材料科學(xué)與工程模板

1、資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)或者侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系改正或者刪除。第一章一、單項(xiàng)選擇 , 請(qǐng)?jiān)陬}中空格處填寫(xiě)正確答案。1. _是尺寸范圍在 10 到 1000nm 的材料結(jié)構(gòu) , 一般包含材料的平均晶粒尺寸、 晶粒尺寸分布、晶粒取向和與缺陷有關(guān)的特征。A微觀結(jié)構(gòu)B納米結(jié)構(gòu)C宏觀結(jié)構(gòu)D 原子結(jié)構(gòu)2_是尺寸范圍在1 到 100nm 的材料結(jié)構(gòu)。A 微觀結(jié)構(gòu)B 納米結(jié)構(gòu)C 宏觀結(jié)構(gòu)D 原子結(jié)構(gòu)3 -Fe 的晶格常數(shù)為 a, 其原子半徑為 _ a 。A. 0.5B. 0.433C. 0.354D.14 -Fe 的晶格常數(shù)為 a, 其原子半徑為 _ a 。A. 0.5B. 0.433C. 0.354D. 1

2、5Zn 的晶格常數(shù)為 a, 其原子半徑為 _ a 。A. 0.5B. 0.433C. 0.354D. 16面心立方晶胞原子數(shù)為_(kāi)個(gè)。A. 2B. 4C. 8D. 67密排六方晶胞原子數(shù)為_(kāi)個(gè)。A. 2B. 4C. 6D.88體心立方晶胞原子數(shù)為_(kāi)個(gè)。A. 2B. 4C. 8D. 69立方晶系的一個(gè)晶胞中( 1 1 0) 和 ( 1 1 2 ) 兩晶面交線的晶向指數(shù)為 _ 。A. 110B. 110C. 1 11D. 11110面心立方的晶格常數(shù)為a, ( 110) 的晶面間距為_(kāi) a。A. 0.707B. 0.577C. 0.354D. 0.43311體心立方的晶格常數(shù)為a, ( 111) 的

3、晶面間距為_(kāi) a。A. 0.289B. 0.577C. 0.354D. 0.43312體心立方的晶格常數(shù)為a, ( 110) 的晶面間距為_(kāi) a。A. 0.707B. 0.577C. 0.354D. 0.43313立方晶系 111晶面族有 _個(gè)位向不同但原子排列情況相同的晶面。A. 2B. 4C. 8D. 314立方晶系 晶向族有 _個(gè)位向不同但原子排列情況相同的晶向。資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)或者侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系改正或者刪除。A. 2B. 4C. 8D. 315體心立方晶格的配位數(shù) _個(gè)。A 12B 8C 4D 216面心立方晶格的配位數(shù) _個(gè)。A 12B 8C 4D 217體心立方晶格的

4、八面體 隙半徑R= _ r。( r 原子半徑 )A 0.414B 0.291C 0.155D 0.22518_具有體心立方的晶格。A -FeB AlC CuD -Fe19_具有密排六方的晶格。A -FeB AlC CuD Zn20_具有面心立方的晶格。A -FeB WC MgD Cu判斷正 , 正確在括號(hào)內(nèi)打, 在括號(hào)內(nèi)打。1. 面心立方晶格原子堆 方式 ABAB 。2. 密排六方晶格原子堆 方式 ABCABC 。3. 各向異性是晶體區(qū) 于非晶體的一個(gè)重要 志。4. 性模量和 度都 材料的 微 很敏感。5. 合能很高的離子 和共價(jià) 材料 , 具有很高的熔點(diǎn)、 性模量和低的 膨 系數(shù)。6.7.8

5、.9.晶體分 七個(gè)晶系和七種布拉菲點(diǎn) 。原子空 堆 方式不同的面心立方和密排六方 構(gòu)都能 得空 最 密的排列 , 配位數(shù) 12 和致密度 0.74。常利用 X 射 衍射技 ( XRD) 和 子衍射來(lái)研究晶體材料的晶體 構(gòu)。透射 子 微 ( TEM) 用于材料微小尺度范 內(nèi) 微 像特征的 察和分析。10. 工程材料一般 多晶體 , 它和 晶體一 都表 出晶體的各向異性。11. 材料的 合能越大 , 熔點(diǎn)越高 , 原子 距 化的力越小 , 材料的 性模量越低。資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)或者侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系改正或者刪除。12. 原子結(jié)合力高的材料原子的內(nèi)能越大 , 原子偏離的距離較小 , 其線熱膨

6、脹系數(shù)較低。13. 液晶高分子材料就像一種液體狀的非晶態(tài)材料。當(dāng)外界的電場(chǎng)或者溫度變化時(shí) ,這些高分子材料中的分子就會(huì)在小范圍內(nèi)排列成晶體。14.布拉菲點(diǎn)陣的結(jié)點(diǎn)反映的是晶體中原子或原子集團(tuán)的分布規(guī)律 , 結(jié)點(diǎn)本身并不一定代表原子 , 點(diǎn)陣和晶體結(jié)構(gòu)并不一定相同。15. 采用特定工藝制備的單晶材料或者是定向生長(zhǎng)的晶體材料具有各向異性的力學(xué)性能、 光學(xué)性能、 磁性能和介電性能。16. 二氧化硅玻璃具有短程有序的結(jié)構(gòu) , 石英和其它二氧化硅晶體具有長(zhǎng)程有序的結(jié)構(gòu)。17.晶胞的形狀和大小可由三個(gè)棱邊的長(zhǎng)度及其夾角完全表示出來(lái), 這六個(gè)參數(shù)稱為晶格常數(shù)。18. 立方晶系中 , 晶面和晶向垂直 , 則晶

7、面和晶向的指數(shù)相同。反之亦然。19. 晶面間距越小 , 晶面上原子的排列就越密集。20. 面心立方和體心立方均存在正八面體間隙。21. 如果間隙原子尺寸很大 , 它會(huì)進(jìn)入配位數(shù)更大的間隙。22.半徑比為 0.225-0.414 的原子會(huì)進(jìn)入四面體間隙, 半徑比大于0.414 的原子進(jìn)入八面體間隙。23.許多離子晶體能夠看成是由大尺寸的陰離子緊密堆垛而成的, 小尺寸的陽(yáng)離子位于間隙位置。第 2 章一、 單項(xiàng)選擇 , 請(qǐng)?jiān)陬}中空格處填寫(xiě)正確答案。1圖中_ 段位錯(cuò)線為刃型位錯(cuò), 且額外半排原子面處于垂直于紙面朝上的位置。資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)或者侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系改正或者刪除。A DCB CBC

8、 BAD AD2. 實(shí)際晶體強(qiáng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于理論強(qiáng)度的原因, 是由于實(shí)際晶體中存在大量的A.晶界B. 亞晶界C. 空位D. 位錯(cuò)3方法不能獲得過(guò)飽和點(diǎn)缺陷。A高溫淬火B(yǎng)冷變形C輻照D退火4不屬于面缺陷。A相界面B位錯(cuò)C堆垛層錯(cuò)D亞晶界5不屬于點(diǎn)缺陷。A空位B孿晶界C置換原子D 間隙原子6. 屬于線缺陷。A堆垛層錯(cuò)B 孿晶界C 位錯(cuò)D 間隙原子7.利用觀察位錯(cuò)有一定的局限性, 它只能觀察在表面露頭的位錯(cuò), 而在晶體內(nèi)部的位錯(cuò)則無(wú)法顯示。A綴飾法B 透射電鏡C蝕坑D場(chǎng)離子顯微鏡觀測(cè)方法8.圖中晶面上有位錯(cuò)環(huán), 其柏氏矢量b 垂直于滑移面 , 該位錯(cuò)環(huán)在切應(yīng)力作用下的運(yùn)動(dòng)特征為 _。A在位錯(cuò)環(huán)平面上攀移

9、B在位錯(cuò)環(huán)平面上滑移C沿經(jīng)過(guò)位錯(cuò)環(huán)的圓柱面滑移D不能確定9.如圖所示垂直于紙面的位錯(cuò), 位錯(cuò)正向朝紙面外, 在圖示切應(yīng)力作用下向左運(yùn)動(dòng)。其柏氏矢量方向朝。資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)或者侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系改正或者刪除。A上B下C左D右10.由派 -納力的公式可知, _。A 滑移阻力隨柏氏矢量的大小呈直線上升 C 滑移阻力隨柏氏矢量的大小呈指數(shù)下降B 滑移阻力隨滑移面的面間距呈指數(shù)下降 D 滑移阻力隨滑移面的面間距呈指數(shù)上升二、 判斷正誤 , 正確在括號(hào)內(nèi)打 ,錯(cuò)誤在括號(hào)內(nèi)打。( 每題 1 分 , 共 10 分 )1. 任何一條位錯(cuò)線 , 不論其形狀如何 , 位錯(cuò)線各點(diǎn)的柏氏矢量都相同。2. 晶體

10、中非密排面的表面能最低 , 故晶體力求以非密排面作為晶體的外表面。3. 共格界面的界面能最低。4. 共格界面的應(yīng)變能最低。5.肖脫基空位是晶體中的原子遷移到晶體點(diǎn)陣的間隙位置, 在原位置形成的空位。6. 弗蘭克空位是晶體中的原子離開(kāi)平衡位置 , 遷移到表面或其它界面而在原位置形成的空位。7. 點(diǎn)缺陷的平衡濃度與化學(xué)反應(yīng)速率一樣, 隨溫度升高呈指數(shù)關(guān)系增加。8.點(diǎn)缺陷能夠造成金屬物理性能與力學(xué)性能的變化, 最明顯的是引起電阻的增加。9. 滑移是上、 下兩部分晶體作整體性的剛性移動(dòng)實(shí)現(xiàn)的。10. 空位的數(shù)量取決于材料的溫度 , 其平衡濃度隨溫度升高呈直線關(guān)系上升。11. 位錯(cuò)線的方向 t 與柏氏矢

11、量 b 平行 , 為刃型位錯(cuò)。12. 位錯(cuò)線的方向 t 與柏氏矢量 b 垂直 , 為螺型位錯(cuò)。13. 不論是刃型位錯(cuò)或螺型位錯(cuò) , 位錯(cuò)線的運(yùn)動(dòng)方向總是與位錯(cuò)線垂直的。14. 在位錯(cuò)應(yīng)力場(chǎng)作用下 , 溶質(zhì)原于與螺型位錯(cuò)能發(fā)生強(qiáng)烈的交互作用 , 形成柯氏氣團(tuán)。15. 一根不分岔的位錯(cuò)線 , 無(wú)論其形狀如何變化 , 它只有一個(gè)恒定的柏氏矢量。16. 位錯(cuò)線不能終止在晶體內(nèi)部 , 只能終止在表面或界面 , 或與其它位錯(cuò)線連成結(jié)資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)或者侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系改正或者刪除。點(diǎn)。17.使刃型位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的切應(yīng)力方向與位錯(cuò)線垂直;18.使螺型位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的切應(yīng)力方向與螺型位錯(cuò)垂直;19.不論是刃或

12、螺型位錯(cuò) , 使位錯(cuò)滑移的切應(yīng)力方向和柏氏矢量b 都是一致的 ;20. 滑移阻力隨柏氏矢量的大小呈指數(shù)上升。金屬和合金的密排方向就是滑移方向。21.滑移阻力隨滑移面的面間距呈指數(shù)下降。滑移面應(yīng)為原子的面密度大, 面間距大的密排面。因此說(shuō), 滑移最容易沿著晶體中最密晶面上的最密晶向進(jìn)行。22. 刃型位錯(cuò)和螺型位錯(cuò)均能發(fā)生攀移運(yùn)動(dòng)。23. 蝕坑觀察位錯(cuò)只適合于位錯(cuò)密度很高的晶體。24. 表面的曲率越小 , 則表面能越大。25. 大角度晶界的遷移速率較小角度晶界小。26. 奧氏體不銹鋼的層錯(cuò)能小 , 層錯(cuò)出現(xiàn)的幾率大 , 能夠看到大量的層錯(cuò)。27. 鋁的層錯(cuò)能小 , 層錯(cuò)出現(xiàn)的幾率大 , 能夠看到大

13、量的層錯(cuò)。28. 和堆垛層錯(cuò)和孿晶界相比 , 界面能高的晶界阻礙滑移的能力最強(qiáng)。29. 和金屬和合金相比 , 陶瓷的柏氏矢量比較小 , 派 -納力大。30. 在共價(jià)鍵晶體 ( 如硅 ) 和聚合物中 , 位錯(cuò)不容易運(yùn)動(dòng)。31. 位錯(cuò)攀移是一個(gè)熱激活過(guò)程 , 一般只有在高溫下攀移才對(duì)位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生重要影響 , 而常溫下它的貢獻(xiàn)并不大。第三章凝固原理一、單項(xiàng)選擇 , 請(qǐng)?jiān)陬}中空格處填寫(xiě)正確答案。1. 具有粗糙界面的金屬 , 其長(zhǎng)大機(jī)理為 _長(zhǎng)大。A二維晶核B垂直C螺位錯(cuò)D刃位錯(cuò)2在負(fù)的溫度梯度下, 常見(jiàn)純金屬都是以_方式生長(zhǎng)。A臺(tái)階B胞狀C平面D樹(shù)枝狀資料內(nèi)容僅供您學(xué)習(xí)參考，如有不當(dāng)或者侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系

14、改正或者刪除。3不利于提高非均勻形核時(shí)形核率的因素是_。A很大的過(guò)冷度B凹曲面的固體雜質(zhì)C很大的過(guò)熱度D變質(zhì)處理4不利于細(xì)化晶粒的工藝是_。A提高過(guò)冷度B變質(zhì)處理C振動(dòng)攪拌D減小過(guò)冷度5金屬凝固時(shí) , _。A一定為晶體B一定為非晶體C任何冷速下都能夠得到晶D只有在快速凝固時(shí)才能得體和非晶體到非晶體6金屬凝固時(shí) , 臨界晶核半徑大小 _。A與晶核表面能、過(guò)冷度成B與晶核表面能成正比, 與反比過(guò)冷度成反比C與晶核表面能、過(guò)冷度成D 與晶核表面能成反比, 與過(guò)正比冷度成正比7有形狀、 尺寸相同的4 個(gè) Cu-Ni 合金鑄件 , 鑄造以后自然冷卻 , 偏析較嚴(yán)重的是含 _%Ni 的鑄件。A 10B 50C 90D 958假設(shè)過(guò)冷液體中出現(xiàn)一個(gè)立方體晶胚, 形核功 _。A等于表面能B 等于表面能的 1/2C等于表面能的 1/3D 等于表面能的 2/39假設(shè)過(guò)冷液體中出現(xiàn)一個(gè)球形晶胚, 形核功 _。A等于體積自由能B 等于體積自由能的1/2C等于體積自由能的 1/3D 等于體積自由能的2/310假設(shè)過(guò)