電位移有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理

1、第十章第十章 靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體與電介質(zhì)靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體與電介質(zhì)物理學(xué)教程物理學(xué)教程（第二版）（第二版）10 10 3 3 電位移電位移 有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理0rr1qq)(1d00qqseseedr0電位移矢量電位移矢量（均勻各向同性介質(zhì)）（均勻各向同性介質(zhì)）00+ + + + + + - - - - - - + + + + + + + + + + +- - - - - - - - - - -rs電容率電容率r0r00dqses 電位移通量電位移通量0dqsds第十章第十章 靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體與電介質(zhì)靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體與電介質(zhì)物理學(xué)教程物理學(xué)教程（第二版）（第二版）10 10 3 3

2、電位移電位移 有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理電位移矢量電位移矢量ed（均勻均勻介質(zhì)）介質(zhì)）有介質(zhì)時(shí)的高斯定理有介質(zhì)時(shí)的高斯定理iisqsd0d電容率電容率r0有介質(zhì)時(shí)先求有介質(zhì)時(shí)先求 ued注意注意r0ee （均勻均勻介質(zhì)）介質(zhì)）電場(chǎng)強(qiáng)度電場(chǎng)強(qiáng)度第十章第十章 靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體與電介質(zhì)靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體與電介質(zhì)物理學(xué)教程物理學(xué)教程（第二版）（第二版）10 10 3 3 電位移電位移 有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理r 例例 常用的圓柱形電容器，是由半徑為常用的圓柱形電容器，是由半徑為 的長(zhǎng)的長(zhǎng)直圓柱導(dǎo)體和同軸的半徑為直圓柱導(dǎo)體和同軸的半徑為 的薄導(dǎo)體圓筒組成，的薄導(dǎo)體圓筒組成，并在直

3、導(dǎo)體與導(dǎo)體圓筒之間充以相對(duì)電容率為并在直導(dǎo)體與導(dǎo)體圓筒之間充以相對(duì)電容率為 的的電介質(zhì)電介質(zhì).設(shè)直導(dǎo)體和圓筒單位長(zhǎng)度上的電荷分別為設(shè)直導(dǎo)體和圓筒單位長(zhǎng)度上的電荷分別為 和和 .求（求（1）電介質(zhì)中的電場(chǎng)強(qiáng)度和電位移；電介質(zhì)中的電場(chǎng)強(qiáng)度和電位移；（）（）電介質(zhì)內(nèi)、外表面的極化電荷面密度電介質(zhì)內(nèi)、外表面的極化電荷面密度1r2rr1r2r第十章第十章 靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體與電介質(zhì)靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體與電介質(zhì)物理學(xué)教程物理學(xué)教程（第二版）（第二版）10 10 3 3 電位移電位移 有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理lsdsd解（解（1）lrld2rd2rder0r02)(21rrr1r2rr第十章第十章 靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體與電介質(zhì)靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體與電介質(zhì)物理學(xué)教程物理學(xué)教程（第二版）（第二版）10 10 3 3 電位移電位移 有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理有電介質(zhì)時(shí)的高斯定理（）（）由上題可知由上題可知1rr10r12) 1() 1(re2rr2