高頻振蕩器精品課件5

1、5、RC振蕩器振蕩器4、晶體振蕩器、晶體振蕩器3、頻率穩(wěn)定度的意義和表征、頻率穩(wěn)定度的意義和表征2、三點(diǎn)式振蕩器、三點(diǎn)式振蕩器1、反饋型振蕩器的原理、反饋型振蕩器的原理6、例題、例題高頻振蕩器高頻振蕩器第五章第五章概述概述 本章討論的是自激式振蕩器，它是在無需外加激勵(lì)信號(hào)本章討論的是自激式振蕩器，它是在無需外加激勵(lì)信號(hào)的情況下，能將直流電能轉(zhuǎn)換成具有一定波形、一定頻率和的情況下，能將直流電能轉(zhuǎn)換成具有一定波形、一定頻率和一定幅度的交變能量電路。一定幅度的交變能量電路。振蕩器的分類：振蕩器的分類：按波形分：正弦波振蕩器和非正弦波振蕩器按波形分：正弦波振蕩器和非正弦波振蕩器按工作方式：負(fù)阻型振蕩器

2、和反饋型振蕩器按工作方式：負(fù)阻型振蕩器和反饋型振蕩器 按選頻網(wǎng)絡(luò)所采用的原件分：按選頻網(wǎng)絡(luò)所采用的原件分： LC振蕩器、振蕩器、RC振蕩器和晶體振蕩器等類型振蕩器和晶體振蕩器等類型概述 振蕩器種類： 按振蕩原理分按振蕩原理分： 反饋振蕩器反饋振蕩器 負(fù)阻振蕩器負(fù)阻振蕩器 按振蕩頻率分按振蕩頻率分： 低頻振蕩器、高頻振蕩器低頻振蕩器、高頻振蕩器 微波振蕩器微波振蕩器 按振蕩波形分按振蕩波形分： 正弦波振蕩器蕩、非正弦振器正弦波振蕩器蕩、非正弦振器按選頻網(wǎng)絡(luò)所采用的原件分：按選頻網(wǎng)絡(luò)所采用的原件分：LC振蕩器、振蕩器、RC振蕩器和晶體振蕩器等類型振蕩器和晶體振蕩器等類型 5.1 反饋振蕩器工作原理

3、反饋振蕩器工作原理 實(shí)際中的反饋振蕩器是由反實(shí)際中的反饋振蕩器是由反饋放大器演變而來，如右圖。饋放大器演變而來，如右圖。+vfvoLC+viK12Rb2ReCe+VCCM+自激振蕩建立的物理過程自激振蕩建立的物理過程 若開關(guān)若開關(guān)K撥向撥向“1”時(shí)，該電時(shí)，該電路則為調(diào)諧放大器，當(dāng)輸入信號(hào)路則為調(diào)諧放大器，當(dāng)輸入信號(hào)為正弦波時(shí)，放大器輸出負(fù)載互為正弦波時(shí)，放大器輸出負(fù)載互感耦合變壓器感耦合變壓器L2上的電壓為，調(diào)上的電壓為，調(diào)整互感整互感M及同名端以及回路參數(shù)，及同名端以及回路參數(shù)，可以使可以使 vi = vo 。 此時(shí)，若將開關(guān)此時(shí)，若將開關(guān)K快速撥向快速撥向“2”點(diǎn)，則集電極電路和基點(diǎn)，則

4、集電極電路和基極電路都維持開關(guān)極電路都維持開關(guān)K接到接到“1”點(diǎn)時(shí)的狀態(tài)，即始終維持著與點(diǎn)時(shí)的狀態(tài)，即始終維持著與vi相同頻率的正弦信號(hào)。這時(shí)，調(diào)諧放大器就變?yōu)樽约ふ袷幤?。相同頻率的正弦信號(hào)。這時(shí)，調(diào)諧放大器就變?yōu)樽约ふ袷幤鳌?在電源開關(guān)閉合的瞬間，電流的跳變?cè)诩姌O在電源開關(guān)閉合的瞬間，電流的跳變?cè)诩姌OLC振蕩電振蕩電路中激起振蕩。選頻網(wǎng)絡(luò)帶寬極窄，在回路兩端產(chǎn)生正弦波路中激起振蕩。選頻網(wǎng)絡(luò)帶寬極窄，在回路兩端產(chǎn)生正弦波電壓電壓vo，并通過互感耦合變壓器反饋到基級(jí)回路，這就是激，并通過互感耦合變壓器反饋到基級(jí)回路，這就是激勵(lì)信號(hào)。勵(lì)信號(hào)。 由于晶體管特性的非線性，振幅會(huì)自動(dòng)穩(wěn)定到一定的由于

5、晶體管特性的非線性，振幅會(huì)自動(dòng)穩(wěn)定到一定的幅度。因此振蕩的幅度不會(huì)無限增大。幅度。因此振蕩的幅度不會(huì)無限增大。 起始振蕩信號(hào)十分微弱，但是由于不斷地對(duì)它進(jìn)行放起始振蕩信號(hào)十分微弱，但是由于不斷地對(duì)它進(jìn)行放大大選頻選頻反饋反饋再放大等多次循環(huán)，于是一個(gè)與振蕩回路再放大等多次循環(huán)，于是一個(gè)與振蕩回路固有頻率相同的自激振蕩便由小到大地增長起來。固有頻率相同的自激振蕩便由小到大地增長起來。平衡條件：平衡條件： 振蕩幅值的增長過程不可能無止境地延續(xù)下去振蕩幅值的增長過程不可能無止境地延續(xù)下去, , 因?yàn)榉糯笃鞯木€性范圍是有限的。因?yàn)榉糯笃鞯木€性范圍是有限的。 隨著振幅的增大隨著振幅的增大, , 放大器逐

6、漸由放大區(qū)進(jìn)入飽和區(qū)或截止區(qū)放大器逐漸由放大區(qū)進(jìn)入飽和區(qū)或截止區(qū), , 工作于工作于非線性的甲乙類狀態(tài)非線性的甲乙類狀態(tài), , 其增益逐漸下降。其增益逐漸下降。 當(dāng)放大器當(dāng)放大器增益下降而導(dǎo)致環(huán)路增益下降到時(shí)增益下降而導(dǎo)致環(huán)路增益下降到時(shí), , 振幅的增長振幅的增長過程將停止過程將停止, , 振蕩器達(dá)到平衡振蕩器達(dá)到平衡, , 進(jìn)入等幅振蕩狀態(tài)。進(jìn)入等幅振蕩狀態(tài)。 振蕩器進(jìn)入平衡狀態(tài)以后振蕩器進(jìn)入平衡狀態(tài)以后, , 直流電源補(bǔ)充的能量剛直流電源補(bǔ)充的能量剛好抵消整個(gè)環(huán)路消耗的能量。好抵消整個(gè)環(huán)路消耗的能量。 反饋型自激振蕩器的電路構(gòu)成必須由三部分組成反饋型自激振蕩器的電路構(gòu)成必須由三部分組成可

7、以補(bǔ)充由可以補(bǔ)充由振蕩回路電振蕩回路電阻產(chǎn)生損耗阻產(chǎn)生損耗的能量的能量使能量在正確的使能量在正確的時(shí)間內(nèi)補(bǔ)充到電時(shí)間內(nèi)補(bǔ)充到電路中的控制設(shè)備路中的控制設(shè)備包含兩個(gè)包含兩個(gè)(或兩或兩個(gè)以上個(gè)以上)儲(chǔ)能元儲(chǔ)能元件的振蕩回路件的振蕩回路4.1 反饋振蕩器的原理反饋振蕩器的原理 一、反饋振蕩器的原理分析 1、反饋振蕩器的組成、反饋振蕩器的組成 反饋振蕩器由放大器和反饋網(wǎng)絡(luò)兩大部分組反饋振蕩器由放大器和反饋網(wǎng)絡(luò)兩大部分組成成。 反饋型振蕩器的原理框圖如圖反饋型振蕩器的原理框圖如圖4-1所示。由所示。由圖可見圖可見, 反饋型振蕩器是由反饋型振蕩器是由放大器和反饋網(wǎng)絡(luò)組放大器和反饋網(wǎng)絡(luò)組成的一個(gè)閉合環(huán)路成的

8、一個(gè)閉合環(huán)路, 放大器通常是以某種選頻網(wǎng)放大器通常是以某種選頻網(wǎng)絡(luò)絡(luò)(如振蕩回路如振蕩回路)作負(fù)載作負(fù)載, 是一調(diào)諧放大器是一調(diào)諧放大器, 反饋網(wǎng)反饋網(wǎng)絡(luò)一般是由無源器件組成的線性網(wǎng)絡(luò)。絡(luò)一般是由無源器件組成的線性網(wǎng)絡(luò)。 ( )( )( )isiU sUsU s( )( )( ) ( )( )iiU sT sK s F sU s (5-1) (5-2) (5-3) (5-4) (5-5) (5-6)得 其中T(s)稱為環(huán)路增益稱為環(huán)路增益： 2、自激振蕩的條件分析、自激振蕩的條件分析 根據(jù)圖4.1.1，閉環(huán)電壓放大倍數(shù)閉環(huán)電壓放大倍數(shù)Ku(s)： ( )( )ouSUsKUs( )( )( )

9、ioU sF sUs( )( )( )oiUsK sU s電壓反饋系數(shù)為電壓反饋系數(shù)為F(s)，則開環(huán)電壓放大倍數(shù)為開環(huán)電壓放大倍數(shù)為K(s)：由( )( )( )1( ) ( )1( )uK sK sKsK s F sT s自激振蕩的條件：就是環(huán)路增益為1, 即 1)()()(jFjKjT(5-7) 通常又稱為振蕩器的平衡條件振蕩器的平衡條件。 由式(4-5)還可知,)()(,1)(,)()(,1)(sUsUjTsUsUjTiiii形成增幅振蕩增幅振蕩 形成減幅振蕩減幅振蕩(5-8)二、平衡條件 根據(jù)前面分析，振蕩器的平衡條件即為 2 , 1 , 021)(1)()()(nnKFjTjFjK

10、jTFKT也可以表示為：(5-9a) (5-9b) 式(4-9a)和(4-9b)分別稱為振幅平衡條件振幅平衡條件和相位平衡條件相位平衡條件。 現(xiàn)以單調(diào)諧諧振放大器為例現(xiàn)以單調(diào)諧諧振放大器為例來看K(j)與F(j)的意義。 若 由式(4-2)可得bicoUUUU,LfccbcbcioZjYIUUIUUUUjK)()(5-10) 式中, ZL為放大器的負(fù)載阻抗為放大器的負(fù)載阻抗LjLccLeRIUZ(5-11) Yf(j)為晶體管的正向轉(zhuǎn)移導(dǎo)納晶體管的正向轉(zhuǎn)移導(dǎo)納。 fjfbcfeYUIjY)(5-12) 現(xiàn)引入 與F(j)反號(hào)的反饋系數(shù)F(j)cijUUjFeFjFF)()(5-13) 這樣,

11、振蕩條件可寫為振蕩條件可寫為 1)()()()()(jFZjYjFZjYjTLfLf(5-14) 振幅平衡條件和相位平衡條件分別可寫為振幅平衡條件和相位平衡條件分別可寫為 2 , 1 , 021nnFRYFLfLf(5-15a) (5-15b) 值得說明的是：值得說明的是：（1）平衡時(shí)電源供給的能量等于環(huán)路消耗的能量；（2）通常環(huán)路只在某一特定才滿足相位條件。 三、起振條件起振條件 為了使振蕩過程中輸出幅度不斷增加, 應(yīng)使反饋回來的信號(hào)比輸入到放大器的信號(hào)大, 即振蕩開始時(shí)應(yīng)為增幅振蕩, 因而由式(4-8)可知1)(jT稱為自激振蕩的起振條件, 也可寫為 , 2 , 1 , 021)(nnFR

12、YjTFLfTLf(5-16a) (5-16b) 式(4-16a)和(4-16b)分別稱為起振的振幅條件起振的振幅條件和相位條件相位條件, 其中起振的相位條件即為正反饋條件起振的相位條件即為正反饋條件。起振過程起振過程：開始增幅振蕩 非線性 穩(wěn)幅振蕩 放大器增益放大器增益A與輸出電壓幅度與輸出電壓幅度Vo之之間的關(guān)系叫振蕩特性，間的關(guān)系叫振蕩特性，F(xiàn)與與Vo之間的關(guān)之間的關(guān)系叫反饋特性。起振的幅度條件可用右系叫反饋特性。起振的幅度條件可用右上圖表示。上圖表示。A0QVomQ反饋特性振蕩特性VomF1起振條件與平衡條件起振條件與平衡條件 圖解圖解( (軟激勵(lì)起振軟激勵(lì)起振) ) 在實(shí)際設(shè)計(jì)中，如

13、果設(shè)計(jì)不當(dāng)，振在實(shí)際設(shè)計(jì)中，如果設(shè)計(jì)不當(dāng)，振蕩特性可能不是單調(diào)下降的，而如右下蕩特性可能不是單調(diào)下降的，而如右下圖所示。其靜態(tài)工作點(diǎn)太低，圖所示。其靜態(tài)工作點(diǎn)太低，ICQ太小，太小，因而因而A0太小，以至不滿足太小，以至不滿足 。 這種振蕩器電路一般不能自行起振，這種振蕩器電路一般不能自行起振，而必須給以一個(gè)較大幅度的初始激勵(lì)，使而必須給以一個(gè)較大幅度的初始激勵(lì)，使動(dòng)態(tài)點(diǎn)越過不穩(wěn)定平衡點(diǎn)動(dòng)態(tài)點(diǎn)越過不穩(wěn)定平衡點(diǎn)B才能起振，這才能起振，這叫硬激勵(lì)起振，設(shè)計(jì)電路要力加避免。叫硬激勵(lì)起振，設(shè)計(jì)電路要力加避免。VomA0F1F1ABQ硬激勵(lì)起振特性硬激勵(lì)起振特性F1A0四、穩(wěn)定條件 1、振蕩器穩(wěn)定概念的

14、提出振蕩器穩(wěn)定概念的提出： 2、振蕩器的穩(wěn)定條件振蕩器的穩(wěn)定條件 振蕩器的穩(wěn)定條件分為振蕩器的穩(wěn)定條件分為振幅穩(wěn)定條件和相位穩(wěn)定條件振幅穩(wěn)定條件和相位穩(wěn)定條件。 (1) 振幅穩(wěn)定條件振幅穩(wěn)定條件 要使振幅穩(wěn)定，振蕩器在其平衡點(diǎn)必須具有阻止振幅變化的能力。具體來說，要使振幅穩(wěn)定，振蕩器在其平衡點(diǎn)必須具有阻止振幅變化的能力。具體來說，就是在平衡點(diǎn)附近，當(dāng)不穩(wěn)定因素使振幅增大時(shí)，環(huán)路增益將減小，從而使振幅減就是在平衡點(diǎn)附近，當(dāng)不穩(wěn)定因素使振幅增大時(shí)，環(huán)路增益將減小，從而使振幅減小。小。 振幅穩(wěn)定條件振幅穩(wěn)定條件為：為：0iAiUUiUT(5-17) 由于反饋網(wǎng)絡(luò)為線性網(wǎng)絡(luò)由于反饋網(wǎng)絡(luò)為線性網(wǎng)絡(luò), 即

15、反饋系數(shù)大小即反饋系數(shù)大小F不隨輸入信號(hào)改變不隨輸入信號(hào)改變, 故故振幅穩(wěn)振幅穩(wěn)定條件又可寫為定條件又可寫為 0iAiUUiUK (5-18) (2)、相位穩(wěn)定條件 我們知道，一個(gè)正弦信號(hào)的相位和它的頻率之間的關(guān)系：dtdtd (5-19a) (5-19b) 設(shè)振蕩器原在1 時(shí)處于相位平衡，即有：01L(5-20) 1()0fLF相位穩(wěn)定條件相位穩(wěn)定條件為： 振蕩器的相位平衡條件是振蕩器的相位平衡條件是T T（0 0）。 在振蕩在振蕩器工作時(shí)器工作時(shí), , 某些不穩(wěn)定因素可能破壞這一平衡條件。如電源某些不穩(wěn)定因素可能破壞這一平衡條件。如電源電壓的波動(dòng)或工作點(diǎn)的變化可能使晶體管內(nèi)部電容參數(shù)發(fā)生電

16、壓的波動(dòng)或工作點(diǎn)的變化可能使晶體管內(nèi)部電容參數(shù)發(fā)生變化變化, , 從而造成相位的變化從而造成相位的變化, , 產(chǎn)生一個(gè)偏移量產(chǎn)生一個(gè)偏移量。 由于瞬時(shí)角頻率是瞬時(shí)相位的導(dǎo)數(shù)由于瞬時(shí)角頻率是瞬時(shí)相位的導(dǎo)數(shù), , 所以瞬時(shí)角頻所以瞬時(shí)角頻率也將隨著發(fā)生變化。為了保證相位穩(wěn)定率也將隨著發(fā)生變化。為了保證相位穩(wěn)定, , 要求振蕩器的相要求振蕩器的相頻特性頻特性T T（）在振蕩頻率點(diǎn)應(yīng)具有阻止相位變化的能力。）在振蕩頻率點(diǎn)應(yīng)具有阻止相位變化的能力。具體來說具體來說, , 在平衡點(diǎn)在平衡點(diǎn)=0 0附近附近, , 當(dāng)不穩(wěn)定因素使瞬時(shí)角頻當(dāng)不穩(wěn)定因素使瞬時(shí)角頻率率增大時(shí)增大時(shí), , 相頻特性相頻特性T T（0

17、 0）應(yīng)產(chǎn)生一個(gè)）應(yīng)產(chǎn)生一個(gè)-, -, 從而產(chǎn)從而產(chǎn)生一個(gè)生一個(gè)-, -, 使瞬時(shí)角頻率使瞬時(shí)角頻率減??；減??； 012 (fF )L(fF )L, 圖 4-4 互感耦合振蕩器 5.2.1 振蕩器的組成原則（相位判?。┱袷幤鞯慕M成原則（相位判?。?由由LCLC回路引出三個(gè)端點(diǎn)分別與晶體管的三個(gè)電極相連構(gòu)回路引出三個(gè)端點(diǎn)分別與晶體管的三個(gè)電極相連構(gòu)成成, , 稱為三端式稱為三端式( (又稱三點(diǎn)式又稱三點(diǎn)式) ) 振蕩器振蕩器Ic.VUb.Uc.X2X1X3I. 圖中由電抗元件圖中由電抗元件 、 、 構(gòu)成了決定振蕩頻率的構(gòu)成了決定振蕩頻率的并聯(lián)諧振回路，同時(shí)也充當(dāng)了正反饋網(wǎng)絡(luò)并聯(lián)諧振回路，同時(shí)也充

18、當(dāng)了正反饋網(wǎng)絡(luò)5.2 三點(diǎn)式振蕩器三點(diǎn)式振蕩器首先，回路要諧振，即在諧振頻率處回路應(yīng)呈純電阻性首先，回路要諧振，即在諧振頻率處回路應(yīng)呈純電阻性, , 因而有：因而有：Ic.VUb.Uc.X2X1X3I.0321XXX其次，要構(gòu)成正反饋，則其次，要構(gòu)成正反饋，則其中放大器已倒相，所以要求其中放大器已倒相，所以要求反饋網(wǎng)絡(luò)也倒相，由圖有反饋網(wǎng)絡(luò)也倒相，由圖有1212XXIjXIjXUUFCb 因此因此1 1、2 2應(yīng)為同性質(zhì)的電抗元件，且應(yīng)為同性質(zhì)的電抗元件，且要與要與1 1、2 2電抗性質(zhì)相反電抗性質(zhì)相反nFKT2 綜上所述，從綜上所述，從相位平衡條件判斷電路能否振蕩的原則為：相位平衡條件判斷電

19、路能否振蕩的原則為： (1) X1、 X2應(yīng)為同性質(zhì)的電抗元件應(yīng)為同性質(zhì)的電抗元件。 即與晶體管發(fā)即與晶體管發(fā)射極相連的兩個(gè)電抗元件性質(zhì)相同，要么均為感性元件，要射極相連的兩個(gè)電抗元件性質(zhì)相同，要么均為感性元件，要么均為容性元件。么均為容性元件。 (2) X3與與X1、 X2的電抗性質(zhì)相反。的電抗性質(zhì)相反。即與晶體管基極相即與晶體管基極相連的兩個(gè)電抗元件性質(zhì)相反。連的兩個(gè)電抗元件性質(zhì)相反。 可以簡稱為：可以簡稱為：“射同余異射同余異”按照三端式振蕩器的組成原則，三端式振蕩器有兩種按照三端式振蕩器的組成原則，三端式振蕩器有兩種基本電路基本電路, 如圖所示。如圖所示。 圖圖 (a) 稱為電容反饋（

20、電容三端式）振蕩器稱為電容反饋（電容三端式）振蕩器, 也稱為也稱為考必茲考必茲(Colpitts)振蕩器振蕩器 LC2C1V(a)CL2L1V(b)X2X1X3X3X1X2(a) 電容反饋振蕩器電容反饋振蕩器; (b) 電感反饋振蕩器電感反饋振蕩器 圖圖 (b) 稱為電感反饋（電感三端式）振蕩器，又稱為稱為電感反饋（電感三端式）振蕩器，又稱為哈特萊哈特萊(Hartley)振蕩器振蕩器 下圖是一些常見振蕩器的高頻電路下圖是一些常見振蕩器的高頻電路, 請(qǐng)自行判斷它們是由請(qǐng)自行判斷它們是由哪種基本線路演變而來的。哪種基本線路演變而來的。 (d)Cbc(a)(b)(c)(e)(f)幾種常見振蕩器的高頻

21、電路幾種常見振蕩器的高頻電路 4.2.3 電容反饋振蕩器CbR1R2CeReC1C2EcLLc(a)V交流等效為圖 4 8電容反饋振蕩器電路(a) 實(shí)際電路; (b) 交流等效電路; (c) 高頻等效電路 LC2C1V(b) 21211()()ieLoeLiej CgjLYggj Cj CgjL gieUb.C1C2egieUb.(c)goegLbUb.gmI.YL當(dāng)忽略晶體管結(jié)電容的影響后。(4-25)222121222121111111111()()()()()()()(mLiemieieoeLiemoeLieiemoeLgjLT jK jF jYj CgjLgjLj Cgj CgjLjL

22、ggj Cj CgjLgjLggj Cj Cgj CgjLjLgggj CLC 2)ieiejLgj Cg 2122212222212122222111111()()()()()()()()()()()(moeLieiemoeLieiemoeLieieieoeLmoeLgT jggj CLCjLgj Cggggj CLCjLgj CggggLCLC ggjCLCLgggCgAjBAggLCLC 212211)()()ieieoeLgBCLCLgggC (4-26)B=0時(shí)符合相位條件，因此解出振蕩頻率1為，即：211121122112222111212121211212121010111()(

23、)()()()()()ieoeLieoeLieoeLieoeLieoeLBCLCLgggCCLCLgggCLgggCCgggC CLC CC CLCCgggLCC CLCC CCCC 其其中中(4-27)11221121121121122122211()()()()()()()():()moeLieLCmoeLieFmFoeLieFoeLmieFFieFgTjggLCgLCgCCgggCCjCCKjjCCg KTjggg Kgggg KKg KC 當(dāng)當(dāng)代代入入因因?yàn)闉椋核砸裕阂蛞虼舜似鹌鹫裾駰l條件件為為是是兩兩端端的的導(dǎo)導(dǎo)納納折折算算到到c c- -e e兩兩端端的的等等效效電電導(dǎo)導(dǎo)(4-

24、28)(4-29)(4-30)(4-31)5.2.3 電感三點(diǎn)式振蕩器電感三點(diǎn)式振蕩器 下圖是一電感反饋振蕩器的實(shí)際電路，交流等效電路和下圖是一電感反饋振蕩器的實(shí)際電路，交流等效電路和高頻等效電路高頻等效電路 。CbR1R2CeReL1CEc(a)VL2Ucb.Ub.CL2L1V(b)gieUb.L1cegieUb.(c)goegLUc.bUb.gmI.CL2M(1)振蕩器的振蕩頻率振蕩器的振蕩頻率MLMLFKF12LC101 式中的式中的L為回路的總電感：為回路的總電感：MLLL221(2) 反饋系數(shù)反饋系數(shù) (3) 起振條件起振條件FieFLoemKgKggg1)(J 哈特萊電路的優(yōu)點(diǎn)：哈

25、特萊電路的優(yōu)點(diǎn)：L1、L2之間有互感，反饋較強(qiáng)，容易起振；之間有互感，反饋較強(qiáng)，容易起振；L 電路的缺點(diǎn)電路的缺點(diǎn)振蕩波形不好，因?yàn)榉答侂妷菏窃陔姼猩汐@得，振蕩波形不好，因?yàn)榉答侂妷菏窃陔姼猩汐@得， 而電感對(duì)高次諧波呈高阻抗，因此對(duì)高次諧波的而電感對(duì)高次諧波呈高阻抗，因此對(duì)高次諧波的 反饋較強(qiáng)，使波形失真大；反饋較強(qiáng)，使波形失真大；電感反饋三端電路的振蕩頻率不能做得太高，這電感反饋三端電路的振蕩頻率不能做得太高，這 是因?yàn)轭l率太高，是因?yàn)轭l率太高，L L太小且分布參數(shù)的影響太太小且分布參數(shù)的影響太 大。大。振蕩頻率調(diào)節(jié)方便，只要調(diào)整電容振蕩頻率調(diào)節(jié)方便，只要調(diào)整電容C的大小即可。的大小即可。而

26、且而且C的改變基本上不影響電路的反饋系數(shù)。的改變基本上不影響電路的反饋系數(shù)。 Cb Re VCC Rc C3 C1 C2 L Rb2 Rb1 A B RL 5.2.4 兩種改進(jìn)型電容反饋振蕩器兩種改進(jìn)型電容反饋振蕩器 增加增加C3,C3,減小了晶體管減小了晶體管LCLC回路的耦合以提高頻率回路的耦合以提高頻率穩(wěn)定度穩(wěn)定度. . C1 L A B Coe Cie C2 Re b c e RL Ro C3 電路分析電路分析33,32111111213CCCCCCCCCC回路總電容)()()(021302131LLLRRCCRRpRCCCCp等效負(fù)載晶體管的接入系數(shù)32111LCLC振蕩頻率121F

27、LmFKRgCCFK起振條件為反饋系數(shù)優(yōu)點(diǎn)：頻率穩(wěn)定度高優(yōu)點(diǎn)：頻率穩(wěn)定度高因?yàn)榫w管因?yàn)榫w管Coe、Cie的接入系數(shù)小。的接入系數(shù)小。缺點(diǎn)：可調(diào)頻率范圍低（頻率覆蓋系數(shù)缺點(diǎn)：可調(diào)頻率范圍低（頻率覆蓋系數(shù)1.11.2） 因?yàn)楫?dāng)調(diào)整因?yàn)楫?dāng)調(diào)整C1 C2或或C3的值時(shí)的值時(shí), 會(huì)影響反饋系數(shù)或等會(huì)影響反饋系數(shù)或等 效負(fù)載效負(fù)載，影響到振蕩條件，影響到振蕩條件 性能特點(diǎn)性能特點(diǎn) 下圖是西勒振蕩器的實(shí)際電路和交流等效電路。下圖是西勒振蕩器的實(shí)際電路和交流等效電路。 Cb Re VCC Rc C1 C2 LRb2 Rb1 C3 C4 RL 增加可變電容增加可變電容C4，增加頻率調(diào)整范圍增加頻率調(diào)整范圍

28、C2 L C1 C4 C3 2、西勒振蕩器、西勒振蕩器)(1111114321434321CCLLCCCCCCCC振蕩頻率回路總電容電路分析電路分析)()()(021302131LLLRRCCRRpRCCCCp等效負(fù)載晶體管的接入系數(shù)121FLmFKRgCCFK起振條件為反饋系數(shù)5.3 頻率穩(wěn)定度的意義和表征頻率穩(wěn)定度的意義和表征 頻率穩(wěn)定，就是在各種外界條件發(fā)生變化的情況下，要頻率穩(wěn)定，就是在各種外界條件發(fā)生變化的情況下，要求振蕩器的實(shí)際工作頻率與標(biāo)稱頻率間的偏差及偏差的變化求振蕩器的實(shí)際工作頻率與標(biāo)稱頻率間的偏差及偏差的變化最小。最小。 振蕩器的頻率穩(wěn)定度則是指在一定時(shí)間間隔內(nèi)，由于各振蕩

29、器的頻率穩(wěn)定度則是指在一定時(shí)間間隔內(nèi)，由于各種因素變化，引起的振蕩頻率相對(duì)于標(biāo)稱頻率變化的程度。種因素變化，引起的振蕩頻率相對(duì)于標(biāo)稱頻率變化的程度。絕對(duì)準(zhǔn)確度絕對(duì)準(zhǔn)確度0fff相對(duì)準(zhǔn)確度相對(duì)準(zhǔn)確度000fffff 短期頻率穩(wěn)定度短期頻率穩(wěn)定度主要與溫度變化、電源電壓主要與溫度變化、電源電壓變化和電路參數(shù)不穩(wěn)定性等因素有關(guān)。變化和電路參數(shù)不穩(wěn)定性等因素有關(guān)。 長期頻率穩(wěn)定度長期頻率穩(wěn)定度主要取決于有源器件和電路主要取決于有源器件和電路元件及石英晶體和老化特性，與頻率的瞬間變化元件及石英晶體和老化特性，與頻率的瞬間變化無關(guān)。無關(guān)。 瞬間頻率穩(wěn)定度瞬間頻率穩(wěn)定度主要是由于頻率源內(nèi)部噪聲主要是由于頻率

30、源內(nèi)部噪聲而引起的頻率起伏，它與外界條件和長期頻率穩(wěn)而引起的頻率起伏，它與外界條件和長期頻率穩(wěn)定度無關(guān)。定度無關(guān)。5.3.1 影響頻率穩(wěn)定度的因素影響頻率穩(wěn)定度的因素振蕩回路參數(shù)對(duì)頻率的影響振蕩回路參數(shù)對(duì)頻率的影響因?yàn)檎袷庮l率因?yàn)檎袷庮l率LC10其相對(duì)頻率變化量為其相對(duì)頻率變化量為)CCLL(2100回路品質(zhì)因素回路品質(zhì)因素Q值對(duì)頻率的影響值對(duì)頻率的影響如右圖，如右圖，Q值越高，則相同的相角變值越高，則相同的相角變化引起頻率偏移越小?；痤l率偏移越小。ZYFoo2YFYFYFo2o2ZYFQ2Q1Q1Q21o1o1有源器件的參數(shù)對(duì)頻率的影響有源器件的參數(shù)對(duì)頻率的影響 振蕩管為有源器件，若它的

31、工作狀態(tài)振蕩管為有源器件，若它的工作狀態(tài)(電源電壓或周電源電壓或周圍溫度等圍溫度等)有所改變，則由式有所改變，則由式 如果晶體管參數(shù)如果晶體管參數(shù) h與與hi將發(fā)生變化，即引起振蕩頻將發(fā)生變化，即引起振蕩頻率的改變。率的改變。LC1211hhLC121fio 另外，另外， 當(dāng)外界因素當(dāng)外界因素(如電源電壓、溫度、濕度等如電源電壓、溫度、濕度等)變化變化時(shí)，這些參數(shù)隨之而來的變化就會(huì)造成振蕩器頻率的變化。時(shí)，這些參數(shù)隨之而來的變化就會(huì)造成振蕩器頻率的變化。5.3.2 振蕩器穩(wěn)定頻率的方法振蕩器穩(wěn)定頻率的方法 減小外因變化減小外因變化減小溫度的變化，可將振蕩器放在恒溫槽內(nèi)；另使振減小溫度的變化，可

32、將振蕩器放在恒溫槽內(nèi)；另使振 蕩器遠(yuǎn)離熱源，如采用正、負(fù)溫度系數(shù)不同的蕩器遠(yuǎn)離熱源，如采用正、負(fù)溫度系數(shù)不同的L、C，抵消，抵消 L、 C。減小電源的變化，采用二次穩(wěn)壓電源供電；或者振蕩減小電源的變化，采用二次穩(wěn)壓電源供電；或者振蕩器采取單獨(dú)供電。器采取單獨(dú)供電。3) 減小濕度和大氣壓力的影響，通常將振蕩器密封起來。減小濕度和大氣壓力的影響，通常將振蕩器密封起來。4) 減小磁場感應(yīng)對(duì)頻率的影響，對(duì)振蕩器進(jìn)行屏蔽。減小磁場感應(yīng)對(duì)頻率的影響，對(duì)振蕩器進(jìn)行屏蔽。5) 消除機(jī)械振動(dòng)的影響消除機(jī)械振動(dòng)的影響 通?？杉酉鹌|圈作減振器。通常可加橡皮墊圈作減振器。減小負(fù)載的影響，在振蕩器和下級(jí)電路之間加緩沖

33、減小負(fù)載的影響，在振蕩器和下級(jí)電路之間加緩沖 器，提高回路器，提高回路Q值；本級(jí)采用低阻抗輸出，本級(jí)輸值；本級(jí)采用低阻抗輸出，本級(jí)輸出與下一級(jí)采取松耦合；采取克拉潑或西勒電路，減弱出與下一級(jí)采取松耦合；采取克拉潑或西勒電路，減弱晶晶 體管與振蕩回路之間耦合，使折算到回路內(nèi)的有源體管與振蕩回路之間耦合，使折算到回路內(nèi)的有源器件參數(shù)減小，提高回路標(biāo)準(zhǔn)性，提高頻率穩(wěn)定度。器件參數(shù)減小，提高回路標(biāo)準(zhǔn)性，提高頻率穩(wěn)定度。 提高回路的標(biāo)準(zhǔn)性提高回路的標(biāo)準(zhǔn)性 所謂回路的標(biāo)準(zhǔn)性即指振蕩回路在外界因素變化時(shí)保持所謂回路的標(biāo)準(zhǔn)性即指振蕩回路在外界因素變化時(shí)保持其固有諧振頻率不變的能力。其固有諧振頻率不變的能力。

34、要提高回路標(biāo)準(zhǔn)性即要減小要提高回路標(biāo)準(zhǔn)性即要減小 L L和和 C C，因此可采取優(yōu)質(zhì)材，因此可采取優(yōu)質(zhì)材料的電感和電容。料的電感和電容。 減小相角減小相角 YF及其變化量及其變化量YF 為使振蕩器的頻率穩(wěn)定度高，則要求為使振蕩器的頻率穩(wěn)定度高，則要求 YF的數(shù)值小，且的數(shù)值小，且變化量小。變化量小。 可使振蕩器的工作頻率比振蕩管的的特性頻率低很多，可使振蕩器的工作頻率比振蕩管的的特性頻率低很多，即即f(310)f1max。同時(shí)希望電流放大系數(shù)大些,這既容易振蕩,也便于減小晶體管和回路之間的耦合。3直流饋電線路的選擇 為保證振蕩器起振的振幅條件,起始工作點(diǎn)應(yīng)設(shè)置在線性放大區(qū);從穩(wěn)頻出發(fā),穩(wěn)定狀態(tài)

35、應(yīng)在截止區(qū),而不應(yīng)在飽和區(qū),否則回路的有載品質(zhì)因數(shù)QL將降低。所以,通常應(yīng)將晶體管的靜態(tài)偏置點(diǎn)設(shè)置在小電流區(qū)（14mA）,電路應(yīng)采用自偏壓。 4振蕩回路元件選擇 從穩(wěn)頻出發(fā),振蕩回路中電容C應(yīng)盡可能大,但C過大,不利于波段工作;電感L也應(yīng)盡可能大,但L大后,體積大,分布電容大,L過小,回路的品質(zhì)因數(shù)過小,因此應(yīng)合理地選擇回路的C、L。在短波范圍,C一般取幾十至幾百皮法,L一般取0.1至幾十微亨。5反饋回路元件選擇 由前述可知,為了保證振蕩器有一定的穩(wěn)定振幅以及容易起振,在靜態(tài)工作點(diǎn)通常應(yīng)選擇35fLY R F 當(dāng)靜態(tài)工作點(diǎn)確定后,Yf的值就一定,對(duì)于小功率晶體管可以近似為260 10 5. .

36、CQfmImAYgmVF 反饋系數(shù)的大小應(yīng)在下列范圍選擇4.5 石英晶體振蕩器4.5.1 石英晶體振蕩器的特點(diǎn)：特點(diǎn)：1.晶體具有很高的標(biāo)準(zhǔn)性，因此諧振頻率非常穩(wěn)定。而且Q值很高，一般104。2. 頻率范圍小，f0fq3.石英晶體諧振器與有源器件的接入系數(shù)p很小,一般為 10-310-4。 4. 在 q、 0之間相當(dāng)于一個(gè)等效大電感Lq，如在串聯(lián)諧振頻率附近21112(/)/oqqqeqqqqqqqdLCdxLCddLL CLC 5. 利用它可組成泛音振蕩器(4-67)石英晶振的石英晶振的Q值和特性阻抗值和特性阻抗 都非常都非常高。高。Q值可達(dá)幾萬到幾百萬。值可達(dá)幾萬到幾百萬。（2） 由于石英

37、晶振的接入系數(shù)由于石英晶振的接入系數(shù)P= Cq/(C0+ Cq)很小，所以外很小，所以外 接元器件參數(shù)對(duì)石英晶振的影響很小。接元器件參數(shù)對(duì)石英晶振的影響很小。 因?yàn)橐驗(yàn)閝qqqq1CL1Q而而Lq較大，較大，Cq與與rq很小很小 (1)若忽略若忽略 q，則晶振兩端呈現(xiàn)純電抗。，則晶振兩端呈現(xiàn)純電抗。1 1、串聯(lián)諧振頻率、串聯(lián)諧振頻率 qqqCL21f2、并聯(lián)諧振頻率、并聯(lián)諧振頻率0qqq00qq0q0qpCC1fCCCfCCCCL21f若忽略若忽略 q，則晶振兩端呈現(xiàn)純電抗。，則晶振兩端呈現(xiàn)純電抗。1 1、串聯(lián)諧振頻率、串聯(lián)諧振頻率 qqqCL21f2、并聯(lián)諧振頻率、并聯(lián)諧振頻率0qqq00q

38、q0q0qpCC1fCCCfCCCCL21f4.5.2 晶體振蕩器電路(Parallel-Mode Crystal Oscillators)晶體振蕩器可為晶體振蕩器可為并聯(lián)型晶體振蕩器和串聯(lián)型晶體振并聯(lián)型晶體振蕩器和串聯(lián)型晶體振蕩器。蕩器。 1并聯(lián)型晶體振蕩器（a）皮爾斯(Pierce)振蕩器 在圖-24(a)中，當(dāng)工作在晶體頻率附近，晶體相當(dāng)于一個(gè)電感，構(gòu)成電容三點(diǎn)式，符合平衡條件，因此振蕩器頻率近似等于晶體的頻率，即f1=f0。(a)CeEc(a)C1C2C3(b)C1VCEBC2Ub.gmUb.C3CqLqrqC0CeEc( a )C1C2C3( b )C1VCEBC2Ub.gmUb.C

39、3CqLqrqC0 圖424 皮爾斯振蕩器 (b)(c) 但是由于不能改變頻率，故常在C1和晶體管之間加一個(gè)電容C3，如圖-24(b)，這時(shí)振蕩器的工作頻率應(yīng)由C1、C2、C3及晶體構(gòu)成的回路決定,即由晶體電抗Xe與外部電容相等的條件決定。001000111122()()()qqqLLqqLqqqLCCpCCCCCCffCCCffpfCC 接接入入系系數(shù)數(shù)為為振振蕩蕩頻頻率率為為1231111110LeLCCCCXC 設(shè)外部電容為CL,則：振蕩條件(4-68)(4-69)(4-70)(4-71)圖425 并聯(lián)型晶體振蕩器穩(wěn)頻原理20012 VC1V68 k 3/15 pF20 pF15 k 3

40、3 k 7503DG6C300 pF4700 pF301 k C2f1(MHz)1515C1(pF)600350120C2(pF)75051032020012 VC1V68 k 3/15 pF20 pF15 k 33 k 7503D G 6C300 pF4700 pF301 k C2f1(MH z)1515C1(pF)600350120C2(pF)7505103201k 圖426 并聯(lián)型晶體振蕩器的實(shí)用線路忽略rq時(shí)的晶體電抗1 1 X1LC 1LC q （b）密勒）密勒(Miler)振蕩器振蕩器 可見，只要晶體等效為電感，LC1應(yīng)滿足下列條件：1112fLC EcVC2LCeC1 則該電路為

41、一個(gè)電感三點(diǎn)式振蕩器。L1、C1的作用為抑制諧波，故輸出波形較好，但是，由于晶體直接并接于b-e間，且rbe較小，故降低了品質(zhì)因數(shù)，所以頻率穩(wěn)定度較Pirce電路要低。 圖427 密勒振蕩器2 2、泛音泛音石英晶體的阻抗頻率特石英晶體的阻抗頻率特性性C0(a) (b)CqLqrqC0Cq1Lq1rq1Cq3Lq3rq3Cq5Lq5rq5CqkLqkrqk(c) 符號(hào)符號(hào) 基頻等效電路基頻等效電路 完整等效電路完整等效電路 石英晶體諧振器石英晶體諧振器（c）泛音振蕩器 當(dāng)要求頻率較高時(shí)，可采用泛音振蕩器圖428 泛音晶體皮爾斯振蕩器 111135LC LC1用來破壞基頻和低次泛音的相位條件。例如

42、，要工作在5次泛音上。則必須保證： 泛音較高時(shí)，由于接入系數(shù)將減小，因此使等效到ce兩端的阻抗也減小，不利于起振。故一般最高為7次泛音振蕩。VLC13/15 pF430 pF220 pF20 pF5.6 H（d）場效應(yīng)管并聯(lián)晶體振蕩器振蕩器4.7 k 24 V輸出1 M 1 000 pF1 000 pF1 000 pF圖429 場效應(yīng)管晶體并聯(lián)型振蕩器線路2串聯(lián)型晶體振蕩器串聯(lián)型晶體振蕩器(Series-Mode Crystal Oscillators) 基本原則：提供正反饋通路 晶體串聯(lián)在諧振回路上，當(dāng)f1=fq時(shí)，晶體相當(dāng)于短路，構(gòu)成一個(gè)電容三點(diǎn)式電路，而當(dāng)頻率偏離fq時(shí)，晶體相當(dāng)于很大的

43、阻抗，破壞了振幅條件，不能振蕩。 EcVLC2C1(a)C1C2LVJT(b)圖430一種串聯(lián)型晶體振蕩器(a)實(shí)際線路;(b)等效電路 如果有高頻放大器 ，則可以直接利用晶體構(gòu)成正反饋，如集成電路XK76。V1V2V3V4V5圖4-31 XK76集成晶體振蕩器的內(nèi)部電路 V1、V2和晶體組成兩級(jí)正反饋放大器。 V3是跟隨器，V4、V5是輸出放大器3使用注意事項(xiàng)使用注意事項(xiàng)(1)石英晶體諧振器的標(biāo)稱頻率都是在出廠前,在石英晶體諧振器上并接一定負(fù)載電容條件下測定的,實(shí)際使用時(shí)也必須外加負(fù)載電容,并經(jīng)微調(diào)后才能獲得標(biāo)稱頻率。 (2)石英晶體諧振器的激勵(lì)電平應(yīng)在規(guī)定范圍內(nèi)。(3)晶體頻率是固定的，如

44、需要改變頻率時(shí)，應(yīng)用頻率合成技術(shù)。(4)晶體如果損壞，可利用C0做電容使用， 但無穩(wěn)頻作用。4.5.3 高穩(wěn)定晶體振蕩器 一般晶體是10-5量級(jí)的穩(wěn)定度。如果要求更高，一定要采取其它技術(shù)措施。 方法一：采用較低溫度系數(shù)的晶體。如AT（切片），廣泛用于幾兆到幾十兆的振蕩器。T ( )806040200 20 40 40 20 (10 6)f fA T圖432 AT切片的頻率溫度特性方法二：采取恒溫措施 （1）將晶體放在恒溫槽里直流放大器功率放大器電橋感溫電阻加熱電阻晶振調(diào)諧放大器輸出放大器檢波器恒溫槽AGC 電壓圖433 恒溫晶體振蕩器的組成恒溫控制電路晶體振蕩電路（2）.采用溫度補(bǔ)償電路RTR

45、TEc(T) EcERT為溫敏電阻通過RT的調(diào)節(jié)，調(diào)整加在變?nèi)荻O管上的電壓，從而補(bǔ)償由溫度引起的晶體頻率的改變穩(wěn)定頻率。圖434 溫度補(bǔ)償晶振的原理線路5.5 RC振振 蕩蕩 器器 當(dāng)要求產(chǎn)生頻率在幾十千赫以下的正弦波信號(hào)時(shí)當(dāng)要求產(chǎn)生頻率在幾十千赫以下的正弦波信號(hào)時(shí), 如仍采如仍采用回路作選頻網(wǎng)絡(luò)用回路作選頻網(wǎng)絡(luò), 則所需回路電感量很大則所需回路電感量很大, 使元件體積使元件體積增大增大, 且使用不方便。且使用不方便。 這時(shí)這時(shí), 可以改用電路作選頻網(wǎng)絡(luò)可以改用電路作選頻網(wǎng)絡(luò), 同同時(shí)采用晶體管或集成電路作為放大器時(shí)采用晶體管或集成電路作為放大器, 組成振蕩器。組成振蕩器。振蕩器也是一種反饋

46、型振蕩器振蕩器也是一種反饋型振蕩器, 用于產(chǎn)生低頻正弦波信號(hào)。用于產(chǎn)生低頻正弦波信號(hào)。 5.4.1 文氏電橋振蕩器文氏電橋振蕩器 串并聯(lián)選頻電路在串并聯(lián)選頻電路在=0處的相移為零處的相移為零, 所以所以, 為了形成正為了形成正反饋反饋, 必須采用同相放大器。通常可以采用兩級(jí)共射電路組成必須采用同相放大器。通常可以采用兩級(jí)共射電路組成, 或者采用同相集成運(yùn)算放大器。后者所組成的振蕩電路如圖或者采用同相集成運(yùn)算放大器。后者所組成的振蕩電路如圖（a）所示。）所示。（a）圖可以改畫成如圖可以改畫成如（b）圖所示的文氏電橋電路圖所示的文氏電橋電路形式形式, 因而稱為文氏電橋振蕩器。因而稱為文氏電橋振蕩器

47、。 與振蕩器相同與振蕩器相同, 振蕩器也必須滿足振蕩器也必須滿足起振起振、 平衡平衡、穩(wěn)定穩(wěn)定三個(gè)條件。三個(gè)條件。 文氏電橋振蕩電路文氏電橋振蕩電路 。31.ffRRA 文氏電橋振蕩器的反饋系數(shù)（即串并聯(lián)選頻電路的傳輸文氏電橋振蕩器的反饋系數(shù)（即串并聯(lián)選頻電路的傳輸系數(shù)）為：系數(shù)）為：)(3100wwwwjF其中震蕩角頻率其中震蕩角頻率RCw10或RCf210所以所以200)(911wwwwF 所以所以, 在在N()= 處處, 有有1=0.30, 2=3.30。21 可見可見, 串并聯(lián)選頻電路的幅頻特性不對(duì)稱串并聯(lián)選頻電路的幅頻特性不對(duì)稱, 且選擇性較差。且選擇性較差。 由于串并聯(lián)選頻電路組成

48、的反饋網(wǎng)絡(luò)在振蕩頻率由于串并聯(lián)選頻電路組成的反饋網(wǎng)絡(luò)在振蕩頻率f0處的增益處的增益為為1/3, 所以同相運(yùn)放的起始增益必須大于所以同相運(yùn)放的起始增益必須大于, 才能滿足環(huán)路才能滿足環(huán)路增益大于的振幅起振條件。文氏電橋振蕩器由于串并聯(lián)選增益大于的振幅起振條件。文氏電橋振蕩器由于串并聯(lián)選頻電路的選頻特性差頻電路的選頻特性差, 不能有效地濾除高次諧波分量不能有效地濾除高次諧波分量, 所以所以, 放大器必須工作在線性區(qū)放大器必須工作在線性區(qū), 才能保證輸出波形非線性失真小。才能保證輸出波形非線性失真小。 為此為此,采用了以下兩個(gè)方法：采用了以下兩個(gè)方法： () 引入負(fù)反饋以減小和限制放大器的增益引入負(fù)

49、反饋以減小和限制放大器的增益, 使在開始使在開始時(shí)放大器增益略大于時(shí)放大器增益略大于, 這樣這樣, 環(huán)路增益僅在振蕩頻率環(huán)路增益僅在振蕩頻率0及及其附近很窄的頻率段略大于其附近很窄的頻率段略大于, 滿足振幅起振條件滿足振幅起振條件, 而在其余而在其余頻段均不滿足正反饋振幅起振條件。頻段均不滿足正反饋振幅起振條件。 () 在負(fù)反饋支路上采用具有負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。在負(fù)反饋支路上采用具有負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。 起振后起振后, 振蕩電壓振幅逐漸增大振蕩電壓振幅逐漸增大, 加在加在t上的平均功率增加上的平均功率增加, 溫度升高溫度升高, 使使t阻值減小阻值減小, 負(fù)反饋加深負(fù)反饋加深, 放大器增益迅速下降。放大器增益迅速下降。 這樣這樣, 放大器在線性工作區(qū)就會(huì)具有隨振幅增加而增益下降放大器在線性工作區(qū)就會(huì)具有隨振幅增加而增益下降的特性的特性, 滿足振幅平衡和穩(wěn)定條件。滿足振幅平衡和穩(wěn)定條件。 可見可見, 文氏電橋振蕩器是依靠外加熱敏電阻形成可變負(fù)反文氏電橋振蕩器是依靠外加熱敏電阻形成可變負(fù)反饋來實(shí)現(xiàn)振幅的平衡和穩(wěn)定饋來實(shí)現(xiàn)振幅的平衡和穩(wěn)定, 這種方法稱為外穩(wěn)幅；這種方法稱為外穩(wěn)幅； 而像而像振蕩器那樣依靠晶體管本身的非線性特性來穩(wěn)定振幅的方法振蕩器那樣依靠晶體