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1、1會(huì)計(jì)學(xué)ESD失效分析失效分析FA及案例介紹及案例介紹2008-9-2322008-9-2332008-9-2342008-9-2352008-9-2362008-9-2372008-9-2382008-9-2392008-9-23102008-9-2311即使有足夠的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)，有時(shí)候并不能正常工作。例如有些寄生器件會(huì)意外開啟。例如下圖顯示是一個(gè)內(nèi)部損傷，HBM ESD后出現(xiàn)D-S filament，位置是NMOS輸入緩沖區(qū)（0.35 salicide cmos，代回退阱工藝），這種常發(fā)生在HBM/CDM的MOS防護(hù)器件中。失效原因是過大的電流牛過了寄生的lBJT2008-9-23122

2、008-9-23132008-9-23142008-9-23152008-9-23162008-9-23172008-9-23182008-9-23192008-9-23202008-9-23212008-9-23222008-9-23232008-9-23242008-9-23252008-9-23262008-9-23272008-9-23282008-9-2329汽車電子IC，1.2CMOS工藝，NMOS 防護(hù)，使用相同的HBM ESD，不同的儀器：NMOS 防護(hù)器件的多晶硅擠出IC內(nèi)部的柵氧擊穿使用MM ESD：NMOS 防護(hù)器件的金屬線熔化使用CDM ESD：IC內(nèi)部的PMOS 多晶硅filament2008-9-23302008-9-23312008-9-23322008-9-233

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