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圖1.1 硅和鍺的原子結(jié)構(gòu)和共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) 圖1.4 N型半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) 圖1.5 P型半導(dǎo)體共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) 圖1.6 P型和N型半導(dǎo)體交界處載流子的擴(kuò)散 圖1.7 PN結(jié)的形成 圖1.8 PN結(jié)外加正向電壓 圖1.9 PN結(jié)外加反向電壓 圖1.13 二極管的伏安特性曲線 圖1.20 穩(wěn)壓二極管的伏安特性和符號(hào) 圖1.23 發(fā)光二極管的外形和符號(hào) 圖1.32 三極管的安全工作區(qū) 圖1.35 判別三極管c、e電極的原理圖 圖1.36 光電三極管的符號(hào)、等效電路和外形 圖1.37 光耦合器的一般符號(hào) 圖1.40 UGS=0時(shí)的導(dǎo)電溝道 圖1.42 UGSUP時(shí)的導(dǎo)電溝道 圖1.44 N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線 圖1.47 N溝道增強(qiáng)型MOS管加?xùn)旁措妷篣GS 圖1.48 N溝道增強(qiáng)型MOS管的輸出特性曲線 圖1.49 N溝道增強(qiáng)型MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線 圖1.50 N溝道耗盡型MOS管的結(jié)構(gòu)與符號(hào) 圖1.51 N溝道耗盡型MOS管的輸出特性曲線和轉(zhuǎn)移特性曲線

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