LTE室分多系統(tǒng)合路干擾分析與整改措施

1、LTE室分多系統(tǒng)合路干擾分析與整改措施中訊郵電咨詢(xún)?cè)O(shè)計(jì)院有限公司2014年06月1干擾問(wèn)題現(xiàn)象 32干擾站點(diǎn)比例 33干擾問(wèn)題原因3.1互調(diào)干擾分析33.2互調(diào)干擾的影響因素63.3功率容量影響分析74建議整改措施4.1整改目標(biāo)94.2整改方案94.3其他工作要求9LTE室分多系統(tǒng)合路干擾分析與整改措施目前，廣東聯(lián)通1800MHz FDD-LTE室分建設(shè)萬(wàn)案大多為合路至原室分系統(tǒng)， 開(kāi)通后出現(xiàn)了 WCDM室分底噪異常抬升的干擾問(wèn)題，嚴(yán)重影響了現(xiàn)網(wǎng)3G用戶(hù)。為 解決此類(lèi)問(wèn)題，廣東聯(lián)通網(wǎng)絡(luò)建設(shè)部特制定LTE室分多系統(tǒng)合路干擾分析與整 改措施用于指導(dǎo)LTE室分工程建設(shè)。1干擾問(wèn)題現(xiàn)象LTE室分合路至

2、原系統(tǒng)激活之后， WCDM室分RTWPT 1-5dB的抬升；LTE模 擬下行加載100%t，部分 WCDM室分RTWF有 15-20dB的明顯抬升。干擾現(xiàn)象如 下圖所示：/ W"廣町EK卻鮮任&> 旺鮮I"匚RS5 4 -訐鉗 Mill KHK昂呂 Mmti! nsrni： ZBi£ 培富甯世 覺(jué)> SCiW 9R怛電上品3-孕 rw-rf 4 w«* * - Tira i即T»1卜科吹廈 / |瞬»"2血!|A *fc4t£RaB辛耳-r薩譽(yù)爸冋新»*：=JiEMr£：i

3、fflHIil；£li4(F Mg 十 lESVM 出 1««M 半IX"日 十融ILlTtniw7氏時(shí)LTE室分多系統(tǒng)合路干擾示意圖1 （ D/W/L合路）2干擾站點(diǎn)比例前期專(zhuān)項(xiàng)研究工作主要在廣州開(kāi)展，廣州 FDD規(guī)模為560站，其中合路站點(diǎn)共374站，占比66.8%。目前已開(kāi)通LTE室分168個(gè)，其中方案為合路站點(diǎn)111個(gè)；存在干擾站點(diǎn)15個(gè)，占比13.5%廣分LTE占點(diǎn)互調(diào)干擾處理進(jìn)度0512.xlsx3干擾問(wèn)題原因3.1互調(diào)干擾分析無(wú)源互調(diào)是射頻信號(hào)路徑中兩個(gè)或多個(gè)射頻信號(hào)因各種無(wú)源器件（例如天線、電纜或連接器）的非線性特性引起的混頻干擾信號(hào)。在

4、大功率、多信道系統(tǒng)中， 鐵磁材料、異種金屬焊接點(diǎn)、金屬氧化物接點(diǎn)和松散的射頻連接器都會(huì)產(chǎn)生信號(hào)的混頻，其最終結(jié)果就是 PIM（Passive In termodulatio n）干擾信號(hào)互調(diào)產(chǎn)物的大小取決于器件的互調(diào)抑制度。互調(diào)抑制度越差，互調(diào)產(chǎn)物越大; 互調(diào)抑制度越好，互調(diào)產(chǎn)物越小?；フ{(diào)產(chǎn)物的大小還和輸入信號(hào)的功率密切相關(guān)。 在相同的互調(diào)抑制度情況下，輸入功率越大，互調(diào)產(chǎn)物越大。一般取三階互調(diào)來(lái)衡量互調(diào)水平，三階互調(diào)越高，則五階互調(diào)也高。五階互 調(diào)一般比三階互調(diào)低10-15dB。（一） Case 1 （D/W/L合路當(dāng)前頻段劃分）：DCS1800:1830-1850/1735-1755 MH

5、z LTE1800: 1850-1870/1755-1775 MHz UMTS2100: 2130-2145/1940-1955 MHz互調(diào)產(chǎn)物的頻率分析結(jié)果：（1）三階互調(diào)產(chǎn)物不會(huì)干擾 GL1800和 UMTS210的上行；（2）五階互調(diào)產(chǎn)物會(huì)干擾部分 G1800上行頻率（1750-1755）、部分U2100 上行頻率（1940-1950 ）、整個(gè)LTE1800的上行頻率；（3）七階互調(diào)產(chǎn)物會(huì)干擾 GL1800和UMTS210整個(gè)的上行頻率。GWQL- LTEDIL.1WD- ig呂UMTSUL-LTE OUCasel當(dāng)前頻段劃分互調(diào)示意圖Case 2 （ D/W/L合路后續(xù)規(guī)劃頻段劃分）：

6、DCS 1800: 1830-1840/1735-1745 MHz; LTE1800: 1840-1860/1745-1765 MHzUMTS2100: 2130-2145/1940-1955 MHz互調(diào)產(chǎn)物頻率的分析結(jié)果：（1）三階互調(diào)產(chǎn)物不會(huì)干擾 GL1800和 UMTS210的上行；（2）五階互調(diào)產(chǎn)物不會(huì)干擾 GL1800和 UMTS210的上行；（3）七階互調(diào)產(chǎn)物會(huì)干擾部分 G1800上行頻率（1740-1745），部分U2100 上行頻率（1940-1950），整個(gè)LTE1800的上行頻率。uMTEUl-空枯葉 IK OILW PL-3叫 I-TIUL-ii iM BlLWTSH.-

7、£ILTEOL"IMP-Ul Dt-UWTS'JM 3117®UU上U I'xl出Case2后續(xù)可能頻段劃分互調(diào)示意圖（三）Case 3（ G900/W2100/L1800合路）：A： FDD-LTE1850-1870（現(xiàn)有頻段）二階互調(diào)落入 900上行B： FDD-LTE1840-1860 （后續(xù)規(guī)劃頻段）二階互調(diào)不落入 900上行G900和 L1800二階互調(diào)影響G900上行，GSMW DCSLTE勺四階互調(diào)產(chǎn)物落在 DCS與 LTE的上行頻段。（四）Case 4 （與電信CDM多系統(tǒng)合路）：CDMA875880MHZ 二次諧波產(chǎn)物（17501

8、760MHZ 影響 LTE和 DCSL行,無(wú)法通過(guò)更換器件規(guī)避，且部分站點(diǎn)因電信已部署合路LTE,導(dǎo)致我方無(wú)法再合路?；フ{(diào)產(chǎn)物計(jì)算.xlsx3.2互調(diào)干擾的影響因素（一）無(wú)源器件的質(zhì)量：前期集采無(wú)源器件互調(diào)抑制度僅為120dBc,且已有舊系統(tǒng)經(jīng)多年運(yùn)行使用產(chǎn) 生器件老化銹蝕問(wèn)題，又因安裝于基站信源前端的器件輸入信號(hào)功率大，導(dǎo)致互 調(diào)抑制度指標(biāo)不達(dá)標(biāo)。安裝于基站信源前端的器件需更換為互調(diào)抑制度不低于 140dBc的高性能器件。（二）施工工藝（含跳線，饋線的接頭制作）的質(zhì)量：室分施工工藝質(zhì)量存在不足，饋線、跳線接頭質(zhì)量差或接頭制作問(wèn)題，都會(huì) 引起互調(diào)干擾指標(biāo)的抬升。萬(wàn)案圖例材質(zhì)要求對(duì)指標(biāo)影響成本可

9、靠 性DIN外導(dǎo)體：黃銅互調(diào)、插損指標(biāo)好，互調(diào)能達(dá)到-150 到-160dBc高高內(nèi)導(dǎo)體：錫青銅N外導(dǎo)體：鋅合金互調(diào)、插損較好，互調(diào)能達(dá) 到-140dBc,主要用于對(duì)功率 容量要求不咼的場(chǎng)景中中內(nèi)導(dǎo)體：黃 銅a內(nèi)芯+外導(dǎo)體：鋅合金互調(diào)難以保證，易造成泄漏低低外導(dǎo)體內(nèi)導(dǎo)體：黃 銅（三）天饋系統(tǒng)外的互調(diào)干擾，由天線附近金屬物體（如生銹的鐵制品等）的強(qiáng) 非線性特性引起。3.3功率容量影響分析安裝于基站信源前端的器件由于承受較高的功率通過(guò)，往往由于器件的工藝、結(jié)構(gòu)、耦合節(jié)點(diǎn)電阻的耐功率、觸點(diǎn)距離、接地隔離電阻等問(wèn)題影響器件的電氣 性能指標(biāo)和承受功率能力，同時(shí)還會(huì)因?yàn)槠骷摹摆吥w效應(yīng)”而導(dǎo)致局部微打火，

10、 出現(xiàn)電壓飛弧打火現(xiàn)象，產(chǎn)生寬帶噪聲，對(duì)通信系統(tǒng)形成嚴(yán)重的上行干擾。目前聯(lián)通對(duì)于無(wú)源器件功率容量的集采標(biāo)準(zhǔn)要求是200*平均），按照WCDMA等制式對(duì)功率的要求，可以滿足 WCDM系統(tǒng)多載波的平均功率要求。但問(wèn)題是 WCDM系統(tǒng)峰均比很高，往往超過(guò)10,而集采器件沒(méi)有峰值功率的指標(biāo)要求，在 多載波和大話務(wù)量的沖擊下，很容易帶來(lái)寬帶雜散干擾。使用1800 FDD-LTE后，由于1800 FDD-LTE下行頻段距離 WCDM上行頻段較 近，且LTE峰均比較大，因此產(chǎn)生的飛弧打火很容易干擾 WCDM上行頻段。功率容量計(jì)算參考：合路方式合路系統(tǒng)載波數(shù)組合第一級(jí) 峰值（W第二級(jí) 峰值（W第三級(jí) 峰值（W

11、與電信合路合計(jì)（GSM2載波，CDMA80Q 載波，WCDMAS波, LTE 1 載波通獨(dú)建合計(jì)（GSM2載波，20451421984LTE室分無(wú)源器件功率容限分析.docx功率容量計(jì)算V2.xlSXWCDMA4波，LTE 2 載波）合計(jì)（GSM2載波，WCDMA4波，LTE 1 載波計(jì)（GSM2載波，WCDMA3波，LTE 1 載波）1159806558合計(jì)（GSM2載波，WCDMA2波，LTE 1 載波）694484336分公司在制定更換器件需計(jì)算器件所處級(jí)數(shù)及承受的總功率，評(píng)估站點(diǎn)未來(lái) 話務(wù)增長(zhǎng)情況，更換器件功率容量建議如下：運(yùn)營(yíng)商載波

12、數(shù)站占八、數(shù)占比建議聯(lián)通 獨(dú) 建WCDM小于 2 載波（含2載波）38469%建議前三級(jí)更換平均功率300vy峰值功率1200W高性能器件。WCDM大于 3載波（含3載 波）7313%建議第一級(jí)更換平均功率500V，峰值功率1500W高性能器件，第二、三級(jí)使用平均功率300V，峰值功率1200W高性能器件。電信合路（CDM）10318%建議第一、二級(jí)更換平均功率500W峰值 功率1500W高性能器件，第三級(jí)使用平均功率300V，峰值功率1200W高性能器件。合計(jì)560100%4建議整改措施4.1整改目標(biāo)LTE室分開(kāi)通后，要確保不影響 WCDM系統(tǒng)現(xiàn)網(wǎng)用戶(hù)感受。暫定整改目標(biāo)為 合路后WCDM底噪

13、提升dB數(shù)的75%（例：原WCDM底噪為-105，合路LTE加載后 WCDM底噪提升10dB,整改目標(biāo)為 WCDM底噪提升不超過(guò)2.5dB，通過(guò)整改LTE 加載后WCDM底噪不能高于-102.5）4.2整改方案暫定對(duì)合路后存在干擾的站點(diǎn)進(jìn)行整改。將存在問(wèn)題的站點(diǎn)前三級(jí)器件逐級(jí)替換， 替換器件互調(diào)抑制度不低于140dBc, 功率容量參考3.3節(jié)，直到達(dá)成4.1節(jié)整改目標(biāo)為止。對(duì)于更換前三級(jí)器件仍未達(dá)到整改目標(biāo)的站點(diǎn)，統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)進(jìn)一步分析再制定 解決方案。4.3其他工作要求1、整改目標(biāo)確定目前設(shè)計(jì)院及其他省份尚無(wú)可參考的整改目標(biāo)經(jīng)驗(yàn)值，與LTE合路前WCDMA底噪相比，若整改目標(biāo)值過(guò)嚴(yán)，則整改成本高、物業(yè)難度大，難以實(shí)現(xiàn)；整改目 標(biāo)過(guò)松，則網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量下降，用戶(hù)感知降低?？紤]以上因素，目前暫定合路后 WCDMA 底噪提升dB數(shù)的75%各分公司整改站點(diǎn)務(wù)必按下表進(jìn)行數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，待整改數(shù)據(jù) 統(tǒng)計(jì)分析后制定后續(xù)整改目標(biāo)。LTE合路站點(diǎn)整改紀(jì)錄.xlsx2、2G直放站站點(diǎn)，涉及設(shè)備