第五章過(guò)渡金屬氧化物催化劑(一)-半導(dǎo)體理論_第1頁(yè)
第五章過(guò)渡金屬氧化物催化劑(一)-半導(dǎo)體理論_第2頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、過(guò)渡金屬半導(dǎo)體氧化物催化劑n金屬氧化物中缺陷和半導(dǎo)體性質(zhì)滿帶:凡是能被子電子完全充滿的能帶叫滿帶。導(dǎo)帶:凡是能帶沒有完全被電子充滿的??諑В焊緵]有填充電子的能帶。禁帶:在導(dǎo)帶(空帶)和滿帶之間沒有能級(jí)不能填充電子這個(gè)區(qū)間叫禁帶。半導(dǎo)體的禁帶寬度一般在0.2-3eV。本征半導(dǎo)體、n型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體nN型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體的形成當(dāng)金屬氧化物是非化學(xué)計(jì)量,或引入雜質(zhì)離子或原子可產(chǎn)生n型、p型半導(dǎo)體。雜質(zhì)是以原子、離子或集團(tuán)分布在金屬氧化物晶體中,存在于晶格表面或晶格交界處。這些雜質(zhì)可引起半導(dǎo)體禁帶中出現(xiàn)雜質(zhì)能級(jí)。如果能級(jí)出現(xiàn)在靠近半導(dǎo)體導(dǎo)帶下部稱為施主能級(jí)。施主能的電子容易激發(fā)到導(dǎo)帶中產(chǎn)生自由

2、電子導(dǎo)電。這種半導(dǎo)體稱為n型半導(dǎo)體。如果出現(xiàn)的雜質(zhì)能級(jí)靠近滿帶上部稱為受主能級(jí)。在受主能級(jí)上有空穴存在。很容易接受滿帶中的躍遷的電子使?jié)M帶產(chǎn)生正電空穴關(guān)進(jìn)行空穴導(dǎo)電,這種半導(dǎo)體稱為p型半導(dǎo)體。施主受主EFEF本征npEFn型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體的生成nn型半導(dǎo)體生成條件A)非化學(xué)計(jì)量比化合物中含有過(guò)量的金屬原子或低價(jià)離子可生成n型半導(dǎo)體。B)氧缺位C)高價(jià)離子取代晶格中的正離子D)引入電負(fù)性小的原子。nP型半導(dǎo)體生成條件A)非化學(xué)計(jì)量比氧化物中出現(xiàn)正離子缺位。B)用低價(jià)正電離子取代晶格中正離子。C)向晶格摻入電負(fù)性在的間隙原子。半導(dǎo)體導(dǎo)電性影響因素溫度升高,提高施主能級(jí)位置,增加施主雜質(zhì)濃度可提

3、高n型半導(dǎo)體的導(dǎo)電性。溫度升高,降低受主能級(jí)位置或增加受主雜質(zhì)濃度都可以提高p型半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力。催化劑制備上措施:晶體缺陷,摻雜,通過(guò)雜質(zhì)能級(jí)來(lái)改善催化性能。雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體催化劑的影響 1、對(duì)n型半導(dǎo)體A)加入施主型雜質(zhì),EF 導(dǎo)電率B)加入受主雜質(zhì), EF 導(dǎo)電率2、對(duì)p型半導(dǎo)體A)加入施主型雜質(zhì)EF 導(dǎo)電率B)加入受主型雜質(zhì)EF 導(dǎo)電率半導(dǎo)體催化劑化學(xué)吸附與催化作用1、化學(xué)吸附A)受電子氣體吸附(以O(shè)2為例)(1)在n型半導(dǎo)體上吸附 O2電負(fù)性大,容易奪導(dǎo)帶電子,隨氧壓增大而使導(dǎo)帶中自由電子減少,導(dǎo)電率下降。另一方面在表面形成的負(fù)電層不利于電子進(jìn)一步轉(zhuǎn)移,結(jié)果是氧在表面吸附是有限的。(2)

4、p型半導(dǎo)體上吸附 O2相當(dāng)于受主雜質(zhì),可接受滿帶的電子增加滿帶空穴量,隨氧壓的增加導(dǎo)電率增大,由于滿帶中有大量電子,因此吸附可一直進(jìn)行,表面吸附氧濃度較高。B)對(duì)于施電子氣體吸附(以H2為例)對(duì)于H2來(lái)說(shuō),不論在n型還是p型氧化物上以正離子(H+)吸附于表面,在表面形成正電荷,起施主作用。吸附氣體半導(dǎo)體類型吸附物種吸附劑吸附位EF導(dǎo) 電率受 電 子 氣體(O2)N型V2O5)O2O2-O-,O22-,O2-V4+V5+負(fù)離子吸附在高價(jià)金屬上 P型Cu2OO2O2-O-,O22-,O2-Cu+Cu2+負(fù)離子吸附在高價(jià)金屬上 施 電 子 氣體(H2)N型ZnO1/2H2H+Zn2+Zn+正離子氣體

5、吸附在低價(jià)金屬離子上 P型NiO1/2H2H+Ni3+Ni2+正離子氣體吸附在低價(jià)金屬離子上 半導(dǎo)體氧化物催化機(jī)理A+BCA-B-施主鍵受主鍵ee舉例:CO在NiO上氧化反應(yīng)CO+1/2O2=CO2 H=272KJ/mol(1)O2在NiO上發(fā)生吸附時(shí),電導(dǎo)率由10-11歐姆-1厘米-1上升為10-7歐姆-1厘米-1 。(2)測(cè)得O2轉(zhuǎn)為O-吸時(shí)量熱法測(cè)得微分吸附熱為41.8kJ/mol,(3)測(cè)得CO在NiO上微分吸附熱是33.5KJ/mol,而在已經(jīng)吸附了O2的催化劑表面微分吸附熱是293KJ/mol。 這表明CO與NiO吸附不是一般的化學(xué)吸附而是化學(xué)反應(yīng)。CO在NiO上催化氧化反應(yīng)機(jī)理(1)Ni 2+ +1/2O2+Ni 3+ O -吸(2)O -吸+Ni 3+CO(g)CO2(吸)+Ni 2+

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