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1、數(shù)字邏輯設(shè)計(jì)習(xí)題解答第三章王堅(jiān)王堅(jiān) 3.1 3.1 邏輯邏輯0 0 邏輯邏輯1 1以及不確定邏輯以及不確定邏輯highabnomallow不確定邏輯因此-0.6v,-2.0v是邏輯00v,0.7v是邏輯01.7v,2.5v,3.3v為邏輯11.6v為不確定邏輯2vdd = +5.0vvoutvintptn反向器不確定邏輯:電路可將其解釋為邏輯不確定邏輯:電路可將其解釋為邏輯0也可以解釋為邏輯也可以解釋為邏輯13.7 二輸入cmos與非門中晶體管的類型和個數(shù)2個nmos,2個pmosvdd = +5.0vzabn3.9對于給定的硅面積,cmos與非門要cmos或非門速度要快。n溝道的導(dǎo)通電阻比p
2、溝道的導(dǎo)通電阻低。vdd zabvddzabnandnor3.16 cmos反向門還是非反向門用的晶體管少? cmos反相器所用的晶體管數(shù)少,因?yàn)閏mos非反相器為2個cmos反相器串聯(lián)組成, 且cmos反相器是cmos邏輯中用門最少的。(課本60頁)vdd = +5.0vvoutvintptn反向器3.23如果輸出電流為負(fù)值,那么是提供電流還是吸收電流? 輸出是提供電流(source) 輸入是吸收電流(sink) 因?yàn)橐?guī)定流出節(jié)點(diǎn)電流為負(fù),流入節(jié)點(diǎn)電流為正。題目說器件輸出電流為負(fù)值。所以為提供電流。(見圖3-53)3.37一個斯密特反向觸發(fā)器:highabnomallowvilmaxvihm
3、in滯后為vt+ - vt-=0.5v3.39 open-drain上拉電阻問題漏極開路輸出:指漏極通常處于懸空狀態(tài),電路輸出為高阻態(tài)(即斷開)。為了使這個器件正常工作,通常在它的輸出端上拉一個電阻。 則電路內(nèi)部斷開時則輸出為高電平,若內(nèi)部導(dǎo)通時上拉電阻的另一端則被拉到地,輸出為低電平。上拉電阻之前上拉電阻后3.39 open-drain上拉電阻問題有利不利上拉大電阻 功耗降低增大低態(tài)噪聲容限時間常數(shù)增加上拉小電阻 增大高電平噪聲容限 時間常數(shù)減小功耗增加開漏形式的電路有以下幾個特點(diǎn):1.利用外部電路的驅(qū)動能力,減少ic內(nèi)部的驅(qū)動, 或驅(qū)動比芯片電源電壓高的負(fù)載。2.可以將多個開漏輸出的pin
4、,連接到一條線上。通過一只上拉電阻,在不增加任何器件的情況下,形成“線與邏輯”關(guān)系。這也是i2c,smbus等總線判斷總線占用狀態(tài)的原理。3.由于漏級開路,所以后級電路必須接一上拉電阻,上拉電阻的電源電壓就可以決定輸出電平。這樣就可以進(jìn)行任意電平的轉(zhuǎn)換了。4.漏極開路提供了靈活的輸出方式,但是也有其弱點(diǎn),就是帶來上升沿的延時。因?yàn)樯仙厥峭ㄟ^外接上拉無源電阻對負(fù)載充電,所以當(dāng)電阻選擇小時延時就小,但功耗大;反之延時大功耗小。所以如果對延時有要求,則建議用下降沿輸出。思考?3.42中所提到的線與邏輯為什么比單個與門要慢3.47 n 輸入的二極管與門需要n個二極管 如右圖所示n輸入的二極管構(gòu)成的與
5、門,只要有一個輸入為低電平,則輸出也為低電平,共有n個二極管vccd1d2dn-1dnx1x2xn-1xnyy=x1x2.xn只要有一個為邏輯0時,輸出為邏輯0所有的為邏輯1時,輸出為邏輯13.49 ttl 驅(qū)動多個ttl(表3-10)n74ls驅(qū)動74as 低態(tài)扇出:iolmax/iilmax=|8ma/-0.5ma|=16 高態(tài)扇出:iohmax/iihmax=|-400a/20a |=20 總扇出min(高態(tài)扇出,低態(tài)扇出)=16 ,高態(tài)還有剩余驅(qū)動能力所以高態(tài)剩余驅(qū)動能力:(20-16)*20a=80a n74ls驅(qū)動74f 低態(tài)扇出: iolmax/iilmax =|8ma/0.6m
6、a|(下取整)=13 高態(tài)扇出: iohmax/iihmax =|-400a/20a |=20 總扇出min(高態(tài)扇出,低態(tài)扇出)=13 ,高態(tài)還有剩余驅(qū)動能力所以高態(tài)剩余驅(qū)動能力: (20-13)*20a=140a n3.56噪聲門限:多大的噪聲會使最壞輸出電壓被破壞得不可識別vddvouthighvohminvsslowvolmaxvddhighvihminvsslowvilmaxvinnoise marginnoise marginhigh state noise margin : (vohmin-vihmin)low state noise margin : (vilmax-volmax)3.57 cmos驅(qū)動ttl(a)74hct驅(qū)動74ls 低態(tài)扇出: iolmax/iilmax=4ma/0.4ma=10 高態(tài)扇出:iohmax/iihmax=400ma/20a =200 總扇出min(高態(tài)扇出,低態(tài)扇出)=10 所以高態(tài)剩余驅(qū)動能力: (200-10)*20a=3800a(b)74vhct驅(qū)動74s 低態(tài)扇出: iolmax/iilmax=8ma/2ma=4 高態(tài)扇出:i
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