光刻膠涂布與曝光

1、光刻膠涂布與曝光正光阻正光阻負(fù)光阻負(fù)光阻分辨率高分辨率低黏結(jié)能力差黏結(jié)能力好與mask暗場圖形一致與mask亮場圖形一致成本高成本低光刻膠分類E&H GF2結(jié)構(gòu)采用正性干膜光刻膠萊寶 GG結(jié)構(gòu)采用正性濕膜光刻膠曝光機(jī)理UV光光罩光阻顯影后負(fù)光阻(BM、R、G、B、 PS layer)(見光留)正光阻(MVA、TFT layer)(見光死)Cr膜玻璃基板石英 GF2結(jié)構(gòu)使用干膜光刻膠，采用雙面熱壓roller形式上膠。 膜厚在線不可調(diào)控，膜厚由DFR決定，E&H 1st DFR 厚度15um，2nd DFR 厚度 30um，不易產(chǎn)生針孔，分辨率低，工藝制程簡單。 GG使用濕膜光刻

2、膠，采用單面壓輥或刮刀涂布方式上膠。 膜厚在線可通過走速/抽泵強(qiáng)度調(diào)控，厚度1.4um2.3um,易產(chǎn)生針孔，分辨率高，工藝制程復(fù)雜，涂布后需軟烘烤后才能曝光。涂布方式 GF2結(jié)構(gòu) 主要控制參數(shù)：壓輥溫度，壓輥壓力 主要品質(zhì)問題：氣泡，異物，附著不良 GG結(jié)構(gòu) 主要控制參數(shù)：涂布速度，抽泵頻率，壓輥壓力 主要品質(zhì)問題：膜厚不均，針孔，異物主要控制參數(shù)及品質(zhì) GF2結(jié)構(gòu)1st exposure:雙面接近式曝光，分辨率低，不易造成產(chǎn)品缺陷及mask劃傷，6個對位鏡頭，雙面同時對位2nd exposure:雙面接觸式曝光，分辨率低，易造成產(chǎn)品缺陷及mask劃傷，4個對位鏡頭，雙面同時對位 GG結(jié)構(gòu)單

3、面接近式曝光，分辨率低，不易造成產(chǎn)品缺陷及mask劃傷， 2個對位鏡頭，單面對位曝光方式GG對位方式 （Glass stage 校準(zhǔn)）maskglass 鉻版mask（石英基板） 對320-450nm波長有很好的透過率，變形尺寸小，精度高5um,成本高 干版mask （鈉鈣玻璃基板） 對320-450nm波長有較好的透過率，變形尺寸小，精度較高20um 菲林 對320-450nm波長有的透過率低，變形尺寸大，精度較高30umMask 分類E&H GF2結(jié)構(gòu)：1st exposure支持玻璃mask及菲林，2nd exposure 只支持菲林萊寶 GG結(jié)構(gòu)：使用鉻版mask主要控制參數(shù)及品質(zhì) 主要控制參數(shù)：曝光強(qiáng)度，曝光gap, 曝光時間 主要品質(zhì)問題：曝光不均，異物，過曝光，曝光不足