微電子工藝實(shí)驗(yàn)

1、微電子工藝試驗(yàn)二、請(qǐng)完成下面的實(shí)例，并在每條命令后面注釋說(shuō)明，并分析模擬結(jié)果；go athena/啟動(dòng)工藝仿真器 athena #title:simple boron anneal/硼的簡(jiǎn)潔熱退火工藝 #the x dimension denition/橫向 x 網(wǎng)格定義line x loc=0.0 spacing=0.1line x loc=0.1 spacing=0.1/橫向 x 的范疇為 0-0.1um,空間密度為 0.1#the vertical denition/縱向 y 網(wǎng)格定義line y loc=0 spacing=0.02line y loc=2.0 spacing=0.20

2、/縱向 y 的范疇為 0-2.0um,空間密度為 0.02-0.20#initialize the mesh/仿真初始化initsiliconc.phos=1.0e14/襯底定義，硅襯底，含磷濃度1*1014每立方厘米#perform uniform boron implant/ 硼離子注入implantborondose=1e13energy=70/硼離子的注入劑量為 1*1013每 立 方 厘 米 ， 離 子 能 量 為70kev#perform diffusion/退火工藝diffuse time=30 temperature=1000/欲淀積 時(shí)間為 30 分鐘，溫度為 1000 攝氏

3、度extract name=” xj ”ilixcjosn mat.occno=1 x.val=0.0 junc.occno=1/提取 x=0.1um 處的結(jié)深#plot the nalprole/標(biāo)繪出 n 極tonyplot/顯示當(dāng)前結(jié)構(gòu)#save the structure/ 儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)到文件structure outle=boron_implant.str/結(jié)構(gòu)文件以“ str”為后綴名quit/退出仿真器分析模擬結(jié)果：如下列圖，橫軸表示縱向的深度，縱軸表示雜質(zhì)濃度，豎線為縱向網(wǎng)格線，濃度曲線是由網(wǎng)格線處的結(jié)果連接起來(lái)得到的，因此網(wǎng)格定義對(duì)仿真結(jié)果影響很大；由于襯底雜質(zhì)是磷，注入的是硼，

4、所以就會(huì)形成結(jié)，提取得到的結(jié)深xj 為0.700554um.三、淀積，并分析模擬結(jié)果（初始化二維仿真）deposit oxide thick=0.1 division=4deposit material=bpsg thickness=0.1 div=6 c.boron=1e20 c.phos=1e20deposit nitride thick=0.3 dy=0.1 ydy=0.3 div=10rate.depo machine=mocvdcvd dep.rate=0.1 u.m step.cov=0.75 tungsten deposit machine=mocvd time=1 minute

5、分析模擬結(jié)果：如下列圖， 淀積二氧化硅 0.1um,縱向含 4 個(gè)網(wǎng)格點(diǎn)， 淀積 bpsg，厚度為 0.1um, 縱向含 6 個(gè)網(wǎng)格點(diǎn)， 通過(guò) mocvd 淀積的速率為 0.1，淀積時(shí)間為 1 分鐘，最終一層淀積層為 tungsten；四、 外延，并分析模擬結(jié)果（初始化二維仿真）epitaxy time=10 temp=1150 c.boron=5e14 growth.rate=0.5 epitaxy thick=6 time=10 temp=1050 c.phos=5e15 divisions=20 epitaxy thick=10 time=10 temp=1200 dy=0.5 ydy=5.0 divisions=40由命令要求可知， 外延層淀積時(shí)間為 10 分鐘，溫度為 1150 攝氏度， 硼離子濃度為 5*1014 每立方厘米，生長(zhǎng)速率為 0.5um/min, 外延層厚度為 6um，淀積時(shí)間為 10 分鐘，溫度為 1050 攝氏度，磷的濃度為5*1015 每立方厘米，縱向有20 個(gè)網(wǎng)格點(diǎn)， 新生長(zhǎng) 的外延