非選擇題專項(xiàng)練四

1、非選擇題專項(xiàng)練 (四 )26.ICI(氯化碘)是紅棕色液體，熔點(diǎn)13.9 C,沸點(diǎn)974 C,易 水解，接觸空氣時(shí)能形成五氧化二碘， 能與許多單質(zhì)發(fā)生作用， 溶于 乙醇、乙醚等。某校研究性學(xué)習(xí)小組的同學(xué)擬用下列儀器制備氯化碘。 回答下列問題：(1)檢查 A 裝置氣密性的方法為 。(2)上述裝置，按氣流方向連接的順序?yàn)?(裝置可重復(fù)使用 )， A 中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為 (3) C 裝置的作用是 。_(4) E裝置的燒瓶反應(yīng)時(shí)需放在水中，控制溫度大約40 C，其目的是 。_(5) 按上述連接好的裝置進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)步驟如下：檢查裝置氣密性后，裝入藥品打開分液漏斗活塞關(guān)閉分液漏斗活塞停止加熱E,充

2、分冷卻水浴加熱 E 請(qǐng)按正確的順序填入上述步驟的序號(hào) 。(6) 在 A 裝置后可連接題圖的裝置，當(dāng)反應(yīng)結(jié)束關(guān)閉分液漏斗活塞后，關(guān)閉 K ，該裝置的作用是 (7)ICI 和水反應(yīng)的化學(xué)方程式為 解析：(1)利用排水法進(jìn)行 A 裝置氣密性檢查，具體方法如下：從 A 的導(dǎo)管口連接一個(gè)導(dǎo)管伸入水中，關(guān)閉分液漏斗旋鈕，手握?qǐng)A 底燒瓶，若導(dǎo)管口有氣泡冒出，手放開燒瓶后，有一段水柱倒吸入導(dǎo) 管，說明 A 裝置氣密性良好。 (2)利用二氧化錳與濃鹽酸加熱制備氯 氣，氯氣中含有氯化氫、水蒸氣雜質(zhì)， 因此混合氣體先通過飽和食鹽 水溶液，除去氯化氫，再通過濃硫酸除去水蒸氣，得到干燥純凈的氯 氣，氯氣進(jìn)入到裝置 E

3、中，與碘進(jìn)行反應(yīng)，由于 ICl( 氯化碘)，易水 解，所以還必須連接裝置B,最后多余的尾氣被堿液吸收；按氣流方 向連接的順序?yàn)?ACBEBD ；A 中發(fā)生反應(yīng)為二氧化錳與濃鹽酸加熱 制備氯氣，離子方程式為MnO2 + 4H十+ 2C1 - =Mn2十+ Clzf +2出0。(3)由于制備出的氯氣中含有氯化氫氣體，用飽和食鹽水除去 氯化氫，因此C裝置的作用是除去Cl2中混有的HCI。(4)氯化碘是紅 棕色液體，熔點(diǎn)13.9 C,沸點(diǎn)97.4 C,根據(jù)信息可知ICI的揮發(fā)； 溫度高揮發(fā)的快，同時(shí)單質(zhì)碘也易發(fā)生升華，因此 E 裝置的燒瓶反 應(yīng)時(shí)需放在水中，控制溫度大約 40 C,以減少I2的升華和I

4、CI的揮 發(fā)。(5)裝置連接好后，首先檢查裝置的氣密性，不漏氣后，加入藥 品，打開分液漏斗活塞，反應(yīng)開始進(jìn)行，用水浴法給裝置 E 加熱， 反應(yīng)結(jié)束后，停止加熱E,充分冷卻，待到室溫后，分液漏斗活塞再 關(guān)閉。 (6)在 A 裝置后可連接題圖的裝置，當(dāng)反應(yīng)結(jié)束關(guān)閉分液漏斗 活塞后，關(guān)閉K，該裝置可以用來儲(chǔ)存多余的 CI2,避免釋放到空氣第 2 頁中污染空氣(7) ICl 易發(fā)生水解，生成鹽酸和次碘酸，反應(yīng)的化學(xué)方程式為：ICl + H20=HI0 + HCI;正確答案：ICI + H20=HI0 + HCI。答案： (1)從 A 的導(dǎo)管口連接一個(gè)導(dǎo)管伸入水中，關(guān)閉分液漏斗 旋鈕，手握?qǐng)A底燒瓶，若導(dǎo)

5、管口有氣泡冒出，手放開燒瓶后，有一段 水柱倒吸入導(dǎo)管，說明 A 裝置氣密性良好(2) ACBEBD MnO2 + 4H + + 2C=Mn2+ + CI2 f +2H20(3) 除去 C I 2中混有的 HCI(4) 減少 I2 的升華和 ICI 的揮發(fā)(5) (6) 儲(chǔ)存多余的 CI2(7) ICI+H20=HI0+HCI27 .用氟硅酸(HzSiFJ制備冰晶石(NasAIFJ的工藝流程如下所 示：(1) 氟硅酸(H2SiF6)酸性強(qiáng)于硫酸，通常由四氟化硅經(jīng)水吸收制得，其化學(xué)方程式為 。_(2) 反應(yīng)為脫硅工藝，濾渣是。(3) 向NaF溶液中加入AI2(SO4)3溶液發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為N

6、aF溶液呈堿性，在加入 Al2(SO4)3溶液前，需先用硫酸將 NaF溶液的 pH 下調(diào)至 5 左右，否則可能產(chǎn)生副產(chǎn)物 。(4) 干燥前，檢驗(yàn)冰晶石是否洗滌干凈的實(shí)驗(yàn)方法是 (5) 從母液中可循環(huán)利用的物質(zhì)是 。第 3 頁。(6) 碳酸化法也是工業(yè)制取冰晶石的一種方法：在偏鋁酸鈉及氟化鈉溶液中，通入足量二氧化碳即可，請(qǐng)寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式解析：(1)氟硅酸(HzSiFJ酸性強(qiáng)于硫酸，通常由四氟化硅經(jīng)水吸收制得，反應(yīng)的化學(xué)方程式為 3SiF4 + 3H2O=2H2SiF6 + H2SQ3。(2) 氟硅酸(H2SiF6)酸性強(qiáng)于硫酸，氟硅酸與硫酸鈉溶液反應(yīng)生成硫酸和 氟硅酸鈉(Na2SiF6)

7、,根據(jù)流程圖，氟硅酸鈉難溶于水，過濾得到的氟 硅酸鈉與氫氧化鈉反應(yīng)， 反應(yīng)為脫硅工藝， 則反應(yīng)生成氟化鈉和二 氧化硅，因此濾渣是二氧化硅。(3)向NaF溶液中加入Al2(SO4)3溶 液反應(yīng)生成Na3AlF6沉淀和硫酸鈉，反應(yīng)的離子方程式為6F-+ Al3 + + 3Na+ =Na3AlF6$ ； NaF溶液呈堿性，在加入Al2(SO4)3溶液前， 需先用硫酸將NaF溶液的pH下調(diào)至5左右，否則AS(SO4)3溶液與 堿反應(yīng)生成氫氧化鋁沉淀。(4)冰晶石上可能吸附硫酸鈉溶液，判斷是否洗滌干凈只需要檢驗(yàn)是否含有硫酸根離子即可， 實(shí)驗(yàn)方法為取洗 滌后的溶液，向其中滴加 BaCl2溶液，無現(xiàn)象，說明

8、已經(jīng)洗滌干凈； 若有白色沉淀生成，說明沒有洗滌干凈。 (5)母液中含有硫酸鈉，根 據(jù)流程圖，硫酸鈉參與反應(yīng)的循環(huán) Na2SO4。(6)在偏鋁酸鈉及氟化 鈉溶液中，通入足量二氧化碳可以反應(yīng)生成Na3AlF6沉淀，反應(yīng)的化學(xué)方 程式為 6NaF + 4CO2 + NaAlO? + 2H2O=Na3AlF6 J +4NaHCO 3第 5 頁答案：(1)3SiF4 + 3H2O=2H2SiF6 + H2SQ3 (2)SiO2(3) 6F_ + Al3+ + 3Na+ =Na3AIF6 J Al(OH) 3(4) 取洗滌后的溶液，向其中滴加 BaCl2溶液，無現(xiàn)象，說明已 經(jīng)洗滌干凈；若有白色沉淀生成，

9、說明沒有洗滌干凈(5) Na2SO4(6) 6NaF + 4CO2 + NaAIO 2 + 2H2O=Na3AIF 6 J +4NaHCO328 .二氧化硫是大氣污染物，利用SO2 f CaSOqi CaS轉(zhuǎn)化可實(shí) 現(xiàn)變廢為寶。回答下列問題：(1) 已知：I C(s)+ CO2(g)=2CO(g)-1AHi = + 172 kJ mol ;H .CaSO4(s)+ 2C(s)=2CO2(g)+ CaS(s)1AH2 = + 226 kJ mol。若某反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為 K= c4(CO)，請(qǐng)結(jié)合反應(yīng)I、 H寫 出此反應(yīng)的熱化學(xué)方程式： (2) 向體積為2 L的恒容密閉容器中充入1 mol

10、SO2、4 mol CO和 催化劑，發(fā)生反應(yīng)催化劑SO2(g) + 2CO(g)2CO2(g)+ S(g) 出，測(cè)得溫度對(duì)SO2的轉(zhuǎn)化率及催化劑效率的影響如圖1所示： 該反應(yīng)的 出0(填 “或“Kn :M點(diǎn)時(shí)二 氧化硫的平衡轉(zhuǎn)化率為50%，貝卩：催化劑SO2(g)+ 2CO(g)2CO2(g)+ S(g)開始時(shí)濃度/,mol L-1)0.5200改變濃度/,mol L-1)0.250.50.50.25平衡時(shí)濃度/,mol L-1)0.251.50.50.25化學(xué)平衡常數(shù)K=0.52 X 0.250.25 X 1.52(3)Ksp(CaCO3) = c(Ca2 +) CO2-) = ax 3X 10-5 = 3X 10-9,解 得 a= 1X 10-4molL -1;該溫度下，Ksp(CaSO4)= c(Ca2+) c(SO4-) =1X 10-4mol L 1 x 0.09= 9X 10- 6。(4)某研究小組設(shè)計(jì)圖3所示裝置將副產(chǎn)品CO轉(zhuǎn)化為CH4和Q, 根據(jù)CO中碳的化合價(jià)為+ 2,甲烷中碳的化合價(jià)為一4,化合價(jià)降低， 則另外碳的化合價(jià)應(yīng)升高，生成+ 4價(jià)的碳酸氫根離