第2章_電力電子器件(2.2)

1、2.3 2.3 半控器件半控器件晶閘管晶閘管 2.3.1 2.3.1 晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理 2.3.2 2.3.2 晶閘管的基本特性晶閘管的基本特性 2.3.3 2.3.3 晶閘管的主要參數(shù)晶閘管的主要參數(shù) 2.3.4 2.3.4 晶閘管的派生器件晶閘管的派生器件 晶閘管（晶閘管（Thyristor）：晶體閘流管，可控硅整流器（）：晶體閘流管，可控硅整流器（Silicon Controlled RectifierSCR） 19561956年美國貝爾實(shí)驗(yàn)室（年美國貝爾實(shí)驗(yàn)室（Bell LabBell Lab）發(fā)明了晶閘管）發(fā)明了晶閘管;1957;1957年年美國通用電氣公

2、司（美國通用電氣公司（GEGE）開發(fā)出第一只晶閘管產(chǎn)品）開發(fā)出第一只晶閘管產(chǎn)品;1958;1958年年商業(yè)化商業(yè)化; ;開辟了電力電子技術(shù)迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用嶄新時代。開辟了電力電子技術(shù)迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用嶄新時代。 工作頻率較低；能承受的電壓、電流在可控器件中最大。工作頻率較低；能承受的電壓、電流在可控器件中最大。 通常采用相控技術(shù)進(jìn)行控制，大量應(yīng)用于交流變直流的整流通常采用相控技術(shù)進(jìn)行控制，大量應(yīng)用于交流變直流的整流電路中。電路中。 2020世紀(jì)世紀(jì)8080年代后逐漸被性能更好的全控型器件取代年代后逐漸被性能更好的全控型器件取代; ;由于能由于能承受的電壓和電流容量最高，工作可靠，在大容量的場

3、合具承受的電壓和電流容量最高，工作可靠，在大容量的場合具有重要地位。有重要地位。2.3.1 2.3.1 晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理a) a) 外形圖外形圖 b) b) 雙晶體管結(jié)構(gòu)圖雙晶體管結(jié)構(gòu)圖 c) c) 電氣符號電氣符號l 結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)l 工作原理工作原理（1）反向阻斷特性 （2）不加門極電壓時正向阻斷特性 PNPN結(jié)結(jié)J J1 1 J3 J3處于反偏狀態(tài)，處于反偏狀態(tài)，因而晶閘管處于關(guān)斷狀態(tài)因而晶閘管處于關(guān)斷狀態(tài) 此時此時PNPN結(jié)結(jié)J J2 2 處于反偏狀態(tài)，晶閘管仍處處于反偏狀態(tài)，晶閘管仍處于關(guān)斷狀態(tài)于關(guān)斷狀態(tài) 三端四層半控型器件三端四層半控型器件（3）導(dǎo)通工作狀態(tài)

4、晶閘管處于阻斷狀態(tài)且晶閘管處于阻斷狀態(tài)且 時，在門極加上驅(qū)動電流時，在門極加上驅(qū)動電流 則：則： 正反饋過程將使晶體管進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)，晶閘正反饋過程將使晶體管進(jìn)入飽和導(dǎo)通狀態(tài)，晶閘管導(dǎo)通，最后陽極電流由外部限流電阻決定。管導(dǎo)通，最后陽極電流由外部限流電阻決定。 從阻斷到導(dǎo)通過程從阻斷到導(dǎo)通過程: : （3）導(dǎo)通工作狀態(tài) 導(dǎo)通的維持導(dǎo)通的維持: : 晶閘管導(dǎo)通后，即使移晶閘管導(dǎo)通后，即使移掉門極觸發(fā)信號，此時掉門極觸發(fā)信號，此時I IC1C1大于觸發(fā)所需電流值，大于觸發(fā)所需電流值，因此晶閘管會保持導(dǎo)通因此晶閘管會保持導(dǎo)通狀態(tài)不變。狀態(tài)不變。1 1 U UAKAK00 2 2 給門極加觸發(fā)脈沖給

5、門極加觸發(fā)脈沖（4 4）關(guān)斷條件 1 1 陽極加反壓陽極加反壓 此時此時PNPN結(jié)結(jié)J J1 1總是處于反偏狀總是處于反偏狀態(tài)，晶閘管關(guān)斷態(tài)，晶閘管關(guān)斷2 2 降低陽極電流降低陽極電流使晶閘管內(nèi)等效雙晶體管使晶閘管內(nèi)等效雙晶體管進(jìn)入陽極電流減小的正反進(jìn)入陽極電流減小的正反饋過程，最終使陽極電流饋過程，最終使陽極電流為零而關(guān)斷為零而關(guān)斷 l工作原理小結(jié)工作原理小結(jié)結(jié)論：結(jié)論：觸而導(dǎo)通，觸而導(dǎo)通，通而不斷，通而不斷，斷則反壓。斷則反壓。其他幾種可能導(dǎo)通的情況：其他幾種可能導(dǎo)通的情況： 陽極電壓升高至相當(dāng)高的數(shù)值造成雪崩效應(yīng)陽極電壓升高至相當(dāng)高的數(shù)值造成雪崩效應(yīng) 陽極電壓上升率陽極電壓上升率d du

6、 u/d/dt t過高過高 結(jié)溫較高結(jié)溫較高只有門極觸發(fā)是最精確、迅速而可靠只有門極觸發(fā)是最精確、迅速而可靠的控制手段的控制手段2.3.2 2.3.2 晶閘管的基本特性晶閘管的基本特性1.1.靜態(tài)特性（伏安特性）靜態(tài)特性（伏安特性）伏安特性伏安特性-陽極陰極間的電壓和陽極電流間的關(guān)系陽極陰極間的電壓和陽極電流間的關(guān)系正向轉(zhuǎn)折電壓正向轉(zhuǎn)折電壓U UFBoFBo-I IG G =0 =0 對應(yīng)的最對應(yīng)的最大正向阻斷電壓（使晶閘管由阻斷大正向阻斷電壓（使晶閘管由阻斷到導(dǎo)通狀態(tài)的電壓）到導(dǎo)通狀態(tài)的電壓）擎住電流擎住電流I IL L-由阻斷態(tài)變?yōu)閷?dǎo)通態(tài)且由阻斷態(tài)變?yōu)閷?dǎo)通態(tài)且維持導(dǎo)通的最小陽極電流維持導(dǎo)通

7、的最小陽極電流維持電流維持電流I IH H陽極電流下陽極電流下降時晶閘管會恢復(fù)阻態(tài)，降時晶閘管會恢復(fù)阻態(tài)，維持晶閘管導(dǎo)通的最小維持晶閘管導(dǎo)通的最小陽極電流稱為維持電流。陽極電流稱為維持電流。反向擊穿電壓反向擊穿電壓-使晶閘管由反向阻斷狀態(tài)變?yōu)榉聪驌舸┓聪驌舸┑淖钚‰妷壕чl管處于反向阻斷晶閘管處于反向阻斷/ /正向阻斷時陽極漏電流很小正向阻斷時陽極漏電流很小, ,相當(dāng)于開路（近似為開關(guān)）相當(dāng)于開路（近似為開關(guān)）2. 2. 動態(tài)特性測試動態(tài)特性測試- -開通和關(guān)斷過程中陽極開通和關(guān)斷過程中陽極電流、陽極與陰極間電電流、陽極與陰極間電壓及晶閘管的損耗隨時壓及晶閘管的損耗隨時間變化的特性間變化的特性

8、2. 動態(tài)特性動態(tài)特性延遲時間延遲時間上升時間上升時間反向阻斷反向阻斷恢復(fù)時間恢復(fù)時間正向阻斷正向阻斷恢復(fù)時間恢復(fù)時間開通時間：開通時間：tgt=td+tr關(guān)斷時間：關(guān)斷時間：tq=trr+tgr晶閘管的開通時間約為晶閘管的開通時間約為5uS,關(guān)斷時間約為關(guān)斷時間約為50100uS，這，這兩個參數(shù)限制了晶閘管的開關(guān)工作頻率。兩個參數(shù)限制了晶閘管的開關(guān)工作頻率。2.3.3 2.3.3 晶閘管的主要參數(shù)晶閘管的主要參數(shù)主要介紹陽極電壓和電流參數(shù)、動態(tài)參數(shù)、門極參主要介紹陽極電壓和電流參數(shù)、動態(tài)參數(shù)、門極參數(shù)、溫度特性參數(shù)等數(shù)、溫度特性參數(shù)等. .（P22P22） 1) 1) 電壓定額電壓定額2.3

9、.3 2.3.3 晶閘管的主要參數(shù)晶閘管的主要參數(shù)選用器件時，應(yīng)使器件的額定電壓為正常選用器件時，應(yīng)使器件的額定電壓為正常工作電壓峰值的工作電壓峰值的2 23 3倍倍。2. 2. 電流定額電流定額通態(tài)平均電流通態(tài)平均電流IT(A V) 是在是在環(huán)境溫度為環(huán)境溫度為+40+40度和規(guī)定冷卻條件度和規(guī)定冷卻條件下，帶下，帶電阻性負(fù)載時通過電阻性負(fù)載時通過工頻正弦半波工頻正弦半波電流，穩(wěn)定結(jié)溫不電流，穩(wěn)定結(jié)溫不超過額定值時的超過額定值時的最大平均電流值最大平均電流值。 按我國相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，取該參數(shù)的整數(shù)值標(biāo)作器件的按我國相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，取該參數(shù)的整數(shù)值標(biāo)作器件的額定電流額定電流。晶閘管的額定電流是以平均電流方

10、式定義的，晶閘管的額定電流是以平均電流方式定義的，但從發(fā)熱方面來看，決定管子結(jié)溫的是電流但從發(fā)熱方面來看，決定管子結(jié)溫的是電流有效值而不是電流平均值，因此實(shí)際應(yīng)用中有效值而不是電流平均值，因此實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)按應(yīng)按電流有效值相等的原則電流有效值相等的原則選擇晶閘管。選擇晶閘管。2. 2. 電流定額電流定額通態(tài)平均電流通態(tài)平均電流IT(A V) 正弦半波電流平均值與有效值的關(guān)系正弦半波電流平均值與有效值的關(guān)系2. 2. 電流定額電流定額通態(tài)平均電流通態(tài)平均電流IT(A V) 電流有效值相等電流有效值相等的原則選擇晶閘管的原則選擇晶閘管在實(shí)際選用晶閘管時，還應(yīng)留有在實(shí)際選用晶閘管時，還應(yīng)留有一定的余量

11、。通常選擇額定電流一定的余量。通常選擇額定電流為正常工作值為正常工作值1.51.52 2倍的晶閘管。倍的晶閘管。 先計(jì)算實(shí)際有效值: 使晶閘管維持導(dǎo)通所必需的最小電流，一般為幾使晶閘管維持導(dǎo)通所必需的最小電流，一般為幾十到幾百毫安，與結(jié)溫有關(guān)。結(jié)溫越高，則十到幾百毫安，與結(jié)溫有關(guān)。結(jié)溫越高，則IH越小。越小。浪涌電流浪涌電流I ITSMTSM： 晶閘管允許流過的最大正向過載峰值晶閘管允許流過的最大正向過載峰值 電流，用來設(shè)計(jì)保護(hù)電路。電流，用來設(shè)計(jì)保護(hù)電路。 擎住電流擎住電流 I IL L(=2-4I(=2-4IH H) ) 2. 2. 電流定額電流定額維持電流維持電流I IH H 指在額定結(jié)

12、溫和門極開路的情況下，不導(dǎo)致晶閘管從指在額定結(jié)溫和門極開路的情況下，不導(dǎo)致晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓最大上升率。斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓最大上升率。指在規(guī)定條件下，晶閘管能承受而無有害影響的最大指在規(guī)定條件下，晶閘管能承受而無有害影響的最大通態(tài)電流上升率。通態(tài)電流上升率。 如果電流上升太快，則晶閘管剛一開通，便會有很大的電如果電流上升太快，則晶閘管剛一開通，便會有很大的電流集中在門極附近的小區(qū)域內(nèi)，從而造成局部過熱而使晶閘流集中在門極附近的小區(qū)域內(nèi)，從而造成局部過熱而使晶閘管損壞管損壞 。 (2) 通態(tài)電流臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率di/dt 在阻斷的晶閘管兩端施加的電壓具有正向的上升

13、率時，相在阻斷的晶閘管兩端施加的電壓具有正向的上升率時，相當(dāng)于一個電容的當(dāng)于一個電容的J2結(jié)會有充電電流流過，被稱為結(jié)會有充電電流流過，被稱為位移電流位移電流。此電流流經(jīng)此電流流經(jīng)J2結(jié)時，起到結(jié)時，起到類似門極觸發(fā)電流的作用類似門極觸發(fā)電流的作用。如果電。如果電壓上升率過大，使充電電流足夠大，就會使晶閘管誤導(dǎo)通壓上升率過大，使充電電流足夠大，就會使晶閘管誤導(dǎo)通 。 (1) 斷態(tài)電壓臨界上升率斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt 除開通時間除開通時間tgt和關(guān)斷時間和關(guān)斷時間tq外，還有：外，還有： 3. 3. 動態(tài)參數(shù)動態(tài)參數(shù)4. 4. 其它參數(shù)其它參數(shù)動態(tài)參數(shù) -開通時間 -關(guān)斷時間 門極定額參數(shù)

14、 -門極觸發(fā)電流 -門極觸發(fā)電壓 溫度特性參數(shù) -額定結(jié)溫 -結(jié)殼熱阻 2.3.4 2.3.4 晶閘管的門極觸發(fā)電路晶閘管的門極觸發(fā)電路 對門極觸發(fā)信號的要求是：對門極觸發(fā)信號的要求是：1)1) 門極電流上升率：門極電流上升率：觸發(fā)脈沖前沿要陡觸發(fā)脈沖前沿要陡 2)2) 門極電流幅值：脈沖前沿較大的電流幅值可使器門極電流幅值：脈沖前沿較大的電流幅值可使器件更快的導(dǎo)通，減少開通損耗件更快的導(dǎo)通，減少開通損耗3) 3) 門極脈沖信號寬度：器件導(dǎo)通有一個過程，需要門極脈沖信號寬度：器件導(dǎo)通有一個過程，需要門極脈沖信號具有一定寬度門極脈沖信號具有一定寬度4) 4) 門極脈沖信號應(yīng)不超過門極電壓、電流、

15、功率等門極脈沖信號應(yīng)不超過門極電壓、電流、功率等最大限定值最大限定值5)5) 觸發(fā)可靠，抗干擾能力強(qiáng)觸發(fā)可靠，抗干擾能力強(qiáng)2.3.4 2.3.4 晶閘管的門極觸發(fā)電路晶閘管的門極觸發(fā)電路 電容電容C C的作用：在的作用：在T T剛導(dǎo)通時，剛導(dǎo)通時，C C上電壓為零，上電壓為零，V VD D全部加在全部加在T Tm m原邊，原邊，此后此后C C上電壓上升，上電壓上升，T Tm m原邊電壓原邊電壓將下降，這樣副邊輸出一個前將下降，這樣副邊輸出一個前沿幅值較高的脈沖波形。沿幅值較高的脈沖波形。 D3D3的作用：將關(guān)斷時脈沖變壓器的作用：將關(guān)斷時脈沖變壓器副邊產(chǎn)生的負(fù)電壓信號短路，防副邊產(chǎn)生的負(fù)電壓信

16、號短路，防止其損壞晶閘管門極。止其損壞晶閘管門極。D D1 1、R RD D的作用：的作用：T T關(guān)斷時釋放儲存關(guān)斷時釋放儲存在在T Tm m中的磁場能量，防止關(guān)斷時中的磁場能量，防止關(guān)斷時因脈沖變壓器原邊電感產(chǎn)生過高因脈沖變壓器原邊電感產(chǎn)生過高的反電勢而擊穿晶體管的反電勢而擊穿晶體管T T。 i iB B為控制電路給出的脈沖信號。為控制電路給出的脈沖信號。 i iB B大于大于0 0時時T T導(dǎo)通，電源電壓導(dǎo)通，電源電壓V VD D通通過脈沖變壓器傳遞到副邊觸發(fā)過脈沖變壓器傳遞到副邊觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通。晶閘管導(dǎo)通。2.3.5 2.3.5 晶閘管的派生器件晶閘管的派生器件包括所有專為快速應(yīng)用而設(shè)計(jì)

17、的晶閘管，有快包括所有專為快速應(yīng)用而設(shè)計(jì)的晶閘管，有快速晶閘管和高頻晶閘管。速晶閘管和高頻晶閘管。管芯結(jié)構(gòu)和制造工藝進(jìn)行了改進(jìn)，開關(guān)時間以管芯結(jié)構(gòu)和制造工藝進(jìn)行了改進(jìn)，開關(guān)時間以及及d du u/d/dt t和和d di i/d/dt t耐量都有明顯改善。耐量都有明顯改善。普通晶閘管關(guān)斷時間數(shù)百微秒，快速晶閘管數(shù)普通晶閘管關(guān)斷時間數(shù)百微秒，快速晶閘管數(shù)十微秒，高頻晶閘管十微秒，高頻晶閘管1010 s s左右。左右。1. 1. 快速晶閘管快速晶閘管（FST)FST)2.2.雙向晶閘管（雙向晶閘管（Triode AC SwitchTRIACTriode AC SwitchTRIAC）-比一比一對反

18、并聯(lián)晶閘管更經(jīng)濟(jì)，且控制電路簡單對反并聯(lián)晶閘管更經(jīng)濟(jì)，且控制電路簡單-通常采用負(fù)脈沖觸發(fā)（正脈沖觸發(fā)靈敏度較低）通常采用負(fù)脈沖觸發(fā)（正脈沖觸發(fā)靈敏度較低）-采用電流有效值作為額定電流參數(shù)采用電流有效值作為額定電流參數(shù) -多用于交流調(diào)壓、固態(tài)繼電器等電路多用于交流調(diào)壓、固態(tài)繼電器等電路3. 3. 逆導(dǎo)晶閘管（逆導(dǎo)晶閘管（Reverse Conducting ThyristorRCTReverse Conducting ThyristorRCT）將晶閘管反并聯(lián)一個二極管制作在同一管芯上將晶閘管反并聯(lián)一個二極管制作在同一管芯上. .優(yōu)點(diǎn)：正向壓降小、關(guān)斷時間短、高溫特性好優(yōu)點(diǎn)：正向壓降小、關(guān)斷時間短

19、、高溫特性好用于不需要阻斷反向電壓的電路用于不需要阻斷反向電壓的電路 4. 4. 光控晶閘管（光控晶閘管（Light Triggered ThyristorLTTLight Triggered ThyristorLTT）光觸發(fā)保證了主電路與控制電路之間絕緣，可避免電磁干擾光觸發(fā)保證了主電路與控制電路之間絕緣，可避免電磁干擾影響，因此在高壓大功率場合，如高壓直流輸電和高壓核聚影響，因此在高壓大功率場合，如高壓直流輸電和高壓核聚變裝置中，占據(jù)重要地位，變裝置中，占據(jù)重要地位，利用利用8KV/3.5KA8KV/3.5KA光控晶閘管構(gòu)成光控晶閘管構(gòu)成300MV.A300MV.A容量的電力電子裝置是目前

20、最大的電力電子裝置。容量的電力電子裝置是目前最大的電力電子裝置。2.4 2.4 典型全控型器件典型全控型器件 可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管GTOGTO 電力晶體管電力晶體管GTRGTR 功率場效應(yīng)管功率場效應(yīng)管MOSFETMOSFET 絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管IGBTIGBT（MOSFETMOSFETGTRGTR） 集成門極換流晶閘管集成門極換流晶閘管IGCTIGCT（MOSFETMOSFETGTOGTO）2.4 2.4 典型全控型器件典型全控型器件全控型器件全控型器件: :利用控制信號可控制開通與關(guān)斷利用控制信號可控制開通與關(guān)斷的器件的器件, ,通常也稱為自關(guān)斷器件。通常也稱為自關(guān)斷器件

21、。電流控制型電流控制型電流控制型器件從控制極注入或抽取電流信號來控制器件的開通或關(guān)斷.如可關(guān)斷晶閘管（GTOGTO）、集成門極換流晶閘管（IGCTIGCT）。主要特點(diǎn)：主要特點(diǎn)：控制功率較大、控制電路復(fù)雜、工作頻率較低。電壓控制型電壓控制型通過在控制極建立電場提供電壓信號實(shí)施器件的開通與關(guān)斷控制.如功率場效應(yīng)管（MOSFET）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）主要特點(diǎn)：主要特點(diǎn)：控制功率小、控制電路簡單、工作頻率較高。分類：分類：電流控制型電流控制型 電壓控制型電壓控制型2.4.1 2.4.1 門極可關(guān)斷晶閘管門極可關(guān)斷晶閘管門極可關(guān)斷晶閘管（門極可關(guān)斷晶閘管（GTO） 晶閘管的一種派生器件晶閘管

22、的一種派生器件 可通過在可通過在門極施加負(fù)的脈沖電流使其關(guān)斷門極施加負(fù)的脈沖電流使其關(guān)斷 GTOGTO的電壓、電流容量較大，與普通晶閘管接近，的電壓、電流容量較大，與普通晶閘管接近，耐壓耐流可達(dá)耐壓耐流可達(dá)6KV6KV和和6KA6KA，因而在兆瓦級以上的，因而在兆瓦級以上的大功率場合仍有較多的應(yīng)用大功率場合仍有較多的應(yīng)用1. GTO的結(jié)構(gòu)和工作原理的結(jié)構(gòu)和工作原理結(jié)構(gòu)：結(jié)構(gòu)：GTOGTO的結(jié)構(gòu)示意圖、等效電路與電氣符號的結(jié)構(gòu)示意圖、等效電路與電氣符號 -GTO-GTO的開通原理和普通晶閘管相同的開通原理和普通晶閘管相同-GTO-GTO能關(guān)斷的關(guān)鍵是：能從門極抽取電能關(guān)斷的關(guān)鍵是：能從門極抽取電

23、流改變二個晶體管的工作狀態(tài)流改變二個晶體管的工作狀態(tài),GTO,GTO是從是從制造工藝上做到這點(diǎn)的。另外，制造工藝上做到這點(diǎn)的。另外，GTOGTO導(dǎo)通導(dǎo)通時飽和程度較淺。時飽和程度較淺。 GTO能從門能從門極抽取電流極抽取電流使雙晶體管使雙晶體管進(jìn)入放大狀進(jìn)入放大狀態(tài)態(tài) 而關(guān)斷而關(guān)斷2.4.12.4.1可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管工作原理：工作原理： 臨界飽和設(shè)計(jì)臨界飽和設(shè)計(jì)： 1 1+ + 2 2=1=1是器件臨界導(dǎo)通的條件。當(dāng)是器件臨界導(dǎo)通的條件。當(dāng) 1 1+ + 2 211時，兩個等效晶體管過飽和而使器件導(dǎo)通；當(dāng)時，兩個等效晶體管過飽和而使器件導(dǎo)通；當(dāng) 1 1+ + 2 211時，不能維持飽和

24、導(dǎo)通而關(guān)斷。開通原理和時，不能維持飽和導(dǎo)通而關(guān)斷。開通原理和SCRSCR一樣。一樣。 設(shè)計(jì)時設(shè)計(jì)時 2 2較大，使晶體管較大，使晶體管V2V2控制靈敏，易于控制靈敏，易于GTOGTO關(guān)斷。關(guān)斷。iB2+ic2=ikic2=2ikik=iB2/(1- 2)=iAGTO能夠通過門極關(guān)斷的原因是其與普通晶閘管能夠通過門極關(guān)斷的原因是其與普通晶閘管有如下區(qū)別：有如下區(qū)別：(1)(1)設(shè)計(jì)設(shè)計(jì) 2 2較大較大，使晶體管，使晶體管V V2 2控控制靈敏制靈敏，易于，易于GTOGTO關(guān)斷。關(guān)斷。(2)(2)導(dǎo)通時導(dǎo)通時 1 1+ + 2 2更接近更接近1(1( 1.051.05，普通晶閘管普通晶閘管 1 1+ + 2 2 1.151