Silvaco操作指南.doc

1、1第二篇半導體工藝及器件仿真軟件 Silvaco 操作指南主 要 介 紹 了 半 導 體 器 件 及 工 藝 仿 真軟 件 Silvaco 的 基 本 使用 。 書 中 通 過 例程 引 導 學 習 工 藝 仿 真 模 塊 Athena 和 器 件仿 真 模 塊 Atlas ， 通 過 這 兩 部 分 的 學 習可以使學習人員深入了解半導體物理的基本知識，半導體工藝的流程，以及晶體管原理的基本原理，設計過程，器件的特性。對于學習集成電路的制備及后道工序有一定的幫助。第一章SILVACO 軟件介紹.31.1程序啟動 . .31.2選擇一個應用程序例子.41.3工藝模擬 .61.3.1運行一次模擬

2、 .61.3.2漸進學習模擬 .61.3.3繪制結構.61.3.4使用 Tonyplot進行繪圖 .71.3.5修正繪圖的外觀.71.3.6縮放及在圖上進行平移.81.3.7打印圖形功能.91.4使用 H9ISTORY1.5明確存貯狀態(tài).101.6創(chuàng)建用于比較的兩個結構文件.101.6.1存貯文件創(chuàng)建 .101.6.2文件交疊 .111.7運行 MOS工藝程序的第二部分.131.7.1 Stop At功能 .131.7.2使用 Tonyplot用于 2-D 結構 .141.7.3使用 Tonyplot來制備一輪廓圖.141.7.4產(chǎn)生交互式圖例.161.8工藝參數(shù)的抽取.171.8.1源漏結深

3、.181.8.2器件閾值電壓 .181.8.3電導及偏壓曲線.181.8.4一些薄層電阻 .201.8.5溝道表面摻雜濃度.2021.9 器件模擬 .211.9.1器件模擬界面工藝.211.9.2建立器件模擬 .211.9.3執(zhí)行器件模擬 .221.9.4抽取器件參數(shù) .22第二章電阻仿真及阻值抽取.23第三章擴散二極管仿真 . . 332.1硼擴散.332.2進行 MESH的實驗 .382.3繪制雜質(zhì)摻雜輪廓曲線.392.4查看抽取結果 .40第四章NMOS電學特性仿真 . . 423.1NMOS例子加載 .423.2ONYPLOT43T操作 .3.3查看電學仿真結果.47第五章工藝流程的橫

4、斷面觀察.504.1初始化襯底 . .504.2氧化層屏蔽 .504.3NWELL注入 .514.4PWELL注入 .514.5場氧化層生長 .524.6 阱推 進52第二篇Silvaco軟件使用指南第一章 Silvaco軟件介紹本章將介紹下面兩個VWF（虛擬 wafer 制備）交互工具的基本使用：Deckbuild：VWF運行時控制應用程序。 這是唯一一個從系統(tǒng)命令行由用戶啟動的程序。Tonyplot ：VWF可視化應用程序。VWF 交互工具還包括版圖到工藝的界面程序 MaskViews, 器件原型及編輯程序 DevEdit, 局部優(yōu)化程序 Optimizer 以及統(tǒng)計分析的 SPAYN 工

5、具。但本章不介紹這部分內(nèi)容。 VWF 核心工具是以下兩個仿真器：Athena, Silvaco的高級一維和二維工藝仿真器。Atlas, Silvaco 的通用及標準組件的一，二，三級器件仿真器。VWF核心工具還包括器件特性的 UTMOS應用及 SmartSpice 電路仿真。本章將學習：1. 使用 Athena 進行一個簡單 LDD MOS器件仿真和相關參數(shù)的抽取 ( 如柵氧化層厚 ) 。2. 使用 Atlas 進行 LDD MOS器件仿真，產(chǎn)生一個 Id/Vgs 曲線并從這條曲線中進行器件參數(shù) Vt,Beta 和 Theta 的抽取。1.1 程序啟動要啟動 Deckbuild 程序，在系統(tǒng)命

6、令行中輸入deckbuild &幾秒鐘后 Deckbuild 窗口顯示出來。 在 Deckbuild 啟動后，你會看到如下的窗口 ( 版本及目錄名可能不相同 ):Deckbuild 程序窗口組成如下：1. 上面的文本窗口區(qū)用來保持仿真器的輸入。2. 下面的 tty 區(qū)顯示仿真器的輸出。 Athena 仿真是缺省啟動的。你會看到，在這個區(qū)中有一短的 Athena 文件頭輸出 , 指出你可用的許可產(chǎn)品。之后跟隨Athena 提示符。ATHENA第二篇Silvaco軟件使用指南3. 在窗口上部是軟件控制菜單的集合。4. 在文本區(qū)及 tty 區(qū)之前是仿真器控制按鈕的集合。下一步是創(chuàng)建一個設計，可以從草

7、圖創(chuàng)建，或者選擇一個應用例子進行修改。輸入的程序顯示在上面的文本區(qū)中，而且執(zhí)行時使用仿真控制按鈕就會它傳到下面的tty區(qū)。1.2 選擇一個應用程序例子Deckbuild包括大量的仿真例子可以用于仿真。這個練習使用其中之一。當Deckbuild啟動后， examples menu 會被激活。在 Deckbuild 的Main Control 菜單有一個選擇項稱為 Examples . 如下顯示 :可移動鼠標到 Main Control 上，按下鼠標右鍵。在按下鼠標右鍵時，main control菜單顯示出來。當鼠標右鍵按下后，移動光標選擇 Examples . 菜單選項。然后，放開鼠標。幾秒鐘內(nèi)

8、例子目錄的窗口就會顯示出來，如下圖。這個練習使用例子中的 MOS1目錄。如果你正在運行Deckbuild ，你可以雙擊選擇 MOS1目錄或從 Section 菜單中選擇它。第二篇Silvaco軟件使用指南例子是 MOS2，稱為 mos1ex02.in . 你可以通過鼠標或使用這個例子的文本會顯示出來，應該花幾分鐘來閱讀例子文檔。點擊Sub Section 菜單選擇它。描述 Load Example 按鈕來加載輸入文件到 Deckbuild 的文本編輯區(qū)，同時也把這個例子拷貝到你的當前工作目錄。第二篇Silvaco軟件使用指南1.3 工藝模擬這個練習主要進行一個LDD MOS晶體管的仿真。主要有

9、以下練習：1. 運行一次模擬2. 創(chuàng)建兩個結構文件用于比較3. 運行 MOS工藝模擬的前半部分4. 產(chǎn)生交互式圖例5. 抽取一些工藝參數(shù)1.3.1 運行一次模擬可以通過使用在 Deckbuild 文本區(qū)及 tty 區(qū)的實時控制按鈕來交互式運行模擬?？刂瓢粹o如下所示：通過使用這個控制面板，可以使用以下方法來運行模擬:1.next: Step at a time,交互式模擬控制2. stop: 運行到一個 stop 點 , ( 參考以后的練習。3. run: 使用控制面板中的 Run來運行整個輸入的設計 (deck).1.3.2 漸進學習模擬開始時， LDD MOS器件將一步一步地仿真。這樣允許在

10、進行時可以有交互式檢查?？梢允褂?history 機構，向后跟蹤改正設計中的錯誤。在最初的仿真輸入設計時，這種交互式一次一步的執(zhí)行方法可以得到仿真更為精細的控制，且在設計中會更早地檢測到錯誤，也是輸入設計程序所推薦的。要一步一次地執(zhí)行，從Deckbuild 控制面板中選擇 next 按鈕。這個按鈕每一次會從文本區(qū)發(fā)送一個單獨的輸入設計行到當前運行的模擬器。在下面的tyy的 Deckbuild 區(qū)的模擬器提示符上顯示了輸入的設計行。在文本編輯區(qū)的光標從上一行向下移動，而且在控制面板上顯示的當前行數(shù)會更新( 標志是 Line ) 。使用 next 按鈕 , 很可能要移動到模擬器前，而這些步驟會花費

11、一些時間去執(zhí)行。模擬器會試圖 catchup 行數(shù)，之后等待下一個模擬命令被發(fā)送。模擬器正在執(zhí)行的行總是反色的顯示。這一階段模擬將會連到柵氧化層步gate oxidationstep (line47)。gateoxidationstep已經(jīng)簡化為一個單獨的擴散步，之后緊跟一個參數(shù)抽取行來抽取氧化層厚度:extract name=gateox thickness oxide mat.occno=1 x.val=0.05抽取命令是 Deckbuild 的一個強力工具，允許在仿真進確定器件的各種特性。extract 語句確定了柵氧化層厚度。本練習中后面會有高級的抽取工具的例子，其特征會詳細解釋。進行

12、仿真直到 gate oxide thickness抽取行通過 (line 50).1.3.3 繪制結構當工藝模擬完成了柵氧化層厚度抽取后，點擊文本區(qū)的某一處 (Deckbuild 上部 ) 。這會取消報告輸入行及光標位置的選定。光標符號顯示為一個單獨的三角形。第二篇Silvaco軟件使用指南Note:不選擇文本是很重要的, 因為在Tonyplot啟動時，它會試圖解釋任何選定文本作為一個文件名，并在讀它時產(chǎn)生錯誤信息。為了運行Tonyplot,使用Deckbuild中的 Tools下拉菜單下的Plot項中的PlotStructure。這將導致 Deckbuild 啟動 Tonyplot, 加載當

13、前模擬的結構并繪制它。 Deckbuild 也將顯示它正在啟動 Tonyplot 的情況，如信息為 Plotting . 顯示在 tty 區(qū)的右下角。一旦 Tonyplot 啟動，它會顯示一個 Welcome 窗口，可通過選擇 OK來確認，且模型結構會顯示出來。1.3.4 使用 Tonyplot 進行繪圖Tonyplot顯示一摻雜的剖面材料結構。盡管這只是二維的工藝模擬，到目前為止結構仍然是完全平面的。 Athena 模型器以一維模式自動運行來節(jié)省CPU時間 , 并直到結構是非平面的。Tonyplot 繪圖如下圖 :1.3.5 修正繪圖的外觀為開始修正繪圖的外觀，需要選擇Plot下的 Disp

14、lay:第二篇Silvaco軟件使用指南Display 窗口的顯示 :這個窗口包含各項控制圖的外觀的選項。包括在滾動欄中有按名字排列的摻雜種類或所列的繪圖功能。為繪制一個種類 / 功能 , 簡單地從列表中選擇， Phosphorus 族在最上面。格點是否在圖上顯示 .是否在不同區(qū)域及材料之間的界面使用線和/ 或不同的顏色用于不同的區(qū)域圖形在數(shù)據(jù)點和 / 或有連接的數(shù)據(jù)點是否有符號顯示 . 當點擊 Apply 按鈕后，在顯示窗中做的變化就反映在繪圖中。重新設定控制。完成時可以使用 Dismiss 按鈕來去除窗口。Reset按鈕將對狀態(tài)進行1.3.6 縮放及在圖上進行平移圖上細小的區(qū)域可以通過縮放

15、來進行檢察。使用 Tonyplot 可選擇一個矩形來進行。比如下面的圖形就放大顯示了氧化層中的摻雜濃度：第二篇Silvaco軟件使用指南在縮放了圖上的一個區(qū)域后，在窗口上的左上角顯示一個 zoom/pan box。八個方向箭頭的任何一個都可以平移圖形。若要返回原來樣子，選擇鉆石樣的在方框中間的標志即可。1.3.7 打印圖形點擊 Print按鈕送一個硬拷貝直接到你的缺省打印機。你的VWF系統(tǒng)管理器可以告訴你在哪里打印。1.4 使用 History功能Deckbuild 的 history 功能強有力，允許在交互模擬進行中改正進行中的變化而不必再次從草圖到模擬。這個工具允許輸入設計向后移動，可通過

16、前面的一個模擬命令行及initializing模擬器回到那一點。在完成模擬后，狀態(tài)文件自動存到當前工作目錄。有意義的模擬步驟是一些器件的結構或摻雜濃度，比如 , 注入，刻蝕等的仿真。無意義的步驟是一些簡單地詢問模型器的信息，比如寫結構文件或抽取參數(shù)。 history 文件命名為 .history nn.str ，此處 nn 是一個序號，并存貯為一個標準結構文件。在 Athena 執(zhí)行時，你可能看到在 ATHENA命令行上的 save 命令，如：struct outfile=.history09.strDeckbuild 將記住哪個文件與每一輸入設計行配合。只要自創(chuàng)建歷史文件后命令行沒有添加，再

17、次初始化模擬器到前面模擬的 Well Drive步, 雙擊或三次點擊 diffusion行的Well Drive.使其如下亮顯：當這行文本亮顯后， 在左擊 Deckbuild控制面板下的 init按鈕。這將重置模擬行位置為這一 Well Drive 擴散步的結束，允許你作一修改或變化下面及再模擬。改變 Well Drive 時間從 220 到 200，新的一行將如下：diffus time=200 temp=1200 nitro press=1 來再次初始化到犧牲的氧化層帶處，如下所示：第二篇Silvaco軟件使用指南next按鈕應該可以使用來模擬新的工藝流程。繼續(xù)這個練習，將再次繼續(xù)仿真直到

18、oxidation階段 .gate1.5 明確存貯狀態(tài)init按鈕允許直接移到設計中的前面某一行。要使用這個re-initialization特征 ,必須保存一個標準結構文件在有興趣的行上，或者作為一個historyfile或作為一個用戶定義標準結構文件保存，在模擬過程中可以使用下面的命令：struct outfile=bpsg_dep.str( 標準結構文件應使用 .str作為文件擴展名。 )比如在一個擴散或Monte Carlo 模擬步驟，推薦使用struct命令。當 historyfiles模擬中保存時，允許自動再初始化后到一個特殊的步驟，它們是瞬態(tài)的，且會失去或變的無效。依賴于 re-

19、initialize使用的機構 :在1. 使用標準結構文件。2. 使用歷史文件。init 按鈕是不相同的。初始化一保存的標準結構文件，保存結構文件名應該在文本編輯窗中選定 。比如，下面的圖形顯示文件 vtadjust.str 就是在文本編輯窗中。在此處選擇 init 按鈕將導致模擬器被再次初始化到文件被存的此點。而且，在輸入文件中的當前的執(zhí)行點，將被設定到選定的文件點的后面。此行init infile=vtadjust.str可以在 tty區(qū)中看到 ,是當 init使用歷史文件的Re-initialization使用明確用戶 Standard Structure藝流程中兩個不同的點的比較。按鈕

20、選定后的執(zhí)行命令。是在 History section中.file保存功能，我們可以調(diào)查Tonyplot的允許在同一工1.6 創(chuàng)建用于比較的兩個結構文件1.6.1 存貯文件創(chuàng)建在這部分中將使用 Tonyplot 創(chuàng)建兩個結構文件用于比較。 對于這個例子， 調(diào)整注入工藝步驟前后的 Vt 結構文件進行比較。 我們將通過啟動輸入設計來開始。 我們不必再次做設計的完全模擬到 gate oxidation 工藝步 ( 在一個更為現(xiàn)實的模型中，可能花更長的一段時間 ), 所以我們將在做修改之前，從 history 到初始化到此點，就是 gate oxidation 之前。選擇下面的文本并按 init第二篇

21、Silvaco軟件使用指南現(xiàn)在我們處在修改輸入設計的位置是在此點之后。后存貯兩個 Standard Structure files：下面的兩條語句指明在Vt調(diào)整來注入的前struct outf=gateoxide.strstruct outf=vtimplant.str可以通過在正確的行上直接輸入到文本編輯窗中:現(xiàn)在這次模擬可以繼續(xù)直到在 poly 沉積前的這行。 這樣將模型兩個附加的行， 從而在犧牲的氧化帶之后啟動。為了這樣做，選擇 next 按鈕幾次直到下面一行：struct outf=vtimplant.str被執(zhí)行。在此處，兩個Standard Structure files被存到你當

22、前的工作目錄，名字如下：gateoxide.strvtimplant.str1.6.2文件交疊兩個 structure filesTonyplot允許達128件到 Tonyplot, 從 File加載的文件菜單 :存貯后，它們可以被加載到Tonyplot中并被交疊以進行比較。圖加載到一個進程。這些圖中的任何一個均可輕易的交疊。若加載文中下拉菜單中選擇 Load Structure .項。這將創(chuàng)建一個可能被第二篇Silvaco軟件使用指南如果一直跟著練習，兩個文件( gateoxide.strandvtimplant.str且顯示可能被加載進Tonyplot中文件中。顯 示在 Tonyplot)

23、 應該存在你的當前目錄中，屏中的每一個圖均可選擇。如果一個圖被選定，將會被一個的白色框圍繞，如下圖所示：圖的選定及取消可通過點擊鼠標的中間鍵來控制。在此階段，你會試圖選定及取消圖，作為一個簡單的練習?，F(xiàn)在交疊兩個圖 :選定兩個圖。然后選擇 Tonyplot的View 菜單下的 Make overlay項 .第二篇Silvaco軟件使用指南在此之后，第三個交疊的圖會出現(xiàn)。1.7 運行 MOS 工藝程序的第二部分在觀察完柵氧化步驟后,就可以仿真到輸入文件的最后一部分。工藝模擬的后半部分將花費更多的 CPU 時間，在多晶硅刻蝕后結構變?yōu)榉瞧矫鏁r。在工藝流程中 Athena 會自動的轉(zhuǎn)換到 2-D 模

24、擬方式。這一次不再用 next 按鈕，我們用 stop 功能來使模擬到興趣點。1.7.1 Stop At功能stop 定義了命令流中的一個位置，此處模擬器會停止。如果run 按鈕或 cont按鈕被選定，模擬器將執(zhí)行下去到stop 點并等待。在Deckbuild文本編輯區(qū)，選定 /亮顯幾個你想中斷的行的字符，在此處的輸入行中aluminum 選定了。從模擬器面板中選擇 stop 按鈕會在這行設定一個停止。 stop: 行將在面板上顯示也會更新來表明相應的行號。一個停止點可通過 clear 按鈕清除。既然一個 stop 點已經(jīng)設定了，選擇 cont 按鈕。當模擬器運行時你應查看一下 Athena

25、執(zhí)行的命令及產(chǎn)生的信息。第二篇Silvaco軟件使用指南這將使得 Deckbuild 發(fā)送給 Athena 命令行來預設 stop 點, 之后在此步驟前暫停模擬。 按 next 按鈕幾次以確保模擬器在定義了 stop 點后會直接包括金屬刻蝕步驟。在 poly 刻蝕點 , 結構為非平面。注意模擬現(xiàn)在要做更多的工作，工藝顯著地變慢。這里的命令對工藝工程師而言更直接和直覺，下面的幾行做一些解釋:depo poly thick=0.2 divi=10這個命令定義了沉積多晶硅為0.2um 厚，且在此厚度中包括10 個格點層 。etch poly left p1.x=0.35這個命令定義多晶硅在 X 方向

26、上的位置，從這里被向左去除。這個命令還定義了晶體管一半的長度， 將反映右側的軸來制備整個器件。method fermi compress這個命令打開了基本物理模型，用于氧化及擴散步驟。所有下面的步驟會使用這些模型。 ( 這些模型對在任何 情況下對 Athena 都是缺省的，且僅在本例中用于解釋。請見Athena 參考手冊 )在 next 命令后，仿真到達所定義的點，并且Deckbuild窗看上去如下：1.7.2 使用 Tonyplot 用于 2-D 結構從 Deckbuild 啟動 Tonyplot 使用當前結構。 同一維結構時一樣， 如取消任何一個選定的文本，并且用 Tools 中的 Plo

27、t 項。一旦 Tonyplot 被激活，將缺省地顯示 2-D 的工藝模擬材料結構。Tonyplot在二維結構中有觀察雜質(zhì)濃度的方法：雜質(zhì)或溶劑的二維輪廓線。這是在 Tonyplot 被激活時從一個二維結構中缺省產(chǎn)生的。更詳細的資料可參見 contour plots.雜質(zhì)或溶劑的一維的輪廓在結構中沿一條線。可見cutline plots.這個練習中，凈摻雜圖將首先被定義，之后在輪廓線上的一些輪廓線會被研究。1.7.3 使用 Tonyplot 來制備一輪廓圖要創(chuàng)建一輪廓圖， 從 TonyplotPlot 下拉菜單中選擇 Display 項。這個行為將激活 2-D 顯示控制彈出窗，如下所示：第二篇S

28、ilvaco軟件使用指南在這個彈出窗中在按Apply 前選擇下列圖標 :確定繪圖范圍。為缺省使能。用以不同著色繪制材料，這是缺省的。顯示凈摻雜的輪廓。繪制器件的結 .再次在圖標上點擊鼠標左鍵。在 Define 菜單中選擇 Contours 菜單，如下所示 :這將激活輪廓控制彈出窗，如下所示：第二篇Silvaco軟件使用指南如上圖所示，輪廓將只顯示硅材料區(qū)域 ( 在材料列表上選擇 ) 且使用著色配置 Rainbow 30 來畫輪廓。在輪廓定義完成后，按 Apply 。1.7.4 產(chǎn)生交互式圖例當顯示了二維輪廓圖，可以通過器件產(chǎn)生任何沿一條線的一維輪廓一個摻雜的數(shù)據(jù) 。作為一個例子，我們通過 LD

29、D 摻雜的磷看一下水平摻雜輪廓。 若如此做，可從 Tonyplot 中的 Tools下拉菜單中選擇Cutline項。這將創(chuàng)建圖例窗口，如下顯示：從彈出的窗口中選擇垂直的選項，然后用鼠標畫一垂直線到兩維的輪廓圖，如下所示：第二篇Silvaco軟件使用指南這會形成第二個繪圖窗，來顯示一維摻雜輪廓。在cutline控制彈出窗中，選 Shift position. 按鈕，之后點擊水平箭頭。這樣就形成了cutline圍繞輪廓圖被移動到感興趣的精確位置。 Cutline只會沿被選擇的輪廓圖移動。1.8 工藝參數(shù)的抽取LDD MOS晶體管的工藝模擬，在此階段就完成了。在繼續(xù)進行器件模擬之前，使用 Deckb

30、uild 的 extract 功能把一些工藝參數(shù)抽取出來了。 因為 extract 是 VWF的核心部分，在參數(shù)優(yōu)化及其它先進特征中均可找到。器件參數(shù)的抽取包括在器件模擬的抽取部分。 在繼續(xù)進行參數(shù)抽取前， 需要想一下模擬的結構，本例中參數(shù)有以下幾個 :1. source/drain 結深2. 器件閾值電壓3. 方塊電阻4. 溝道表面的摻雜濃度第二篇Silvaco軟件使用指南1.8.1 源漏結深本例中第一個抽取的參數(shù)是源漏結深。為正確抽取結深，需要下列信息:指定名字給抽取參數(shù)。本例中為nxj.要抽取的參數(shù)名字，本例中為結深，名字是xj.包含結的材料。本例中，材料是Silicon。更復雜的模擬中

31、，可能要創(chuàng)建不同材料的堆層結構，每一個均包括結。已經(jīng)說明我們對硅材料的結有興趣，我們，總之，必須說明我們對哪些堆層感興趣。對于此種結構，只有一個硅層，且指定層發(fā)生數(shù)是可選的。.結深 Xj 會從源 / 漏區(qū)體內(nèi)到區(qū)邊的0 變化。為抽取正確的結黨值， 必須使用在源 / 漏區(qū)體內(nèi)的一個點。本例中，使用在源/ 漏區(qū)內(nèi)距 0.1 um 遠?？梢陨蠄D看到，這個值會產(chǎn)生源 / 漏區(qū)的結深。與堆材料的位置相似，在更復雜的結構中，在材料層中可能超過一個結。比如，在N襯底上的一個 P 阱中的一個 n+ 源/ 漏區(qū) ,在通過源漏區(qū)處，有兩個結。本結構中，僅有一個結。指定結的數(shù)量或本例中發(fā)生的是可選。結深的抽取語句如

32、下 ( 在一行中 ):extract name=nxj xj silicon mat.occno=1 x.val=0.1 junc.occno=1 當抽取執(zhí)行這條語句時，它顯示的計算結深值 :nxj=0.0987025 um from top of first Silicon layer X.val=0.1這個信息也寫入你當前工作目錄的文件results.final中。在模擬完成后，你可以通過簡單的打印 results.final文件來回顧一下抽取值。1.8.2 器件閾值電壓在不嚴格的計算中，一維閾值電壓可以輕易地從定義的結構中抽取。對于這個抽取語句，我們需要說明：指定抽取參數(shù)名為 n1dvt

33、:N 類型，一維閾值電壓。參數(shù)名將被抽取。本例中閾值電壓，參數(shù)為 1dvt 。器件類型，本例中為 n-type transistor. 偏壓 (vb) 被設定為 0V.捕獲電壓， Qss, 設定為 1e10.對于閾值電壓，我們必須指定一個位于器件溝道內(nèi)的點。這里，在模擬器件的右手邊處的一點被選定。 (x=0.49).使用閾值電壓的抽取語句是：extract name=n1dvt 1dvt ntype vb=0.0 qss=1e10 x.val=0.49語句產(chǎn)生一個結果n1dvt=0.671481 V X.val=0.49也保存在 results.final文件中 .1.8.3 電導及偏壓曲線下

34、一抽取例子是電導及偏壓曲線。本例更多地涉及了前面兩項，它要示兩條抽取語句：第一條是建立偏壓條件，第二條是抽取電導曲線。當啟動抽取時，要求多條抽取語句，抽取系統(tǒng)必須告訴你沒有完成，而且更多的信息需要提供?？梢酝ㄟ^一個start, continue和 done 機構取得：extract start .extract cont .第二篇Silvaco軟件使用指南extract cont .extract done .按要求，一些 extract cont語句需要使用，本例中，為0。多晶的電導是在一維線上通過柵經(jīng)電壓從0 到 2V 進行抽取。第一個抽取語句定義了多晶上的偏壓條件及抽取開始語句。 我們必

35、須在一行上選擇多晶硅柵材料，(x=0.45)且使用偏壓條件從 0 到 2V，階進為 0.2V:extract start material=Polysilicon mat.occno=1 bias=0.0 bias.step=0.2 bias.stop=2 x.val=0.45注意在行末使用連續(xù)字符()，從而允許語句超過一行。一旦偏壓條件被指定，電導曲線可以被抽取。不象前面兩個例子，只抽取一個單個的值，比如，結深，這里我們抽取一條值的曲線。指定抽取一條曲線的語法是curve( x-axis ,y-axis )這里的 x-axis指定所加的偏壓，而y-axis是一維n-type電導，指定為 1d

36、n. 電導。然而我們必須通過指定材料來限制所使用的電導，本例中為硅。在一通常結構中，可能超過一層的硅，使得我們的目的更明確。我們可以規(guī)定我們對材料硅的第一發(fā)生事件有興趣，且器件中硅的第一區(qū)域使用 mat.occno=1 and region.occno=1.我們希望抽取的曲線的規(guī)格是:curve(bias,1dn.conductmaterial=Siliconmat.occno=1 region.occno=1)注意，因為在這個結構中僅有一個Silicon區(qū)，這可能被簡化為curve(bias, 1dn.conduct material=Silicon)在抽取一個值時，如Vt,抽取系統(tǒng)在 tt

37、y區(qū)顯示了值，并登記值到文件中results.final,但是 , 在抽取一條曲線 時，用戶必須指定曲線在哪里保存，并使用 outfile=value 作為抽取語句的一部分。 對于電導曲線，抽取曲線保存在文件extract.dat.最后的電導曲線抽取語句是 :extract done name=sheet cond v bias curve(bias,1dn.conduct material=Silicon mat.occno=1 region.occno=1) outfile=extract.dat電導曲線通過選擇outfile并激發(fā)Tonyplot來繪制。第二篇Silvaco軟件使用指南1

38、.8.4 一些薄層電阻1. n+ 源/漏薄層電阻n+ source/drain的電阻抽取與結深的抽取語句相似：指定名字給抽取參數(shù)。在本例中，參數(shù)命名為要抽取的參數(shù)名字被指定。對于結深，我們用n+ sheet rho.xj，而薄片電阻用sheet.res.包括 N+區(qū)的材料名字。此處是Silicon.要清楚我們有正確的材料層，我們可以指定材料的發(fā)生數(shù)及區(qū)的發(fā)生數(shù)。因為只有一個硅層在結構中，這不需在本例中給出這個信息。然后，結構多時要求這個信息。最后，我們必須告訴抽取系統(tǒng)n+ 區(qū)的位置，并給出位置點( 這里我們?nèi)?x=0.05).薄片電阻的抽取語句是 :extract name=n+ sheet

39、rho sheet.res material=Silicon mat.occno=1 x.val=0.05 region.occno=1當抽取執(zhí)行這條語句時，它將顯示所計算的薄片電阻的值:n+ sheet rho=39.9388 ohm/square X.val=0.05這個信息也寫進你當前工作目錄的文件results.final中。2. LDD 在間隔層下的薄片電阻為抽取氧 化層 下薄片 電阻，我們簡 單地移動興趣 點到間隔層下 。 可參考structuresimulated ，值 0.3 是合理的。我們命名抽取電阻為 ldd sheet rho: extract name=ldd sheet rho sheet.res material=Silicon mat.occno=1 x.val=0.3 region.occno=1抽取值在執(zhí)行后顯示為 :ldd sheet rho=2771.32 ohm/square X.val=0.31.8.5 溝道表面摻雜濃度最后的抽取參數(shù)是溝道的凈摻雜表面雜質(zhì)濃度。在本例中，我們指定結深 xj作為抽