電力電子題庫

1、 電力電子技術(shù)機械工業(yè)出版社 命題人 王翠平第一章 功率二極管和晶閘管知識點：l 功率二極管的符號，特性，參數(shù)l 晶閘管的符號、特性、參數(shù)、工作原理l 雙向晶閘管的符號、特性、參數(shù)、工作原理l 可關(guān)斷晶閘管的符號、特性、參數(shù)、工作原理一、填空題1、自從_1956_ _ 年美國研制出第 一只晶閘管。2、晶閘管具有 體積小 、 重量輕 、 損耗小 、 控制特性好 等特點。3、晶閘管的三個極分別為 陽極 、 陰極 、 門極 。4、晶閘管導通的條件：在晶閘管的 陽極 和 陰極 間加正向電壓，同時在它的陰極 和 門極 間也加正向電壓，兩者缺一不可。5、晶閘管一旦導通，門極 即失去控制作用。6、晶閘管的關(guān)

2、斷條件：使流過晶閘管的 陽極電流 小于 維持電流 。7、雙向晶閘管的四種觸發(fā)方式： I+ 觸發(fā)方式 I-觸發(fā)方式 +觸發(fā)方式 -觸發(fā)方式。8、GTO的開通時間由 延遲時間 和 上升時間 組成。9、GTO的關(guān)斷時間由 存儲時間 、 下降時間 、和 尾部時間 。10、功率二極管的導通條件：加 正向電壓 導通，加 反向電壓 截止。11、對同一晶閘管，維持電流 IH 與擎住電流 IL 在數(shù)值大小上有 IL_>_IH 。12、晶閘管斷態(tài)不重復電壓 UDSM 與轉(zhuǎn)折電壓 UBO 數(shù)值大小上應(yīng)為， UDSM_<_UBO13、普通晶閘管內(nèi)部有兩個 PN結(jié),，外部有三個電極，分別是陽極A 極 陰極K

3、 極和 門極G 極。14、晶閘管在其陽極與陰極之間加上 正向 電壓的同時，門極上加上觸發(fā) 電壓，晶閘管就導通。15、晶閘管的工作狀態(tài)有正向 阻斷 狀態(tài)，正向 導通 狀態(tài)和反向 阻斷 狀態(tài)。16、某半導體器件的型號為KP507的，其中KP表示該器件的名稱為 普通晶閘管 ，50表示 額定電流50A ，7表示 額定電壓100V 。17、只有當陽極電流小于 維持電流 電流時，晶閘管才會由導通轉(zhuǎn)為截止。18、當增大晶閘管可控整流的控制角，負載上得到的直流電壓平均值 會減小 。二、判斷題1、第一只晶閘管是1960年誕生的。（ 錯 ）2、1957年至1980年稱為現(xiàn)代電力電子技術(shù)階段。（ 錯 ）3、功率二極

4、管加正向電壓導通，加反向電壓截止。（ 對 ）4、平板型元件的散熱器一般不應(yīng)自行拆裝。 （ 對）5、晶閘管一旦導通，門極沒有失去控制作用。 （ 錯 ）6、雙向晶閘管的四種觸發(fā)方式中靈敏度最低的是第三象限的負觸發(fā)。（ 錯 ）7、GTO的緩沖電路具有保護作用。（ 對 ）8、在額定結(jié)溫條件，取元件反向伏安特性不重復峰值電壓值的80%稱為反向重復峰值電壓。（ 對）9、陽極尖峰電壓過高可能導致GTO失效。（對 ）10、GTO在整個關(guān)斷過程分為兩個時間段：存儲時間和下降時間。（錯）11、普通晶閘管內(nèi)部有兩個PN結(jié)。 （錯）12、普通晶閘管外部有三個電極，分別是基極、發(fā)射極和集電極。 （錯）13、型號為KP5

5、07的半導體器件，是一個額定電流為50A的普通晶閘管。（）14、只要讓加在晶閘管兩端的電壓減小為零，晶閘管就會關(guān)斷。 （錯）15、只要給門極加上觸發(fā)電壓，晶閘管就導通。 （錯）16、晶閘管加上陽極電壓后，不給門極加觸發(fā)電壓，晶閘管也會導通。（對）17、加在晶閘管門極上的觸發(fā)電壓，最高不得超過100V。 （錯）18、單向半控橋可控整流電路中，兩只晶閘管采用的是“共陽”接法。（錯）19、晶閘管采用“共陰”接法或“共陽”接法都一樣。 （錯）20、增大晶閘管整流裝置的控制角，輸出直流電壓的平均值會增大。（錯） 三、選擇題1、在晶閘管應(yīng)用電路中，為了防止誤觸發(fā)應(yīng)將幅值限制在不觸發(fā)區(qū)的信號是 ( 

6、0;A     ) A. 干擾信號                               B. 觸發(fā)電壓信號 C. 觸發(fā)電流信號            &

7、#160;              D. 干擾信號和觸發(fā)信號 2、當晶閘管承受反向陽極電壓時，不論門極加何種極性觸發(fā)電壓，管子都將工作在 (    B   ) A. 導通狀態(tài)           B. 關(guān)斷狀態(tài)           C.

8、飽和狀態(tài)           D. 不定 3、逆導晶閘管是將大功率二極管與何種器件集成在一個管芯上而成 (B      ) A. 大功率三極管                           B. 逆阻型晶

9、閘管 C. 雙向晶閘管                             D. 可關(guān)斷晶閘管 4、晶閘管的伏安特性是指 (C      ) A. 陽極電壓與門極電流的關(guān)系          &#

10、160;           B. 門極電壓與門極電流的關(guān)系 C. 陽極電壓與陽極電流的關(guān)系                      D. 門極電壓與陽極電流的關(guān)系 5、晶閘管電流的波形系數(shù)定義為 (B      ) A、Kf =ITAV /IT 

11、 B、 Kf = IT /ITAV C、 Kf = ITAV ·IT   D、 Kf = ITAV - IT 6、取斷態(tài)重復峰值電壓和反向重復峰值電壓中較小的一個，并規(guī)化為標準電壓等級后，定為該晶閘管的 (  D      ) A. 轉(zhuǎn)折電壓                      &#

12、160;                           B. 反向擊穿電壓 C. 閾值電壓                     &

13、#160;                            D. 額定電壓 7. 具有自關(guān)斷能力的電力半導體器件稱為 (  A    ) A. 全控型器件           

14、0;                            B. 半控型器件 C. 不控型器件                    

15、60;                   D. 觸發(fā)型器件 8、處于阻斷狀態(tài)的晶閘管，只有在陽極與陰極間加正向電壓，且在門極與陰極間作何處理才能使其開通（C） A. 并聯(lián)一電容                     

16、           B. 串聯(lián)一電感 C. 加正向觸發(fā)電壓                          D. 加反向觸發(fā)電壓 9. 晶閘管工作過程中，管子本身產(chǎn)生的管耗等于管子兩端電壓乘以（A） A. 陽極電流    &#

17、160;                             B. 門極電流 C. 陽極電流與門極電流之差               D. 陽極電流與門極電流之和 10、在 IVEAR

18、 定義條件下的波形系數(shù) kfe 為 (  C     ) A.                                 B. 2/C. /2       

19、0;                      D.2 11. 晶閘管的額定電壓是這樣規(guī)定的，即取斷態(tài)重復峰值電壓和反向重復峰值電壓中較小的一個，并經(jīng)如下處理 (  D     ) A. 乘以 1.5 倍            &

20、#160;       B. 乘以 2 倍 C. 加 100                         D. 規(guī)化為標準電壓等級 12. 晶閘管不具有自關(guān)斷能力，常稱為 (  B     ) A. 全控型器件    

21、0;                   B. 半控型器件 C. 觸發(fā)型器件                          D. 自然型器件 13、 晶閘管內(nèi)部有（C ）PN結(jié)

22、。A 一個， B 二個， C 三個， D 四個14、 單結(jié)晶體管內(nèi)部有（A）個PN結(jié)。A 一個， B 二個， C 三個， D 四個三、簡答題1、晶閘管的導通條件是什么？晶閘管導通的條件：在晶閘管的陽極和陰極之間加正向電壓，同時在它的門極和陰極之間也加正向電壓，兩者缺一不可。2、晶閘管的關(guān)斷條件是什么？晶閘管的關(guān)斷條件：使流過晶閘管的陽極電流小于維持電流。3、說明晶閘管型號規(guī)格KP200-8E代表的意思？ K：表示晶閘管 P：表示普通200：表示晶閘管的額定電流是200A8：表示晶閘管的額定電壓的級別E：表示晶閘管正向通態(tài)平均電壓的組別4、雙向晶閘管的觸發(fā)方式有哪些？四種觸發(fā)方式：I+ 觸發(fā)方式

23、 I-觸發(fā)方式 +觸發(fā)方式-觸發(fā)方式5、 對晶閘管的觸發(fā)電路有哪些要求？答：為了讓晶閘管變流器準確無誤地工作要求觸發(fā)電路送出的觸發(fā)信號應(yīng)有足夠大的電壓和功率；門極正向偏壓愈小愈好；觸發(fā)脈沖的前沿要陡、寬度應(yīng)滿足要求；要能滿足主電路移相范圍的要求；觸發(fā)脈沖必須與晶閘管的陽極電壓取得同步。四、繪圖1、畫出晶閘管、雙向晶閘管、可關(guān)斷晶閘管的符號？五、計算題1、一晶閘管接在220V交流回路中，通過器件的電流有效值為100A，問應(yīng)選擇什么型號的晶閘管？解：晶閘管的額定電壓：Utn=(23)Utn=（23）*220=622933V按晶閘管參數(shù)系列取800V，即8級晶閘管的額定電流 IT(AV)=(1.52

24、)*=(1.52)*100/1.57=95128A按晶閘管參數(shù)系列取100A，所以選取晶閘管型號KP100-8E。2、型號為KP100-3，維持電流IH =4mA 的晶閘管，使用在圖1-1所示電路中是否合理，為什么？（不考慮電流的裕量）不合理 不合理合理3、    如圖所示，試畫出負載Rd上的電壓波形(不考慮管子的導通壓降)。答案：解：由上述電路圖和U2，Ug的波形圖可知，因T是一個半控型器件晶閘管，當Ug是高電平時晶閘管T導通，一直到U2變?yōu)樨撾娖綍r晶閘管截止，與二極管類似，Rd電壓波形圖如下：第二章 電力晶體管知識點：l 電力晶體管的符號、特性曲線、主要參數(shù)l

25、 電力晶體管的工作原理一、填空題：1、目前常用的電力晶體管有: 單管GTR 、 達林頓管 、 GTR模塊 。2、電力晶體管的三個極分別為： 發(fā)射極 、 集電極 、 基極 。3、放大區(qū)的特點是發(fā)射結(jié) 正偏 ，集電結(jié) 反偏 。4、截止區(qū)的特點是發(fā)射結(jié) 反偏 ，集電結(jié) 反偏 。5、可關(guān)斷晶閘管（ GTO ）的電流關(guān)斷增益 off 的定義式為off =_ITAO/|IgM_|_6、晶閘管反向重復峰值電壓等于反向不重復峰值電壓的 _80%_7、功率晶體管緩沖保護電路中的二極管要求采用 _快速恢復_ 型二極管，以便與功率晶體管的開關(guān)時間相配合。8、動態(tài)特性描述GTR的開關(guān)過程的瞬態(tài)性能，又稱 開關(guān)特性 。

26、9、GTR能夠安全運行的范圍稱為 安全工作區(qū) 。10、ICBO隨溫度升高而增大，對于硅管，為當溫度生升高8時，ICBO增加 一 倍 左右二、判斷題1、ICBO隨溫度升高而減小，對于硅管，為當溫度生升高8時，ICBO減小 一 倍 左右。（錯）2、一次擊穿具有可逆性，一般不會引起晶體管的特性變壞。（對）3、集電極電壓上升率是動態(tài)過程中的一個重要參數(shù)。（對）4、電力晶體管是具有自關(guān)斷能力的全控型器件。（對）三、簡答題1、達林頓GTR管和單管GTR的主要區(qū)別是什么？單管GTR的電流增益低；達林頓GTR管是有兩個或多個晶體管復合而成，電流增益高2、電力晶體管有幾個區(qū)？各有什么特點？放大區(qū)：放大區(qū)的特點是

27、發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏 。截止區(qū)：截止區(qū)的特點是發(fā)射結(jié)，集電結(jié) 反偏 。飽和區(qū)：飽和區(qū)的特點是發(fā)射結(jié)，集電結(jié)正偏3、GTO和普通晶閘管同為PNPN結(jié)構(gòu)，為什么GTO能夠自關(guān)斷，而普通晶閘管不能？答：GTO能夠自動關(guān)斷，而普通晶閘管不能自動關(guān)斷的原因是：GTO的導通過程與普通的晶閘管是一樣的，有同樣的正反饋過程，只不過導通時飽和程度不深。其中不同的是，在關(guān)斷時，給門極加負脈沖，即從門極抽出電流，則晶體管V2的濟濟電流Ib2減小，使Ik和IC2減小，IC2減小又使IA和IC1減小，又進一步減小V2的基極電流，如此形成強烈的正反饋。當兩個晶體管發(fā)射極電流IA和IK的減小使a1+a2<1時，器件

28、退出飽和而關(guān)斷。第三章 功率場效應(yīng)晶體管知識點：l 功率場效應(yīng)晶體管的符號l 功率場效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)l 功率場效應(yīng)晶體管的應(yīng)用電路一、填空題1、功率集成電路 PIC 分為二大類，一類是高壓集成電路，另一類是 智能功率集成電路 2、功率晶體管緩沖保護電路中的二極管要求采用 _快速恢復 _ 型二極管，以便與功3、率晶體管的開關(guān)時間相配合。4、功率場效應(yīng)晶體管的三個極分別為柵極、源極、漏極5、功率場效應(yīng)晶體管的導電溝道分為N溝道和P溝道。6、轉(zhuǎn)移特性是指功率場效應(yīng)管的輸入柵極電壓與輸出漏極電流之間的關(guān)系。7、應(yīng)用SSOA的條件是：結(jié)溫小于150，器件的開通和關(guān)斷時間均小于1US8、功率MOSFE

29、T的保護分為靜電保護和工作保護9、功率MOSFET的安全工作區(qū)分為三種情況： 正向偏置安全工作區(qū) 、 開關(guān)安全工作區(qū) 換向安全工作區(qū) 。10、功率MOSFET參數(shù)主要有：電壓額定值、漏極連續(xù)電流 、漏極峰值電流等11、功率MOSFET的保護： 靜電保護 、 工作保護 。二、判斷題1、功率場效應(yīng)晶體管的三個極分別為C極、E極、B極.(錯)2、功率場效應(yīng)晶體管具有驅(qū)動功率小，控制線路簡單、工作頻率高的特點。（對）3、功率MOSFET無反向阻斷能力。（對）4、換向安全工作區(qū)是功率MOSFET寄生二極管或集成二極管反向恢復性能所決定的極限工作范圍。（對）5、功率MOSFET的柵極是絕緣的，不屬于電壓控

30、制器件，屬于開關(guān)器件。（錯）6、為防止功率MOSFET誤導通，截止時最好對其提供負的柵偏壓。（對）7、安裝時，工作臺和電烙鐵不需要接地。（錯）8、測試時，測量儀器和工作臺要良好接地，器件的三個極必修都接入測試儀器或電路，才能施加電壓。改換測試時，電壓和電流要恢復到零。（對）三、簡答題1、什么是轉(zhuǎn)移特性？轉(zhuǎn)移特性是指功率場效應(yīng)管的輸入柵極電壓與輸出漏極電流之間的關(guān)系。2、功率場效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)？ 漏極擊穿電壓 漏極連續(xù)電流和漏極峰值電流 柵極擊穿電壓 開啟電壓 極間電容3、簡述N溝道增強型功率MOSFET的工作原理？ 當漏極接電源正極，源極接電源負極，柵極之間電壓為零或為負時，漏極之間無電流

31、流過。當UGS為正且大于開啟電壓時，出現(xiàn)漏極電流。4、功率MOSFET的保護有幾種？兩種：靜電保護 工作保護5、功率MOSFET并聯(lián)使用時應(yīng)注意什么問題？（1）在每個柵極上串聯(lián)一個小電阻、（2）在每一個柵極導線上套一個小磁環(huán)（3）必要時在漏極和源極之間接入數(shù)百皮法的小電容（4）盡可能降低驅(qū)動信號源的內(nèi)阻。四、畫圖1、繪制功率MOSFET晶體管的符號？第四章 絕緣柵雙極晶體管知識點：l 絕緣柵雙極晶體管的工作原理l 絕緣柵雙極晶體管的主要參數(shù)l 絕緣柵雙極晶體管的安全工作區(qū)一、填空題1、 絕緣柵雙極晶體管稱為IGBT 。2、IGBT的靜態(tài)傳輸特性描述集電極電流和柵射電壓之間的互相關(guān)系。3、IGB

32、T的輸出特性描述以柵射電壓為控制變量時，集電極電流與射極間電壓之間的互相關(guān)系。4、IGBT的輸出特性分為正向阻斷區(qū)、有源區(qū)、飽和區(qū)。5、關(guān)斷時間包括關(guān)斷延時和電流下降時間兩部分。6、安全工作區(qū)可分為正向偏置安全工作區(qū)和反向偏置安全工作區(qū)。7、射極電壓在1015V之間工作時，集電極電流可在510US以內(nèi)超過額定電流的410倍。8、過電壓保護措施主要是利用緩沖電路抑制過電壓的產(chǎn)生。9、IGBT緩沖電路，也稱為吸收電路。10、緩沖電容的計算公式 CS =LI2 /(UCEP-UCC) 緩沖電路電阻RS的選擇公式 RS<=1/2*3CSf 。11、IGBT的最高允許結(jié)溫為150二、判斷題1、過電

33、壓保護措施主要是利用驅(qū)動電路抑制過電壓的產(chǎn)生。（錯）2、IGBT的安全工作區(qū)較小。（錯）3、IGBT的驅(qū)動電路小。（對）4、過電流保護措施措施主要通過檢出過電流信號后切斷柵極控制信號的辦法來實現(xiàn)。（對）5、IGBT的通態(tài)壓降UCES基本穩(wěn)定，不隨溫度而變。（對）6、驅(qū)動電路與整個控制電路在電位上應(yīng)嚴格隔離，具有對IGBT的自保護功能，并有較高的抗干擾能力。（對）7、IGBT的關(guān)斷過程是從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)換到反向阻斷狀態(tài)的過程。（錯）8、當IGBT集電極通態(tài)電流的連續(xù)值超過臨界值ICM時產(chǎn)生的擎住效應(yīng)稱為靜態(tài)擎住效應(yīng)（對）三、簡答題1、什么是擎住效應(yīng)？當IGBT集電極通態(tài)電流的連續(xù)值超過臨界值IC

34、M時產(chǎn)生的擎住效應(yīng)稱為靜態(tài)擎住效應(yīng)2、什么是過電流保護？過電流保護措施措施主要通過檢出過電流信號后切斷柵極控制信號的辦法來實現(xiàn)3、什么是過電壓保護？過電壓保護措施主要是利用緩沖電路抑制過電壓的產(chǎn)生。四、繪圖題1、繪制絕緣柵雙極晶體管的符號。第五章 其他新型電力電子器件l MOS控制晶閘管的符號，特性l SIT的主要參數(shù)l 靜電感應(yīng)晶閘管的符號、特性l 靜電感應(yīng)晶體管的符號、特性一、填空題1、MOS控制晶閘管是一種單極型和雙極型組合而成的復合器件。2、MCT的三個極分別為： 陽極 、 陰極 、 門極 3、一般使MCT導通的負脈沖電壓為-5V-15V，使MCT關(guān)斷的正脈沖電壓為+1020V。4、M

35、CT驅(qū)動電路的特點是當溫度超過150時，會自動降低輸出。5、伏安特性是指SIT的漏極電壓與漏極電流之間的關(guān)系。6、靜電感應(yīng)晶體管SIT也是采用垂直導電型式的多胞集成結(jié)構(gòu)7、SIT器件不僅可以工作在開關(guān)狀態(tài)，而且還可以工作在放大狀態(tài)。8、PIC按結(jié)構(gòu)型式可分為兩類：一類：智能功率集成電路，另一類是高壓集成電路9、當測試條件為陽極電壓1250V，陽極電流1000A，結(jié)溫為25時，開通時間為2微秒，關(guān)斷時間為3.1微秒。10、電壓監(jiān)視電路使IC和電動機在UCC大于18V時不工作，推薦的正常使用電壓在17.4V一下。二、判斷題1、SIT器件不僅可以工作在開關(guān)狀態(tài)，而且還可以工作在放大狀態(tài)。（對）2、伏

36、安特性是指SIT的漏極電壓與漏極電流之間的關(guān)系。(對)3、功率MOSFET的柵極是絕緣的，不屬于電壓控制器件，屬于開關(guān)器件。（錯）4、在SIT的驅(qū)動電路中，負柵偏電壓的大小決定了漏源阻斷電壓的高低。(對)5、高壓集成電路是由縱向功率器件與邏輯或模擬控制電路以及傳感器、保護電路等集成。（錯）6、智能功率集成電路是由橫向高壓器件與邏輯或模擬控制電路所集成。（錯）7、電壓監(jiān)視電路使IC和電動機在UCC大于18V時工作。（錯）8、MOS控制晶閘管是一種雙極型器件。（錯）9、MOS控制晶閘管是一種單極型和雙極型組合而成的復合器件。（對）10、MCT的門極是由MOSFET管引出，屬于電壓控制器件。(對)三

37、、問答題1、MCT管有什么特點？ 1）、阻斷電壓高，峰值電流大。 2）、通態(tài)壓降小。3）、工作溫度高。4）、開關(guān)速度快，開關(guān)損耗小，工作頻率高。5）、門極驅(qū)動電路簡單。6）、即使關(guān)斷失敗，MCT也不會損壞。2、SIT有哪些參數(shù)？ 1）、柵源擊穿電壓 2）、柵漏擊穿電壓3）、最大漏極電流4）、允許功耗四、繪圖1、繪制MOS控制晶閘管的符號？2、繪制靜電感應(yīng)晶體管的符號？3、靜電感應(yīng)晶閘管的符號？第六章 可控整流電路知識點：l 整流的定義l 單相半波可控整流電路的工作原理l 單相橋式全控整流電路的工作原理l .三相半波可控整流電路的工作原理l .三相橋式全控整流電路的工作原理l 輸出電壓l 晶閘管

38、的電流一、填空題 1、可控整流電路是應(yīng)用廣泛的電能變換電路，它的作用是將交流電變換成大小可以調(diào)節(jié)的直流電。2、電阻負載的特點是 負載兩端電壓波形和流過的電流波形相似 ，電流、電壓均允許突變。在單相半波可控整流電阻性負載電路中，晶閘管控制角的最大移相范圍是 0 。3、在單相半波可控整流電阻性負載電路中，移相角的控制范圍為0 ，對應(yīng)的導通角的可變范圍是0，兩者關(guān)系為+=。 4、在單相半波可控整流帶阻感負載并聯(lián)續(xù)流二極管的電路中，晶閘管控制角的最大移相范圍是_180_度_ _ ，其承受的最大正反向電壓均為_U2_ _，續(xù)流二極管承受的最大反向電壓為_U2_ （設(shè)U2為相電壓有效值）。5、單相橋式全控

39、整流電路中，帶純電阻負載時，角移相范圍為_180度_ _，單個晶閘管所承受的最大正向電壓和反向電壓分別為_ /2U2_ _和_U2_ _；帶阻感負載時，角移相范圍為_90_度 _，單個晶閘管所承受的最大正向電壓和反向電壓分別為_U2_ _和_U2_ _。6、可從各角度對整流電路進行分類，主要分類方法有：按組成的器件可分為：不可控、 半控、 全控；按電路結(jié)構(gòu)可分為橋式和零式電路；按交流輸入相數(shù)分為單相電路和多相電路；按變壓器一次測電流的方向是單向或雙向，又分為單拍電路和雙拍電路。7、.三相半波可控整流電路中的三個晶閘管的觸發(fā)脈沖相位按相序依次互差120度_ _，當它帶阻感負載時，a的移相范圍為_

40、90度 _。8、電阻性負載的三相半波可控整流電路中，晶閘管所承受的最大正向電壓 UFm 等于_ _U2 _，晶閘管控制角的最大移相范圍是_150度 _，使負載電流連續(xù)的條件為_ a<=30度_ _ _(U2為相電壓有效值)。9、三相零式可控整流電路帶電阻性負載工作時，在控制角 >30°時，負載電流出現(xiàn)_斷續(xù)_。晶閘管所承受的最大反向電壓為_U2_。10、三相零式可控整流電路，在電阻性負載時，當控制角30°，每個晶閘管的導通角=_120度_。此電路的移相范圍為_150度_ _。11、晶閘管的保護有：過電壓保護 、 過電流保護。12、三相全控橋電路的等效內(nèi)阻和晶閘管

41、導通時的管壓降均是三相半波電路的兩倍13、三相全控橋可控整流，其輸出電壓的脈動頻率為_6f _三相半波可控整流，其輸出電壓的脈動頻率為_3f _ _。二、判斷題1、在三相半波可控整流電路中，電路輸出電壓波形的脈動頻率為300Hz。(錯)2、三相半波可控整流電路，不需要用大于60º小于120º的寬脈沖觸發(fā)，也不需要相隔60º的雙脈沖觸發(fā)，只用符合要求的相隔120º的三組脈沖觸發(fā)就能正常工作。3、三相橋式半控整流電路，帶大電感性負載，有續(xù)流二極管時，當電路出故障時會發(fā)生失控現(xiàn)象。對 4、三相橋式全控整流電路，輸出電壓波形的脈動頻率是150HZ 錯。 5、三相

42、半波可控整流電路中，如果三個晶閘管采用同一組觸發(fā)裝置，則的移相范圍只有120o。 錯6、在三相橋式全控整流電路中，采用雙窄脈沖觸發(fā)晶閘管元件時，電源相序還要滿足觸發(fā)電路相序要求時才能正常工作。 （錯）7、在單相全控橋電路中，晶閘管的額定電壓應(yīng)取U2。（錯 ） 8、在橋式半控整流電路中，帶大電感負載，不帶續(xù)流二極管時，輸出電壓波形中沒有負面積。錯9、 在半控橋整流帶大電感負載不加續(xù)流二極管電路中，電路出故障時會出現(xiàn)失控現(xiàn)象。         （  對    ）10、 在用兩組反并聯(lián)晶閘管

43、的可逆系統(tǒng)，使直流電動機實現(xiàn)四象限運行時，其中一組逆變器工作在整流狀態(tài)，那么另一組就工作在逆變狀態(tài)。    （  錯    ）                           11、 晶閘管串聯(lián)使用時，必須注意均流問題。               

44、60;   （錯      ）12、 逆變角太大會造成逆變失敗。                            （錯    ）13、 并聯(lián)諧振逆變器必須是略呈電容性電路。                   （&

45、#160; 對    14、 給晶閘管加上正向陽極電壓它就會導通。                            （錯      15、 有源逆變指的是把直流電能轉(zhuǎn)變成交流電能送給負載。                （  錯

46、60;   ）16、 在單相全控橋整流電路中，晶閘管的額定電壓應(yīng)取U2。             （ 錯     ）三、選擇題1、單相半控橋整流電路的兩只晶閘管的觸發(fā)脈沖依次應(yīng)相差  A       度。A、180°，  B、60°，  c、360°，  D、120°2、為   

47、C     度時，三相半波可控整流電路，電阻性負載輸出的電壓波形，處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)。A，0度，  B，60度，  C，30度，  D，120度，3、可實現(xiàn)有源逆變的電路為    A       。  A、三相半波可控整流電路，        B、三相半控橋整流橋電路，C、單相全控橋接續(xù)流二極管電路，  D、單相

48、半控橋整流電路。4、單相半波可控整流電阻性負載電路中，控制角的最大移相范圍是(  D    )A、0º-90°              B、0º-120°            C、0º-150°    &#

49、160;        D、0º-180°5、= C 度時，三相全控橋式整流電路帶電阻負載電路，輸出負載電壓波形處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)。 A、0度； B、60度； C、30度； D、120度；6、如某晶閘管的正向阻斷重復峰值電壓為745V，反向重復峰值電壓為825V，則該晶閘管的額定電壓應(yīng)為（A）A、700VB、750VC、800VD、850V7、單相半波可控整流電阻性負載電路中，控制角的最大移相范圍是(  D    )A、0º-90°

50、;              B、0º-120°            C、0º-150°             D、0º-180°8、在單相全控橋整流電路中，兩對晶閘管的觸發(fā)脈

51、沖，應(yīng)依次相差 A 度。A 、180度； B、60度； C、360度； D、120度；9、三相半波可控整流電路在換相時，換相重疊角的大小與哪幾個參數(shù)有關(guān) B 。A、Id、 XL、U2；      B、Id；C、U2；               D、U2、 XL；10、單相半波可控整流電路，阻性負載，導通角的最大變化范圍是0°( D )A、90°B、120°C、150°

52、;D、180°11、單相全波可控整流電路，電感性負載，控制角°，每個周期內(nèi)輸出電壓的平均值為( B )A、Ud=0.45U2cosB、Ud=0.92cosC、Ud=1.172cosD、Ud=2.342cos12、三相半波可控整流電路，阻性負載，導通角的最大變化范圍是0°( B )A、90°B、120°C、150°D、180°13、三相全控橋式整流電路，阻性負載，控制角的最大移相范圍是0°( A )A、90°B、120°C、150°D、180°14、三相半波可控整流電路電源電壓

53、波形的自然換向點比單相半波可控整流電路的自然換向點( )A、超前30°B、滯后30°C、超前60°D、滯后60°15、.三相全控橋式整流電路，電感性負載，控制角>30°，負載電流連續(xù)，整流輸出電流的平均值為Id，流過每只晶閘管的平均值電流為( )A、Id/2B、Id/3C、2Id/3D、Id16、單相全控橋式有源逆變電路最小逆變角為( )A、°°B、°°C、°°D、°°18、三相全控橋整流裝置中一共用了（B）晶閘管。A 三只， B 六只， C 九只。19、雙向

54、晶閘管是用于交流電路中的，其外部有（C）電極。A 一個， B 兩個， C 三個， D 四個。20、若可控整流電路的功率大于4kW，宜采用（C ）整流電路。A 單相半波可控 B 單相全波可控 C 三相可控21、三相可控整流與單相可控整流相比較，輸出直流電壓的紋波系數(shù)（B）。A 三相的大， B 單相的大， C一樣大。四、計算題1、 單相半波可控整流電路，電阻性負載。要求輸出的直流平均電壓為5092V之間連續(xù)可調(diào)，最大輸出直流電流為30A，由交流220V供電，求晶閘管控制角應(yīng)有的調(diào)整范圍為多少？選擇晶閘管的型號規(guī)格（安全余量取2倍，=1.66）。解： 單向半波可控整流電路的 UL=0.45U2當UL

55、=50V時COS=1=10則=90°當UL=92V時COS=1=1=0.87則=30°控制角的調(diào)整范圍應(yīng)為090°由=1.66知I=1.66Id=1.66×30=50A 為最大值 IT(AV)=2×=2×=64A 取100A又 Uyn=2UTM=2××220=624V 取700V晶閘管的型號為：KP100-7。2、 單相半波可控整流電路中，已知變壓器次級U2=220V，晶閘管控制角=45°，負載RL=10。計算負載兩端的直流電壓平均值、負載中電流平均值和每只晶閘管流過的電流平均值。(P91) 解： UL=

56、0.45U2 IL=UL/RL ITV=IT3、 單相全控橋式整流電路帶大電感負載時，若已知U2=220V。負載電阻Rd=10，求=60°時，電源供給的有功功率、視在功率以及功率因數(shù)為多少？（P=980.1W,S=2.178VA,cos=0.45） （P97）解：第七章 晶閘管的觸發(fā)電路知識點：l 晶閘管的觸發(fā)電路的結(jié)構(gòu)電路圖l 晶閘管的觸發(fā)電路的工作原理一、填空題1、晶體管觸發(fā)電路的同步電壓一般有 正弦波 同步電壓和 鋸齒波 電壓。2、晶閘管整流裝置的功率因數(shù)定義為 、交流 側(cè) 有功功率 與視在功率 之比。3、正弦波觸發(fā)電路的同步移相一般都是采用 正弦波同步電壓 與一個或幾個控制電

57、壓 的疊加，利用改變 、控制電壓 的大小，來實現(xiàn)移相控制。4、晶閘管裝置的容量越大，則高次諧波 越大 ，對電網(wǎng)的影響 越大 。5、在裝置容量大的場合，為了保證電網(wǎng)電壓穩(wěn)定，需要有無功功率補償，最常用的方法是在負載側(cè) 并聯(lián)電容 。6、整流是把 交流 電變換為 直流 電的過程；逆變是把 直流 電變換為 交流 電的過程。二、判斷題1、 只要給門極加上觸發(fā)電壓，晶閘管就導通。 （錯）2、 晶閘管加上陽極電壓后，不給門極加觸發(fā)電壓，晶閘管也會導通。（對）3、 加在晶閘管門極上的觸發(fā)電壓，最高不得超過100V。 （錯4、 單向半控橋可控整流電路中，兩只晶閘管采用的是“共陽”接法。（錯）5、 晶閘管采用“共

58、陰”接法或“共陽”接法都一樣。 （錯）6、 增大晶閘管整流裝置的控制角，輸出直流電壓的平均值會增大。（錯）7、 在觸發(fā)電路中采用脈沖變壓器可保障人員和設(shè)備的安全。 （對）8、 為防止“關(guān)斷過電壓”損壞晶閘管，可在管子兩端并接壓敏電阻。（錯）9、 雷擊過電壓可以用RC吸收回路來抑制。 （錯）10、 硒堆發(fā)生過電壓擊穿后就不能再使用了。 （錯）11、 晶閘管串聯(lián)使用須采取“均壓措施”。 （對）三、 選擇題1、晶閘管變流裝置的功率因數(shù)比較（B ）。A 高， B 低， C 好。2、晶閘管變流器接直流電動機的拖動系統(tǒng)中，當電動機在輕載狀況下，電樞電流較小時，變流器輸出電流是（B）的。A 連續(xù)， B 斷續(xù)

59、， C 不變。3、普通晶閘管的通態(tài)電流（額定電流）是用電流的（C）來表示的。A 有效值 B 最大賽值 C 平均值4、普通的單相半控橋可整流裝置中一共用了（A）晶閘管。A 一只， B 二只， C 三只， D 四只。5、晶閘管在電路中的門極正向偏壓（B）愈好。A 愈大， B 愈小， C 不變6、晶閘管兩端并聯(lián)一個RC電路的作用是（C ）。A 分流， B 降壓， C 過電壓保護， D 過電流保護。7、壓敏電阻在晶閘管整流電路中主要是用來（C ）。A 分流， B 降壓， C 過電壓保護， D 過電流保護。第八章、交流電力控制電路一、填空題1、由普通晶閘管組成的直流斬波器通常有 定頻調(diào)寬 式， 定寬調(diào)頻

60、式和 調(diào)寬調(diào)頻 式三種工作方式。2、由兩套晶閘管組成的變流可逆裝置中，每組晶閘管都有四種工作狀態(tài)，分別是 待整流 狀態(tài)、 整流 狀態(tài)、 待逆變 狀態(tài)和逆變 狀態(tài)。二、判斷題1、把交流電變成直流電的過程稱為逆變。 （錯）2、應(yīng)急電源中將直流電變?yōu)榻涣麟姽粽彰?，其電路中發(fā)生的“逆變”稱有源逆變。 采用正弦波移相觸發(fā)電路的可控整流電路工作穩(wěn)定性較差。 （對）3、正弦波移相觸發(fā)電路不會受電網(wǎng)電壓的影響。 （錯）4、對低電壓大電流的負載供電，應(yīng)該用帶平衡電抗器的雙反星型可控整流裝置。 （對）5、晶閘管觸發(fā)電路與主電路的同步，主要是通過同步變壓器的不同結(jié)線方式來實現(xiàn)的 （對）6、晶閘管裝置的容量愈大，對

61、電網(wǎng)的影響就愈小。 （錯）三、選擇題1、變壓器一次側(cè)接入壓敏電阻的目的是為了防止（C）對晶閘管的損壞。A 關(guān)斷過電壓， B 交流側(cè)操作過電壓， C 交流側(cè)浪涌。2、晶閘管變流裝置的功率因數(shù)比較（B ）。A 高， B 低， C 好。3、晶閘管變流器接直流電動機的拖動系統(tǒng)中，當電動機在輕載狀況下，電樞電流較小時，變流器輸出電流是（B）的。A 連續(xù)， B 斷續(xù)， C 不變。4、脈沖變壓器傳遞的是（C ）電壓。A 直流， B 正弦波， C 脈沖波。5、下列不可以實現(xiàn)逆變的電路是（A）式晶閘管電路。A 單相全波， B 三相半控橋， C三相全控橋第九章 逆變電路和直流斬波技術(shù)知識點：l 逆變的概念l 有源逆變l 無源逆變l 有源逆變的工作的原理一、填空