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文檔簡介

1、光刻膠涂布與曝光正光阻正光阻負光阻負光阻分辨率高分辨率低黏結(jié)能力差黏結(jié)能力好與mask暗場圖形一致與mask亮場圖形一致成本高成本低光刻膠分類E&H GF2結(jié)構(gòu)采用正性干膜光刻膠萊寶 GG結(jié)構(gòu)采用正性濕膜光刻膠曝光機理UV光光罩光阻顯影后負光阻(BM、R、G、B、 PS layer)(見光留)正光阻(MVA、TFT layer)(見光死)Cr膜玻璃基板石英 GF2結(jié)構(gòu)使用干膜光刻膠，采用雙面熱壓roller形式上膠。 膜厚在線不可調(diào)控，膜厚由DFR決定，E&H 1st DFR 厚度15um，2nd DFR 厚度 30um，不易產(chǎn)生針孔，分辨率低，工藝制程簡單。 GG使用濕膜光刻

2、膠，采用單面壓輥或刮刀涂布方式上膠。 膜厚在線可通過走速/抽泵強度調(diào)控，厚度1.4um2.3um,易產(chǎn)生針孔，分辨率高，工藝制程復(fù)雜，涂布后需軟烘烤后才能曝光。涂布方式 GF2結(jié)構(gòu) 主要控制參數(shù)：壓輥溫度，壓輥壓力 主要品質(zhì)問題：氣泡，異物，附著不良 GG結(jié)構(gòu) 主要控制參數(shù)：涂布速度，抽泵頻率，壓輥壓力 主要品質(zhì)問題：膜厚不均，針孔，異物主要控制參數(shù)及品質(zhì) GF2結(jié)構(gòu)1st exposure:雙面接近式曝光，分辨率低，不易造成產(chǎn)品缺陷及mask劃傷，6個對位鏡頭，雙面同時對位2nd exposure:雙面接觸式曝光，分辨率低，易造成產(chǎn)品缺陷及mask劃傷，4個對位鏡頭，雙面同時對位 GG結(jié)構(gòu)單

3、面接近式曝光，分辨率低，不易造成產(chǎn)品缺陷及mask劃傷， 2個對位鏡頭，單面對位曝光方式GG對位方式 （Glass stage 校準）maskglass 鉻版mask（石英基板） 對320-450nm波長有很好的透過率，變形尺寸小，精度高5um,成本高 干版mask （鈉鈣玻璃基板） 對320-450nm波長有較好的透過率，變形尺寸小，精度較高20um 菲林 對320-450nm波長有的透過率低，變形尺寸大，精度較高30umMask 分類E&H GF2結(jié)構(gòu)：1st exposure支持玻璃mask及菲林，2nd exposure 只支持菲林萊寶 GG結(jié)構(gòu)：使用鉻版mask主要控制參數(shù)及品質(zhì) 主要控制參數(shù)：曝光強度，曝光gap, 曝光時間 主要品質(zhì)問題：曝光不均，異物，過曝光，曝光不足

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