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1、霍爾效應測磁場實驗報告編輯版實驗報告學生姓名：學號：指導教師：實驗地點：實驗時間：一、實驗室名稱：霍爾效應實驗室二、實驗項目名稱：霍爾效應法測磁場三、實驗學時：四、實驗原理:（一）霍耳效應現(xiàn)象將一塊半導體（或金屬）薄片放在磁感應強度為b的磁場中，并讓薄片平面與磁場方向（如y方向）垂直。如在薄片的橫向（x方向）加一電流強度為|h的電流，那么在與磁場方向和電流方向垂直的z方向將產生一電動勢u h。如圖1所示，這種現(xiàn)象稱為霍耳效應，u h稱為霍耳電壓?；舳l(fā)現(xiàn)，霍耳電壓u h與電流強度i h和磁感應強度b成正比，與磁場方向薄片的厚度d反比，即u h二r-b（1）d式中，比例系數r稱為霍耳系數，對同一

2、材料r為一常數。因成品霍耳元件（根據霍耳效應制成的器件）的d也是一常數，故r/d常用另一常數k來表示，有u h二ki h b （2）式中，k稱為霍耳元件的靈敏度，它是一個重要參數，表示該元件在單位磁感應強度和單位電流作用下霍耳電壓的大小。如果霍耳元件的靈敏度k知道（一般由實驗室給出），再測出電流i h和霍耳電壓u h，就可根據式u hki算出磁感應強度b。 （二）霍耳效應的解釋現(xiàn)研究一個長度為i、寬度為b、厚度為d的n型半導體制成的霍耳元件。當沿x方向通以電流i h后，載流子（對n型半導體是電子）e將以平均速度v沿與電流方向相反的方向運動，在磁感應強度為b的磁場中，電子將受到洛侖茲力的作用，其大小為f b = evb方向沿z方向。在f b的作用下，電荷將在元件沿z方向的兩端面堆積形成電場e h（見圖2），它會對載流子產生一靜電力f e，其大小為f e ye h方向與洛侖茲力f b相反，即它是阻止電荷繼續(xù)堆積的。當f b和f e達到靜態(tài)平衡后，有f b = f e，即evb = ee h二eg/b，于是電荷堆積的兩端面（z方向）的電勢差為u h =vbb （4）通過的電流i h可表示為l h - -nevbd式中n是電子濃度，

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