二氧化鈦納米管陣列PPT學習課件

1、多元鈦基合金氧化物納米管制備 和光催化性能研究進展 Background TiO2納米管的修飾納米管的修飾 noble metal deposition narrow band-gap semiconductors coupling dye sensitization 后修飾后修飾 多元宏觀結構上的簡單疊加與復合，組分分布不均勻多元宏觀結構上的簡單疊加與復合，組分分布不均勻 與與TiO2納米管作用不強，易于從本體脫落納米管作用不強，易于從本體脫落 降低降低TiO2納米管本身固有的比表面積納米管本身固有的比表面積 原位修飾原位修飾 鈦合金納米管鈦合金納米管 only absorb the UV

2、light sluggish charge transfer kinetics narrowing band gap aligning the band-edge positions maximizing the surface area using charge transfer catalysts ustrongly enhanced water splitting ability（undoped TiO2 nanotube） ulong-term stability (many other doping attempts) umore efficient than pure TiO2 n

3、anotubes decorated with RuO2 nanoparticles TOF-SIMS是通過用一次離子激發(fā)樣品表面，打出極其微量的二次離子，根據(jù)二次離子因不是通過用一次離子激發(fā)樣品表面，打出極其微量的二次離子，根據(jù)二次離子因不 同的質量而飛行到探測器的時間不同來測定離子質量的極高分辨率的測量技術同的質量而飛行到探測器的時間不同來測定離子質量的極高分辨率的測量技術 0.01 at%0.05 at% 0.1 at% 0.2 at% 0.5 at% 1.2 at% 0.25% 0.95% AM 1.5 solar simulator 0.05 at% Ru-alloy layers

4、at 500 mV applied bias MoO3 in Self-Organized TiO2 Nanotubes for Enhanced Photocatalytic Activity Patrik Schmuki et al. UV light (325 nm) AO7 Enhanced Photoassisted Water Electrolysis Using Vertically Oriented Anodically Fabricated Ti-Nb-Zr-O Mixed Oxide Nanotube Arrays Nageh K. Allam, Faisal Alamgi

5、r, Mostafa A. El-Sayed ACS Nano 2010(4) 10 V 20 V 15 V 20 V 30 V 40 V 甲酰胺溶液甲酰胺溶液 水溶液水溶液 7 h 20 h 0.2 M NH4F + 0.1 M H3PO4 Ti4+ Nb5+ Zr4+ 1 M KOH solution under UV (320400 nm, 100 mW/cm2) why tube length can be used to explain the different photoconversion efficiency of the 4 m and 7 m long nanotube

6、TiO2 nanotube (7 m ): 9.7 % Ti-Nb-Zr-O nanotube (7 m ): 11.4 % Ti-Nb-Zr-O nanotube (4 m ): 6.9 % distinct tube structure distinct tube composition 21 2 nm wall thickness 10 2 nm wall thickness estimated flatband potential Conclusion u利用多元鈦基合金制備納米管陣列可以實現(xiàn)對利用多元鈦基合金制備納米管陣列可以實現(xiàn)對TiO2-NTs的的原位修飾，具有后修飾不可原位修飾，具有后修飾不可 比擬的優(yōu)勢比擬的優(yōu)勢 uTOF-SIMS是一種表面分析的有效手段，可以檢測表面極微量成分是一種表面分析的有效手段，可以檢測表面極微量成分 u計算平帶電勢的方法計算平帶電勢的方法 u計算光轉換效率的方法計算光轉換效率的方法 0.25% 0.95% AM 1.5 solar simulator 0.05 at% Ru-alloy layers at 500 mV applied bias 0.25% 0.95% AM 1.5 solar s