正負(fù)片流程區(qū)別簡(jiǎn)介

1、1正負(fù)片流程區(qū)別簡(jiǎn)介正負(fù)片流程區(qū)別簡(jiǎn)介制作者制作者：leo _ qiu2簡(jiǎn)介簡(jiǎn)介大綱大綱l名詞解釋名詞解釋l正片流程簡(jiǎn)介正片流程簡(jiǎn)介l負(fù)片流程簡(jiǎn)介負(fù)片流程簡(jiǎn)介l正負(fù)片流程區(qū)別正負(fù)片流程區(qū)別l正負(fù)片流程優(yōu)缺點(diǎn)正負(fù)片流程優(yōu)缺點(diǎn)3 正片流程 又稱tenting流程，所用底片為負(fù)片底片。 負(fù)片底片 “所見(jiàn)非所得”，底片透明部份是要保留圖形。名詞解釋名詞解釋透明部分是要保留的圖形4 負(fù)片流程 又稱pattern流程，所用底片為正片底片。 正片底片 “所見(jiàn)即所得”，底片黑色部份是要保留的圖形。名詞解釋名詞解釋黑色部份是要保留的圖形5正負(fù)片基本流程對(duì)照正負(fù)片基本流程對(duì)照一銅外層二銅蝕刻鑽孔外層aoi負(fù)片流程

2、全板電鍍外層鑽孔外層aoi正片流程6正片流程詳細(xì)介紹正片流程詳細(xì)介紹全板電鍍 利用整板電鍍的方法，使孔銅和面銅達(dá)到rd要求。清潔板面，去除鑽孔後的burr。利用kmno4的強(qiáng)氧化性，除去孔內(nèi)膠渣，增加孔內(nèi)表面積，提高孔銅與孔壁結(jié)合力。利用化學(xué)沉積方法，使desmear後之非導(dǎo)體區(qū)覆蓋良好導(dǎo)電薄膜即，讓之後的電鍍銅能順利鍍上。deburrdesmearpth整板電鍍鑽孔7正片流程詳細(xì)介紹正片流程詳細(xì)介紹外層前處理壓膜曝光顯影經(jīng)過(guò)刷磨+微蝕，清潔並粗化表面，增加乾膜附著力。將乾膜貼附在基板表面，為影像轉(zhuǎn)移做準(zhǔn)備。所用乾膜貼附力好，tenting能力強(qiáng)。使用負(fù)片底片以u(píng)v光透過(guò)黑白底片照射乾膜，乾膜

3、光阻中的自由基在uv光的照射下發(fā)生聚合反應(yīng)，從而使底片上的圖形轉(zhuǎn)移到乾膜上。利用碳酸鈉溶液將曝光過(guò)程中未聚合乾膜溶解，留下已曝光的乾膜。曝光負(fù)片底片顯影8正片流程詳細(xì)介紹正片流程詳細(xì)介紹外層利用蝕刻液將顯影後未被乾膜覆蓋之銅咬蝕乾淨(jìng)。酸性蝕刻液成份：h2o2/hcl系列或naclo3/hcl系列利用去膜液（naoh）將蝕刻後線路表面乾膜去除，使線路顯現(xiàn)出來(lái)。酸性蝕刻去膜外層aoi蝕刻去膜9負(fù)片流程詳細(xì)介紹負(fù)片流程詳細(xì)介紹一銅目的：在孔壁上電鍍一層基銅，以便二銅電鍍。deburrdesmearpth一銅清潔板面，去除鑽孔後的burr。利用化學(xué)沉積方法，使desmear後之非導(dǎo)體區(qū)覆蓋良好導(dǎo)電薄膜

4、即，讓之後的電鍍銅能順利鍍上。一銅一銅利用kmno4的強(qiáng)氧化性，除去孔內(nèi)膠渣，增加孔內(nèi)表面積，提高孔銅與孔壁結(jié)合力。10負(fù)片流程詳細(xì)介紹負(fù)片流程詳細(xì)介紹外層前處理壓膜曝光顯影使用正片底片以u(píng)v光透過(guò)黑白底片照射乾膜，乾膜光阻中的自由基在uv光的照射下發(fā)生聚合反應(yīng)，從而使底片上的圖形轉(zhuǎn)移到乾膜上。經(jīng)過(guò)刷磨+微蝕，清潔並粗化表面，增加乾膜附著力。將乾膜貼附在基板表面，為影像轉(zhuǎn)移做準(zhǔn)備。所用乾膜抗鍍性較好。利用碳酸鈉溶液將曝光過(guò)程中未聚合乾膜溶解，留下已曝光的乾膜。曝光正片底片顯影11負(fù)片流程詳細(xì)介紹負(fù)片流程詳細(xì)介紹二銅電鍍二銅電鍍錫將孔銅&面銅鍍到rd要求鍍錫，保護(hù)蝕刻時(shí)圖形不被蝕刻掉。二

5、銅鍍二銅，並鍍錫12負(fù)片流程詳細(xì)介紹負(fù)片流程詳細(xì)介紹蝕刻去掉乾膜，將不需要的銅顯露出來(lái)，以便藥水咬蝕。利用蝕刻液將顯影後未被乾膜覆蓋之銅咬蝕乾淨(jìng)，需要保留的圖形由錫保護(hù)，完成圖形。鹼性蝕刻液成份：氯化銨（nh4cl）和氨水（nh3h2o）錫已完成使命，將錫去除。去膜鹼性蝕刻剝錫外層aoi去膜蝕刻剝錫13正負(fù)片流程區(qū)別正負(fù)片流程區(qū)別項(xiàng)目正片流程負(fù)片流程底片負(fù)片底片正片底片曝光髒點(diǎn)影響 底片上曝光髒點(diǎn)會(huì)形成線路缺口/斷路底片上曝光髒點(diǎn)會(huì)形成殘銅pth/npthpth需乾膜tenting保護(hù)，npth不需要。npth需乾膜覆蓋保護(hù)，pth不需要。蝕刻液性質(zhì)酸性蝕刻鹼性蝕刻蝕刻液主要成份h2o2/hc

6、l系列或naclo3/hcl系列氯化銨（nh4cl）和氨水（nh3h2o）阻蝕劑乾膜或液態(tài)感光油墨，耐酸不耐鹼。錫sn ，耐鹼不耐酸。蝕刻咬蝕部位 蝕刻咬蝕全銅厚，虛影大。蝕刻咬蝕底銅+一銅，虛影小。乾膜要求所用乾膜貼附力好，tenting能力強(qiáng)。所用乾膜抗鍍性較好。14 正片流程正片流程優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)： 能夠製作無(wú)ring npth孔及較大的npth孔。（npth孔無(wú)需tenting保護(hù)） 能夠製作外層兩面殘銅率較大的pcb。 （整板電鍍不受殘銅率影響） 流程短，成本相對(duì)低。缺點(diǎn)：缺點(diǎn)： 無(wú)法製作較大的pth孔。（tenting能力限制） 不宜製作高孔銅&厚面銅的pcb。 （面銅太厚，不易蝕刻） 負(fù)片流程負(fù)片流程優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)： 能夠製作無(wú)ring pth孔及較大的pth孔。 （pth孔無(wú)需tenting保護(hù)） 能夠製作高縱橫比&厚孔銅&厚面銅的pcb。 （蝕刻只需要咬蝕底銅+一銅）缺點(diǎn)：缺