半導體專業(yè)英語詞匯

1、半導體專業(yè)詞匯1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如 B ，摻入 Si 中需要接受電子3. ACCESS ：一個 EDA (Engineering Data Analysis )系統(tǒng)4. Acid ：酸5. Active device ：有源器件，如 MOS FET (非線性，可以對信號放大)6. Align mark(key) ：對位標記7. Alloy ：合金8. Aluminum ：鋁9. Ammonia ：氨水10. Ammonium fluoride ： NH4F11. Ammoni

2、um hydroxide ： NH4OH12. Amorphous silicon : a -Si，非晶硅(不是多晶硅)13. Analog ：模擬的14. Angstrom : A (1E-10m )埃15. Anisotropic :各向異性(如 POLY ETCH )16. AQL(Acceptance Quality Level) :接受質(zhì)量標準，在一定采樣下，可以 95%置信度通過質(zhì) 量標準(不同于可靠性，可靠性要求一定時間后的失效率)17. ARC(Antireflective coating) :抗反射層(用于 METAL 等層的光刻)18. Antimony(Sb) 銻19.

3、Argon(Ar) 氬20. Arsenic(As) 砷21. Arsenic trioxide(As2O3) 三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher:去膠機24. Aspect ration :形貌比( ETCH 中的深度、寬度比)25. Autodoping :自攙雜(外延時 SUB 的濃度高，導致有雜質(zhì)蒸發(fā)到環(huán)境中后，又回摻到外 延層)26. Back end:后段(CONTACT 以后、PCM 測試前)27. Baseli ne：標準流程28. Benchmark :基準29. Bipolar :雙極30. Boat:擴散用(石英)舟31. CD:(Critica

4、l Dimension )臨界(關(guān)鍵) 尺寸。在工藝上通常指條寬， 例如 POLY CD 為多晶條寬。32. Character window :特征窗口。用文字或數(shù)字描述的包含工藝所有特性的一個方形區(qū)域。33. Chemical-mechanical polish ( CMP ):化學機械拋光法。一種去掉圓片表面某種物質(zhì)的方 法。34. Chemical vapor deposition ( CVD ):化學汽相淀積。一種通過化學反應(yīng)生成一層薄膜的工 藝。35. Chip :碎片或芯片。36. CIM : computer-integrated manufacturing 的縮寫。 用計算機

5、控制和監(jiān)控制造工藝的一種綜 合方式。37. Circuit design :電路設(shè)計。一種將各種元器件連接起來實現(xiàn)一定功能的技術(shù)。38. Cleanroom :種在溫度，濕度和潔凈度方面都需要滿足某些特殊要求的特定區(qū)域。39. Compensation doping :補償摻雜。向 P型半導體摻入施主雜質(zhì)或向N型摻入受主雜質(zhì)。40. CMOS : compleme ntary metal oxide semic on ductor 的縮寫。一種將 PMOS 和 NMOS 在同 一個硅襯底上混合制造的工藝。41. Computer-aided design （ CAD）:計算機輔助設(shè)計。42.

6、Conductivity type :傳導類型，由多數(shù)載流子決定。在N型材料中多數(shù)載流子是電子，在P型材料中多數(shù)載流子是空穴。43. Co ntact :孔。在工藝中通常指孔1,即連接鋁和硅的孔。44. Control chart :控制圖。一種用統(tǒng)計數(shù)據(jù)描述的可以代表工藝某種性質(zhì)的曲線圖表。45. Correlation :相關(guān)性。46. Cp :工藝能力，詳見 process capability。47. Cpk : 工藝能力指數(shù)，詳見process capability index。48. Cycle time :圓片做完某段工藝或設(shè)定工藝段所需要的時間。通常用來衡量流通速度的快慢。49

7、. Damage：損傷。對于單晶體來說，有時晶格缺陷在表面處理后形成無法修復的變形也可 以叫做損傷。50. Defect density :缺陷密度。單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)。51. Depletion implant :耗盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝。（耗盡晶體管指在柵壓為零的情況下有電流流過的晶體管。）52. Depletion layer:耗盡層?？蓜虞d流子密度遠低于施主和受主的固定電荷密度的區(qū)域。53. Depletion width :耗盡寬度。53中提到的耗盡層這個區(qū)域的寬度。54. Deposition :淀積。一種在圓片上淀積一定厚度的且不和下面層次發(fā)生化學反

8、應(yīng)的薄膜的 一種方法。55. Depth of focus （ DOF）:焦深。56. design of experiments （DOE）:為了達到費用最小化、降低試驗錯誤、以及保證數(shù)據(jù)結(jié)果 的統(tǒng)計合理性等目的，所設(shè)計的初始工程批試驗計劃。57. develop :顯影（通過化學處理除去曝光區(qū)域的光刻膠，形成所需圖形的過程）58. developer :1）顯影設(shè)備； n）顯影液59. diborane （B2H6）:乙硼烷，一種無色、易揮發(fā)、有毒的可燃氣體，常用來作為半導體生 產(chǎn)中的硼源60. dichloromethane （CH2CL2）:二氯甲，一種無色，不可燃，不可爆的液體。61

9、. dichlorosilane （DSC）:二氯甲硅烷，一種可燃，有腐蝕性，無色，在潮濕環(huán)境下易水解的 物質(zhì)，常用于硅外延或多晶硅的成長，以及用在沉積二氧化硅、氮化硅時的化學氣氛中。62. die :硅片中一個很小的單位，包括了設(shè)計完整的單個芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向 上的部分劃片槽區(qū)域。63. dielectric :1）介質(zhì)，一種絕緣材料；n）用于陶瓷或塑料圭寸裝的表面材料，可以提供電絕緣功能。64. diffused layer:擴散層，即雜質(zhì)離子通過固態(tài)擴散進入單晶硅中，在臨近硅表面的區(qū)域形成與襯底材料反型的雜質(zhì)離子層。65. disilane （Si2H6）:乙硅烷，一種無色、

10、無腐蝕性、極易燃的氣體，燃燒時能產(chǎn)生高火焰， 暴露在空氣中會自燃。在生產(chǎn)光電單元時，乙硅烷常用于沉積多晶硅薄膜。66. drive-in :推阱，指運用高溫過程使雜質(zhì)在硅片中分布擴散。67. dry etch :干刻，指采用反應(yīng)氣體或電離氣體除去硅片某一層次中未受保護區(qū)域的混合了 物理腐蝕及化學腐蝕的工藝過程。68. effective layer thickness :有效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規(guī)定范圍內(nèi)的硅 錠前端的深度。69. EM : electromigration，電子遷移，指由通過鋁條的電流導致電子沿鋁條連線進行的自擴 散過程。70. epitaxial layer

11、 :外延層。半導體技術(shù)中，在決定晶向的基質(zhì)襯底上生長一層單晶半導體材料，這一單晶半導體層即為外延層。71. equipment downtime :設(shè)備狀態(tài)異常以及不能完成預(yù)定功能的時間。72. etch :腐蝕，運用物理或化學方法有選擇的去除不需的區(qū)域。73. exposure :曝光，使感光材料感光或受其他輻射材料照射的過程。74. fab:常指半導體生產(chǎn)的制造工廠。75. feature size :特征尺寸，指單個圖形的最小物理尺寸。76. field-effect transistor( FET):場效應(yīng)管。包含源、漏、柵、襯四端，由源經(jīng)柵到漏的多 子流驅(qū)動而工作，多子流由柵下的橫向

12、電場控制。77. film :薄膜，圓片上的一層或多層迭加的物質(zhì)。78. flat :平邊79. flatba nd capacita nse：平帶電容80. flatband voltage :平帶電壓81. flow coefficicent :流動系數(shù)82. flow velocity :流速計83. flow volume :流量計84. flux :單位時間內(nèi)流過給定面積的顆粒數(shù)85. forbidden energy gap : 禁帶86. four-point probe :四點探針臺87. functional area :功能區(qū)88. gate oxide :柵氧89. gl

13、ass tran siti on temperature : 玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度90. gowning :凈化服91. gray area :灰區(qū)92. grazing incidenee interferometer : 切線入射干涉儀93. hard bake :后烘94. heteroepitaxy :單晶長在不同材料的襯底上的外延方法95. high-current implanter ：束電流大于 3ma的注入方式，用于批量生產(chǎn)96. hig n-efficie ncy particulate air(HEPA) filter :高效率空氣顆粒過濾器，去掉99.97% 的大于0.3um的

14、顆粒97. host :主機98. hot carriers :熱載流子99. hydrophilic :親水性100. hydrophobic :疏水性101. impurity :雜質(zhì)102. inductive coupled plasma(ICP):感應(yīng)等離子體103. i nert gas :惰性氣體104. initial oxide : 一氧105. insulator:絕緣106. isolated line :隔離線107. implant :注入108. impurity n :摻雜109. junction :結(jié)110. junction spiking n :鋁穿刺11

15、1. kerf :劃片槽112. landing pad n :PAD113. lithography n 制版114. maintain ability, equipme nt : 設(shè)備產(chǎn)能115. maintenance n :保養(yǎng)116. majority carrier n :多數(shù)載流子117. masks, device series of n : 成套光刻版118. material n :原料119. matrix n 1 :矩陣120. mean n :平均值121. measured leak rate n :測得漏率122. median n :中間值123. memory

16、 n :記憶體124. metal n :金屬125. nano meter (nm) n :纟納米126. nano seco nd (ns) n :納秒127. nitride etch n :氮化物刻蝕128. nitrogen (N2 ) n : 氮氣，一種雙原子氣體129. n-type adj : n 型130. ohms per square n：歐姆每平方：方塊電阻131. orientation n : 晶向，一組晶列所指的方向132. overlap n : 交迭區(qū)133. oxidation n :氧化，高溫下氧氣或水蒸氣與硅進行的化學反應(yīng)134. phosphorus

17、(P) n :磷，一種有毒的非金屬元素135. photomask n :光刻版，用于光刻的版136. photomask, negative n ： 反刻137. images :去掉圖形區(qū)域的版138. photomask, positive n :正刻139. pilot n :先行批，用以驗證該工藝是否符合規(guī)格的片子140. plasma n :等離子體，用于去膠、刻蝕或淀積的電離氣體141. plasma-e nha need chemical vapor depositio n (PECVD) n :等離子體化學氣相淀積，低溫條件下的等離子淀積工藝142. plasma-enhan

18、eed TEOS oxide deposition n : TEOS 淀積，淀積 TEOS 的一種工藝143. pn junction n : pn 結(jié)144. pocked bead n：麻點，在20X下觀察到的吸附在低壓表面的水珠145. polarization n :偏振，描述電磁波下電場矢量方向的術(shù)語146. polycide n ：多晶硅/金屬硅化物，解決高阻的復合柵結(jié)構(gòu)147. polycrystalline silicon (poly) n :多晶硅，高濃度摻雜(5E19)的硅，能導電。148. polymorphism n :多態(tài)現(xiàn)象，多晶形成一種化合物以至少兩種不同的形態(tài)結(jié)

19、晶的現(xiàn)象149. prober n :探針。在集成電路的電流測試中使用的一種設(shè)備，用以連接圓片和檢測設(shè)備。150. process control n :過程控制。半導體制造過程中，對設(shè)備或產(chǎn)品規(guī)范的控制能力。151. proximity X-ray n :近X射線：一種光刻技術(shù)，用X射線照射置于光刻膠上方的掩膜版，從而使對應(yīng)的光刻膠暴光。152. pure water n :純水。半導體生產(chǎn)中所用之水。153. qua ntum device n :量子設(shè)備。一種電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，其特性源于電子的波動性。154. quartz carrier n :石英舟。155. random access

20、memory (RAM) n :隨機存儲器。156. random logic device n :隨機邏輯器件。157. rapid thermal processing (RTP) n :快速熱處理(RTP)。158. reactive ion etch (RIE) n :反應(yīng)離子刻蝕(RIE)。159. reactor n仮應(yīng)腔。反應(yīng)進行的密封隔離腔。160. recipe n :菜單。生產(chǎn)過程中對圓片所做的每一步處理規(guī)范。161. resist n :光刻膠。162. scanning electron microscope (SEM) n :電子顯微鏡(SEM)。163. sched

21、uled downtime n :(設(shè)備)預(yù)定停工時間。164. Schottky barrier diodes n :肖特基二極管。165. scribe line n :劃片槽。166. sacrificial etchback n :犧牲腐蝕。167. semiconductor n :半導體。電導性介于導體和絕緣體之間的元素。168. sheet resista nee (Rs) (or per square) n :薄層電阻。一般用以衡量半導體表面雜質(zhì)摻雜水 平。169. side load:邊緣載荷，被彎曲后產(chǎn)生的應(yīng)力。170. silicon on sapphire(SOS)ep

22、itaxial wafer:外延是藍寶石襯底硅的原片171. small scale in tegrati on (SSI):小規(guī)模綜合，在單一模塊上由2至U 10個圖案的布局。172. source code:原代碼，機器代碼編譯者使用的，輸入到程序設(shè)計語言里或編碼器的代碼。173. spectral line:光譜線，光譜鑷制機或分光計在焦平面上捕捉到的狹長狀的圖形。174. spin webbing:旋轉(zhuǎn)帶，在旋轉(zhuǎn)過程中在下表面形成的細絲狀的剩余物。175. sputter etch:濺射刻蝕，從離子轟擊產(chǎn)生的表面除去薄膜。176. stacking fault:堆垛層錯，原子普通堆積規(guī)

23、律的背離產(chǎn)生的2次空間錯誤。177. steam bath:蒸汽浴，一個大氣壓下，流動蒸汽或其他溫度熱源的暴光。178. step respo nse time:瞬態(tài)特性時間，大多數(shù)流量控制器實驗中，普通變化時段到氣流剛到達特定地帶的那個時刻之間的時間。179. stepper:步進光刻機(按 BLOCK來曝光)180. stress test:應(yīng)力測試，包括特定的電壓、溫度、濕度條件。181. surface profile:表面輪廓，指與原片表面垂直的平面的輪廓(沒有特指的情況下)。182. symptom:征兆，人員感覺到在一定條件下產(chǎn)生變化的弊病的主觀認識。183. tack weld

24、:間斷焊，通常在角落上尋找預(yù)先有的地點進行的點焊(用于連接蓋子)。184. Taylor tray:泰勒盤，褐拈土組成的高膨脹物質(zhì)。185. temperature cycling:溫度周期變化，測量出的重復出現(xiàn)相類似的高低溫循環(huán)。186. testability:易測性，對于一個已給電路來說，哪些測試是適用它的。187. thermal deposition:熱沉積，在超過 950度的高溫下，硅片引入化學摻雜物的過程。188. thin film:超薄薄膜，堆積在原片表面的用于傳導或絕緣的一層特殊薄膜。189. tita niu m(Ti):鈦。190. tolue ne(C6H5CH3):

25、甲苯。有毒、無色易燃的液體，它不溶于水但溶于酒精和大氣。191. 1,1,1-trichloroetha ne(TCA)(CL3CCH3):有毒、不易燃、有刺激性氣味的液態(tài)溶劑。這種混合物不溶于水但溶于酒精和大氣。192. tungsten(W):鎢。193. tungsten hexafluoride(WF6):氟化鎢。無色無味的氣體或者是淡黃色液體。在CVD中WF6用于淀積硅化物，也可用于鎢傳導的薄膜。194. tinning:金屬性表面覆蓋焊點的薄層。195. total fixed charge density(Nth):下列是硅表面不可動電荷密度的總和：氧化層固定電荷密度(Nf)、氧

26、化層俘獲的電荷的密度(Not)、界面負獲得電荷密度(Nit)。196. watt(W):瓦。能量單位。197. wafer flat:從晶片的一面直接切下去，用于表明自由載流子的導電類型和晶體表面的晶 向，也可用于在處理和雕合過程中的排列晶片。198. wafer process chamber(WPC):對晶片進行工藝的腔體。199. well:阱。200. wet chemical etch:濕法化學腐蝕。201. trench:深腐蝕區(qū)域，用于從另一區(qū)域隔離出一個區(qū)域或者在硅晶片上形成存儲電容器。202. via:通孔。使隔著電介質(zhì)的上下兩層金屬實現(xiàn)電連接。203. window:在隔離

27、晶片中，允許上下兩層實現(xiàn)電連接的絕緣的通道。204. torr :托。壓力的單位。205. vapor pressure:當固體或液體處于平衡態(tài)時自己擁有的蒸汽所施加的壓力。蒸汽壓力是 與物質(zhì)和溫度有關(guān)的函數(shù)。206. vacuum:真空。207. transition metals:過渡金屬Yield良率Parameter 參數(shù)PAC感光化合物ASIC特殊應(yīng)用集成電路Solve nt 溶劑Carbide 碳Refractive 折射Expansion 膨脹Strip濕式刻蝕法的一種TM: top mental頂層金屬層WEE周邊曝光PSG硼硅玻璃MFG制造部Run card運作卡POD裝晶舟

28、和晶片的盒子Scratch 舌U傷Reticle 光罩Sputter 濺射Spin旋轉(zhuǎn)Merge合并A/D 軍Analog.Digital, 模擬 /數(shù)字AC Mag nitude交流幅度AC Phase交流相位Accuracy 精度Activity ModelActivity Model活動模型Additive Process 加成工藝Adhesion附著力Aggressor干擾源Analog Source 模擬源AOI,Automated Optical In spection自動光學檢查Assembly Variant不同的裝配版本輸出Attributes 屬性AXI,Automated

29、 X-ray Inspection自動 X 光檢查BIST,Built-in Self Test 內(nèi)建的自測試Bus Route總線布線Circuit電路基準circuit diagram 電路圖Clementine專用共形開線設(shè)計Cluster Placement 簇布局CM合約制造商Common Impedanee 共模阻抗Concurrent并行設(shè)計Con sta nt Source 恒壓源Cooper Pour智能覆銅Crosstalk 串擾CVT,Comp onent Verification and Tracki ng元件確認與跟蹤DC Magnitude直流幅度Delay延時De

30、lays延時Design for Testing 可測試性設(shè)計Desig nator 標識DFC,Design for Cost面向成本的設(shè)計DFMQesig n for Man ufacturi ng面向制造過程的設(shè)計DFRQesign for Reliability 面向可靠性的設(shè)計DFT,Design for Test面向測試的設(shè)計DFX,Design for X 面向產(chǎn)品的整個生命周期或某個環(huán)節(jié)的設(shè)計DSM,Dynamic Setup Management 動態(tài)設(shè)定管理Dynamic Route動態(tài)布線EDIF,The Electro nic Desig n In tercha nge

31、 Format 電子設(shè)計交互格式EIA,Electr onic In dustries Associati on 電子工業(yè)協(xié)會Electro Dynamic Check動態(tài)電性能分析Electromag netic Disturba nee 電磁干擾Electromagnetic Noise 電磁噪聲EMC,Elctromag netic Compatibilt電磁兼容EMI,Electromag netic In terfere nee 電磁干擾Emulation硬件仿真Engineering Change Order原理圖與 PCB版圖的自動對應(yīng)修改En semble多層平面電磁場仿真ES

32、D靜電釋放Fall Time下降時間False Clocking 假時鐘FEP氟化乙丙烯FFT,Fast Fourier Transform 快速傅里葉變換Float License網(wǎng)絡(luò)浮動Frequency Domain 頻域Gaussian Distribution 高斯分布Global flducial 板基準Ground Bounee地彈反射GUI,Graphical User In terface 圖形用戶界面Harmonica射頻微波電路仿真HFSS三維高頻結(jié)構(gòu)電磁場仿真IBIS,I nput/Output Buffer In formation Specificatio n 模型

33、ICAM,Integrated Computer Aided Manufacturing在 ECCE 項目里就是指制作 PCBIEEE,The In stitute of Electrical and Electro nic En gi neers國際電氣和電子工程師協(xié)會IGES,I nitial Graphics Excha nge Specification三維立體幾何模型和工程描述的標準Image Fiducial 電路基準Impedanee 阻抗In-Circuit-Test 在線測試Initial V oltage 初始電壓In put Rise Time輸入躍升時間IPC,The

34、In stitute for Packagi ng and In terco nn ect 圭寸裝與互連協(xié)會IPO,I nteractive Process Optimizato n 交互過程優(yōu)化ISO,The In ternatio nal Sta ndards Orga nizati on 國際標準化組織Jumper跳線Linear Design Suit線性設(shè)計軟件包Local Fiducial 個別基準manufacturing 制造業(yè)MCMs,Multi-Chip Modules 多芯片組件MDE,Maxwell Desig n EnvironmentNonlinear Design

35、 Suit非線性設(shè)計軟件包ODB+ Open Data Base 公開數(shù)據(jù)庫OEM原設(shè)備制造商OLE Automatio n 目標連接與嵌入On-line DRC在線設(shè)計規(guī)則檢查Optimetrics優(yōu)化和參數(shù)掃描Overshoot 過沖Panel fiducial 板基準PCB PC Board Layout Tools 電路板布局布線PCB,Pri nted Circuit Board 印制電路板Period周期Periodic Pulse Source 周期脈沖源Physical Design Reuse物理設(shè)計可重復PI,Power Integrity 電源完整性Piece-Wise-

36、linear Source 分段線性源Preview輸出預(yù)覽Pulse Width脈沖寬度Pulsed Voltage 脈沖電壓Quiesce nt Line 靜態(tài)線Radial Array Placement極坐標方式的元件布局Reflection 反射Reuse實現(xiàn)設(shè)計重用Rise Time上升時間Rnging振蕩，信號的振鈴Rounding環(huán)繞振蕩Rules Driven規(guī)則驅(qū)動設(shè)計Sax Basic Engine設(shè)計系統(tǒng)中嵌入SDE,Sere nade Desig n EnvironmentSDT,Schematic Design Tools電路原理設(shè)計工具Setting 設(shè)置Sett

37、ling Time建立時間Shape Base以外形為基礎(chǔ)的無網(wǎng)格布線Shove元器件的推擠布局SI,Signal Integrity 信號完整性Simulation軟件仿真Sketch草圖法布線Skew偏移Slew Rate 斜率SPC,Statictical Process Control 統(tǒng)計過程控制SPI,Sig nal-Power In tegrity將信號完整性和電源完整性集成于一體的分析工具 SPICE,Simulation Program with In tegrated Circuit Emphasis集成電路模擬的仿真程序Split/Mixed Layer 多電源/地線的自

38、動分隔SSO同步交換STEP,Sta ndard for the Excha nge of Product Model DataSymphony系統(tǒng)仿真Time domain 時域Timestep Setting步進時間設(shè)置UHDL,VHSIC Hardware Description Lan guage硬件描述語言Undershoot 下沖Un iform Distribution均勻分布Variant 派生VIA-Ve ndor In tegration Allia nee程序框架聯(lián)盟Victim被干擾對象Virtual System Prototype 虛擬系統(tǒng)原型VST,Verfica

39、tio n and Simulation Tools 驗證和仿真工具Wizard智能建庫工具，向?qū)?. 專業(yè)術(shù)語術(shù)語英文意義中文解釋LCD Liquid Crystal Display液晶顯示LCM Liquid Crystal Module液晶模塊TN Twisted Nematic扭曲向列。液晶分子的扭曲取向偏轉(zhuǎn)90度STN Super Twisted Nematic 超級扭曲向列。約180270度扭曲向列STN ,FSTN Formulated Super Twisted Nematic 格式化超級扭曲向列。一層光程補償偏甲于 用于單色顯示TFT Thin Film Tran sisto

40、r 薄膜晶體管Backlight -背光Inverter -逆變器OSD On Screen Display 在屏上顯示DVI Digital Visual In terface(VGA )數(shù)字接口TMDS Tran sition Min imized Differe ntial Singn ali ngLVDS Low Voltage Differe ntial Sig nali ng低壓差分信號Pan eli nk -IC In tegrate Circuit 集成電路TCP Tape Carrier Package 柔性線路板COB Chip On Board 通過綁定將IC裸偏固定于印

41、刷線路板上COF Chip On FPC將IC固定于柔性線路板上COG Chip On Glass將芯偏固定于玻璃上Duty -占空比，高出點亮的閥值電壓的部分在一個周期中所占的比率LED Light Emitti ng Diode 發(fā)光二極管EL Elextro Luminescenee 電致發(fā)光。EL層由高分子量薄片構(gòu)成CCFL(CCFT) Cold Cathode Fluoresce nt Light/Tude冷陰極熒光燈PDP Plasma Display Panel 等離子顯示屏CRT Cathode Radial Tude 陰極射線管VGA Video Graphic Anay 視

42、頻圖形陳歹UPCB Prin ted Circuit Board 印刷電路板Composite video - 復合視頻component video - 分量視頻S-video - S端子，與復合視頻信號比，將對比和顏色分離傳輸NTSC Natio nal Televisi on Systems Committee NTSC 制式。全國電視系統(tǒng)委員會制式Phase Alrernating Line PAL 制式(逐行倒相制式)SEque ntial Couleur Avec Memoire SECAM 制式(順序與存儲彩色電視系統(tǒng))Video On Dema nd 視頻點播DPI Dot P

43、er Inch 點每英寸3. A.M.U 原子質(zhì)量數(shù)4. ADI After develop inspection 顯影后檢視5. AEI蝕科后檢查6. Alignment排成一直線，對平7. Alloy融合：電壓與電流成線性關(guān)系，降低接觸的阻值8. ARC : an ti-reflect coati ng 防反射層9. ASHER: 一種干法刻蝕方式10. ASI光阻去除后檢查11. Backside晶片背面12. Backside Etch 背面蝕刻13. Beam-Current電子束電流14. BPSG:含有硼磷的硅玻璃15. Break中斷，stepper機臺內(nèi)中途停止鍵16. Ca

44、ssette裝晶片的晶舟17. CD : critical dimension 關(guān)鍵性尺寸18. Chamber 反應(yīng)室19. Chart 圖表20. Child lot 子批21. Chip （die）晶粒22. CMP化學機械研磨23. Coater光阻覆蓋（機臺）24. Coati ng涂布，光阻覆蓋25. Con tact Hole 接觸窗26. Control Wafer 控片27. Critical layer 重要層28. CVD化學氣相淀積29. Cycle time生產(chǎn)周期30. Defect 缺陷31. DEP: deposit 淀積32. Descum預(yù)處理33. Dev

45、eloper顯影液；顯影（機臺）34. Development 顯影35. DG: dual gate 雙門36. DI water去離子水37. Diffusi on 擴散38. Doping 摻雜39. Dose 劑量40. Downgrade 降級41. DRC: design rule check 設(shè)計規(guī)則檢查42. Dry Clean 干洗43. Due date 交期44. Dummy wafer 擋片45. E/R: etch rate 蝕刻速率46. EE設(shè)備工程師47. End Point蝕刻終點48. ESD: electrostatic discharge/electro

46、static damage 靜電離子損傷49. ET: etch 蝕刻50. Exhaust排氣（將管路中的空氣排除）51. Exposure 曝光52. FAB工廠53. FIB: focused ion beam 聚焦離子束54. Field Oxide 場氧化層55. Flat ness 平坦度56. Focus 焦距57. Foundry 代工58. FSG:含有氟的硅玻璃59. Furnace 爐管60. GOI: gate oxide in tegrity 門氧化層完整性61. H.M.D.S Hexamethyldisilazane,經(jīng)去水烘烤的晶片，將涂上一層增加光阻與晶片表面

47、附著 力的化合物，稱H.M.D.S62. HCI: hot carrier injectio n熱載流子注入63. HDP : high density plasma 高密度等離子體64. High-Voltage 高壓65. Hot bake 烘烤66. ID辨認，鑒定67. Implant 植入68. Layer 層次69. LDD: lightly doped drain輕摻雜漏70. Local defocus局部失焦因機臺或晶片造成之臟污71. LOCOS: local oxidation of silico n 局部氧化72. Loop 巡路73. Lot 批74. Mask (r

48、eticle)光罩75. Merge 合并76. Metal Via金屬接觸窗77. MFG制造部78. Mid-Curre nt 中電流79. Module 部門80. NIT: Si3N4 氮化硅81. Non-critical 非重要82. NP: n-doped plus(N+) N 型重摻雜83. NW: n-doped well N 阱84. OD: oxide defi ni tio n 定義氧化層85. OM: optic microscope 光學顯微鏡86. OOC超出控制界線87. OOS超出規(guī)格界線88. Over Etch 過蝕刻89. Over flow 溢出90.

49、 Overlay測量前層與本層之間曝光的準確度91. OX: SiO2 二氧化硅92. P.R. Photo resisit 光阻93. P1: poly 多晶硅94. PA; passivation 鈍化層95. Pare nt lot 母批96. Particle含塵量/微塵粒子97. PE: 1. process en gi neer; 2. plasma enhance 1、工藝工程師2、等離子體增強98. PH: photo黃光或微影99. Pilot實驗的100. Plasma 電漿101. Pod裝晶舟與晶片的盒子102. Polymer 聚合物103. POR Process

50、of record104. PP: p-doped plus(P+) P 型重摻雜105. PR: photo resist 光阻106. PVD物理氣相淀積107. PW: p-doped well P 阱108. Queue time 等待時間109. R/C: runcard 運作卡110. Recipe 程式111. Release 放行112. Resistance 電阻113. Reticle 光罩114. RF射頻115. RM: remove.消除116. Rotation 旋轉(zhuǎn)117. RTA: rapid thermal anneal 迅速熱退火118. RTP: rapi

51、d thermal process 迅速熱處理119. SA: salicide 硅化金屬120. SAB: salicide block 硅化金屬阻止區(qū)121. SAC: sacrifice layer 犧牲層122. Scratch 刮傷123. Selectivity 選擇比124. SEM : scanning electron microscope 掃描式電子顯微鏡125. Slot 槽位126. Source-Head 離子源127. SPC制程統(tǒng)計管制128. Spin 旋轉(zhuǎn)129. Spin Dry 旋干130. Sputter 濺射131. SRO: Si rich oxid

52、e 富氧硅132. Stocker 倉儲133. Stress 內(nèi)應(yīng)力134. STRIP: 一種濕法刻蝕方式LPCVD135. TEOS - (CH3CH2O)4Si四乙氧基硅烷 /正硅酸四乙酯，常溫下液態(tài)。作 /PECVD生長SiO2的原料。又指用 TEOS生長得到的SiO2層。136. Ti 鈦137. TiN氮化鈦138. TM: top metal頂層金屬層139. TOR Tool of record140. Under Etch 蝕刻不足141. USG: undoped 硅玻璃142. W (Tungsten)鎢143. WEE周邊曝光144. mainframe 主機145.

53、 cassette 晶片盒146. amplifier 放大器147. enclosure 外殼148. wren ch 扳手149. swagelok接頭鎖緊螺母150. clamp 夾子151. actuator 激勵152. STI shallow trench isola ntio n 淺溝道隔離層153. SAB硅鋁塊154. UBM球下金屬層鍍模工藝155. RDL金屬連線重排工藝156. RIE reactinv ion etch 反應(yīng)離子 etch157. ICP inductive couple plasma 感應(yīng)等離子體158. TFT thin film tran sis

54、tor 薄模晶體管159. ALD atomic layer deposition 原子層淀積160. BGA ball grid array 高腳圭寸裝161. AAS atomic absorptions spectroscopy 原子吸附光譜162. AFM atomic force microscopy 原子力顯微163. ASIC特定用途集成電路164. ATE自動檢測設(shè)備165. SIP self-ionized plasma 自電離電漿166. IGBT絕緣門雙極晶體管167. PMD premetal dielectric 電容168. TCU temperature control unit 溫度控制設(shè)備169. arc chamber 起弧室170. vaporizer 蒸發(fā)器171. filament 燈絲172. repeller 反射板173. ELS extended life source 高壽命離子源174. analyzer magnet