第五章場(chǎng)效應(yīng)管

1、1. NPN 型三極管型三極管 集電區(qū)集電區(qū) 集電結(jié)集電結(jié) 基區(qū)基區(qū) 發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié) 發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū) N N 集電極集電極c 基極基極b 發(fā)射極發(fā)射極e 一、三極管的結(jié)構(gòu)、一、三極管的結(jié)構(gòu)、 分類(lèi)和符號(hào)分類(lèi)和符號(hào) P e c b 三個(gè)區(qū)、兩個(gè)結(jié)、三個(gè)極三個(gè)區(qū)、兩個(gè)結(jié)、三個(gè)極 特點(diǎn)：基區(qū)薄，摻雜濃度低特點(diǎn)：基區(qū)薄，摻雜濃度低 發(fā)射區(qū)，摻雜濃度高發(fā)射區(qū)，摻雜濃度高 集電區(qū)，結(jié)面積大集電區(qū)，結(jié)面積大 可按頻率、功率、材料、結(jié)構(gòu)分類(lèi)?？砂搭l率、功率、材料、結(jié)構(gòu)分類(lèi)。 若按結(jié)構(gòu)分類(lèi)，可分為若按結(jié)構(gòu)分類(lèi)，可分為2種：種： EC RC IC UCE C E B UBE 共發(fā)射極接法放大電路共發(fā)射極接法放大電路

2、三極管具有電流控三極管具有電流控 制作用的外部條件制作用的外部條件 : （1）發(fā)射結(jié)正向偏置；）發(fā)射結(jié)正向偏置； （2）集電結(jié)反向偏置。）集電結(jié)反向偏置。 對(duì)于對(duì)于NPN型三極管應(yīng)滿(mǎn)足型三極管應(yīng)滿(mǎn)足: UBE 0 UBC VB VE 對(duì)于對(duì)于PNP型三極管應(yīng)滿(mǎn)足型三極管應(yīng)滿(mǎn)足: UEB 0 UCB 0 即即 VC VB VE 輸出輸出 回路回路 輸入輸入 回路回路 公公 共共 端端 EB RB IB 發(fā)射區(qū)向基區(qū)發(fā)射區(qū)向基區(qū) 注入電子注入電子 IE IB 電子在基區(qū)電子在基區(qū) 擴(kuò)散與復(fù)合擴(kuò)散與復(fù)合 集電區(qū)收集電子集電區(qū)收集電子 電子流向電源正極形成電子流向電源正極形成 ICIC N P N 電

3、源負(fù)極向發(fā)射電源負(fù)極向發(fā)射 區(qū)補(bǔ)充電子形成區(qū)補(bǔ)充電子形成 發(fā)射極電流發(fā)射極電流IE 三極管的電流控制原理三極管的電流控制原理 VBB正極拉走電正極拉走電 子，補(bǔ)充被復(fù)子，補(bǔ)充被復(fù) 合的空穴，形合的空穴，形 成成 I IB B VCC RC VBB RB IEP IBN ICBO ICN IEN iC / mA uCE /V 0 放放 大大 區(qū)區(qū) 三極管輸出特性上的三個(gè)工作區(qū)三極管輸出特性上的三個(gè)工作區(qū) IB= 0 A 20A 40 A 截止區(qū)截止區(qū) 60 A 80 A 飽和區(qū)飽和區(qū) （2）截止區(qū)：）截止區(qū)：IB0的區(qū)域，兩結(jié)反的區(qū)域，兩結(jié)反 偏。嚴(yán)格說(shuō)，偏。嚴(yán)格說(shuō)，IE=0,即即ICICBO

4、的區(qū)域，管子基本不導(dǎo)電。的區(qū)域，管子基本不導(dǎo)電。 （1）放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電極）放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電極 反偏。特性曲線的平坦部分。反偏。特性曲線的平坦部分。 滿(mǎn)足滿(mǎn)足 有電流控制作用。有電流控制作用。 CEOBC III （3）飽和區(qū)：兩結(jié)正偏，靠近縱軸）飽和區(qū)：兩結(jié)正偏，靠近縱軸 的區(qū)域。的區(qū)域。IB增加，增加，IC不再增加，不再增加， 不受不受IB的控制，的控制，IC只隨只隨UCE增加增加 而增加。而增加。 UCE=UBE稱(chēng)為臨界飽和，在深度飽和時(shí)，飽和壓降稱(chēng)為臨界飽和，在深度飽和時(shí)，飽和壓降UCES很小。很小。 臨界飽和的估算臨界飽和的估算：三個(gè)工作區(qū)的分析：三個(gè)工作區(qū)的分析 例

5、例1.3.1 現(xiàn)已測(cè)得某電路中有幾只晶體管三個(gè)極的直流電位如表現(xiàn)已測(cè)得某電路中有幾只晶體管三個(gè)極的直流電位如表 所示，各晶體管所示，各晶體管b-e見(jiàn)開(kāi)啟電壓見(jiàn)開(kāi)啟電壓Uon均為均為0.5V。 試分別說(shuō)明各管子的工作狀態(tài)。試分別說(shuō)明各管子的工作狀態(tài)。 晶體管晶體管 基極直流電位基極直流電位UB/V 發(fā)射極直流電位發(fā)射極直流電位UE/V 集電極直流電位集電極直流電位UC/V 工作狀態(tài)工作狀態(tài) T1T2T3T4 0.7 0.3 1-10 0 50.7 -1.7 0 0 15 對(duì)對(duì)NPN管，管， 當(dāng)當(dāng)UBEUon時(shí)，管子截止；時(shí)，管子截止； 當(dāng)當(dāng)UBE Uon且且UCE UBE (或或UC UB)，管

6、子放大；，管子放大； 當(dāng)當(dāng)UBE Uon且且UCE UBE (或或UC UB)，管子飽和。，管子飽和。 放大放大放大放大飽和飽和截止截止 5.1 場(chǎng)效應(yīng)管 增強(qiáng)型增強(qiáng)型 E型型 耗盡型耗盡型 D型型 N溝道溝道 P溝道溝道 N溝道溝道 P溝道溝道 N溝道溝道 P溝道溝道 （耗盡型）（耗盡型） 場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管 (FET) 結(jié)結(jié) 型型 (JFET) 絕緣柵型絕緣柵型 (MOSFET) 特點(diǎn)：特點(diǎn)： 分類(lèi)：分類(lèi)： 體積小，重量輕，耗電省，壽命長(zhǎng)；輸入阻抗高，體積小，重量輕，耗電省，壽命長(zhǎng)；輸入阻抗高， 噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗輻射能力強(qiáng)，制造工藝噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗輻射能力強(qiáng)，制造工藝 簡(jiǎn)單。尤其

7、簡(jiǎn)單。尤其MOS管在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電管在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電 路中占有重要地位。路中占有重要地位。 一、工作原理和結(jié)構(gòu)一、工作原理和結(jié)構(gòu) P+P+ 漏極漏極D ID 柵極柵極G 源極源極S G S D 1、結(jié)構(gòu)：、結(jié)構(gòu)： 在在N型硅棒兩端加上型硅棒兩端加上 一定極性的電壓，多子在一定極性的電壓，多子在 電場(chǎng)力的作用下形成電流電場(chǎng)力的作用下形成電流 ID。在。在N型硅棒兩側(cè)做成型硅棒兩側(cè)做成 兩個(gè)高濃度的兩個(gè)高濃度的P+區(qū)，并將區(qū)，并將 其連在一起，如圖。若將其連在一起，如圖。若將 G、S間加上不同的反偏電間加上不同的反偏電 壓，即可改變導(dǎo)電溝道的壓，即可改變導(dǎo)電溝道的 寬度，便實(shí)現(xiàn)了利

8、用電壓寬度，便實(shí)現(xiàn)了利用電壓 所產(chǎn)生的電場(chǎng)控制導(dǎo)電溝所產(chǎn)生的電場(chǎng)控制導(dǎo)電溝 道中電流強(qiáng)弱的目的。道中電流強(qiáng)弱的目的。 N 圖圖5.1.1 N溝道溝道 2、工作原理、工作原理 （1）D、S間短路，間短路，G、S間加反向電壓間加反向電壓 P+P+ D G S N UGS UGS 增大，耗盡層加寬，導(dǎo)電增大，耗盡層加寬，導(dǎo)電 溝道變窄，電阻加大，當(dāng)溝道變窄，電阻加大，當(dāng)UGS加加 大到一定值時(shí)，兩側(cè)的耗盡區(qū)幾乎碰大到一定值時(shí)，兩側(cè)的耗盡區(qū)幾乎碰 上，導(dǎo)電溝道仿佛被夾斷，上，導(dǎo)電溝道仿佛被夾斷，D、S間電間電 阻趨于無(wú)窮大。阻趨于無(wú)窮大。 此時(shí)，此時(shí)， UGS =UGS(off)夾斷電壓夾斷電壓 當(dāng)當(dāng)

9、 UGS UGS(off) 后，耗后，耗 盡區(qū)無(wú)明顯變化，太大會(huì)出現(xiàn)擊穿。盡區(qū)無(wú)明顯變化，太大會(huì)出現(xiàn)擊穿。 由于由于PN結(jié)反偏，柵極電流基本為結(jié)反偏，柵極電流基本為0，消耗很小。一般不用正偏。，消耗很小。一般不用正偏。 圖圖5.1.2 （2） G 、S間短路，間短路， D 、S間加正向電壓間加正向電壓 P+P+ D G S UDS R 隨隨UDS ，ID 。由于電壓降，靠近。由于電壓降，靠近D極極 U GD反壓越高，耗盡層越寬，導(dǎo)電溝道越反壓越高，耗盡層越寬，導(dǎo)電溝道越 窄，呈現(xiàn)楔型。窄，呈現(xiàn)楔型。 當(dāng)當(dāng)UDS = UGS(off) ,即即UGD =UGS(off) 時(shí)，在漏極兩側(cè)的耗盡區(qū)開(kāi)始

10、合攏，稱(chēng)時(shí)，在漏極兩側(cè)的耗盡區(qū)開(kāi)始合攏，稱(chēng) 為為預(yù)夾斷預(yù)夾斷。 UDS，預(yù)夾斷預(yù)夾斷區(qū)變長(zhǎng)，區(qū)變長(zhǎng)， UDS的增加部分的增加部分 落在落在預(yù)夾斷預(yù)夾斷區(qū)，導(dǎo)電溝道內(nèi)的區(qū)，導(dǎo)電溝道內(nèi)的ID基本不變?；静蛔?。 （3） G 、S間加負(fù)電壓，間加負(fù)電壓， D 、S間加正向電壓間加正向電壓 P+P+ UDS R UGS G、S的負(fù)電壓使耗盡區(qū)變寬，導(dǎo)電溝的負(fù)電壓使耗盡區(qū)變寬，導(dǎo)電溝 道變窄；道變窄；D、S間的正電壓使耗盡區(qū)和導(dǎo)間的正電壓使耗盡區(qū)和導(dǎo) 電溝道不等寬。電溝道不等寬。 當(dāng)當(dāng)UGD=UGS-UDS=UGS(off)，即，即 UDS= UGS-UGS(off)時(shí)時(shí)，發(fā)生預(yù)夾斷，此后，發(fā)生預(yù)夾斷，

11、此后 UDS ， ID基本不變?；静蛔?。 圖圖5.1.3 二、特性曲線及電流方程二、特性曲線及電流方程 1、漏極特性曲線（輸出特性曲線）、漏極特性曲線（輸出特性曲線） 4 3 2 1 0 4812 2V 3V 圖圖5.1.5 轉(zhuǎn)移特性轉(zhuǎn)移特性 1 2 3 UGS = 0V 1 0 12 123 uGS / V ID UGS UGs(off) uDS / V UDS =10V iD /mA iD /mA 恒恒 流流 區(qū)區(qū) 可變可變 電阻區(qū)電阻區(qū) 夾斷區(qū)夾斷區(qū) UGS = 常數(shù)常數(shù) iD = f (uDS ) 預(yù)夾斷預(yù)夾斷 軌跡軌跡 GS D m u i g 低頻跨導(dǎo)：低頻跨導(dǎo)： 圖圖5.1.4

12、 場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性 (1) 可變電阻區(qū)可變電阻區(qū) iD幾乎與幾乎與uDS成線性關(guān)系增加，呈電阻特性。其等效電阻成線性關(guān)系增加，呈電阻特性。其等效電阻 可看作一個(gè)受柵源電壓可看作一個(gè)受柵源電壓uGS控制的可變電阻?？刂频目勺冸娮?。 (2) 恒流區(qū)（飽和區(qū)）恒流區(qū)（飽和區(qū)） iD的大小受的大小受uGS控制。飽和區(qū)與可變電阻區(qū)的分界線為控制。飽和區(qū)與可變電阻區(qū)的分界線為 uDS= uGS-UGS(off)。 (3) 夾斷區(qū)夾斷區(qū) uGSUGS(off)，溝道被夾斷，溝道被夾斷，iD0 2、轉(zhuǎn)移特性曲線、轉(zhuǎn)移特性曲線 UDS = 常數(shù)常數(shù) iD = f (uGS ) 2 )( )1

13、 ( offGS GS DSSD U u Ii)0( )( GSoffGS uU SiO2 N溝道增強(qiáng)型溝道增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu)示意圖及符號(hào)管結(jié)構(gòu)示意圖及符號(hào) P型硅襯底型硅襯底 源極源極S柵極柵極G漏極漏極D 襯底引線襯底引線B N+N+ D B S G 符號(hào)符號(hào) 1. 結(jié)構(gòu)和符號(hào)結(jié)構(gòu)和符號(hào) 一、一、N溝道增強(qiáng)型溝道增強(qiáng)型MOS管管四種類(lèi)型：四種類(lèi)型： N溝道增強(qiáng)型；溝道增強(qiáng)型；N溝道耗盡型；溝道耗盡型； P溝道增強(qiáng)型；溝道增強(qiáng)型； P溝道耗盡型。溝道耗盡型。 圖圖5.1.6 SiO2 圖圖5.1.7(a) 工作原理圖工作原理圖 P型硅襯底型硅襯底 耗盡層耗盡層 襯底引線襯底引線B N+N+

14、SGD UDS ID = 0 D與與S之間是兩個(gè)之間是兩個(gè) PN結(jié)反向串聯(lián)，結(jié)反向串聯(lián)， 無(wú)論無(wú)論D與與S之間加之間加 什么極性的電壓，什么極性的電壓， 漏極電流均接近漏極電流均接近 于零。于零。 2. 工作原理工作原理 P型硅襯底型硅襯底 N + + B SGD 。 耗盡層耗盡層 ID = 0 由柵極指向襯底方由柵極指向襯底方 向的電場(chǎng)排斥向的電場(chǎng)排斥 P 區(qū)區(qū) 空穴向下移動(dòng)空穴向下移動(dòng),在在P 型硅襯底的上表面型硅襯底的上表面 形成耗盡層仍然沒(méi)形成耗盡層仍然沒(méi) 有漏極電流。有漏極電流。 UGS N+N+ UDS 圖圖5.1.7(b) 工作原理圖工作原理圖 P型硅襯底型硅襯底 N + + B

15、 SGD 。 UDS 耗盡層耗盡層 ID 柵極下柵極下P型半導(dǎo)體中型半導(dǎo)體中 少子被吸引內(nèi)至其表少子被吸引內(nèi)至其表 面，形成面，形成N型導(dǎo)電溝型導(dǎo)電溝 道道反型層反型層，當(dāng)，當(dāng)D、S 加上正向電壓后可產(chǎn)加上正向電壓后可產(chǎn) 生漏極電流生漏極電流ID 。 N+N+ UGS 增強(qiáng)型增強(qiáng)型MOS管的管的iD與與uGS的的 近似關(guān)系為：近似關(guān)系為： 2 )( ) 1( thGS GS DOD U u Ii 其中其中IDO是是uGS=2UGS(th)時(shí)的時(shí)的iD 圖圖5.1.7(c) 工作原理圖工作原理圖 N型導(dǎo)電溝道 4 3 2 1 0 5 10 15 UGS =5V 6V 4V 3V 2V iD /m

16、A UDS =10V 圖圖5.1.8 5.1.8 增強(qiáng)型增強(qiáng)型 NMOS 管的特性曲線管的特性曲線 0 1 2 3 恒流區(qū)恒流區(qū) 擊穿區(qū)擊穿區(qū) 可變電阻區(qū)可變電阻區(qū) 246 uGS / V 3. 特性曲線特性曲線 UGs(th) 輸出特性輸出特性 轉(zhuǎn)移特性轉(zhuǎn)移特性 uDS / V iD /mA 夾斷區(qū)夾斷區(qū) 二、二、N溝道耗盡型溝道耗盡型MOSMOS管管 P型硅襯底型硅襯底 源極源極S漏極漏極D 柵極柵極G 襯底引線襯底引線B 耗盡層耗盡層 1. 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和工作原理結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和工作原理 N+N+ 正離子正離子 N N型溝道型溝道 SiO2 D B S G 符號(hào)符號(hào) 圖圖5.1.9 N溝道耗盡型溝

17、道耗盡型MOSMOS管管結(jié)構(gòu)示意圖及符號(hào)結(jié)構(gòu)示意圖及符號(hào) 4 3 2 1 0 4812 UGS =1V 2V 3V 輸出特性輸出特性 轉(zhuǎn)移特性轉(zhuǎn)移特性 耗盡型耗盡型NMOS管的特性曲線管的特性曲線 1 2 3 0V 1 0 12 123 uGS / V 2. 特性曲線特性曲線 ID UGS UGs(off) uDS / V UDS =10V iD /mA iD /mA N型硅襯底型硅襯底 N + + B S G D 。 耗盡層耗盡層 PMOS管結(jié)構(gòu)示意圖管結(jié)構(gòu)示意圖 P溝道溝道 三、三、P溝道絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（溝道絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（PMOS） PMOS管與管與NMOS管管 互為對(duì)偶關(guān)系，使用互為對(duì)

18、偶關(guān)系，使用 時(shí)時(shí)UGS 、UDS的極性的極性 也與也與NMOS管相反。管相反。 P+ P+ UGS UDS ID 1. 1. P溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 開(kāi)啟電壓開(kāi)啟電壓UGS(th)為為 負(fù)值，負(fù)值，UGS UGS(th) 時(shí)導(dǎo)通。時(shí)導(dǎo)通。 S G D B 符號(hào)符號(hào) iD /mA uGS / V 0 UGS(th) 轉(zhuǎn)移特性轉(zhuǎn)移特性 2. 2. P溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 D B S G 符號(hào)符號(hào) iD /mA uGS /V 0 UGS(off) 轉(zhuǎn)移特性轉(zhuǎn)移特性 夾斷電壓夾斷電壓UGS(off)為為 正值，正值， UGS UGS(off)

19、時(shí)導(dǎo)通。時(shí)導(dǎo)通。 注注: 場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)及場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)及 特性如圖所示特性如圖所示 在在UDS =0時(shí)，柵源電壓與柵極電流的比值。結(jié)型管大于時(shí)，柵源電壓與柵極電流的比值。結(jié)型管大于 107 , MOS管管大于大于109 。 1. 開(kāi)啟電壓開(kāi)啟電壓UGS(th) 指在一定的指在一定的UDS下，開(kāi)始出現(xiàn)漏極電流所需的柵源電壓。它下，開(kāi)始出現(xiàn)漏極電流所需的柵源電壓。它 是增強(qiáng)型是增強(qiáng)型MOS管的參數(shù)，管的參數(shù)，NMOS為正，為正，PMOS為負(fù)。為負(fù)。 2. 夾斷電壓夾斷電壓 UGS(off) 指在一定的指在一定的UDS下，使漏極電流近似等于零時(shí)所需的柵源電壓。下，使漏極電流近似等于零時(shí)所需的柵源電

20、壓。 是耗盡型是耗盡型MOS管的參數(shù)，管的參數(shù)，NMOS管是負(fù)值，管是負(fù)值，PMOS管是正值。管是正值。 4. 直流輸入電阻直流輸入電阻 RGS（ （DC） 一、直流參數(shù)一、直流參數(shù) 3. 飽和漏極電流飽和漏極電流IDSS 在在UGS =0時(shí)，管子發(fā)生預(yù)夾斷時(shí)的漏極電流。時(shí)，管子發(fā)生預(yù)夾斷時(shí)的漏極電流。 10 另外，漏源極間的擊穿電壓另外，漏源極間的擊穿電壓U(BR)DS、柵源極間的擊穿電壓、柵源極間的擊穿電壓 U(BR)GS以及漏極最大耗散功率以及漏極最大耗散功率PDM、 、最大漏極電流 最大漏極電流IDM是管子的極是管子的極 限參數(shù)，使用時(shí)不可超過(guò)。限參數(shù)，使用時(shí)不可超過(guò)。 gm= iD

21、/ uGS UDS =常數(shù)常數(shù) 是衡量場(chǎng)效應(yīng)管柵源電壓對(duì)漏極電流控制能力的一個(gè)重要參數(shù)。是衡量場(chǎng)效應(yīng)管柵源電壓對(duì)漏極電流控制能力的一個(gè)重要參數(shù)。 1. 低頻跨導(dǎo)低頻跨導(dǎo) gm 二、交流參數(shù)二、交流參數(shù) 2. 極間電容極間電容Cgs、Cgd、Cds 由由PN結(jié)的勢(shì)壘電容及分布電容構(gòu)成。結(jié)的勢(shì)壘電容及分布電容構(gòu)成。 三、極限參數(shù)三、極限參數(shù) 例例1.4.1 已知某管子的輸出特性曲線如圖所示。試分析該管是已知某管子的輸出特性曲線如圖所示。試分析該管是 什么類(lèi)型的場(chǎng)效應(yīng)管。什么類(lèi)型的場(chǎng)效應(yīng)管。 2 1 0 5 10 15 10V 8V 6V uDS / V iD /mA N溝導(dǎo)增強(qiáng)型溝導(dǎo)增強(qiáng)型MOS管

22、。管。 圖圖1.4.14 輸出特性曲線輸出特性曲線 例例1.4.2 電路及管子的輸出特性如圖所示。使分析電路及管子的輸出特性如圖所示。使分析uI為為0、8V 和和10V三種情況下三種情況下uO分別為幾伏。分別為幾伏。 2 1 0 5 10 15 10V 8V 6V uDS / V iD /mA +VDD(+15V) RD 5k uo + - uI + - - 圖圖1.4.15 例例1.4.2電路圖電路圖圖圖1.4.14 VVV RR R u kiuR Vuu DD dds ds O DDSd IGS 6 . 515 35 3 3 101 3 / 10)3( 3 阻區(qū)，等效電阻為時(shí)，管子工作在可

23、變電當(dāng) VVRiVuu iuu DDDDDDDSO DIGS 15 , 00) 1 ( ，因而時(shí)，管子處于夾斷狀態(tài)當(dāng) VVRiVuu mAiVuu DDDDDSO DIGS 10)5115( ,18)2( 的時(shí)，管子工作在恒流區(qū)當(dāng) 例例1.4.3 電路如圖所示，場(chǎng)效應(yīng)管的夾斷電壓電路如圖所示，場(chǎng)效應(yīng)管的夾斷電壓UGS(off)=-4V，飽和，飽和 漏極電流漏極電流IDSS=4mA。試問(wèn)：。試問(wèn)： 為保證負(fù)載電阻為保證負(fù)載電阻RL上的電流為恒流，上的電流為恒流，RL的取值范圍應(yīng)為多少？的取值范圍應(yīng)為多少？ +VDD(+12V) RL uo k I u R VVVVU R VVUuu u mAIiu DSS O L DDo L offGSGSDS GS DSSDGS 20 8084 4)4(0 0 4 0 max )( 負(fù)載電阻得取值范圍為 ，輸出電壓范圍為 輸出電壓上的電流為恒流的最大所以保證 時(shí)的預(yù)夾斷電壓為并且當(dāng) 。，因而從電路圖可知， 圖圖1.4.16 例例1.4.3電路圖電路圖 場(chǎng)效應(yīng)管的柵極場(chǎng)效應(yīng)管的柵極g g、源極、源極s s、漏極、漏極d d對(duì)應(yīng)于晶體管的基極對(duì)應(yīng)于晶體管的基極b b、 發(fā)射極發(fā)射極e e、集電極、集電極c c，能實(shí)現(xiàn)對(duì)信號(hào)的控制；，能實(shí)現(xiàn)對(duì)信號(hào)的控制； 不同之處：不同之處： 1 1、MOSFETMOSFE