫命令周期前，輸入隨意寫命令和頁內(nèi)列地址，以及要寫入的數(shù)據(jù)，這樣就可以把數(shù)據(jù)寫入到列地址所指定的地址內(nèi)。下面兩段程序?qū)崿F(xiàn)了隨意讀和隨意寫功能，其中隨意讀程序的輸入?yún)?shù)分別為頁地址和頁內(nèi)地址，輸出參數(shù)為所讀取到的數(shù)據(jù)，隨意寫程序的輸入?yún)?shù)分別為頁地址，頁內(nèi)地址，以及要寫入的數(shù)據(jù)。U8 rNF_RamdomRead(U32 page_number,U32 add)NF_nFCE_L()；/打開Nand Flash片選NF_CLEAR_RB()；/清RnB信號NF_CMD(CMD_READ1)；/頁讀命令周期1/寫入5個地址周期NF_ADDR(0x00)；/

35、列地址A0A7 NF_ADDR(0x00)；/列地址A8A11 NF_ADDR(page_number)&0xff)；/行地址A12A19 NF_ADDR(page_number 8)&0xff)；/行地址A20A27 NF_ADDR(page_number 16)&0xff)；/行地址A28 NF_CMD(CMD_READ2)；/頁讀命令周期2 NF_DETECT_RB()；/等待RnB信號變高，即不忙NF_CMD(CMD_RANDOMREAD1)；/隨意讀命令周期1/頁內(nèi)地址NF_ADDR(char)(add&0xff)；/列地址A0A7 NF_ADDR(char)(add 8)&0x0f)；/列地址A8A11 NF_CMD(CMD_RANDOMREAD2)；/隨意讀命令周期2 return NF_RDDATA8()；/讀取數(shù)據(jù)U8 rNF_RamdomWrite(U32 page_num