我國將攻關(guān)5nm及以下工藝,2030年集成電路達(dá)到國際先進水平

1、我國將攻關(guān)5nm及以下工藝，2030年集成電路達(dá)到國際先進水平2016 年中國集成電路進口價值 2200 億美元，超過了石 油成為第一大進口產(chǎn)品， 2017 年集成電路進口額則達(dá)到了 2600 億美元， 國內(nèi)芯片市場龐大， 但國產(chǎn)率還不到 20%，這 兩年大漲價的NAND閃存、DRAM內(nèi)存幾乎100%依賴進口。 目前國內(nèi)正把半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)當(dāng)成重點來抓，正在推進一系列先 進技術(shù)研發(fā)，比如攻關(guān) 5nm 及以下工藝技術(shù)，爭取 2030年 集成電路達(dá)到國際先進水平。新華網(wǎng)援引經(jīng)濟參考報消 息，該報記者從工信部等權(quán)威部門獲悉，為推進國家集成 電路產(chǎn)業(yè)推進綱要落地，我國將針對集成電路先進工藝和 智能傳感器創(chuàng)新

2、能力不足等問題，出臺一系列政策“組合 拳”，加速多個重點關(guān)鍵產(chǎn)品和技術(shù)的攻關(guān)，以此促進我國 集成電路產(chǎn)業(yè)的快速健康發(fā)展，并縮小我國集成電路產(chǎn)業(yè)和 世界先進水平的差距。據(jù)介紹，我國將組織實施“芯火”創(chuàng) 新技術(shù)， 打造一批集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新平臺， 推動技術(shù)、 人才、 資金、市場等產(chǎn)業(yè)要素集聚， 重點涉及的技術(shù)包括以下：推 動建設(shè)智能傳感器國家級創(chuàng)新中心建設(shè)，打造 8 英寸共性技 術(shù)開發(fā)平臺，攻克高深寬比加工技術(shù)、圓片級鍵合等關(guān)鍵技 術(shù)加快組建IC先進工藝國家級創(chuàng)新中心建設(shè)，攻關(guān)5納米及以下工藝共性技術(shù)等指導(dǎo)信息光電子創(chuàng)新中心落實建設(shè)方案，重點建設(shè)川-V族高端光電子芯片、硅光集成芯片、 高速光器件測試

3、封裝等產(chǎn)品工藝平臺，攻關(guān) 400G 硅光器件 等關(guān)鍵技術(shù)加快落實印刷及柔性顯示創(chuàng)新中心建設(shè)方案， 開展大尺寸印刷、量子點印刷等關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)，實現(xiàn)樣機開 發(fā)研制繼續(xù)落實國家集成電路產(chǎn)業(yè)推進綱要，推動重點關(guān)鍵型號 CPU、 FPGA 等重大破局性部署從報道所說的內(nèi) 容來看，智能傳感器、先進工藝研發(fā)、光電子芯片、 400G 硅光器件、柔性顯示屏（應(yīng)該是說 OLED 技術(shù)）以及重點型 號的 CPU、 FPGA 芯片是關(guān)鍵，這些技術(shù)放到國際來看也是 先進的前沿技術(shù)。國家制造強國建設(shè)戰(zhàn)略咨詢委員會也制定 了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展目標(biāo)：1、2020年產(chǎn)業(yè)目標(biāo)我國集成電 路產(chǎn)業(yè)與國際先進水平的差距將逐步縮小，全行業(yè)銷售收入 年均增速超過20%。移動智能終端、網(wǎng)絡(luò)通信、云計算、 物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等重點領(lǐng)域集成電路涉及技術(shù)達(dá)到國際先進 水平， 16/14nm 制造工藝實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，封裝測試技術(shù)達(dá)到 國際領(lǐng)先水平。 關(guān)鍵裝備和材料進入國際采購體系，基本 建成技術(shù)先進、安全可靠的集成電路體系。 2.2030 年產(chǎn)業(yè)目 標(biāo)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達(dá)到國際先進水平，一批企業(yè) 進入國際第一梯隊，產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)跨越式發(fā)展。國家制造強國建 設(shè)戰(zhàn)略咨詢委員會預(yù)測，隨著關(guān)鍵產(chǎn)品和技術(shù)完成攻關(guān)和國 產(chǎn)化，到“十三五”末，國產(chǎn)集成電路產(chǎn)品和技術(shù)的市場占 有率有望提升 30