uc3842開關(guān)電源設(shè)計(jì)流程

1、實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案 目的 希望以簡(jiǎn)短的篇幅，將公司目前設(shè)計(jì)的流程做介紹，若有介紹不當(dāng)之處，請(qǐng)不吝指教 . 設(shè)計(jì)步驟 :繪線路圖、 PCB Layout.變壓器計(jì)算 .零件選用 .設(shè)計(jì)驗(yàn)證 .設(shè)計(jì)流程介紹 ( 以 DA-14B33 為例 ):線路圖、 PCB Layout 請(qǐng)參考資識(shí)庫(kù)中說明 .變壓器計(jì)算 :變壓器是整個(gè)電源供應(yīng)器的重要核心，所以變壓器的計(jì)算及驗(yàn)證是很重要的，以下即就 DA-14B33 變壓器做介紹 . 決定變壓器的材質(zhì)及尺寸 :依據(jù)變壓器計(jì)算公式B(max) LpxIp x100 GaussNpxAeB(max) = 鐵心飽合的磁通密度 (Gauss)Lp = 一次側(cè)電感值 (uH)

2、Ip = 一次側(cè)峰值電流 (A)Np = 一次側(cè) ( 主線圈 )圈數(shù)Ae = 鐵心截面積 (cm2)B(max) 依鐵心的材質(zhì)及本身的溫度來(lái)決定，以TDK Ferrite Core PC40 為例， 100時(shí)的 B(max) 為 3900 Gauss，設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)考慮零件誤差，所以一般取 30003500 Gauss 之間，若所設(shè)計(jì)的 power 為 Adapter( 有外殼 )則應(yīng)取 3000 Gauss 左右，以避 免鐵心因高溫而飽合，一般而言鐵心的尺寸越大， Ae 越高，所以可以做較大瓦數(shù)的 Power。決定一次側(cè)濾波電容 :濾波電容的決定，可以決定電容器上的 Vin(min) ，濾波電容越

3、大， Vin(win) 越高，可以做較大瓦數(shù)的 Power，但相對(duì)價(jià)格 亦較高。決定變壓器線徑及線數(shù) :當(dāng)變壓器決定后，變壓器的 Bobbin 即可決定，依據(jù) Bobbin 的槽寬，可決定變壓器的線徑及線數(shù)，亦可計(jì)算出線徑的電 流密度，電流密度一般以 6A/mm 2 為參考，電流密度對(duì)變壓器的設(shè)計(jì)而言，只能當(dāng)做參考值，最終應(yīng)以溫升記錄為準(zhǔn)。 決定 Duty cycle ( 工作周期 ):由以下公式可決定 Duty cycle ， Duty cycle 的設(shè)計(jì)一般以 50% 為基準(zhǔn)， Duty cycle 若超過 50%易導(dǎo)致振蕩的發(fā)生。Ns (Vo VD )x(1 D)NpVin (min)

4、xDNS = 二次側(cè)圈數(shù)NP = 一次側(cè)圈數(shù)Vo = 輸出電壓V D= 二極管順向電壓Vin(min) = 濾波電容上的谷點(diǎn)電壓 文檔大全實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案D = 工作周期 (Duty cycle)決定 Ip 值 :Ip1Iav I2IavPout Vin (min) xDxVin(min) P xLp fIp = 一次側(cè)峰值電流Iav = 一次側(cè)平均電流Pout = 輸出瓦數(shù) 效率f PWM 震蕩頻率決定輔助電源的圈數(shù) : 依據(jù)變壓器的圈比關(guān)系，可決定輔助電源的圈數(shù)及電壓。決定 MOSFET 及二次側(cè)二極管的 Stress(應(yīng)力 ):依據(jù)變壓器的圈比關(guān)系，可以初步計(jì)算出變壓器的應(yīng)力(Stress)

5、是否符合選用零件的規(guī)格，計(jì)算時(shí)以輸入電壓264V( 電容器上為 380V) 為基準(zhǔn)。其它:若輸出電壓為 5V 以下，且必須使用 TL431 而非 TL432 時(shí)，須考慮多一組繞組提供 Photo coupler 及 TL431 使用。將所得資料代入 B (max) LpxIp x100 Gauss公式中，如此可得出 B(max) ，若 B(max) 值太高或太低則參數(shù)必須重新 NpxAe調(diào)整DA-14B33 變壓器計(jì)算 :輸出瓦數(shù) 13.2W(3.3V/4A) ，Core = EI-28 ，可繞面積 (槽寬)=10mm ， Margin Tape = 2.8mm( 每邊 )，剩余可繞面積 =4

6、.4mm. 假設(shè) fT = 45 KHz ， Vin(min)=90V ， =0.7， P.F.=0.5(cos)， Lp=1600 Uh計(jì)算式 :變壓器材質(zhì)及尺寸 :由以上假設(shè)可知材質(zhì)為 PC-40 ，尺寸 =EI-28 ， Ae=0.86cm 2，可繞面積 (槽寬 )=10mm ，因 Margin Tape 使用 2.8mm ，所以剩 余可繞面積為 4.4mm.假設(shè)濾波電容使用 47uF/400V ，Vin(min) 暫定 90V 。決定變壓器的線徑及線數(shù)PoutIinVin (min) x xcos13.20.42A90x0.7x0.5假設(shè) NP 使用 0.32的線電流密度 =0.420

7、.423.14x20.32 23.14x0.1024 1.286A可繞圈數(shù) = 剩餘可繞面績(jī)線徑4.412.57圈0.32 0.03假設(shè) Secondary 使用 0.35 的線 文檔大全實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案電流密度 =3.14x20.35 223.14x0.0289 44.07A假設(shè)使用 4P，則44.07電流密度 = 44.07 11.02A44.4可繞圈數(shù) =11.57圈0.35 0.03決定 Duty cycle:假設(shè) Np=44T ， Ns=2T ，V D =0.5(使用 schottky Diode)Ns Vo VD 1 DNp Vin(min) D2 3.3 0.5 1 D44 90DD

8、 48.2%決定 Ip 值 :1Ip Iav I2Pout13.2IavVin (min) x xD 90x0.7x0.4820.435ALpI Vin(min) x D 90 x 0.482 0.603A 1600u 45KIp 0.435 0.603 0.737 A2決定輔助電源的圈數(shù) 假設(shè)輔助電源 =12VNs3.823.8NA1=6.3 圈NA112NA112假設(shè)使用0.23的線可繞圈數(shù)=4.419.13圈(0.23 0.02)若 NA1 =6Tx2P ，則輔助電源 =11.4V44= 380 3.3 0.5決定 MOSFET 及二次側(cè)二極管的 Stress(應(yīng)力 ):MOSFET(Q

9、1) = 最高輸入電壓 (380V)+ Np Vo VDNs=463.6V文檔大全實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案NsDiode(D5)= 輸出電壓 (Vo)+ x 最高輸入電壓 (380V)Np2= 3.3x38044=20.57VDiode(D4)= 輸出電壓 (N A2)NsNpx最高輸入電壓(380V )= 6.6 4 x380 =41.4V44其它: 因?yàn)檩敵鰹?3.3V ，而 TL431 的 Vref 值為 2.5V ，若再加上 photo coupler 上的壓降約 1.2V ，將使得輸出電壓無(wú)法推動(dòng) Photo可繞圈數(shù)coupler 及 TL431 ，所以必須另外增加一組線圈提供回授路徑所需的電壓

10、。 假設(shè) NA2 = 4T 使用 0.35線，則11.58T ，所以可將 NA2 定為 4Tx2P0.35 0.03Ns 3.8N A2 V A22 3.84V A2V A2 7.6VLpxIpB(max) x100NpxAe(Gauss)1600x0.73744x0.86x100 3116.3 Gauss變壓器的接線圖0.32 x1Px22T0.35 x4Px2T0.32 x1Px22T0.35 x2Px4T0.23 x2Px6T零件選用 :零件位置 (標(biāo)注 )請(qǐng)參考線路圖: (DA-14B33 Schematic)FS1:由變壓器計(jì)算得到 Iin值，以此 Iin值(0.42A)可知使用公司

11、共享料 2A/250V ，設(shè)計(jì)時(shí)亦須考慮 Pin(max)時(shí)的 Iin是否會(huì)超文檔大全實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案 過保險(xiǎn)絲的額定值。TR1（ 熱敏電阻 ）:電源啟動(dòng)的瞬間，由于 C1（ 一次側(cè)濾波電容 ）短路，導(dǎo)致 Iin 電流很大，雖然時(shí)間很短暫，但亦可能對(duì) Power 產(chǎn)生傷害， 所以必須在濾波電容之前加裝一個(gè)熱敏電阻，以限制開機(jī)瞬間 Iin在Spec之內(nèi)（115V/30A ，230V/60A） ，但因熱敏電阻亦 會(huì)消耗功率，所以不可放太大的阻值 （ 否則會(huì)影響效率 ），一般使用 SCK053（3A/5 ），若 C1 電容使用較大的值，則必須考 慮將熱敏電阻的阻值變大 （一般使用在大瓦數(shù)的 Power

12、上 ）。VDR1（ 突波吸收器 ）:當(dāng)雷極發(fā)生時(shí)，可能會(huì)損壞零件，進(jìn)而影響 Power 的正常動(dòng)作，所以必須在靠 AC 輸入端 （Fuse 之后 ），加上突波吸收器 來(lái)保護(hù) Power（ 一般常用 07D471K） ，但若有價(jià)格上的考慮，可先忽略不裝。CY1 ，CY2（Y-Cap）:Y-Cap 一般可分為 Y1 及 Y2 電容，若 AC Input 有 FG（3 Pin） 一般使用 Y2- Cap ， AC Input 若為 2Pin（ 只有 L，N）一般使 用 Y1-Cap ，Y1 與 Y2 的差異，除了價(jià)格外 （Y1 較昂貴 ） ，絕緣等級(jí)及耐壓亦不同 （Y1 稱為雙重絕緣，絕緣耐壓約為

13、Y2 的 兩倍，且在電容的本體上會(huì)有“回”符號(hào)或注明Y1） ，此電路因?yàn)橛?FG所以使用 Y2-Cap ， Y-Cap 會(huì)影響 EMI 特性，一般而言越大越好，但須考慮漏電及價(jià)格問題，漏電（Leakage Current ） 必須符合安規(guī)須求 （3Pin 公司標(biāo)準(zhǔn)為 750uA max） 。CX1（X-Cap） 、 RX1:X-Cap 為防制 EMI 零件，EMI 可分為 Conduction 及 Radiation 兩部分， Conduction 規(guī)范一般可分為 : FCC Part 15J Class B 、 CISPR 22（EN55022） Class B 兩種 ， FCC 測(cè)試頻率在

14、 450K30MHz ，CISPR 22 測(cè)試頻率在 150K30MHz ， Conduction 可在廠內(nèi)以頻譜分析儀驗(yàn)證， Radiation 則必須到實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證， X-Cap 一般對(duì)低頻段 （150K 數(shù) M 之間 ）的 EMI 防制有效， 一般而言 X-Cap 愈大， EMI 防制效果愈好 （但價(jià)格愈高 ），若 X-Cap 在 0.22uf 以上 （包含 0.22uf） ，安規(guī)規(guī)定必須要有泄放電 阻（RX1 ，一般為 1.2M 1/4W） 。LF1（Common Choke）:EMI 防制零件， 主要影響 Conduction 的中、低頻段， 設(shè)計(jì)時(shí)必須同時(shí)考慮 EMI 特性及溫升，

15、以同樣尺寸的 Common Choke 而言，線圈數(shù)愈多 （相對(duì)的線徑愈細(xì) ）， EMI 防制效果愈好，但溫升可能較高。BD1（ 整流二極管 ）:將 AC 電源以全波整流的方式轉(zhuǎn)換為DC ，由變壓器所計(jì)算出的 Iin 值，可知只要使用 1A/600V 的整流二極管，因?yàn)槭侨ㄕ魉阅蛪褐灰?600V 即可。C1（濾波電容 ）:由 C1 的大小 （ 電容值 ） 可決定變壓器計(jì)算中的 Vin（min） 值，電容量愈大， Vin（min） 愈高但價(jià)格亦愈高，此部分可在電路中 實(shí)際驗(yàn)證 Vin（min） 是否正確， 若 AC Input 范圍在 90V132V （Vc1 電壓最高約 190V） ，可

16、使用耐壓 200V 的電容 ; 若 AC Input 范圍在 90V264V（ 或 180V264V） ，因 Vc1 電壓最高約 380V ，所以必須使用耐壓 400V 的電容。D2（ 輔助電源二極管 ）: 整流二極管，一般常用 FR105（1A/600V） 或 BYT42M（1A/1000V） ，兩者主要差異 : 耐壓不同 （ 在此處使用差異無(wú)所謂 ）V F 不同 （FR105=1.2V ， BYT42M=1.4V）R10（ 輔助電源電阻 ）:主要用于調(diào)整 PWM IC 的 VCC 電壓，以目前使用的 3843 而言，設(shè)計(jì)時(shí) VCC 必須大于 8.4V（Min. Load 時(shí) ），但為考慮輸

17、文檔大全實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案 出短路的情況， VCC 電壓不可設(shè)計(jì)的太高，以免當(dāng)輸出短路時(shí)不保護(hù) （或輸入瓦數(shù)過大 ）。C7（ 濾波電容 ）: 輔助電源的濾波電容，提供 PWM IC 較穩(wěn)定的直流電壓，一般使用 100uf/25V 電容。Z1（Zener 二極管 ）: 當(dāng)回授失效時(shí)的保護(hù)電路，回授失效時(shí)輸出電壓沖高，輔助電源電壓相對(duì)提高，此時(shí)若沒有保護(hù)電路，可能會(huì)造成零件 損壞，若在 3843 VCC 與 3843 Pin3 腳之間加一個(gè) Zener Diode ，當(dāng)回授失效時(shí) Zener Diode 會(huì)崩潰，使得 Pin3 腳提前到達(dá) 1V ，以此可限制輸出電壓，達(dá)到保護(hù)零件的目的 .Z1 值的大小

18、取決于輔助電源的高低， Z1 的決定亦須考慮是否超過 Q1 的 V GS耐壓值，原則上使用公司的現(xiàn)有料 （一般使用 1/2W 即可 ）.R2（ 啟動(dòng)電阻 ）:提供 3843 第一次啟動(dòng)的路徑， 第一次啟動(dòng)時(shí)透過 R2 對(duì) C7 充電，以提供 3843 VCC 所需的電壓， R2 阻值較大時(shí)， turn on 的時(shí)間較長(zhǎng)，但短路時(shí) Pin 瓦數(shù)較小，R2阻值較小時(shí)， turn on 的時(shí)間較短，短路時(shí) Pin瓦數(shù)較大，一般使用 220K/2W M.O 。R4 （Line Compensation）:高、低壓補(bǔ)償用，使 3843 Pin3 腳在 90V/47Hz 及 264V/63Hz 接近一致

19、（一般使用 750K1.5M 1/4W 之間 ） 。 R3，C6，D1 （Snubber）:此三個(gè)零件組成 Snubber，調(diào)整 Snubber 的目的 :1.當(dāng) Q1 off 瞬間會(huì)有 Spike 產(chǎn)生，調(diào)整 Snubber 可以確保 Spike 不會(huì)超過 Q1 的耐壓值， 2.調(diào)整 Snubber 可改善 EMI. 一般而言， D1 使用 1N4007（1A/1000V）EMI 特性會(huì)較好 .R3 使用 2W M.O. 電阻， C6 的耐壓值以兩端實(shí)際壓差為準(zhǔn) （一般使用耐壓 500V 的陶質(zhì)電容 ）。Q1（N-MOS）:目前常使用的為 3A/600V 及 6A/600V 兩種， 6A/6

20、00V 的 RDS（ON） 較 3A/600V 小，所以溫升會(huì)較低，若 IDS 電流未超過 3A， 應(yīng)該先以 3A/600V 為考慮，并以溫升記錄來(lái)驗(yàn)證，因?yàn)?6A/600V 的價(jià)格高于 3A/600V 許多， Q1 的使用亦需考慮 VDS 是 否超過額定值。R8:R8 的作用在保護(hù) Q1 ，避免 Q1 呈現(xiàn)浮接狀態(tài)。R7（Rs 電阻 ）:3843 Pin3 腳電壓最高為 1V ， R7的大小須與 R4配合，以達(dá)到高低壓平衡的目的，一般使用 2W M.O. 電阻，設(shè)計(jì)時(shí)先決 定 R7 后再加上 R4 補(bǔ)償，一般將 3843 Pin3 腳電壓設(shè)計(jì)在 0.85V0.95V 之間 （視瓦數(shù)而定，若瓦

21、數(shù)較小則不能太接近 1V ， 以免因零件誤差而頂?shù)?1V） 。R5，C3（RC filter）:濾除 3843 Pin3 腳的噪聲， R5 一般使用 1K 1/8W ， C3 一般使用 102P/50V 的陶質(zhì)電容， C3 若使用電容值較小者，重載 可能不開機(jī) （因?yàn)?3843 Pin3 瞬間頂?shù)?1V）;若使用電容值較大者，也許會(huì)有輕載不開機(jī)及短路 Pin 過大的問題。R9（Q1 Gate 電阻 ）:R9 電阻的大小，會(huì)影響到 EMI 及溫升特性，一般而言阻值大，Q1 turn on / turn off 的速度較慢， EMI 特性較好，但 Q1的溫升較高、效率較低 （主要是因?yàn)?turn

22、off 速度較慢 ）;若阻值較小， Q1 turn on / turn off 的速度較快， Q1 溫升較低、效 率較高，但 EMI 較差，一般使用 51-150 1/8W 。R6 ，C4（控制振蕩頻率 ）:文檔大全實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案 決定 3843 的工作頻率，可由 Data Sheet 得到 R、C 組成的工作頻率， C4 一般為 10nf 的電容 （誤差為 5%） ，R6 使用精密電 阻，以 DA-14B33 為例， C4 使用 103P/50V PE 電容， R6 為 3.74K 1/8W 精密電阻，振蕩頻率約為 45 KHz 。C5:功能類似 RC filter ，主要功用在于使高壓輕載較

23、不易振蕩，一般使用101P/50V 陶質(zhì)電容。U1（PWM IC）:3843 是 PWM IC 的一種，由 Photo Coupler （U2） 回授信號(hào)控制 Duty Cycle 的大小， Pin3 腳具有限流的作用 （最高電壓 1V） ， 目前所用的 3843 中，有 KA3843（SAMSUNG） 及 UC3843BN（S.T.） 兩種，兩者腳位相同，但產(chǎn)生的振蕩頻率略有差異， UC3843BN 較 KA3843 快了約 2KHz ， fT 的增加會(huì)衍生出一些問題 （例如 :EMI 問題、短路問題 ），因 KA3843 較難買，所以 新機(jī)種設(shè)計(jì)時(shí)，盡量使用 UC3843BN 。R1、R1

24、1、R12、 C2（一次側(cè)回路增益控制 ）:3843 內(nèi)部有一個(gè) Error AMP（ 誤差放大器 ） ，R1、R11 、R12 、C2 及 Error AMP 組成一個(gè)負(fù)回授電路，用來(lái)調(diào)整回路增益的 穩(wěn)定度，回路增益，調(diào)整不恰當(dāng)可能會(huì)造成振蕩或輸出電壓不正確，一般 C2 使用立式積層電容 （ 溫度持性較好 ） 。U2（Photo coupler）光耦合器 （Photo coupler） 主要將二次側(cè)的信號(hào)轉(zhuǎn)換到一次側(cè) （ 以電流的方式 ） ，當(dāng)二次側(cè)的 TL431 導(dǎo)通后， U2 即會(huì)將二次側(cè) 的電流依比例轉(zhuǎn)換到一次側(cè)，此時(shí)3843 由 Pin6 （output） 輸出 off 的信號(hào) （L

25、ow） 來(lái)關(guān)閉 Q1，使用 Photo coupler 的原因，是為了符合安規(guī)需求 （primacy to secondary 的距離至少需 5.6mm） 。R13（ 二次側(cè)回路增益控制 ）:控制流過 Photo coupler 的電流， R13 阻值較小時(shí)，流過 Photo coupler 的電流較大， U2 轉(zhuǎn)換電流較大，回路增益較快 （需 要確認(rèn)是否會(huì)造成振蕩 ），R13阻值較大時(shí)，流過 Photo coupler 的電流較小， U2 轉(zhuǎn)換電流較小，回路增益較慢，雖然較 不易造成振蕩，但需注意輸出電壓是否正常。U3（TL431） 、 R15、R16、R18R13/ R16 R18調(diào)整輸出

26、電壓的大小， Vo Vref x ，輸出電壓不可超過 38V（因?yàn)?TL431 V KA最大為 36V ，若再加 R15 / R16Photo coupler 的VF值，則 Vo應(yīng)在 38V 以下較安全 ），TL431 的 Vref 為2.5V ，R15及R16并聯(lián)的目的使輸出電壓能微調(diào)， 且 R15 與 R16 并聯(lián)后的值不可太大 （盡量在 2K以下 ），以免造成輸出不準(zhǔn)。R14 ， C9（ 二次側(cè)回路增益控制 ）: 控制二次側(cè)的回路增益，一般而言將電容放大會(huì)使增益變慢；電容放小會(huì)使增益變快，電阻的特性則剛好與電容相反， 電阻放大增益變快；電阻放小增益變慢，至于何謂增益調(diào)整的最佳值，則可以

27、Dynamic load 來(lái)量測(cè)，即可取得一個(gè)最佳 值。D4（ 整流二極管 ）:因?yàn)檩敵鲭妷簽?3.3V ，而輸出電壓調(diào)整器 （Output V oltage Regulator）使用 TL431（Vref=2.5V） 而非 TL432（Vref=1.25V） ，所以 必須多增加一組繞組提供 Photo coupler 及 TL431 所需的電源，因?yàn)?U2 及 U3 所需的電流不大 （ 約 10mA 左右 ），二極管耐 壓值 100V 即可，所以只需使用 1N4148（0.15A/100V） 。C8（ 濾波電容 ）:因?yàn)?U2 及 U3 所需的電流不大，所以只要使用 1u/50V 即可。D5

28、（ 整流二極管 ）:文檔大全實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案 輸出整流二極管， D5 的使用需考慮 :電流值二極管的耐壓值以 DA-14B33 為例，輸出電流 4A ，使用 10A 的二極管 （Schottky） 應(yīng)該可以，但經(jīng)點(diǎn)溫升驗(yàn)證后發(fā)現(xiàn)D5 溫度偏高，所以必須換為 15A 的二極管，因?yàn)?10A的VF較15A的VF值大。耐壓部分 40V經(jīng)驗(yàn)證后符合， 因此最后使用 15A/40V SchottkyC10 ， R17（二次側(cè) snubber） :D5 在截止的瞬間會(huì)有 spike 產(chǎn)生，若 spike 超過二極管 （D5） 的耐壓值，二極管會(huì)有被擊穿的危險(xiǎn)，調(diào)整snubber 可適當(dāng)?shù)臏p少 spike 的電

29、壓值，除保護(hù)二極管外亦可改善EMI ，R17 一般使用 1/2W 的電阻， C10 一般使用耐壓 500V 的陶質(zhì)電容，snubber 調(diào)整的過程 （264V/63Hz） 需注意 R17,C10 是否會(huì)過熱，應(yīng)避免此種情況發(fā)生。C11， C13（濾波電容 ）:二次側(cè)第一級(jí)濾波電容，應(yīng)使用內(nèi)阻較小的電容（LXZ ， YXA） ，電容選擇是否洽當(dāng)可依以下三點(diǎn)來(lái)判定:輸出 Ripple 電壓是符合規(guī)格 電容溫度是否超過額定值電容值兩端電壓是否超過額定值R19（ 假負(fù)載 ）: 適當(dāng)?shù)氖褂眉儇?fù)載可使線路更穩(wěn)定，但假負(fù)載的阻值不可太小，否則會(huì)影響效率，使用時(shí)亦須注意是否超過電阻的額定 值 （一般設(shè)計(jì)只使用

30、額定瓦數(shù)的一半）。L3 ，C12（LC 濾波電路 ）:LC 濾波電路為第二級(jí)濾波，在不影響線路穩(wěn)定的情況下，一般會(huì)將 L3 放大 （電感量較大 ） ，如此 C12 可使用較小的電容 值。設(shè)計(jì)驗(yàn)證 :（ 可分為三部分 ）設(shè)計(jì)階段驗(yàn)證樣品制作驗(yàn)證QE 驗(yàn)證設(shè)計(jì)階段驗(yàn)證設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)階段應(yīng)該養(yǎng)成記錄的習(xí)慣，記錄可以驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)結(jié)果是否與電氣規(guī)格相符，以下即就 DA-14B33 設(shè)計(jì)階段驗(yàn)證做 說明 （驗(yàn)證項(xiàng)目視規(guī)格而定 ）。電氣規(guī)格驗(yàn)證 :3843 PIN3 腳電壓 （full load 4A） :90V/47Hz =0.83V115V/60Hz =0.83V132V/60Hz =0.83V180V/60Hz

31、 =0.86V230V/60Hz =0.88V264V/63Hz =0.91VDuty Cycle , f T:文檔大全實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案fT 46.8KHzfT 46.8KHzton 10.15uston 3.25us90V / 47Hz264V / 60HzT 21.35ust 21.35usDuty Cycle 47.5%Duty Cycle 15.2%Vin(min) = 100V (90V / 47Hz full load)Stress (264V / 63Hz full load) :D5:Q1 MOSFET:D4:輔助電源 (開機(jī)，滿載 )、短路 Pin max.:開機(jī) 0.18A(8

32、.4V)90V / 47Hz 滿載 11.26V(4A)短路 1.2W (max.)文檔大全實(shí)用標(biāo)準(zhǔn)文案開機(jī) 0.13A(8.4V)264V /63Hz 滿載 11.26V (4 A)短路 8.8W(max.)90V/47Hz = OK 115V/60Hz = OK 132V/60Hz = OK 180V/60Hz = OK 230V/60Hz = OK 264V/63Hz = OKStatic (full load)Pin(w)Iin(A)Iout(A)Vout(V)P.F.Ripple(mV)Pout(w)eff90V/47Hz18.70.3643.300.573213.2270.7115V/60Hz18.60.3143.300.522813.2271.1132V/60Hz18.60.2843.300.502913.2271.1180V/60Hz18.70.2143.300.493013.2370.7230V/60Hz18.90.1843.300.462913.2269.9264V/60Hz19.20.1643.300.452913.2368.9Full Range 負(fù)載 (0.3A-4A) (驗(yàn)證是否有振蕩現(xiàn)象 )回授失效 ( 輸出輕載 ) 90V/47Hz Vout = 8.3V 264V/63Hz