寧夏半導(dǎo)體硅片項目商業(yè)計劃書（模板）

1、泓域咨詢 /寧夏半導(dǎo)體硅片項目商業(yè)計劃書寧夏半導(dǎo)體硅片項目商業(yè)計劃書xxx投資管理公司目錄第一章 市場預(yù)測6一、 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況6二、 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況9三、 半導(dǎo)體硅片需求情況12第二章 總論16一、 項目名稱及項目單位16二、 項目建設(shè)地點(diǎn)16三、 可行性研究范圍16四、 編制依據(jù)和技術(shù)原則17五、 建設(shè)背景、規(guī)模18六、 項目建設(shè)進(jìn)度19七、 原輔材料及設(shè)備19八、 環(huán)境影響20九、 建設(shè)投資估算20十、 項目主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)21主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表21十一、 主要結(jié)論及建議22第三章 背景、必要性分析24一、 行業(yè)發(fā)展情況和未來發(fā)展趨勢24二、 半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類26三、 S

2、OI硅片市場現(xiàn)狀及前景31第四章 建設(shè)內(nèi)容與產(chǎn)品方案34一、 建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容34二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)34產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表34第五章 運(yùn)營模式分析36一、 公司經(jīng)營宗旨36二、 公司的目標(biāo)、主要職責(zé)36三、 各部門職責(zé)及權(quán)限37四、 財務(wù)會計制度40第六章 SWOT分析47一、 優(yōu)勢分析（S）47二、 劣勢分析（W）48三、 機(jī)會分析（O）49四、 威脅分析（T）50第七章 法人治理56一、 股東權(quán)利及義務(wù)56二、 董事63三、 高級管理人員67四、 監(jiān)事69第八章 人力資源配置分析72一、 人力資源配置72勞動定員一覽表72二、 員工技能培訓(xùn)72第九章 勞動安全生產(chǎn)74一、

3、編制依據(jù)74二、 防范措施75三、 預(yù)期效果評價79第十章 經(jīng)濟(jì)效益81一、 基本假設(shè)及基礎(chǔ)參數(shù)選取81二、 經(jīng)濟(jì)評價財務(wù)測算81營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表81綜合總成本費(fèi)用估算表83利潤及利潤分配表85三、 項目盈利能力分析85項目投資現(xiàn)金流量表87四、 財務(wù)生存能力分析88五、 償債能力分析88借款還本付息計劃表90六、 經(jīng)濟(jì)評價結(jié)論90第十一章 風(fēng)險分析91一、 項目風(fēng)險分析91二、 項目風(fēng)險對策93本期項目是基于公開的產(chǎn)業(yè)信息、市場分析、技術(shù)方案等信息，并依托行業(yè)分析模型而進(jìn)行的模板化設(shè)計，其數(shù)據(jù)參數(shù)符合行業(yè)基本情況。本報告僅作為投資參考或作為學(xué)習(xí)參考模板用途。第一章 市場預(yù)測

4、一、 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況1、半導(dǎo)體簡介半導(dǎo)體是指在常溫下導(dǎo)電性能介于絕緣體與導(dǎo)體之間的材料。常見的半導(dǎo)體包括硅、鍺等元素半導(dǎo)體及砷化鎵、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體。半導(dǎo)體是電子產(chǎn)品的核心，是信息產(chǎn)業(yè)的基石，亦被稱為現(xiàn)代工業(yè)的“糧食”。半導(dǎo)體行業(yè)具有技術(shù)難度高、投資規(guī)模大、產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)長、產(chǎn)品種類多、更新迭代快、下游應(yīng)用廣泛的特點(diǎn)，產(chǎn)業(yè)鏈呈垂直化分工格局。半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈包含設(shè)計、制造和封裝測試環(huán)節(jié)，半導(dǎo)體材料和設(shè)備屬于芯片制造、封測的支撐性行業(yè)。半導(dǎo)體產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動通信、計算機(jī)、汽車電子、醫(yī)療電子、工業(yè)電子、人工智能、軍工航天等行業(yè)。2、半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況2018年全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售額4,687.

5、78億美元，同比增長13.72%；中國半導(dǎo)體行業(yè)銷售額1,581.00億美元，同比增長20.22%。2008至2018年，中國半導(dǎo)體行業(yè)在國家產(chǎn)業(yè)政策、下游終端應(yīng)用市場發(fā)展的驅(qū)動下迅速擴(kuò)張，占全球半導(dǎo)體行業(yè)的比重比從18.16%上升至33.73%，在全球半導(dǎo)體行業(yè)中的重要性日益上升。半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)?？傮w呈波動上升趨勢，與宏觀經(jīng)濟(jì)、下游應(yīng)用需求以及自身產(chǎn)能庫存等因素密切相關(guān)。盡管半導(dǎo)體行業(yè)長期處于增長態(tài)勢，但短期需求呈現(xiàn)一定的波動性。2009年，受全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響，全球GDP同比下降1.76%，半導(dǎo)體行業(yè)銷售額同比下降9.00%；2010年，宏觀經(jīng)濟(jì)回暖，全球GDP同比增長4.32%，半導(dǎo)體行

6、業(yè)銷售額因宏觀經(jīng)濟(jì)上行與第四代iPhone、第一代iPad等終端電子產(chǎn)品的興起，同比增速高達(dá)31.80%，處于歷史增長高位；2011年至2016年，全球GDP以3%左右的增長率低速發(fā)展，半導(dǎo)體行業(yè)銷售額增速亦在10%以下。2017年，全球GDP增速3.14%，但因半導(dǎo)體產(chǎn)品終端市場需求強(qiáng)勁，下游傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域計算機(jī)、移動通信、固態(tài)硬盤、工業(yè)電子市場持續(xù)增長，新興應(yīng)用領(lǐng)域如人工智能、區(qū)塊鏈、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子的快速發(fā)展，全球半導(dǎo)體銷售收入實(shí)現(xiàn)21.60%的年增長率，標(biāo)志著全球半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入了新一輪的、受終端需求驅(qū)動的上行周期。WSTS預(yù)測2019年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模為4,065.87億美元，同比下降

7、13.30%，并預(yù)測2020年全球半導(dǎo)體市場將出現(xiàn)反彈，市場規(guī)模達(dá)4,260.75億美元，同比上升4.8%。雖然中國半導(dǎo)體行業(yè)銷售規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張，但中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依然嚴(yán)重依賴進(jìn)口。根據(jù)海關(guān)總署統(tǒng)計，2018年，中國集成電路進(jìn)口金額達(dá)3,120.58億美元，連續(xù)第四年超過原油進(jìn)口金額，位列中國進(jìn)口商品第一位，并且貿(mào)易逆差還在不斷擴(kuò)大。中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化進(jìn)程嚴(yán)重滯后于國內(nèi)快速增長的市場需求，中國半導(dǎo)體企業(yè)進(jìn)口替代空間巨大。當(dāng)前，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于產(chǎn)業(yè)升級的關(guān)鍵階段，實(shí)現(xiàn)核心技術(shù)的“自主可控”是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)階段最重要的目標(biāo)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)按產(chǎn)品類別可分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器四類。

8、2018年，全球集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器銷售額分別為3,932.88億美元、380.32億美元、241.02億美元和133.56億美元，較2017年分別增長14.60%、9.25%、11.32%和6.24%，在全球半導(dǎo)體行業(yè)占比分別為83.90%、8.11%、5.14%和2.85%。集成電路系半導(dǎo)體行業(yè)中增速最快、占比最高的行業(yè)。3、半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展情況半導(dǎo)體材料包括半導(dǎo)體制造材料與半導(dǎo)體封測材料。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，2018年全球半導(dǎo)體制造材料市場規(guī)模為330.18億美元，同比增長17.14%；全球半導(dǎo)體封裝測試材料市場規(guī)模預(yù)計為197.01億美元，同比增長3.02%。2009

9、年至今，制造材料市場規(guī)模增速一直高于封測材料市場增速。2009年，制造材料市場規(guī)模與封測材料市場規(guī)模相當(dāng)，經(jīng)過近十年發(fā)展，制造材料市場規(guī)模是封測材料市場規(guī)模的1.68倍。半導(dǎo)體制造材料主要包括硅片、電子氣體、光掩膜、光刻膠配套化學(xué)品、拋光材料、光刻膠、濕法化學(xué)品與濺射靶材等。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，2018年硅片、電子氣體、光掩膜、光刻膠配套化學(xué)品的銷售額分別為120.98億美元、42.73億美元、40.41億美元、22.76億美元，分別占全球半導(dǎo)體制造材料行業(yè)36.64%、12.94%、12.24%、6.89%的市場份額。半導(dǎo)體硅片占比最高，為半導(dǎo)體制造的核心材料。二、 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況1、半導(dǎo)

10、體簡介半導(dǎo)體是指在常溫下導(dǎo)電性能介于絕緣體與導(dǎo)體之間的材料。常見的半導(dǎo)體包括硅、鍺等元素半導(dǎo)體及砷化鎵、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體。半導(dǎo)體是電子產(chǎn)品的核心，是信息產(chǎn)業(yè)的基石，亦被稱為現(xiàn)代工業(yè)的“糧食”。半導(dǎo)體行業(yè)具有技術(shù)難度高、投資規(guī)模大、產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)長、產(chǎn)品種類多、更新迭代快、下游應(yīng)用廣泛的特點(diǎn)，產(chǎn)業(yè)鏈呈垂直化分工格局。半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈包含設(shè)計、制造和封裝測試環(huán)節(jié)，半導(dǎo)體材料和設(shè)備屬于芯片制造、封測的支撐性行業(yè)。半導(dǎo)體產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動通信、計算機(jī)、汽車電子、醫(yī)療電子、工業(yè)電子、人工智能、軍工航天等行業(yè)。2、半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展情況2018年全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售額4,687.78億美元，同比增長13.72%

11、；中國半導(dǎo)體行業(yè)銷售額1,581.00億美元，同比增長20.22%。2008至2018年，中國半導(dǎo)體行業(yè)在國家產(chǎn)業(yè)政策、下游終端應(yīng)用市場發(fā)展的驅(qū)動下迅速擴(kuò)張，占全球半導(dǎo)體行業(yè)的比重比從18.16%上升至33.73%，在全球半導(dǎo)體行業(yè)中的重要性日益上升。半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)?？傮w呈波動上升趨勢，與宏觀經(jīng)濟(jì)、下游應(yīng)用需求以及自身產(chǎn)能庫存等因素密切相關(guān)。盡管半導(dǎo)體行業(yè)長期處于增長態(tài)勢，但短期需求呈現(xiàn)一定的波動性。2009年，受全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)影響，全球GDP同比下降1.76%，半導(dǎo)體行業(yè)銷售額同比下降9.00%；2010年，宏觀經(jīng)濟(jì)回暖，全球GDP同比增長4.32%，半導(dǎo)體行業(yè)銷售額因宏觀經(jīng)濟(jì)上行與第四代i

12、Phone、第一代iPad等終端電子產(chǎn)品的興起，同比增速高達(dá)31.80%，處于歷史增長高位；2011年至2016年，全球GDP以3%左右的增長率低速發(fā)展，半導(dǎo)體行業(yè)銷售額增速亦在10%以下。2017年，全球GDP增速3.14%，但因半導(dǎo)體產(chǎn)品終端市場需求強(qiáng)勁，下游傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域計算機(jī)、移動通信、固態(tài)硬盤、工業(yè)電子市場持續(xù)增長，新興應(yīng)用領(lǐng)域如人工智能、區(qū)塊鏈、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子的快速發(fā)展，全球半導(dǎo)體銷售收入實(shí)現(xiàn)21.60%的年增長率，標(biāo)志著全球半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入了新一輪的、受終端需求驅(qū)動的上行周期。WSTS預(yù)測2019年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模為4,065.87億美元，同比下降13.30%，并預(yù)測2020年全

13、球半導(dǎo)體市場將出現(xiàn)反彈，市場規(guī)模達(dá)4,260.75億美元，同比上升4.8%。雖然中國半導(dǎo)體行業(yè)銷售規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張，但中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依然嚴(yán)重依賴進(jìn)口。根據(jù)海關(guān)總署統(tǒng)計，2018年，中國集成電路進(jìn)口金額達(dá)3,120.58億美元，連續(xù)第四年超過原油進(jìn)口金額，位列中國進(jìn)口商品第一位，并且貿(mào)易逆差還在不斷擴(kuò)大。中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化進(jìn)程嚴(yán)重滯后于國內(nèi)快速增長的市場需求，中國半導(dǎo)體企業(yè)進(jìn)口替代空間巨大。當(dāng)前，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于產(chǎn)業(yè)升級的關(guān)鍵階段，實(shí)現(xiàn)核心技術(shù)的“自主可控”是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)階段最重要的目標(biāo)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)按產(chǎn)品類別可分為集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器四類。2018年，全球集成電路、光電子

14、器件、分立器件和傳感器銷售額分別為3,932.88億美元、380.32億美元、241.02億美元和133.56億美元，較2017年分別增長14.60%、9.25%、11.32%和6.24%，在全球半導(dǎo)體行業(yè)占比分別為83.90%、8.11%、5.14%和2.85%。集成電路系半導(dǎo)體行業(yè)中增速最快、占比最高的行業(yè)。3、半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展情況半導(dǎo)體材料包括半導(dǎo)體制造材料與半導(dǎo)體封測材料。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，2018年全球半導(dǎo)體制造材料市場規(guī)模為330.18億美元，同比增長17.14%；全球半導(dǎo)體封裝測試材料市場規(guī)模預(yù)計為197.01億美元，同比增長3.02%。2009年至今，制造材料市場規(guī)模增速一直

15、高于封測材料市場增速。2009年，制造材料市場規(guī)模與封測材料市場規(guī)模相當(dāng)，經(jīng)過近十年發(fā)展，制造材料市場規(guī)模是封測材料市場規(guī)模的1.68倍。半導(dǎo)體制造材料主要包括硅片、電子氣體、光掩膜、光刻膠配套化學(xué)品、拋光材料、光刻膠、濕法化學(xué)品與濺射靶材等。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，2018年硅片、電子氣體、光掩膜、光刻膠配套化學(xué)品的銷售額分別為120.98億美元、42.73億美元、40.41億美元、22.76億美元，分別占全球半導(dǎo)體制造材料行業(yè)36.64%、12.94%、12.24%、6.89%的市場份額。半導(dǎo)體硅片占比最高，為半導(dǎo)體制造的核心材料。三、 半導(dǎo)體硅片需求情況90%以上的芯片需要使用半導(dǎo)體硅片制造。

16、半導(dǎo)體硅片企業(yè)的下游客戶是芯片制造企業(yè)，包括大型綜合晶圓代工企業(yè)及專注于存儲器制造、傳感器制造與射頻芯片制造等領(lǐng)域的芯片制造企業(yè)。半導(dǎo)體硅片的終端應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋智能手機(jī)、便攜式設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、人工智能、工業(yè)電子、軍事、航空航天等眾多行業(yè)。隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，新興終端市場還將不斷涌現(xiàn)。1、下游產(chǎn)能情況（1）芯片制造產(chǎn)能情況2017至2020年，全球芯片制造產(chǎn)能（折合成200mm）預(yù)計將從1,985萬片/月增長至2,407萬片/月，年均復(fù)合增長率6.64%；中國芯片制造產(chǎn)能從276萬片/月增長至460萬片/月，年均復(fù)合增長率18.50%。近年來，隨著中芯國際、華力微電子、長江存儲、華虹宏

17、力等中國大陸芯片制造企業(yè)的持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，中國大陸芯片制造產(chǎn)能增速高于全球芯片產(chǎn)能增速。隨著芯片制造產(chǎn)能的增長，對于半導(dǎo)體硅片的需求仍將持續(xù)增長。目前，中國大陸企業(yè)的300mm芯片制造產(chǎn)能低于200mm芯片制造產(chǎn)能。隨著中國大陸芯片制造企業(yè)技術(shù)實(shí)力的不斷提升，預(yù)計到2020年，中國大陸企業(yè)300mm制造芯片產(chǎn)能將會超過200mm制造芯片制造產(chǎn)能。（2）半導(dǎo)體器件需求增速情況3DNAND存儲器芯片主要使用300mm拋光片。近年來，3DNAND存儲器的產(chǎn)能快速增長，其主要原因是用于大數(shù)據(jù)存儲的固態(tài)硬盤SSD（SolidStateDisk）需求的增長以及智能手機(jī)與便攜式設(shè)備單位存儲密度的提升。SEMI預(yù)計

18、，2019年3DNAND存儲器芯片產(chǎn)能增速將達(dá)4.01%，3DNAND存儲器芯片產(chǎn)能的快速增長將拉動對300mm拋光片的需求。圖像傳感器主要使用各尺寸外延片、SOI硅片。圖像傳感器用于將光學(xué)影像轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號，在智能手機(jī)、汽車電子、視頻監(jiān)視網(wǎng)絡(luò)中廣泛應(yīng)用。隨著多攝像頭手機(jī)成為市場的主流產(chǎn)品，預(yù)計2019年圖像傳感器產(chǎn)能增速將達(dá)到21%，圖像傳感器將成為半導(dǎo)體行業(yè)近年增長最強(qiáng)勁的細(xì)分領(lǐng)域之一。功率器件主要用于電子電力的開關(guān)、功率轉(zhuǎn)換、功率放大、線路保護(hù)等，是在電力控制電路和電源開關(guān)電路中必不可少的電子元器件，主要使用200mm及以下拋光片與SOI硅片。2、全球晶圓代工市場規(guī)模2016年、2017

19、年、2018年，全球晶圓代工市場規(guī)模分別為500.05億美元、548.17億美元、577.32億美元，年均復(fù)合增長率7.45%。根據(jù)ICInsights統(tǒng)計，受益于中國近年來IC設(shè)計公司數(shù)量的增長、規(guī)模的擴(kuò)張，中國晶圓代工企業(yè)業(yè)務(wù)規(guī)模隨之?dāng)U大。2017年，中國晶圓代工企業(yè)銷售收入增長30%，實(shí)現(xiàn)收入75.72億美元；2018年，中國晶圓代工企業(yè)銷售收入增速進(jìn)一步提高，高達(dá)41%，是2018年全球晶圓代工市場規(guī)模增速5%的8倍，實(shí)現(xiàn)收入106.90億美元。3、半導(dǎo)體芯片制造市場規(guī)模根據(jù)WSTS分類標(biāo)準(zhǔn)，半導(dǎo)體芯片主要可分為集成電路、分立器件、傳感器與光電子器件四種類別，其中，集成電路包括存儲器、

20、模擬芯片、邏輯芯片與微處理器。2018年，全球半導(dǎo)體銷售額4,687.78億美元，其中，集成電路、光電子器件、分立器件和傳感器銷售額分別為3,932.88億美元、380.32億美元、241.02億美元和133.56億美元。（1）集成電路市場規(guī)模2016年至2018年，在大數(shù)據(jù)存儲的固態(tài)硬盤SSD（SolidStateDisk）需求的增長，以及智能手機(jī)與便攜式設(shè)備單位存儲密度的提升的帶動下，存儲器銷售額由767.67億美元大幅增長至1,579.67億美元，年均復(fù)合增長率43.45%。（2）傳感器市場規(guī)模2016年至2018年，傳感器銷售額從108.21億美元上升至133.56億美元，年均復(fù)合增長

21、率達(dá)11.10%。傳感器主要包括單一材料傳感器、復(fù)合材料CMOS傳感器與MEMS傳感器。隨著多攝像頭手機(jī)的普及，CMOS圖像傳感器增長迅速；手機(jī)新增的指紋識別功能也增加了對于傳感器的需求；自動駕駛技術(shù)的快速發(fā)展，增加了對圖像傳感器、激光雷達(dá)、超聲波傳感器多種類型傳感器的需求。第二章 總論一、 項目名稱及項目單位項目名稱：寧夏半導(dǎo)體硅片項目項目單位：xxx投資管理公司二、 項目建設(shè)地點(diǎn)本期項目選址位于xx（以最終選址方案為準(zhǔn)），占地面積約73.00畝。項目擬定建設(shè)區(qū)域地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設(shè)施條件完備，非常適宜本期項目建設(shè)。三、 可行性研究范圍1、項目背景及市場預(yù)測

22、分析；2、建設(shè)規(guī)模的確定；3、建設(shè)場地及建設(shè)條件；4、工程設(shè)計方案；5、節(jié)能；6、環(huán)境保護(hù)、勞動安全、衛(wèi)生與消防；7、組織機(jī)構(gòu)與人力資源配置；8、項目招標(biāo)方案；9、投資估算和資金籌措；10、財務(wù)分析。四、 編制依據(jù)和技術(shù)原則（一）編制依據(jù)1、中國制造2025；2、“十三五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃；3、工業(yè)綠色發(fā)展規(guī)劃(2016-2020年)；4、促進(jìn)中小企業(yè)發(fā)展規(guī)劃（20162020年）；5、中華人民共和國國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展第十三個五年規(guī)劃綱要；6、關(guān)于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展的相關(guān)政策；7、項目建設(shè)單位提供的相關(guān)技術(shù)參數(shù)；8、相關(guān)產(chǎn)業(yè)調(diào)研、市場分析等公開信息。（二）技術(shù)原則本項目從節(jié)約資源

23、、保護(hù)環(huán)境的角度出發(fā)，遵循創(chuàng)新、先進(jìn)、可靠、實(shí)用、效益的指導(dǎo)方針。保證本項目技術(shù)先進(jìn)、質(zhì)量優(yōu)良、保證進(jìn)度、節(jié)省投資、提高效益，充分利用成熟、先進(jìn)經(jīng)驗，實(shí)現(xiàn)降低成本、提高經(jīng)濟(jì)效益的目標(biāo)。1、力求全面、客觀地反映實(shí)際情況，采用先進(jìn)適用的技術(shù)，以經(jīng)濟(jì)效益為中心，節(jié)約資源，提高資源利用率，做好節(jié)能減排，在采用先進(jìn)適用技術(shù)的同時，做好投資費(fèi)用的控制。2、根據(jù)市場和所在地區(qū)的實(shí)際情況，合理制定產(chǎn)品方案及工藝路線，設(shè)計上充分體現(xiàn)設(shè)備的技術(shù)先進(jìn)，操作安全穩(wěn)妥，投資經(jīng)濟(jì)適度的原則。3、認(rèn)真貫徹國家產(chǎn)業(yè)政策和企業(yè)節(jié)能設(shè)計規(guī)范，努力做到合理利用能源和節(jié)約能源。采用先進(jìn)工藝和高效設(shè)備，加強(qiáng)計量管理，提高裝置自動化控制

24、水平。4、根據(jù)擬建區(qū)域的地理位置、地形、地勢、氣象、交通運(yùn)輸?shù)葪l件及安全，保護(hù)環(huán)境、節(jié)約用地原則進(jìn)行布置；同時遵循國家安全、消防等有關(guān)規(guī)范。5、在環(huán)境保護(hù)、安全生產(chǎn)及消防等方面，本著“三同時”原則，設(shè)計上充分考慮裝置在上述各方面投資，使得環(huán)境保護(hù)、安全生產(chǎn)及消防貫穿工程的全過程。做到以新代勞，統(tǒng)一治理，安全生產(chǎn)，文明管理。五、 建設(shè)背景、規(guī)模（一）項目背景目前，300mm半導(dǎo)體硅片的需求主要來源于存儲芯片、圖像處理芯片、通用處理器芯片、高性能FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）與ASIC（專用集成電路），終端應(yīng)用主要為智能手機(jī)、計算機(jī)、云計算、人工智能、SSD（固態(tài)存儲硬盤）等較為高端領(lǐng)域。（二）建設(shè)

25、規(guī)模及產(chǎn)品方案該項目總占地面積48667.00（折合約73.00畝），預(yù)計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積75079.83。其中：生產(chǎn)工程52115.05，倉儲工程8803.62，行政辦公及生活服務(wù)設(shè)施7801.36，公共工程6359.80。項目建成后，形成年產(chǎn)xxx噸半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)能力。六、 項目建設(shè)進(jìn)度結(jié)合該項目建設(shè)的實(shí)際工作情況，xxx投資管理公司將項目工程的建設(shè)周期確定為12個月，其工作內(nèi)容包括：項目前期準(zhǔn)備、工程勘察與設(shè)計、土建工程施工、設(shè)備采購、設(shè)備安裝調(diào)試、試車投產(chǎn)等。七、 原輔材料及設(shè)備（一）項目主要原輔材料該項目主要原輔材料包括非離子乳化劑、羥基改性硅油、環(huán)氧改性硅油、高含氫硅油、端環(huán)氧

26、改性、硅油、硬脂酸、二乙醇胺、冰醋酸、氯鉑酸、烯丙基聚氧、乙烯醚、正己酸、濃硫酸。（二）主要設(shè)備主要設(shè)備包括：真空泵、制氮機(jī)、捏合機(jī)、濾膠機(jī)、三輥研研磨機(jī)、攪拌分散機(jī)、空壓機(jī)。八、 環(huán)境影響本項目污染物主要為廢水、廢氣、噪聲和固廢等，通過污染防治措施后，各污染物均可達(dá)標(biāo)排放，并且保持相應(yīng)功能區(qū)要求。本項目符合各項政策和規(guī)劃，本項目各種污染物采取治理措施后對周圍環(huán)境影響較小。從環(huán)境保護(hù)角度，本項目建設(shè)是可行的。九、 建設(shè)投資估算（一）項目總投資構(gòu)成分析本期項目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動資金。根據(jù)謹(jǐn)慎財務(wù)估算，項目總投資33339.67萬元，其中：建設(shè)投資25339.69萬元，占項目總投

27、資的76.00%；建設(shè)期利息280.64萬元，占項目總投資的0.84%；流動資金7719.34萬元，占項目總投資的23.15%。（二）建設(shè)投資構(gòu)成本期項目建設(shè)投資25339.69萬元，包括工程費(fèi)用、工程建設(shè)其他費(fèi)用和預(yù)備費(fèi)，其中：工程費(fèi)用21488.95萬元，工程建設(shè)其他費(fèi)用3132.27萬元，預(yù)備費(fèi)718.47萬元。十、 項目主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)（一）財務(wù)效益分析根據(jù)謹(jǐn)慎財務(wù)測算，項目達(dá)產(chǎn)后每年營業(yè)收入75800.00萬元，綜合總成本費(fèi)用64464.65萬元，納稅總額5708.49萬元，凈利潤8264.15萬元，財務(wù)內(nèi)部收益率16.47%，財務(wù)凈現(xiàn)值3362.70萬元，全部投資回收期6.24年。

28、（二）主要數(shù)據(jù)及技術(shù)指標(biāo)表主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表序號項目單位指標(biāo)備注1占地面積48667.00約73.00畝1.1總建筑面積75079.831.2基底面積26766.851.3投資強(qiáng)度萬元/畝326.062總投資萬元33339.672.1建設(shè)投資萬元25339.692.1.1工程費(fèi)用萬元21488.952.1.2其他費(fèi)用萬元3132.272.1.3預(yù)備費(fèi)萬元718.472.2建設(shè)期利息萬元280.642.3流動資金萬元7719.343資金籌措萬元33339.673.1自籌資金萬元21885.033.2銀行貸款萬元11454.644營業(yè)收入萬元75800.00正常運(yùn)營年份5總成本費(fèi)用萬元64464.

29、656利潤總額萬元11018.877凈利潤萬元8264.158所得稅萬元2754.729增值稅萬元2637.2910稅金及附加萬元316.4811納稅總額萬元5708.4912工業(yè)增加值萬元19751.7713盈虧平衡點(diǎn)萬元33833.65產(chǎn)值14回收期年6.2415內(nèi)部收益率16.47%所得稅后16財務(wù)凈現(xiàn)值萬元3362.70所得稅后十一、 主要結(jié)論及建議本項目符合國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策和行業(yè)技術(shù)進(jìn)步要求，符合市場要求，受到國家技術(shù)經(jīng)濟(jì)政策的保護(hù)和扶持，適應(yīng)本地區(qū)及臨近地區(qū)的相關(guān)產(chǎn)品日益發(fā)展的要求。項目的各項外部條件齊備，交通運(yùn)輸及水電供應(yīng)均有充分保證，有優(yōu)越的建設(shè)條件。，企業(yè)經(jīng)濟(jì)和社會效益較好，

30、能實(shí)現(xiàn)技術(shù)進(jìn)步，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整，提高經(jīng)濟(jì)效益的目的。項目建設(shè)所采用的技術(shù)裝備先進(jìn)，成熟可靠，可以確保最終產(chǎn)品的質(zhì)量要求。第三章 背景、必要性分析一、 行業(yè)發(fā)展情況和未來發(fā)展趨勢依照摩爾定律，半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)產(chǎn)品升級迭代快、性能持續(xù)提升、成本持續(xù)下降、制程不斷縮小的基本發(fā)展趨勢。1、制程的不斷縮小提升了對半導(dǎo)體硅片的技術(shù)要求制程亦稱為節(jié)點(diǎn)或特征線寬，即晶體管柵極寬度的尺寸，用來衡量半導(dǎo)體芯片制造的工藝水準(zhǔn)。遵循摩爾定律，半導(dǎo)體芯片的制程已經(jīng)從上世紀(jì)70年代的1m、0.35m、0.13m逐漸發(fā)展至當(dāng)前的90nm、65nm、45nm、22nm、16nm、10nm、7nm。隨著制程的不斷縮小，芯片制造工藝

31、對硅片缺陷密度與缺陷尺寸的容忍度不斷降低。對應(yīng)在半導(dǎo)體硅片的制造過程中，需要更加嚴(yán)格地控制硅片表面微粗糙度、硅單晶缺陷、金屬雜質(zhì)、晶體原生缺陷、表面顆粒尺寸和數(shù)量等技術(shù)指標(biāo)，這些參數(shù)將直接影響半導(dǎo)體產(chǎn)品的成品率和性能。根據(jù)Gartner預(yù)測，2016至2022年，全球芯片制造產(chǎn)能中，預(yù)計20nm及以下制程占比12%，32/28nm至90nm占比41%，0.13m及以上的微米級制程占比47%。目前，90nm及以下的制程主要使用300mm半導(dǎo)體硅片，90nm以上的制程主要使用200mm或更小尺寸的硅片。2、未來幾年，300mm仍將是半導(dǎo)體硅片的主流品種隨著半導(dǎo)體制程的不斷縮小，芯片生產(chǎn)的工藝愈加復(fù)

32、雜，生產(chǎn)成本不斷提高，成本因素驅(qū)動硅片向著大尺寸的方向發(fā)展。半導(dǎo)體硅片尺寸越大，對于技術(shù)和設(shè)備的要求越高，半導(dǎo)體硅片的尺寸每進(jìn)步一代，生產(chǎn)工藝的難度亦隨之提升。3、半導(dǎo)體硅片市場將繼續(xù)保持較高的集中度半導(dǎo)體硅片行業(yè)技術(shù)壁壘高、資金壁壘高、人才壁壘高，并且與宏觀經(jīng)濟(jì)關(guān)聯(lián)性較強(qiáng)，半導(dǎo)體硅片企業(yè)需通過規(guī)模效應(yīng)來提高盈利能力，預(yù)計未來半導(dǎo)體硅片市場仍將保持較高的集中度。4、中國大陸半導(dǎo)體硅片行業(yè)快速發(fā)展近年來，中國政府高度重視半導(dǎo)體行業(yè)，制定了一系列政策推動中國大陸半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。2014年，國務(wù)院印發(fā)了國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要，綱要指出：集成電路產(chǎn)業(yè)是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，是支撐經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展和保

33、障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)。當(dāng)前和今后一段時期是我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要戰(zhàn)略機(jī)遇期和攻堅期。加快推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，對轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式、保障國家安全、提升綜合國力具有重大戰(zhàn)略意義。到2020年，中國集成電路行業(yè)與國際先進(jìn)水平的差距逐步縮小，全行業(yè)銷售收入年均增速超過20%。到2030年，產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達(dá)到國際先進(jìn)水平，實(shí)現(xiàn)跨越發(fā)展。近年來，在中國政府高度重視、大力扶持半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的大背景下，中國大陸的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的產(chǎn)能和技術(shù)水平都取得了長足的進(jìn)步，但相對而言，半導(dǎo)體材料仍是我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)較為薄弱的環(huán)節(jié)。目前，我國半導(dǎo)體硅片市場仍主要依賴于進(jìn)口，我國企業(yè)具有

34、很大的進(jìn)口替代空間。受益于產(chǎn)業(yè)政策的支持、國內(nèi)硅片企業(yè)技術(shù)水準(zhǔn)的提升、以及全球芯片制造產(chǎn)能向中國大陸的轉(zhuǎn)移，預(yù)計中國大陸半導(dǎo)體硅片企業(yè)的銷售額將繼續(xù)提升，將以高于全球半導(dǎo)體硅片市場的增速發(fā)展，市場份額占比也將持續(xù)擴(kuò)大。二、 半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類1、半導(dǎo)體硅片簡介常見的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）等元素半導(dǎo)體及砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）等化合物半導(dǎo)體。相較于鍺，硅的熔點(diǎn)為1,415，高于鍺的熔點(diǎn)937，較高的熔點(diǎn)使硅可以廣泛應(yīng)用于高溫加工工藝中；硅的禁帶寬度大于鍺，更適合制作高壓器件。相較于砷化鎵，硅安全無毒、對環(huán)境無害，而砷元素為有毒物質(zhì)；并且鍺、砷化鎵均沒有天然的氧化物

35、，在晶圓制造時還需要在表面沉積多層絕緣體，這會導(dǎo)致下游晶圓制造的生產(chǎn)步驟增加從而使生產(chǎn)成本提高。硅基半導(dǎo)體材料是目前產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是用硅基材料制作的。硅在地殼中占比約27%，是除了氧元素之外第二豐富的元素，硅元素以二氧化硅和硅酸鹽的形式大量存在于沙子、巖石、礦物中，儲量豐富并且易于取得。通常將95-99%純度的硅稱為工業(yè)硅。沙子、礦石中的二氧化硅經(jīng)過純化，可制成純度98%以上的硅；高純度硅經(jīng)過進(jìn)一步提純變?yōu)榧兌冗_(dá)99.9999999%至99.999999999%（9-11個9）的超純多晶硅；超純多晶硅在石英坩堝中熔化，并摻入硼（P）、磷（B）等元素改變其

36、導(dǎo)電能力，放入籽晶確定晶向，經(jīng)過單晶生長，制成具有特定電性功能的單晶硅錠。熔體的溫度、提拉速度和籽晶/石英坩堝的旋轉(zhuǎn)速度決定了單晶硅錠的尺寸和晶體質(zhì)量，而熔體中的硼（P）、磷（B）等雜質(zhì)元素的濃度決定了單晶硅錠的電特性。單晶硅錠經(jīng)過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導(dǎo)體硅片。在半導(dǎo)體硅片上可布設(shè)晶體管及多層互聯(lián)線，使之成為具有特定功能的集成電路或半導(dǎo)體器件產(chǎn)品。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保持極高的平整度與表面潔凈度，以保證集成電路或半導(dǎo)體器件的可靠性。2、半導(dǎo)體硅片的主要種類1965年，戈登摩爾提出摩爾定律：集成電路上所集成的

37、晶體管數(shù)量，每隔18個月就提升一倍，相應(yīng)的集成電路性能增強(qiáng)一倍，成本隨之下降一半。對于芯片制造企業(yè)而言，這意味著需要不斷提升單片硅片可生產(chǎn)的芯片數(shù)量、降低單片硅片的制造成本以便與摩爾定律同步。半導(dǎo)體硅片的直徑越大，在單片硅片上可制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。半導(dǎo)體硅片的尺寸（以直徑計算）主要有50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）與300mm（12英寸）等規(guī)格。在摩爾定律的影響下，半導(dǎo)體硅片正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。為提高生產(chǎn)效率并降低成本，向大尺寸演進(jìn)是半導(dǎo)體硅片制造技術(shù)的發(fā)展方向。硅片尺寸越大，在單片硅片上

38、制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。同時，在圓形的硅片上制造矩形的芯片會使硅片邊緣處的一些區(qū)域無法被利用，必然會浪費(fèi)部分硅片。硅片的尺寸越大，相對而言硅片邊緣的損失會越小，有利于進(jìn)一步降低芯片的成本。例如，在同樣的工藝條件下，300mm半導(dǎo)體硅片的可使用面積超過200mm硅片的兩倍以上，可使用率（衡量單位晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量的指標(biāo)）是200mm硅片的2.5倍左右。半導(dǎo)體硅片尺寸越大，對半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)技術(shù)、設(shè)備、材料、工藝的要求越高。目前，全球市場主流的產(chǎn)品是200mm、300mm直徑的半導(dǎo)體硅片，下游芯片制造行業(yè)的設(shè)備投資也與200mm和300mm規(guī)格相匹配。考慮到大部分200mm

39、及以下芯片制造生產(chǎn)線投產(chǎn)時間較早，絕大部分設(shè)備已折舊完畢，因此200mm及以下半導(dǎo)體硅片對應(yīng)的芯片制造成本往往較低，在部分領(lǐng)域使用200mm及以下半導(dǎo)體硅片的綜合成本可能并不高于300mm半導(dǎo)體硅片。此外，在高精度模擬電路、射頻前端芯片、嵌入式存儲器、CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）圖像傳感器、高壓MOS等特殊產(chǎn)品方面，200mm及以下芯片制造的工藝更為成熟。綜上，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求依然存在。隨著汽車電子、工業(yè)電子等應(yīng)用的驅(qū)動，200mm半導(dǎo)體硅片的需求呈上漲趨勢。目前，除上述特殊產(chǎn)品外，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求主要來源于功率器件、電源管理器、非易失性存儲器、MEMS、顯

40、示驅(qū)動芯片與指紋識別芯片等，終端應(yīng)用領(lǐng)域主要為移動通信、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電子等。目前，300mm半導(dǎo)體硅片的需求主要來源于存儲芯片、圖像處理芯片、通用處理器芯片、高性能FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）與ASIC（專用集成電路），終端應(yīng)用主要為智能手機(jī)、計算機(jī)、云計算、人工智能、SSD（固態(tài)存儲硬盤）等較為高端領(lǐng)域。根據(jù)制造工藝分類，半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過外延生長形成外延片，拋光片經(jīng)過氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成SOI硅片。隨著集成電路特征線寬的不斷縮小，光刻機(jī)的景深也越來越小，硅

41、片上極其微小的高度差都會使集成電路布線圖發(fā)生變形、錯位，這對硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外，硅片表面顆粒度和潔凈度對半導(dǎo)體產(chǎn)品的良品率也有直接影響。拋光工藝可去除加工表面殘留的損傷層，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體硅片表面平坦化，并進(jìn)一步減小硅片的表面粗糙度以滿足芯片制造工藝對硅片平整度和表面顆粒度的要求。拋光片可直接用于制作半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于存儲芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI硅片的襯底材料。外延是通過化學(xué)氣相沉積的方式在拋光面上生長一層或多層，摻雜類型、電阻率、厚度和晶格結(jié)構(gòu)都符合特定器件要求的新硅單晶層。外延技術(shù)可以減少硅片中因單晶生長產(chǎn)生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量。外延片常在CM

42、OS電路中使用，如通用處理器芯片、圖形處理器芯片等，由于外延片相較于拋光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低，提高了柵氧化層的完整性，改善了溝道中的漏電現(xiàn)象，從而提升了集成電路的可靠性。除此之外，通常在低電阻率的硅襯底上外延生長一層高電阻率的外延層，應(yīng)用于二極管、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等功率器件的制造。功率器件常用在大功率和高電壓的環(huán)境中，硅襯底的低電阻率可降低導(dǎo)通電阻，高電阻率的外延層可以提高器件的擊穿電壓。外延片提升了器件的可靠性，并減少了器件的能耗，因此在工業(yè)電子、汽車電子等領(lǐng)域廣泛使用。SOI硅片即絕緣體上硅，是常見的硅基材料之一，其核心特征是在頂層硅和支撐襯底之間引入了一層氧化物絕

43、緣埋層。SOI硅片的優(yōu)勢在于可以通過絕緣埋層實(shí)現(xiàn)全介質(zhì)隔離，這將大幅減少硅片的寄生電容以及漏電現(xiàn)象，并消除了閂鎖效應(yīng)。SOI硅片具有寄生電容小、短溝道效應(yīng)小、低壓低功耗、集成密度高、速度快、工藝簡單、抗宇宙射線粒子的能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。因此，SOI硅片適合應(yīng)用在要求耐高壓、耐惡劣環(huán)境、低功耗、集成度高的芯片上，如射頻前端芯片、功率器件、汽車電子、傳感器以及星載芯片等。三、 SOI硅片市場現(xiàn)狀及前景1、SOI硅片市場規(guī)模2016年至2018年全球SOI硅片市場銷售額從4.41億美元增長至7.17億美元，年均復(fù)合增長率27.51%；同期，中國SOI硅片市場銷售額從0.02億美元上升至0.11億美元，年均

44、復(fù)合增長率132.46%。作為特殊硅基材料，SOI硅片生產(chǎn)工藝更復(fù)雜、成本更高、應(yīng)用領(lǐng)域更專業(yè)，全球范圍內(nèi)僅有Soitec、信越化學(xué)、環(huán)球晶圓、SUMCO和硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)等少數(shù)企業(yè)有能力生產(chǎn)。而在需求方面，中國大陸芯片制造領(lǐng)域具備SOI芯片生產(chǎn)能力的企業(yè)并不多，因此中國SOI硅片產(chǎn)銷規(guī)模較小。2、SOI硅片在射頻前端芯片中的應(yīng)用射頻前端芯片是超小型內(nèi)置芯片模塊，集成了無線前端電路中使用的各種功能芯片，包括功率放大器、天線調(diào)諧器、低噪聲放大器、濾波器和射頻開關(guān)等。射頻前端芯片主要功能為處理模擬信號，是以移動智能終端為代表的無線通信設(shè)備的核心器件之一。近年來，移動通信技術(shù)迅速發(fā)展，移動數(shù)據(jù)傳輸量和傳輸

45、速度不斷提升，對于配套的射頻前端芯片的工作頻率、集成度與復(fù)雜性的要求隨之提高。RF-SOI硅片，包括HR-SOI（高阻）和TR-SOI（含有電荷陷阱層的高阻SOI），是用于射頻前端芯片的SOI硅片，其具有寄生電容小、短溝道效應(yīng)小、集成密度高、速度快、功耗低、工藝簡單等優(yōu)點(diǎn)，符合射頻前端芯片對于高速、高線性與低插損等要求。為了應(yīng)對射頻前端芯片對于集成度與復(fù)雜性的更高要求，RF-SOI工藝可以在不影響半導(dǎo)體器件工作頻率的情況下提高集成度并保持良好的性能；另一方面，SOI以其特殊的結(jié)構(gòu)與良好的電學(xué)性能，為系統(tǒng)設(shè)計提供了巨大的靈活性。由于SOI是硅基材料，很容易與其它器件集成，同時可以使用標(biāo)準(zhǔn)的集成電

46、路生產(chǎn)線以降低芯片制造企業(yè)的生產(chǎn)成本。例如，SOI與CMOS工藝的兼容使其能將數(shù)字電路與模擬電路混合，在射頻電路應(yīng)用領(lǐng)域優(yōu)勢明顯。RF-SOI工藝在射頻集成方面具有多種優(yōu)勢：SOI硅片中絕緣埋層（BOX）的存在，實(shí)現(xiàn)了器件有源區(qū)和襯底之間的完全隔離，有效降低了寄生電容，從而降低了功耗；RF-SOI可以提供高阻襯底，降低高頻RF和數(shù)字、混和信號器件之間的串?dāng)_并大幅度降低射頻前端的噪聲量，同時降低了高頻插入損耗；作為一種全介質(zhì)隔離，RF-SOI實(shí)現(xiàn)了RF電路與數(shù)字電路的單片集成。目前海外RF-SOI產(chǎn)業(yè)鏈較為成熟，格羅方德、意法半導(dǎo)體、TowerJazz、臺電和臺灣聯(lián)華電子等芯片制造企業(yè)均具有基于

47、RF-SOI工藝的芯片生產(chǎn)線。國內(nèi)RF-SOI產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展不均衡，下游終端智能手機(jī)市場發(fā)展迅速，中游射頻前端模塊和器件大部分依賴進(jìn)口。目前，雖然我國企業(yè)具備RF-SOI硅片大規(guī)模生產(chǎn)能力，但是國內(nèi)僅有少數(shù)芯片制造企業(yè)具有基于RF-SOI工藝制造射頻前端芯片的能力，因此國產(chǎn)RF-SOI硅片以出口為主。SOI硅片主要應(yīng)用于智能手機(jī)、WiFi等無線通信設(shè)備的射頻前端芯片，亦應(yīng)用于汽車電子、功率器件、傳感器等產(chǎn)品。未來，隨著5G通信技術(shù)的不斷成熟，新一輪智能手機(jī)的更新?lián)Q代即將到來，以及自動駕駛、車聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，SOI硅片需求將持續(xù)上升。第四章 建設(shè)內(nèi)容與產(chǎn)品方案一、 建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容（一）項目場

48、地規(guī)模該項目總占地面積48667.00（折合約73.00畝），預(yù)計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積75079.83。（二）產(chǎn)能規(guī)模根據(jù)國內(nèi)外市場需求和xxx投資管理公司建設(shè)能力分析，建設(shè)規(guī)模確定達(dá)產(chǎn)年產(chǎn)xxx噸半導(dǎo)體硅片，預(yù)計年營業(yè)收入75800.00萬元。二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)本期項目產(chǎn)品主要從國家及地方產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策、市場需求狀況、資源供應(yīng)情況、企業(yè)資金籌措能力、生產(chǎn)工藝技術(shù)水平的先進(jìn)程度、項目經(jīng)濟(jì)效益及投資風(fēng)險性等方面綜合考慮確定。具體品種將根據(jù)市場需求狀況進(jìn)行必要的調(diào)整，各年生產(chǎn)綱領(lǐng)是根據(jù)人員及裝備生產(chǎn)能力水平，并參考市場需求預(yù)測情況確定，同時，把產(chǎn)量和銷量視為一致，本報告將按照初步產(chǎn)品方案進(jìn)行

49、測算。產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表序號產(chǎn)品（服務(wù)）名稱單位單價（元）年設(shè)計產(chǎn)量產(chǎn)值1半導(dǎo)體硅片噸xxx2半導(dǎo)體硅片噸xxx3半導(dǎo)體硅片噸xxx4.噸5.噸6.噸合計xxx75800.002018年全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售額4,687.78億美元，同比增長13.72%；中國半導(dǎo)體行業(yè)銷售額1,581.00億美元，同比增長20.22%。2008至2018年，中國半導(dǎo)體行業(yè)在國家產(chǎn)業(yè)政策、下游終端應(yīng)用市場發(fā)展的驅(qū)動下迅速擴(kuò)張，占全球半導(dǎo)體行業(yè)的比重比從18.16%上升至33.73%，在全球半導(dǎo)體行業(yè)中的重要性日益上升。第五章 運(yùn)營模式分析一、 公司經(jīng)營宗旨公司經(jīng)營國際化，股東回報最大化。二、 公司的目標(biāo)、主要職責(zé)（

50、一）目標(biāo)近期目標(biāo)：深化企業(yè)改革，加快結(jié)構(gòu)調(diào)整，優(yōu)化資源配置，加強(qiáng)企業(yè)管理，建立現(xiàn)代企業(yè)制度；精干主業(yè)，分離輔業(yè)，增強(qiáng)企業(yè)市場競爭力，加快發(fā)展；提高企業(yè)經(jīng)濟(jì)效益，完善管理制度及運(yùn)營網(wǎng)絡(luò)。遠(yuǎn)期目標(biāo)：探索模式創(chuàng)新、制度創(chuàng)新、管理創(chuàng)新的產(chǎn)業(yè)發(fā)展新思路。堅持發(fā)展自主品牌，提升企業(yè)核心競爭力。此外，面向國際、國內(nèi)兩個市場，優(yōu)化資源配置，實(shí)施多元化戰(zhàn)略，向產(chǎn)業(yè)集團(tuán)化發(fā)展，力爭利用3-5年的時間把公司建設(shè)成具有先進(jìn)管理水平和較強(qiáng)市場競爭實(shí)力的大型企業(yè)集團(tuán)。（二）主要職責(zé)1、執(zhí)行國家法律、法規(guī)和產(chǎn)業(yè)政策，在國家宏觀調(diào)控和行業(yè)監(jiān)管下，以市場需求為導(dǎo)向，依法自主經(jīng)營。2、根據(jù)國家和地方產(chǎn)業(yè)政策、半導(dǎo)體硅片行業(yè)發(fā)展規(guī)

51、劃和市場需求，制定并組織實(shí)施公司的發(fā)展戰(zhàn)略、中長期發(fā)展規(guī)劃、年度計劃和重大經(jīng)營決策。3、根據(jù)國家法律、法規(guī)和半導(dǎo)體硅片行業(yè)有關(guān)政策，優(yōu)化配置經(jīng)營要素，組織實(shí)施重大投資活動，對投入產(chǎn)出效果負(fù)責(zé)，增強(qiáng)市場競爭力，促進(jìn)區(qū)域內(nèi)半導(dǎo)體硅片行業(yè)持續(xù)、快速、健康發(fā)展。4、深化企業(yè)改革，加快結(jié)構(gòu)調(diào)整，轉(zhuǎn)換企業(yè)經(jīng)營機(jī)制，建立現(xiàn)代企業(yè)制度，強(qiáng)化內(nèi)部管理，促進(jìn)企業(yè)可持續(xù)發(fā)展。5、指導(dǎo)和加強(qiáng)企業(yè)思想政治工作和精神文明建設(shè)，統(tǒng)一管理公司的名稱、商標(biāo)、商譽(yù)等無形資產(chǎn)，搞好公司企業(yè)文化建設(shè)。6、在保證股東企業(yè)合法權(quán)益和自身發(fā)展需要的前提下，公司可依照公司法等有關(guān)規(guī)定，集中資產(chǎn)收益，用于再投入和結(jié)構(gòu)調(diào)整。三、 各部門職責(zé)及權(quán)

52、限（一）銷售部職責(zé)說明1、協(xié)助總經(jīng)理制定和分解年度銷售目標(biāo)和銷售成本控制指標(biāo)，并負(fù)責(zé)具體落實(shí)。2、依據(jù)公司年度銷售指標(biāo)，明確營銷策略，制定營銷計劃和拓展銷售網(wǎng)絡(luò)，并對任務(wù)進(jìn)行分解，策劃組織實(shí)施銷售工作，確保實(shí)現(xiàn)預(yù)期目標(biāo)。3、負(fù)責(zé)收集市場信息，分析市場動向、銷售動態(tài)、市場競爭發(fā)展?fàn)顩r等，并定期將信息報送商務(wù)發(fā)展部。4、負(fù)責(zé)按產(chǎn)品銷售合同規(guī)定收款和催收，并將相關(guān)收款情況報送商務(wù)發(fā)展部。5、定期不定期走訪客戶，整理和歸納客戶資料，掌握客戶情況，進(jìn)行有效的客戶管理。6、制定并組織填寫各類銷售統(tǒng)計報表，并將相關(guān)數(shù)據(jù)及時報送商務(wù)發(fā)展部總經(jīng)理。7、負(fù)責(zé)市場物資信息的收集和調(diào)查預(yù)測，建立起牢固可靠的物資供應(yīng)網(wǎng)

53、絡(luò)，不斷開辟和優(yōu)化物資供應(yīng)渠道。8、負(fù)責(zé)收集產(chǎn)品供應(yīng)商信息，并對供應(yīng)商進(jìn)行質(zhì)量、技術(shù)和供就能力進(jìn)行評估，根據(jù)公司需求計劃，編制與之相配套的采購計劃，并進(jìn)行采購談判和產(chǎn)品采購，保證產(chǎn)品供應(yīng)及時，確保產(chǎn)品價格合理、質(zhì)量符合要求。9、建立發(fā)運(yùn)流程，設(shè)計最佳運(yùn)輸路線、運(yùn)輸工具，選擇合格的運(yùn)輸商，嚴(yán)格按公司下達(dá)的發(fā)運(yùn)成本預(yù)算進(jìn)行有效管理，定期分析費(fèi)用開支，查找超支、節(jié)支原因并實(shí)施控制。10、負(fù)責(zé)對部門員工進(jìn)行業(yè)務(wù)素質(zhì)、產(chǎn)品知識培訓(xùn)和考核等工作，不斷培養(yǎng)、挖掘、引進(jìn)銷售人才，建設(shè)高素質(zhì)的銷售隊伍。（二）戰(zhàn)略發(fā)展部主要職責(zé)1、圍繞公司的經(jīng)營目標(biāo)，擬定項目發(fā)實(shí)施方案。2、負(fù)責(zé)市場信息的收集、整理和分析，定期編

54、制信息分析報告，及時報送公司領(lǐng)導(dǎo)和相關(guān)部門；并對各部門信息的及時性和有效性進(jìn)行考核。3、負(fù)責(zé)對產(chǎn)品供應(yīng)商質(zhì)量管理、技術(shù)、供應(yīng)能力和財務(wù)評估情況進(jìn)行匯總，編制供應(yīng)商評估報告，擬定供應(yīng)商合作方案和合作協(xié)議，組織簽訂供應(yīng)商合作協(xié)議。4、負(fù)責(zé)對公司采購的產(chǎn)品進(jìn)行詢價，擬定產(chǎn)品采購方案，制定市場標(biāo)準(zhǔn)價格；擬定采購合同并報總經(jīng)理審批后，組織簽訂合同。5、負(fù)責(zé)起草產(chǎn)品銷售合同，按財務(wù)部和總經(jīng)理提出的修改意見修訂合同，并通知銷售部門執(zhí)行合同。6、協(xié)助銷售部門開展銷售人員技能培訓(xùn)；協(xié)助銷售部門對未及時收到的款項查找原因進(jìn)行催款。7、負(fù)責(zé)客戶服務(wù)標(biāo)準(zhǔn)的確定、實(shí)施規(guī)范、政策制定和修改，以及服務(wù)資源的統(tǒng)一規(guī)劃和配置。

55、8、協(xié)調(diào)處理各類投訴問題，并提出處理意見；并建立設(shè)訴處理檔案，做到每一件投訴有記錄，有處理結(jié)果，每月向公司上報投訴情況及處理結(jié)果。9、負(fù)責(zé)公司客戶檔案、銷售合同、公司文件資料、營銷類文件資料、價格表等的管理、歸類、整理、建檔和保管工作。（三）行政部主要職責(zé)1、負(fù)責(zé)公司運(yùn)行、管理制度和流程的建立、完善和修訂工作。2、根據(jù)公司業(yè)務(wù)發(fā)展的需要，制定及優(yōu)化公司的內(nèi)部運(yùn)行控制流程、方法及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)。3、依據(jù)公司管理需要，組織并執(zhí)行內(nèi)部運(yùn)行控制工作，協(xié)助各部門規(guī)范業(yè)務(wù)流程及操作規(guī)程，降低管理風(fēng)險。4、定期、不定期利用各種統(tǒng)計信息和其他方法（如經(jīng)濟(jì)活動分析、專題調(diào)查資料等）監(jiān)督計劃執(zhí)行情況，并對計劃完成情況進(jìn)

56、行考核。五、在選擇產(chǎn)品供應(yīng)商過程，定期不定期對商務(wù)部部門編制的供應(yīng)商評估報告和供應(yīng)商合作協(xié)議進(jìn)行審查，并提出審查意見。5、負(fù)責(zé)監(jiān)督檢查公司運(yùn)營、財務(wù)、人事等業(yè)務(wù)政策及流程的執(zhí)行情況。6、負(fù)責(zé)平衡內(nèi)部控制的要求與實(shí)際業(yè)務(wù)發(fā)展的沖突，其他與內(nèi)部運(yùn)行控制相關(guān)的工作。四、 財務(wù)會計制度（一）財務(wù)會計制度1、公司依照法律、行政法規(guī)和國家有關(guān)部門的規(guī)定，制定公司的財務(wù)會計制度。上述財務(wù)會計報告按照有關(guān)法律、行政法規(guī)及部門規(guī)章的規(guī)定進(jìn)行編制。2、公司除法定的會計賬簿外，將不另立會計賬簿。公司的資產(chǎn)，不以任何個人名義開立賬戶存儲。3、公司分配當(dāng)年稅后利潤時，應(yīng)當(dāng)提取利潤的10%列入公司法定公積金。公司法定公積金累計額為公司注冊資本的50%以上的，可以不再提取。公司的法定公積金不足以彌補(bǔ)以前年度虧損的，在依照前款規(guī)定提取法定公積金之前，應(yīng)當(dāng)先用當(dāng)年利潤彌補(bǔ)虧損。公司從稅后利潤中提取法定公積金后，經(jīng)股東大會決議，還可以從稅后利潤中提取任意公積金。公司彌補(bǔ)虧損和提取公積金后所余稅后利潤，按照股東持有的股份