安大《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程各章復(fù)習(xí)題

1、模擬電子技術(shù)第1章習(xí)題1、 本征半導(dǎo)體是一種_完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體，在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于_摻雜濃度_，而少數(shù)載流子的濃度則與_本征激發(fā) 有很大關(guān)系。2、 半導(dǎo)體的電荷載流子的濃度越高，其電導(dǎo)率就越高。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電率隨溫度的增加而增加。3、 根據(jù)本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)性質(zhì)的不同可分為 P（或空穴）型半導(dǎo)體和N（或電子）型半導(dǎo)體。4、 在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為P型半導(dǎo)體。5、 在本征半導(dǎo)體中加入少量 五價 元素可形成N型半導(dǎo)體，加入 三價 元素可形成P型半導(dǎo)體。6、 在P型半導(dǎo)體中，空穴 是多數(shù)載流子，自由電子 是少數(shù)載流子。7、 在

2、N型半導(dǎo)體中，自由電子 是多數(shù)載流子，空穴 是少數(shù)載流子。8、 在半導(dǎo)體中由于電場作用而導(dǎo)致載流子的運(yùn)動稱為 漂移9、 半導(dǎo)體中有 自由電子 和 空穴 兩種載流子參與導(dǎo)電，其中 空穴 帶正電，而 自由電子 帶負(fù)電。10、 PN結(jié)加正向電壓時，空間電荷區(qū)將 變窄 11、 PN結(jié)加反向電壓時，空間電荷區(qū)將 變寬 12、 PN結(jié)在無光照、無外加電壓時，結(jié)電流為 零。13、 PN結(jié)的基本特點(diǎn)是 單向?qū)щ娦浴?4、 當(dāng)外加電壓使PN結(jié)的P區(qū)電位高于N區(qū)電位時，稱為PN結(jié)_正向_偏置。15、 PN結(jié)正向偏置時產(chǎn)生的電流主要是 擴(kuò)散電流，PN結(jié)反向偏置時產(chǎn)生的電流主要是 漂移電流。16、 PN結(jié)的反向擊穿有

3、 雪崩擊穿 和 齊納擊穿。17、 PN結(jié)的電容效應(yīng)有 擴(kuò)散電容 和 勢壘電容18、 半導(dǎo)體二極管按其結(jié)構(gòu)的不同大致分為 面接觸型 和 點(diǎn)接觸型 兩類，點(diǎn)接觸型 二極管適用于高頻、小電流的場合， 面接觸 型二極管適用于低頻、大電流的場合19、 硅管二極管的正向?qū)▔航导s為 0.7V ，鍺管二極管的正向?qū)▔航导s為 0.2V20、 當(dāng)溫度升高時，二極管的反向飽和電流將 增大 。21、 當(dāng)溫度升高時，由于二極管內(nèi)部少數(shù)載流子濃度 增加 ，因而少子漂移而形成的反向電流 增加 ，二極管反向伏安特性曲線 下 移。22、 硅管的導(dǎo)通電壓比鍺管的 高 ，反向飽和電流比鍺管的 小 23、 設(shè)二極管的端電壓為U，

4、則二極管的電流方程是 24、 二極管具有單向?qū)щ娦裕€(wěn)壓二極管正常工作時是利用二極管的 反向偏置 特性。25、 硅穩(wěn)壓二極管在穩(wěn)壓電路中穩(wěn)壓時，工作于 反向擊穿 狀態(tài)。26、 二極管反向擊穿分電擊穿和熱擊穿兩種情況，其中 電擊穿 是可逆的，而 熱擊穿 會損壞二極管.27、 在PN結(jié)外加正向電壓時，擴(kuò)散電流 大于 漂移電流，當(dāng)PN外加反向電壓時，擴(kuò)散電流 小于 漂移電流28、 光電二極管能將 光 信號轉(zhuǎn)換為 電 信號，它工作時需加 正向 偏置電壓1、寫出圖所示各電路的輸出電壓值，設(shè)二極管導(dǎo)通電壓UD0.7V。圖1解：UO11.3V，UO20，UO31.3V，UO42V，UO51.3V，UO62V

5、。2、已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值UZ6V，穩(wěn)定電流的最小值IZmin5mA。求圖所示電路中UO1和UO2各為多少伏。 解：UO16V，UO25V。3、 電路如圖P1 所示，已知ui10sint(v)，試畫出ui與uO的波形。設(shè)二極管正向?qū)妷嚎珊雎圆挥?jì)。 圖P1 解圖P1 解：ui和uo的波形如解圖P1 所示。4、 電路如圖P1.4所示，已知ui5sint (V)，二極管導(dǎo)通電壓UD0.7V。試畫出ui與uO的波形，并標(biāo)出幅值。 圖P1.4 解圖P1.4 解：波形如解圖P1.4所示。5、 電路如圖P1.6所示，二極管導(dǎo)通電壓UD0.7V，常溫下UT26mV，電容C對交流信號可視為短路；ui為正弦波，

6、有效值為10mV。 試問二極管中流過的交流電流有效值為多少？ 解：二極管的直流電流 ID（VUD）/R2.6mA其動態(tài)電阻 rDUT/ID10故動態(tài)電流有效值 IdUi/rD1mA 圖P1.66、現(xiàn)有兩只穩(wěn)壓管，它們的穩(wěn)定電壓分別為6V和8V，正向?qū)妷簽?.7V。試問： （1）若將它們串聯(lián)相接，則可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？ （2）若將它們并聯(lián)相接，則又可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？ 解：（1）兩只穩(wěn)壓管串聯(lián)時可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四種穩(wěn)壓值。 （2）兩只穩(wěn)壓管并聯(lián)時可得0.7V和6V等兩種穩(wěn)壓值。7、 已知圖P1.9所示電路中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ6V，最小穩(wěn)定電流IZm

7、in5mA，最大穩(wěn)定電流IZmax25mA。 （1）分別計(jì)算UI為10V、15V、35V三種情況下輸出電壓UO的值； （2）若UI35V時負(fù)載開路，則會出現(xiàn)什么現(xiàn)象?為什么？解：（1）當(dāng)UI10V時，若UOUZ6V，則穩(wěn)壓管的電流為4mA，小于其最小穩(wěn)定電流，所以穩(wěn)壓管未擊穿。故 當(dāng)UI15V時，穩(wěn)壓管中的電流大于最 圖P1.9小穩(wěn)定電流IZmin，所以 UOUZ6V 同理，當(dāng)UI35V時，UOUZ6V。 （2）29mAIZM25mA，穩(wěn)壓管將因功耗過大而損壞。模擬電子技術(shù)第2-4章習(xí)題29、 雙極結(jié)型三極管可分為 NPN型 和PNP型 ，三個極分別叫基極b，發(fā)射極e，集電極c；30、 雙極結(jié)

8、型三極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是：基區(qū)很薄且摻雜濃度很低；發(fā)射區(qū)和集電區(qū)是同類型的雜質(zhì)半導(dǎo)體，發(fā)射區(qū)摻雜濃度比集電區(qū)高很多，同時集電區(qū)的面積比發(fā)射區(qū)大。31、 當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為前者正偏、后者反偏 ；32、 工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng)IB從12A增大到22A時，IC從1mA變?yōu)?mA，那么它的約為 100 33、 雙極結(jié)型三極管共射連接時輸出特性區(qū)域可分為 放大區(qū)、截止區(qū)、飽和區(qū) 34、 當(dāng)晶體管工作在截止區(qū)時，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為 前者反偏、后者反偏 35、 當(dāng)晶體管工作在飽和區(qū)時，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為前者正偏、后者正偏 放大區(qū)：UbeUon且UceUbe

9、截止區(qū)：UbeUbe飽和區(qū)：UbeUon且UceVe; VcVb 即VcVbVePNP：VeVb; VbVc 即VeVbVc硅 |Vbe|=0.7V 鍺 |Vbe|=0.2V硅 |Vbe|=0.7V 鍺 |Vbe|=0.2V53、 放大電路中，測得三極管三個電極A, B, C電位為UA=-9V, UB=-6V, UC=-6.2V，則該管是_PNP_類型管子，其中_C_極為基極；_A_極為集電極；_B_極為發(fā)射極。54、 場效應(yīng)管按基本結(jié)構(gòu)可分為 MOSFET(MOS場效應(yīng)管) 和 JFET(結(jié)型場效應(yīng)管) ；按導(dǎo)電載流子的帶電極性可分為 N溝道MOSFET 和 P溝道MOSFET ；按導(dǎo)電溝道

10、形成的機(jī)理不同可分為N溝道增強(qiáng)型MOSFET，P溝道增強(qiáng)型MOSFET ，N溝道耗盡型MOSFET ，P溝道耗盡型MOSFET。55、 N溝道增強(qiáng)型MOSFET的三個電極是 柵極、源極 和 漏極。其輸出特性曲線可分為 可變電阻區(qū)、飽和區(qū)、截止區(qū)。特點(diǎn)是只有在柵源間有一定的電壓作用才能產(chǎn)生感生溝道。56、 N溝道增強(qiáng)型MOSFET 的VGSVT，并且VDSVGS-VT時，當(dāng)d、s之間形成導(dǎo)電溝道，此時iD基本保持不變，場效應(yīng)管工作于輸出特性曲線的 飽和區(qū)。58、 N溝道增強(qiáng)型MOSFET是 電壓控制器件， 是指 iD的大小受 柵源電壓VGS控制的。59、 當(dāng)N溝道耗盡型MOSFET的VGS0時，

11、溝道 變寬，但不會產(chǎn)生柵極電流iG，在VDS作用下，iD會很大。60、 N溝道耗盡型MOSFET的夾斷電壓VP0，即當(dāng)VGSVP時溝道完全夾斷進(jìn)入截止區(qū)。61、 P溝道增強(qiáng)型MOSFET溝道產(chǎn)生的條件是 VGS=VGS-VT ；在飽和區(qū)有 VDSRd（1）畫出電路的中頻小信號模型等效電路；（2）求電壓增益；（3）求放大器的輸入電阻Ri和Ro；解、（1）小信號模型等效電路如下（2） 求電壓增益（3）求Ri和R05、如圖所示的分壓式工作點(diǎn)穩(wěn)定電路中，已知Rb1=10k，Rb2=30k，Rc=2k，RL=2k，Vcc=12V，三極管的=100，。試估算放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)以及電壓放大倍數(shù)Av、輸入電

12、阻Ri和輸出電阻Ro。解：(1) (2) 小信號等效電路： (3) 求解Av、Ri和Ro： 6、圖示電路中已知場效應(yīng)管的低頻跨導(dǎo)為gm，設(shè)rdRd，電容的交流阻抗可忽略：(1) 畫出小信號等效電路；(2) 試求中頻電壓增益、輸入電阻Ri和輸出電阻Ro。解： (1) 小信號等效電路： (2) 、Ri和Ro的表達(dá)式分別為： 7、乙類雙電源互補(bǔ)OCL電路如圖所示。已知vi為正弦波，VCC=12V，RL=8。(1) 試在三極管的飽和管壓降忽略不計(jì)的條件下，負(fù)載上可能得到的最大輸出功率Pomax、效率和管耗PT。(2)求三極管必須滿足的條件。（即選管原則）解：(1) 最大輸出功率： 管耗： 直流功率：效率： (2) 每管允許的管耗： 每管耐壓： 8、電路如圖所示。(1) 分別說明A1和A2各構(gòu)成哪種基本電路；(2) 求出uO1與uO的關(guān)系曲線uO1f (uO)；(3) 求出uO與uO1的運(yùn)算關(guān)系式uOf (uO1)；(4) 定性畫出uO1與uO的波形；(5) 說明若要提高振蕩頻率，則可以改變哪些電路參數(shù)，如何改變?解：（1）A1：滯回比較器；A2：積分運(yùn)算電路。 （2）根據(jù)，可得： uO1與uO的關(guān)系曲線如圖（a）所示。（3）uO與uO1的運(yùn)算關(guān)系式 （4）uO1與uO的波形如解圖（b）所示。 （5）要提高振蕩頻率，可以減小R4、C、R1或增大R2。 9