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1、d r 的 基 礎(chǔ) 知 識(shí),一. 什么叫dr,dr是digital radiography 的簡(jiǎn)稱(chēng),即“數(shù)字放射成像系統(tǒng)”。 dr利用fpd平板進(jìn)行影像獲取, 取代了傳統(tǒng)的x線(xiàn)膠片或cr的ip板 并以數(shù)字方式存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中。 dr在曝光后幾秒鐘可顯示圖像。 和傳統(tǒng)圖像相比: 無(wú)須暗盒,無(wú)需耗材(較ip板) 具有成像快,圖像質(zhì)量高、 易于保存、檢索、傳輸、運(yùn)行成本低等諸多優(yōu)勢(shì),二. dr系統(tǒng)組成,a:成像鏈: x線(xiàn)源(x線(xiàn)機(jī)) 平板探測(cè)器 (fpd) 各支架組合方式(攝影平床,胸片架,) (懸吊式,地軌式) b:數(shù)字鏈: 計(jì)算機(jī)處理單元 (前登記工作站,后處理工作站)、 顯示終端,fpd平板

2、探測(cè)器,flat panel detectr) (平的 儀器板 檢測(cè)) 是一種采用半導(dǎo)體技術(shù), 將x線(xiàn)能量轉(zhuǎn)換為電信號(hào), 通過(guò)a/d模擬轉(zhuǎn)換進(jìn)行數(shù)字化轉(zhuǎn)換, 產(chǎn)生x線(xiàn)圖像的檢測(cè)器,三. dr的工作原理,1. 首先x線(xiàn)穿透人體照射平板材料 2. 按調(diào)整信號(hào)方式分兩種 直接轉(zhuǎn)換式: 非晶硒轉(zhuǎn)換層將x線(xiàn)信號(hào)直接轉(zhuǎn)換為電信號(hào) 間接轉(zhuǎn)換式: x線(xiàn)激發(fā)熒光體產(chǎn)生可見(jiàn)光信號(hào), 再由tft光電二極管轉(zhuǎn)換為電信號(hào) 3.然后通過(guò)a/d模擬轉(zhuǎn)換單元 實(shí)現(xiàn)數(shù)字化轉(zhuǎn)換 4. 最后將數(shù)字信號(hào)以dicom3.0標(biāo)準(zhǔn)傳輸至用戶(hù)終端 最終實(shí)現(xiàn)分析、處理、診斷、存儲(chǔ)等功能,四. dr的分類(lèi),按探測(cè)器材料分類(lèi): 常見(jiàn) 1.非晶硒

3、2.非晶硅 3.ccd 很少并淘汰 4.cmos 5.線(xiàn)掃描,四. dr的分類(lèi)的英文意思,ddr(direct digital radiography) (直接的 數(shù)字顯示的 放射照相學(xué)) 非晶硒( a-se)層 薄膜半導(dǎo)體陣列 (thin film transistor array 簡(jiǎn)稱(chēng)tft 陣列) (細(xì)小的 電影膠片 晶體管 隊(duì)伍) 2. idr(indirect digital radiography) (間接的 數(shù)字顯示的 放射照相學(xué)) 非晶硅(a-si) 3. ccd(charge coupling device)(電荷 聯(lián)結(jié)器 儀器) (電荷耦合器) 4.c-mos(comple

4、mentary metal oxide semiconductor) (互補(bǔ)的 金屬 氧化物 半導(dǎo)體,五. 各類(lèi)dr的成像原理,1. 非晶硒成像原理 硒作為一種光電導(dǎo)體, 可由x射線(xiàn)引起電荷改變(產(chǎn)生電信號(hào)) 再由薄膜晶體管陣列(tft) 將電信號(hào)讀出并數(shù)字化,非晶硒層,tft層,薄膜半導(dǎo)體陣列(thin film transistor array 簡(jiǎn)稱(chēng)tft 陣列,五. 各類(lèi)dr的成像原理,2. 非晶硅成像原理 x線(xiàn)先經(jīng)熒光介質(zhì)材料轉(zhuǎn)換成可見(jiàn)光, 再由光敏元件將可見(jiàn)光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào), 最后將模擬電信號(hào)經(jīng)a/d轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào),熒光介質(zhì),非晶硅層,tft層,五. 各類(lèi)dr的成像原理,3. cc

5、d成像原理 x射線(xiàn)圖象被熒光屏轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)光, 由光學(xué)系統(tǒng)傳至 直接與ccd連接的半導(dǎo)體陣列上 檢測(cè)并重建圖象,ccd半導(dǎo)體陣列,光學(xué)系統(tǒng),熒光介質(zhì),六. dr的成像過(guò)程,1. 間接成像過(guò)程(idr) x-線(xiàn)信息 閃爍體 可見(jiàn)光信息 光電二極管 薄膜晶體管 電信息 a/d轉(zhuǎn)換 數(shù)字信息 計(jì)算機(jī),2. 直接成像過(guò)程(ddr) x-線(xiàn)信息 非晶硒 電信息 a/d轉(zhuǎn)換 數(shù)字信息,計(jì)算機(jī),特別關(guān)注,無(wú)論哪種類(lèi)型的dr, 其“直接”和“間接”是相對(duì)的。 所謂“直接”(如a-se) 也僅僅是因其本身是一種電導(dǎo)材料, 而減少了一個(gè)光轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)而已, 最終都要通過(guò)tft檢測(cè)陣列, 再經(jīng)a/d轉(zhuǎn)換、處理才能獲得數(shù)字

6、圖像。 從嚴(yán)格意義上講, dr 只有轉(zhuǎn)換方式不同之分, 而無(wú)“直接”和“間接”之分,七. 檢測(cè)平板探測(cè)器性能的主要參數(shù),一)量子檢測(cè)效能dqe (二)動(dòng)態(tài)范圍 (三)調(diào)制傳遞函數(shù)mtf (四)低x線(xiàn)對(duì)比小物體的可見(jiàn)度 (對(duì)x線(xiàn)敏感度低的物體的檢測(cè)能力,八. 平板探測(cè)器的主要特點(diǎn),1. 工作流程的減化 減少了信號(hào)丟失和噪聲的增加。 2. tft像素極小 確保了dr系統(tǒng)的信噪比高, 3. 圖像灰階范圍大, 使得所示圖像細(xì)節(jié)更清晰、層次更豐富。 4. 放射劑量少,曝光寬容度大, 曝光條件易掌握,提高了檢查效率, 也減少了一般損耗,八. 平板探測(cè)器的主要特點(diǎn),5. 可以根據(jù)臨床需要進(jìn)行各種圖像后處理。

7、 6. 圖像可直接以符合 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)字化格式儲(chǔ)存、傳輸。 7. 可即時(shí)成像,減短檢查時(shí)間, 減少重復(fù)檢查,提高工作效率,九. 平板探測(cè)器的拼接方式,目前平板探測(cè)器有拼接式和單片式兩種。 主要原因是生產(chǎn)大面積矩陣塊工藝難度大。 拼接板的缺點(diǎn)是: 在拼接處像素之間的接縫, 拼接處像素的對(duì)齊, 結(jié)合面之間的應(yīng)力等 均為造成圖像質(zhì)量的不穩(wěn)定因素,十. cr與dr的區(qū)別,一)成像原理 cr 是一種x線(xiàn)間接轉(zhuǎn)換技術(shù), 利用ip板作為x光檢測(cè)器。 dr 是一種x線(xiàn)直接轉(zhuǎn)換技術(shù), 利用硒層或碘化銫-光電二極管 直接把x線(xiàn)光子轉(zhuǎn)換成模擬電壓供數(shù)字化。 所有過(guò)程全部在平板探測(cè)器內(nèi)完成,十. cr與dr的區(qū)別,二

8、)圖像質(zhì)量 圖像分辨率 cr 1)ip中的成像介質(zhì)存在散射,引起潛影模糊。 2)激光掃描儀的激發(fā)光束光點(diǎn)的直徑 與激光光線(xiàn)在ip熒光體內(nèi)的散布, 均使圖像銳利度下降,降低了圖像的分辨率。 3)時(shí)間分辨率差,密度分辨率有時(shí)略顯不足。 dr 1)轉(zhuǎn)換過(guò)程中無(wú)附加設(shè)備,不存在光學(xué)模糊。 2)空間分辨率及密度分辨力 直接由轉(zhuǎn)換介質(zhì)和像素排中像素大小決定。,十. cr與dr的區(qū)別,調(diào)制傳遞函數(shù)mtf 參考平板探測(cè)器性能。 曝光寬容度 cr與dr均有很寬的曝光寬容度,dr可達(dá)20000:1。 噪聲(所有影響圖象質(zhì)量的因素) cr ip的結(jié)構(gòu)噪聲、轉(zhuǎn)換和檢測(cè)x線(xiàn)光子中引入的波動(dòng)、 激光功率漂移、激光束位置的漂移、 激光束激發(fā)ip發(fā)出光的幾率的波動(dòng)以及電子鏈中噪聲等。 dr 主要噪聲源是結(jié)構(gòu)噪聲、電子鏈中噪聲, 以及把x線(xiàn)轉(zhuǎn)換為電荷的幾率波動(dòng)引起的噪聲,十. cr與dr的區(qū)別,三)曝光劑量 cr 常規(guī)劑量的1/4 。 dr 常規(guī)劑量的 1/71/20 。 (四)工作效率 cr 與常規(guī)x線(xiàn)省略相比省略暗室操作環(huán)節(jié): dr 曝光、預(yù)覽、存儲(chǔ)、傳輸僅幾秒鐘,十. cr與dr的區(qū)別,五)工作環(huán)境 cr 工作環(huán)境要求略高。 dr 相比來(lái)說(shuō)略低。 (六)日常耗材 cr 達(dá)一定曝光次

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