第四章配位場(chǎng)理論

1、第四章第四章 配位場(chǎng)理論配位場(chǎng)理論和絡(luò)合物結(jié)構(gòu)和絡(luò)合物結(jié)構(gòu)教學(xué)要求：教學(xué)要求：1 1、掌握晶體場(chǎng)中、掌握晶體場(chǎng)中d d軌道能級(jí)分裂，軌道能級(jí)分裂，d d軌道中電軌道中電子的排布子的排布高自旋態(tài)和低自旋態(tài)，晶體場(chǎng)高自旋態(tài)和低自旋態(tài)，晶體場(chǎng)穩(wěn)定化能的計(jì)算，能利用姜穩(wěn)定化能的計(jì)算，能利用姜泰勒效應(yīng)泰勒效應(yīng)分析和解決問(wèn)題。分析和解決問(wèn)題。2 2、 掌握羰基絡(luò)合物和氮分子絡(luò)合物的結(jié)構(gòu)掌握羰基絡(luò)合物和氮分子絡(luò)合物的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。特點(diǎn)。絡(luò)合物：絡(luò)合物：又稱又稱配位化合物配位化合物，是一類含有，是一類含有中心金屬原子中心金屬原子（m）和若干）和若干配位體配位體（l）的的化合物（化合物（mln ）。）。 中心原子中

2、心原子m通常是過(guò)渡金屬元素的原子（或離子），通常是過(guò)渡金屬元素的原子（或離子），具有空的價(jià)軌道。具有空的價(jià)軌道。 配位體配位體l則有一對(duì)或一對(duì)以上孤對(duì)電子則有一對(duì)或一對(duì)以上孤對(duì)電子。 m和和l之間通過(guò)之間通過(guò)配位鍵配位鍵結(jié)合，成為帶電的配位離子，結(jié)合，成為帶電的配位離子，配位離子與荷異性電荷的離子結(jié)合，形成配位化合物。配位離子與荷異性電荷的離子結(jié)合，形成配位化合物。 有時(shí)中心原子和配位體直接結(jié)合成不帶電的中性配有時(shí)中心原子和配位體直接結(jié)合成不帶電的中性配位化合物分子。位化合物分子。 第一節(jié)第一節(jié) 概概 述述一、一、絡(luò)合物的類型絡(luò)合物的類型 單核配位化合物單核配位化合物：一個(gè)配位化合物分子（或離

3、一個(gè)配位化合物分子（或離子）中只含有一個(gè)中心原子。子）中只含有一個(gè)中心原子。 多核配位化合物多核配位化合物：含兩個(gè)或兩個(gè)以上中心原子。含兩個(gè)或兩個(gè)以上中心原子。 金屬原子簇化合物金屬原子簇化合物：在多核配位化合物中，若在多核配位化合物中，若m mm m之間有鍵合稱為金屬原子簇化合物。之間有鍵合稱為金屬原子簇化合物。二、配位體二、配位體每個(gè)配位體至少有一個(gè)原子具有一對(duì)（或多對(duì)）孤對(duì)電子，或每個(gè)配位體至少有一個(gè)原子具有一對(duì)（或多對(duì)）孤對(duì)電子，或分子中有分子中有 電子。電子。如，如，n、o、c、p、s、cl、f等。等。 根據(jù)配位體所提供的根據(jù)配位體所提供的絡(luò)合點(diǎn)數(shù)目絡(luò)合點(diǎn)數(shù)目和和結(jié)構(gòu)特征結(jié)構(gòu)特征，可

4、將配體分成以，可將配體分成以下幾類：下幾類：1.1.單嚙配位體：?jiǎn)螄湮惑w：只有一個(gè)配位點(diǎn)的配體只有一個(gè)配位點(diǎn)的配體。如：nh32. 非螯合多嚙配位體：非螯合多嚙配位體：配體有多個(gè)配位點(diǎn)，但受幾何形狀限制不配體有多個(gè)配位點(diǎn)，但受幾何形狀限制不能與同一金屬離子配位。能與同一金屬離子配位。如：po43-,co32-3. 螯合螯合配位體：配位體：一個(gè)配位體的幾個(gè)配位點(diǎn)能直接和同一個(gè)金屬離一個(gè)配位體的幾個(gè)配位點(diǎn)能直接和同一個(gè)金屬離子配位。子配位。如：edta,4. 鍵配位體：鍵配位體：含有含有 電子的烯烴、炔烴、芳香烴等也可作配體。電子的烯烴、炔烴、芳香烴等也可作配體。 如：c2h4、丁二烯、co、c

5、6h6、c5h5 1 1、價(jià)鍵理論、價(jià)鍵理論（1 1）基本內(nèi)容：基本內(nèi)容： 根據(jù)配位化合物的性質(zhì)，按根據(jù)配位化合物的性質(zhì)，按雜化軌道理論雜化軌道理論用用共價(jià)配鍵共價(jià)配鍵和和電電價(jià)配鍵價(jià)配鍵解釋配位化合物中金屬離子和配體間的解釋配位化合物中金屬離子和配體間的結(jié)合力結(jié)合力。例如：例如： fe(cn)64-、co(nh3)63+、co(cn)64-、ni(cn)42-等呈現(xiàn)反磁等呈現(xiàn)反磁性和弱磁性是由于中心離子有未充滿的性和弱磁性是由于中心離子有未充滿的d軌道和軌道和 s,p 空軌道，空軌道，這些這些空軌道空軌道通過(guò)通過(guò)雜化組成雜化軌道雜化組成雜化軌道，由，由配位體提供孤對(duì)電子，配位體提供孤對(duì)電子，

6、形成形成l m的的 配鍵；配鍵； fef63-、cof63-等的磁性表明，中心離子的未成對(duì)電子數(shù)目等的磁性表明，中心離子的未成對(duì)電子數(shù)目和自由離子一樣，認(rèn)為和自由離子一樣，認(rèn)為金屬離子和配位體以靜電吸引力結(jié)合。金屬離子和配位體以靜電吸引力結(jié)合。三、配位化合物結(jié)構(gòu)理論的發(fā)展三、配位化合物結(jié)構(gòu)理論的發(fā)展 配位離子配位離子 3d 4s 4p 5s 雜化軌道雜化軌道 幾何形狀幾何形狀fe(cn)64- co(nh3)63+co(cn)64- ni(cn)42- fef63- ni(nh3)62+d2sp3 d2sp3 d2sp3 dsp2 sp3d2 sp3d2八面體八面體八面體平面四方八面體八面體配

7、位離子的電子組態(tài)和幾何構(gòu)型配位離子的電子組態(tài)和幾何構(gòu)型(2)(2)價(jià)鍵理論的作用：價(jià)鍵理論的作用： 能簡(jiǎn)明解釋配位化合物幾何構(gòu)型和磁性等性質(zhì)；能簡(jiǎn)明解釋配位化合物幾何構(gòu)型和磁性等性質(zhì)； 可以解釋可以解釋co(cn)co(cn)6 64-4-存在高能態(tài)電子，非常容易被存在高能態(tài)電子，非常容易被氧化，是很強(qiáng)的還原劑，能把水中的氧化，是很強(qiáng)的還原劑，能把水中的h+還原為還原為h2。(3)(3)價(jià)鍵理論的缺點(diǎn)：價(jià)鍵理論的缺點(diǎn)： 價(jià)鍵理論是定性理論，沒(méi)有提到反鍵軌道，不價(jià)鍵理論是定性理論，沒(méi)有提到反鍵軌道，不涉及激發(fā)態(tài)，不能滿意地解釋配位化合物的光譜數(shù)涉及激發(fā)態(tài)，不能滿意地解釋配位化合物的光譜數(shù)據(jù)，不能

8、滿意說(shuō)明有些化合物的磁性、幾何構(gòu)型和據(jù)，不能滿意說(shuō)明有些化合物的磁性、幾何構(gòu)型和穩(wěn)定性。穩(wěn)定性。2 2、晶體場(chǎng)理論：、晶體場(chǎng)理論： 晶體場(chǎng)理論是靜電作用模型，把中心離子晶體場(chǎng)理論是靜電作用模型，把中心離子m m與配體與配體l l相互作用相互作用, ,看作類似離子晶體中正負(fù)離子的靜電作用?？醋黝愃齐x子晶體中正負(fù)離子的靜電作用。中心離子中心離子d d軌道受配體的作用，用微擾理論處理，可計(jì)軌道受配體的作用，用微擾理論處理，可計(jì)算算d d軌道分裂能大小。軌道分裂能大小。晶體場(chǎng)理論的作用和缺陷：晶體場(chǎng)理論的作用和缺陷：（1 1）可以成功地解釋配位化合物的許多結(jié)構(gòu)和性質(zhì)；）可以成功地解釋配位化合物的許多結(jié)

9、構(gòu)和性質(zhì)；（2 2）只按靜電作用進(jìn)行處理，相當(dāng)于只考慮離子鍵的）只按靜電作用進(jìn)行處理，相當(dāng)于只考慮離子鍵的作用，出發(fā)點(diǎn)過(guò)于簡(jiǎn)單；作用，出發(fā)點(diǎn)過(guò)于簡(jiǎn)單；（3 3）難于解釋分裂能大小變化次序。）難于解釋分裂能大小變化次序。如如：中性的：中性的nhnh3 3分子比帶電的鹵素離子分裂能大，而且分子比帶電的鹵素離子分裂能大，而且coco和和cncn- -等分裂能都特別大，不能用靜電場(chǎng)理論解釋。等分裂能都特別大，不能用靜電場(chǎng)理論解釋。3. 分子軌道理論分子軌道理論 用分子軌道理論的觀點(diǎn)和方法處理金屬離子和配位用分子軌道理論的觀點(diǎn)和方法處理金屬離子和配位體的成鍵作用。體的成鍵作用。 描述配位化合物分子的狀態(tài)

10、主要是描述配位化合物分子的狀態(tài)主要是m m的價(jià)層電子波函數(shù)的價(jià)層電子波函數(shù) m m與配體與配體l l的分子軌道的分子軌道 l l組成離組成離域分子軌道：域分子軌道：式中：m包括m中(n-1)d，ns，np等價(jià)層軌道，cll可看作是群軌道。 有效形成分子軌道要滿足：有效形成分子軌道要滿足：對(duì)稱性匹配，軌道最大重疊，能級(jí)高低相近。llmmcc4、配位場(chǎng)理論、配位場(chǎng)理論 在處理中心金屬原子在其周圍配位體所產(chǎn)在處理中心金屬原子在其周圍配位體所產(chǎn)生的電場(chǎng)作用下，金屬原子軌道能級(jí)發(fā)生生的電場(chǎng)作用下，金屬原子軌道能級(jí)發(fā)生變化時(shí)，以分子軌道理論方法為主，根據(jù)變化時(shí)，以分子軌道理論方法為主，根據(jù)配位體場(chǎng)的對(duì)稱性

11、進(jìn)行簡(jiǎn)化，并吸收晶體配位體場(chǎng)的對(duì)稱性進(jìn)行簡(jiǎn)化，并吸收晶體場(chǎng)理論的成果，闡明配位化合物的結(jié)構(gòu)和場(chǎng)理論的成果，闡明配位化合物的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。性質(zhì)。 第二節(jié)第二節(jié) 晶體場(chǎng)理論晶體場(chǎng)理論一、晶體場(chǎng)理論的基本要點(diǎn)一、晶體場(chǎng)理論的基本要點(diǎn)（1 1）絡(luò)合物中心離子）絡(luò)合物中心離子(m)(m)和配位體和配位體(l)(l)的相互作用的相互作用看作類似離子晶體中正負(fù)離子的靜電作用?？醋黝愃齐x子晶體中正負(fù)離子的靜電作用。（2 2）當(dāng)）當(dāng)l l接近接近m m時(shí)，時(shí)，m m中的中的d d軌道受到軌道受到l l負(fù)電荷的靜電負(fù)電荷的靜電微擾作用，使原來(lái)能級(jí)簡(jiǎn)并的微擾作用，使原來(lái)能級(jí)簡(jiǎn)并的d d軌道發(fā)生分裂，軌道發(fā)生分裂，分裂

12、方式取決于分裂方式取決于l l靜電場(chǎng)的對(duì)稱性。靜電場(chǎng)的對(duì)稱性。（3 3）d d電子重新排布在分裂后的電子重新排布在分裂后的d d軌道能級(jí)中，使軌道能級(jí)中，使體系的總能量下降，絡(luò)合物更加穩(wěn)定。而引起電體系的總能量下降，絡(luò)合物更加穩(wěn)定。而引起電子排布及其他一系列性質(zhì)的變化，據(jù)此可解釋配子排布及其他一系列性質(zhì)的變化，據(jù)此可解釋配位化合物的各種性質(zhì)。位化合物的各種性質(zhì)。二、中心離子二、中心離子d d軌道能級(jí)分裂軌道能級(jí)分裂5個(gè)d軌道在空間的伸展方向： 1.1.八面體場(chǎng)（八面體場(chǎng)（ohoh場(chǎng)）場(chǎng)）（1 1）m和和l的空間位置的空間位置 （2 2）d d軌道分裂軌道分裂 當(dāng)6個(gè)配體l沿x ,y , z 方

13、向接近m時(shí)， 的電子云極大值正好與配體迎頭碰上，受到的排斥力較大，使軌道的能量升高，比五個(gè)簡(jiǎn)并d軌道在球形對(duì)稱場(chǎng)的能量es還高，而dxy ,dxz , dyz 的電子云極大值方向正插在配體空隙中，故受到的斥力較小，軌道的能量低于es ，這樣在八面體場(chǎng)中五個(gè)能量簡(jiǎn)并得d軌道分裂為兩組：222yxzd ,dyzxzxygyxzgdddtdde軌軌道道：軌軌道道：，2222（3 3）分裂能分裂能：eg和t2g的能級(jí)差稱為晶體場(chǎng)分裂能用o或10dq表示，即以es為零點(diǎn)則：解之得：qtedeegg1002 0322ggteeeqtqededegg452653002 2.2.正四面體場(chǎng)（正四面體場(chǎng)（tdt

14、d場(chǎng)）場(chǎng)）（1 1）m和和l的空間位置和的空間位置和d d軌道分裂軌道分裂（2 2）分裂能t 分裂能t : 由于oh場(chǎng)為6配位體場(chǎng)，td場(chǎng)為4配位體場(chǎng)；再oh場(chǎng)中eg軌道直接指向l,而td場(chǎng)中軌道均未指向配體，故o t ,計(jì)算表明：023109494220etqetteedee qttqtedede78. 15267. 2532xydx2-y2dxydz2dxz, dyzd4h場(chǎng)場(chǎng)xy3. 平面正方形場(chǎng)平面正方形場(chǎng)( d4h )dx2-y2dxy5 個(gè)個(gè) d 軌道在不同配位場(chǎng)中能級(jí)分裂情況的示意圖：軌道在不同配位場(chǎng)中能級(jí)分裂情況的示意圖：三、三、d d軌道中電子的排布軌道中電子的排布 高自旋態(tài)

15、和低自旋態(tài)高自旋態(tài)和低自旋態(tài) 1.1.分裂能和成對(duì)能分裂能和成對(duì)能（1 1）分裂能：當(dāng)一個(gè)電子由低能的）分裂能：當(dāng)一個(gè)電子由低能的d d軌道進(jìn)入高能軌道進(jìn)入高能d d軌道時(shí)軌道時(shí)所需要的能量，用所需要的能量，用 表示。表示。 值的大小與值的大小與l l ，m m有關(guān)，由實(shí)驗(yàn)結(jié)果和理論研究得到下有關(guān)，由實(shí)驗(yàn)結(jié)果和理論研究得到下列規(guī)律：列規(guī)律：對(duì)同一種金屬原子對(duì)同一種金屬原子(m)(m)，不同配體的分裂能大小次序?yàn)椋?，不同配體的分裂能大小次序?yàn)椋篶oco，cncnnono2 22 2enennhnh3 3pypyh h2 2o of fohohclclbrbr 稱為光譜化學(xué)序列，即配位場(chǎng)強(qiáng)度順序，

16、與稱為光譜化學(xué)序列，即配位場(chǎng)強(qiáng)度順序，與m m無(wú)關(guān)。無(wú)關(guān)。對(duì)一定的配位體，對(duì)一定的配位體， 值隨值隨m m不同而異，其大小的次序?yàn)椋翰煌?，其大小的次序?yàn)椋?ptpt4+4+irir3+3+pdpd4+4+rhrh3+3+momo3+3+ruru3+3+coco3+3+crcr3+3+ fefe3+3+v v2+2+ coco2+2+nini2+2+ mnmn2+2+a.a.中心離子的價(jià)態(tài)對(duì)中心離子的價(jià)態(tài)對(duì)影響很大，價(jià)態(tài)高，影響很大，價(jià)態(tài)高， 越大。越大。 b.b.中心離子所處的周期數(shù)也影響中心離子所處的周期數(shù)也影響oo值。第二、第三系列過(guò)值。第二、第三系列過(guò)渡金屬離子的渡金屬離子的oo值均

17、比同族第一系列過(guò)渡金屬離子大。值均比同族第一系列過(guò)渡金屬離子大。 （2 2）成對(duì)能：）成對(duì)能： 指本來(lái)是自旋平興奮占兩個(gè)軌道的電子擠指本來(lái)是自旋平興奮占兩個(gè)軌道的電子擠到同一軌道上自旋相反，能量增高，這增到同一軌道上自旋相反，能量增高，這增高的能量稱為成對(duì)能，用高的能量稱為成對(duì)能，用p p表示，表示，p p越小，越小，電子越容易成對(duì)。電子越容易成對(duì)。2.2.高自旋態(tài)和低自旋態(tài)高自旋態(tài)和低自旋態(tài)當(dāng)當(dāng) p p p 強(qiáng)場(chǎng)強(qiáng)場(chǎng) 低自旋態(tài)，即盡可能占低能軌道低自旋態(tài)，即盡可能占低能軌道（1 1）八面體場(chǎng)：）八面體場(chǎng)：d d軌道分裂為高能的軌道分裂為高能的e eg g和低能的和低能的t t2g2g，能級(jí)差

18、為能級(jí)差為 。電子的排布為：。電子的排布為： 對(duì)于對(duì)于d d1 1, d, d2 2, d, d3 3 , d , d8 8 , d , d9 9 , d , d1010無(wú)論是強(qiáng)場(chǎng)還是弱場(chǎng)電子排無(wú)論是強(qiáng)場(chǎng)還是弱場(chǎng)電子排布都一樣，只有一種方式，沒(méi)有高低自旋之分。布都一樣，只有一種方式，沒(méi)有高低自旋之分。 而而d d4 4, d, d5 5, d, d6 6 , d , d7 7有二種排布方式，即強(qiáng)場(chǎng)低自旋，若場(chǎng)高有二種排布方式，即強(qiáng)場(chǎng)低自旋，若場(chǎng)高自旋：自旋：電子組態(tài)d4 d5 d6 d7當(dāng) pt2g4t2g5t2g6t2g6eg1當(dāng) pt2g3eg1t2g3eg2t2g4eg2t2g5eg2（

19、2 2） 正四面體場(chǎng)正四面體場(chǎng) 由于其分裂能由于其分裂能 t t小，故一般小，故一般 t t p , cfse() cfse(四面體四面體) ) 故八面體絡(luò)合物比四面體絡(luò)合物更穩(wěn)定常見，只有故八面體絡(luò)合物比四面體絡(luò)合物更穩(wěn)定常見，只有在在d d0 0 ，d d5 5 ，d d1010弱場(chǎng)時(shí)，可能形成穩(wěn)定的四面體絡(luò)弱場(chǎng)時(shí)，可能形成穩(wěn)定的四面體絡(luò)合物。合物。 四配位化合物的配位型式與四配位化合物的配位型式與d d電子數(shù)多少有關(guān)。電子數(shù)多少有關(guān)。 弱場(chǎng)弱場(chǎng) d0，d5，d10 離子采取四面體構(gòu)型相互間排斥力最?。浑x子采取四面體構(gòu)型相互間排斥力最??； 如 ticl4，fecl4，cux43，znx42

20、 等均采取四面體；等均采取四面體； d1，和，和 d6一般仍采取一般仍采取 四面體形；四面體形；如 vcl4，fecl42。 d8的的4配位化合物應(yīng)為配位化合物應(yīng)為平面正方形平面正方形，因?yàn)檫@種構(gòu)型獲得的，因?yàn)檫@種構(gòu)型獲得的cfse 較多，這時(shí)配位化合物自旋成對(duì)，顯反磁性。較多，這時(shí)配位化合物自旋成對(duì)，顯反磁性。 如 pdcl42，ptcl42，au2cl6，rh(co)2cl2等 。 第一周期過(guò)渡金屬元素離子較小，碰到電負(fù)性高、體積大第一周期過(guò)渡金屬元素離子較小，碰到電負(fù)性高、體積大的配位體時(shí)，則需要考慮排斥的因素。的配位體時(shí)，則需要考慮排斥的因素。 如 ni(cn) 42為平面正方形，ni

21、x42(x=cl，br，i)為四面體形。五、絡(luò)合物畸變和姜五、絡(luò)合物畸變和姜泰勒（泰勒（jahn-jahn-tellerteller）效應(yīng)）效應(yīng) 1 1、姜姜泰勒（泰勒（jahn-tellerjahn-teller）效應(yīng)）效應(yīng) 在對(duì)稱的非線性分子中，如果體系的幾態(tài)在對(duì)稱的非線性分子中，如果體系的幾態(tài)有幾個(gè)簡(jiǎn)并能級(jí)則是不穩(wěn)定的，體系一定要有幾個(gè)簡(jiǎn)并能級(jí)則是不穩(wěn)定的，體系一定要發(fā)生畸變，使一個(gè)能級(jí)降低，以消除這種簡(jiǎn)發(fā)生畸變，使一個(gè)能級(jí)降低，以消除這種簡(jiǎn)并性。并性。 姜姜泰勒（泰勒（jahn-tellerjahn-teller）效應(yīng)實(shí)際就是由）效應(yīng)實(shí)際就是由于中心離子于中心離子d d電子分布不對(duì)稱，

22、引起絡(luò)合物電子分布不對(duì)稱，引起絡(luò)合物構(gòu)型變化的現(xiàn)象。構(gòu)型變化的現(xiàn)象。2 2、絡(luò)合物的畸變、絡(luò)合物的畸變（以八面體（以八面體d10d9為例）為例） （1）d10組態(tài)去掉d dx2-y2x2-y2電子，降低了x,y軸上配體的推斥力，使x ,y 上的四個(gè)配體內(nèi)移，從而形成拉長(zhǎng)的八面體構(gòu)型，結(jié)果使簡(jiǎn)并的和軌道能分裂升高，降低，總的變化是能級(jí)下降。這種畸變的極限是：z軸上兩個(gè)拉長(zhǎng)鍵的配體離去（化學(xué)鍵較弱），形成平面正方形平面正方形。（2）d10組態(tài)去掉d dz2z2 電子，降低了z軸上配體的推斥力，使z上的兩個(gè)配體內(nèi)移，形成壓扁的八面體構(gòu)型壓扁的八面體構(gòu)型，結(jié)果消除簡(jiǎn)并，使降低，升高，總的效應(yīng)使體系能量

23、下降，即獲得姜泰勒穩(wěn)定化能。（3 3）八面體發(fā)生畸變的）八面體發(fā)生畸變的d d電子構(gòu)型電子構(gòu)型 八面體發(fā)生畸變的八面體發(fā)生畸變的d d電子構(gòu)型電子構(gòu)型，八面體八面體d d軌道分裂軌道分裂為高能的二重簡(jiǎn)并為高能的二重簡(jiǎn)并e eg g（ ）和低能的三重簡(jiǎn)并的）和低能的三重簡(jiǎn)并的t t2g2g（d dxy xy ，d dxz xz d dyz yz ）, ,若若d d電子在電子在t t2g2g上分布不均勻上分布不均勻（不對(duì)稱）則變形性較小，即小畸變；若在（不對(duì)稱）則變形性較小，即小畸變；若在e eg g上分上分布不對(duì)稱，則變形性較大，即發(fā)生大畸變。布不對(duì)稱，則變形性較大，即發(fā)生大畸變。 222yxz

24、d ,d八面體八面體畸畸 變變高高 自自 旋旋低低 自自 旋旋小小 畸畸 變變t t2g2g1 1 ；t t2g2g2 2；t t2g2g4 4e eg g2 2；t t2g2g5 5e eg g2 2t t2g2g1 1；t t2g2g2 2；t t2g2g4 4；t t2g2g5 5大大 畸畸 變變t t2g2g3 3e eg g1 1；t t2g2g6 6e eg g3 3t t2g2g6 6e eg g1 1 ；t t2g2g6 6e eg g3 3第三節(jié)第三節(jié) 一些絡(luò)合物結(jié)構(gòu)一些絡(luò)合物結(jié)構(gòu)一、羰基絡(luò)合物一、羰基絡(luò)合物- -配鍵配鍵羰基絡(luò)合物：羰基絡(luò)合物：由一氧化碳和過(guò)度金屬形成的穩(wěn)定

25、絡(luò)合物。由一氧化碳和過(guò)度金屬形成的穩(wěn)定絡(luò)合物。co:co: （ 1 1 ）2 2（2）2 2（3）2 2（4）2 2（1）4（5）2 2 （2）0 m c o端基絡(luò)合：端基絡(luò)合：在羰基絡(luò)合物中，配體在羰基絡(luò)合物中，配體coco的孤對(duì)電子的孤對(duì)電子（5）2 2與金屬的與金屬的空空d d軌道形成軌道形成配鍵，同時(shí)金屬的配鍵，同時(shí)金屬的t t2g2g軌道上電子再反軌道上電子再反饋到饋到coco的的22軌道上形成反饋軌道上形成反饋鍵，兩種作用結(jié)合起鍵，兩種作用結(jié)合起來(lái)，稱為來(lái)，稱為-授受鍵授受鍵. . - -鍵的形成，對(duì)鍵的形成，對(duì)羰基絡(luò)合物結(jié)構(gòu)的影響：羰基絡(luò)合物結(jié)構(gòu)的影響： （1 1）加強(qiáng)了中心金屬和配體之間的結(jié)合；）加強(qiáng)了中心金屬和配體之間的結(jié)合；（2 2）削弱了配體）削弱了配體coco內(nèi)部結(jié)合。內(nèi)部結(jié)合。-鍵的協(xié)同效應(yīng)鍵的協(xié)同效應(yīng)二、氮分子絡(luò)合物結(jié)構(gòu)二、氮分子絡(luò)合物結(jié)構(gòu)n2: (1g)2(1u)2（2g）2(2u)2 (1u)4 (3g)2 (1g)0氮分子絡(luò)合物的化學(xué)鍵：氮分子絡(luò)合物的化學(xué)鍵： n n2 2的的(3g)2與過(guò)渡金屬的空與過(guò)渡金屬的空d d軌道形成軌道形成配鍵，同配鍵，同時(shí)過(guò)渡金屬的時(shí)過(guò)渡金屬的t t2g2g軌道上電子與軌