mm硅單晶拋光試驗片.doc

1、ICSGB/T中華人民共和國國家標準GB/T-200X300mm硅單晶拋光試驗片300mm Monocrystalline silicon as polished test slices（非等效）（征求意見稿）（本稿完成日期：2009.9.10 ） - -發(fā)布 - -實施國家質量技術監(jiān)督局發(fā) 布GB/T-200X前言集成電路技術作為信息產(chǎn)業(yè)的基礎備受全球矚目。當前，國際主流生產(chǎn)技術為直徑300mm，線寬0.13-0.10微米及 90 納米技術開始進入量產(chǎn)。本標準是為90 納米線寬集成電路提供襯底材料的企業(yè)標準。其指標的確定參照了國外有關標準，結合我國300mm硅片的研制和生產(chǎn)情況，并考慮國際上

2、硅材料的生產(chǎn)及微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和現(xiàn)狀，在原標準的基礎上修訂而成。本標準應與和GB/T和配套使用。本標準由全國半導體材料與設備標準化委員會提出；本標準起草單位：有研半導體材料股份有限公司本標準主要起草人：閆志瑞、孫燕、盛方毓。本標準由全國有色金屬標準化技術委員會負責解釋。IIGB/T-200X300mm硅單晶拋光試驗片1 范圍本標準規(guī)定了直徑 300mm P，電阻率 0.5-20 .cm規(guī)格的硅單晶拋光試驗片（簡稱硅拋光片）必要的相關性術語、技術要求、試驗方法，檢測規(guī)則以及標志、包裝、運輸、貯存等。本標準適用于直徑 300mm直拉單晶磨削片經(jīng)雙面拋光制備的硅單晶拋光片，產(chǎn)品主要用于滿足集成電路

3、IC 用線寬 90 納米技術需求的襯底片。2 規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注年代的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注年代的引用文件，其最新版本適用于本標準。GB/T 2828逐批檢查計數(shù)抽樣程序及抽樣表（適用于連續(xù)批的檢查）GB/T 4058硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法。GB/T 6616半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定非接觸渦流法GB/T 6621硅拋光片表面平整度測試方法GB/T 6624硅拋光片表面質量目測檢驗方法GB/T 1

4、2964硅單晶拋光片GB/T 14264半導體材料術語GB/T 14844半導體材料牌號表示方法GB/T 19921硅拋光片表面顆粒測試方法GB/T 19922硅拋光片局部平整度非接觸式檢測方法YS/T 26硅片邊緣輪廓檢驗方法YS/T 679非本征半導體中少數(shù)載流子擴散長度的穩(wěn)態(tài)表面光電壓測試方法SEMI MF1526使用全反射 X 光熒光光譜測量硅片表面金屬玷污的標準方法SEMI MF1530硅片平整度、厚度及總厚度變化測試自動非接觸掃描法）SEMI MF1390 硅片翹曲度測試 自動非接觸掃描法SEMI M1.15直徑 300mm硅單晶拋光片規(guī)格（切口）SEMI M8硅單晶拋光試驗片規(guī)范

5、SEMI M24優(yōu)質硅單晶拋光片規(guī)范3 術語下列術語適用于本標準。3.1使用本方法的術語見GB/T14264 半導體材料術語。4. 牌號硅片的牌號表示：按GB/T 14844 規(guī)定。5 要求3GB/T-200X5.1物理性能參數(shù)硅片的導電類型、摻雜劑、電阻率及徑向電阻率變化、氧、碳含量應符合GB/T的規(guī)定。5.2幾何參數(shù)及表面要求5.2.1硅片的參數(shù)應符合表 1的規(guī)定。拋光片所有參數(shù)規(guī)格在表1 中沒有列出的，按供需雙方協(xié)商提供。表 1300mm硅拋光片幾何尺寸參數(shù)及表面要求項目指標硅片直徑 /mm300直徑允許偏差 /mm 0.2硅片厚度，中心點 / m775厚度允許偏差 / m 20總厚度變

6、化 / m，不大于1.5翹曲度 / m ，不大于45總平整度（ TIR） / m，不大于1.0局部平整度（ SFQR） / m，（ 25*25 ）不大于0.10局部光散射體 0.12 m80LLSs( 前表面 ) 0.16 m40個 /cm2 0.2 m15表面金屬(Cu/Cr/Fe/Ni) atoms/cm2不大于1.0 1010(Al/Zn/K/Na/Ca) atoms/cm2不大于5.0 10105.3晶體完整性5.3.1硅拋光片的晶體完整性應符合GB/T的規(guī)定。5.3.2氧化誘生缺陷：氧化誘生缺陷與晶體完整性，拋光工藝等諸多因素有關，氧化誘生缺陷指標由供需雙方協(xié)商確定。 5.4 表面取

7、向5.4.1硅拋光片的表面取向為 100 。5.4.2硅片表面取向的偏離為：正晶向： 0 0.5 。5.5基準標記5.5.1硅拋光片的切口取向及位置應符合表2 的規(guī)定。表 2硅片切口位置項目導電類型表面取向切口基準軸取向副參考面指標P 100110 1無對于（ 100）硅片，可允許等效110 的面是（ 01）、（ 011）、（ 01）和（ 0 ）晶面。5.6表面質量硅拋光片表面質量應符合表3 的規(guī)定4GB/T-200X表 3 拋光片表面質量目檢要求序 號項目最大缺陷限度1劃傷無2蝕坑無正3霧無4亮點（個 / 片）無表5區(qū)域沾污無6崩邊無7裂紋，鴉爪無面8凹坑無9溝（槽）無10小丘無11桔皮，波

8、紋無12刀痕無背14崩邊無15裂紋，鴉爪無表16區(qū)域沾污無面17刀痕無5.7 邊緣輪廓硅片經(jīng)邊緣倒角及邊緣拋光，邊緣倒角、拋光處理后的邊緣輪廓應符合YS/T 26 的規(guī)定，特殊要求可由供需雙方協(xié)商確定。6 試驗方法6.1硅片直徑及其公差按GB/T 14140.2 進行。6.2硅片導電類型測量按GB/T 1550 進行。6.3硅片電阻率測量按GB/T 6616 進行。6.4硅片徑向電阻率變化測量按GB/T 11073進行。6.5硅片晶體完整性檢驗按GB/T 1554進行。6.6 氧化層錯檢驗按 GB/T4058進行。6.7硅片邊緣輪廓檢驗方法按YS/T 26進行。6.8硅片表面質量檢驗按GB/T

9、 6624 進行。6.9厚度、總厚度變化、平整度測量按SEMI MF1530進行。6.10 局部平整度測量按GB/T 19922 進行。6.11局部光散射體測量按GB/T 19921進行。6.11硅拋光片體內鐵及其他金屬含量測量按YS/T679 進行。6.12 硅拋光片表面金屬含量測量按ASTM F1526-95 進行。5GB/T-200X7 檢驗規(guī)則7.1 檢查和驗收7.1.1產(chǎn)品應由技術 （質量）監(jiān)督部門進行檢驗，保證產(chǎn)品質量符合本標準的規(guī)定，并填寫產(chǎn)品質量保證書。7.1.2需方可對收到的產(chǎn)品進行驗收。若檢驗結果與本標準規(guī)定不符時，應在收到產(chǎn)品之日起三個月內向供方提出，由供需雙方協(xié)商解決。

10、7.2組批硅拋光片以批的形式提交驗收，每批應由同一牌號，相同規(guī)格的拋光片組成，每批硅片不得少于25 片。7.3檢驗項目7.3.1每批拋光片抽檢的項目有：導電類型，晶向，晶向偏離，電阻率范圍，徑向電阻率變化，氧、碳含量，厚度，總厚度變化，翹曲度，總平整度，局部平整度、目檢表面質量，氧化誘生缺陷，直徑，切口位置、切口尺寸及深度。7.3.2供需雙方協(xié)商的檢驗項目局部平整度，局部光散射體的尺寸及數(shù)量，金屬雜質沾污、氧、碳雜質含量。7.4抽檢驗收7.4.1每批產(chǎn)品如屬非破壞性測量的項目，檢測按GB2828一般檢查水平，正常檢查一次抽樣方案進行，或由供需雙方協(xié)商確定的抽樣方案進行。7.4.2如屬破壞性測量

11、的項目，檢測按GB2828 特殊檢查水平S-2 ，正常檢查一次抽樣方案進行，或由供需雙方協(xié)商確定的抽樣方案進行。7.5 檢驗結果的判定7.5.1 導電類型、晶向檢驗若有一片不合格，則該批產(chǎn)品為不合格。 其他檢驗項目的合格質量水平（ AQL）見表 5。表 5 檢測項目及合格質量水平序號檢驗項目合格質量水平（ AQL）1電阻率范圍1.02徑向電阻率變化1.03晶向偏離1.04厚度偏差1.05總厚度變化1.06翹曲度1.07總平整度1.08直徑偏差1.09切口尺寸1.010定位面位置1.011氧化層錯2.512間隙氧雜質含量1.06GB/T-200X13替位碳雜質含量1.014亮點1.0表區(qū)域沾污1.0面劃傷， 蝕坑累計 1.0質崩邊， 裂紋累計 1.0量溝槽，凹坑，小丘，桔皮累計 1.0刀痕、雜質條紋累計 1.0累計2.57.5.2抽檢不合格的產(chǎn)品，供方可對不合格項進行全數(shù)檢驗，除去不合格品后，合格品可以重新組批。8 標志、包裝、運輸和貯存8.1硅拋光片應在超凈室內裝入專用的拋光片裝運盒，外用潔凈的塑料袋密封。每個拋光片盒應貼有產(chǎn)品標簽。標簽內容至少應包括：產(chǎn)品名稱（牌號），規(guī)格，片數(shù)，批號及日期，片盒再裝入一定規(guī)格的外包裝箱，采取防震、防潮措施。8.2包裝箱內應有裝箱單，外側應有“小心輕放”、“防潮”、“易碎”、“防腐”