怎樣看懂內(nèi)存條芯片的參數(shù)

1、整個(gè) ddr sdram顆粒的編號(hào)，一共是由14 組數(shù)字或字母組成，他們分別代表內(nèi)存的一個(gè)重要參數(shù)，了解了他們，就等于了解了現(xiàn)代內(nèi)存。顆粒編號(hào)解釋如下：1 hy 是 hynix 的簡(jiǎn)稱，代表著該顆粒是現(xiàn)代制造的產(chǎn)品。2 內(nèi)存芯片類型： （5d=ddr sdram）3 處理工藝及供電： （v：vdd=3.3v & vddq=2.5v；u：vdd=2.5v & vddq=2.5v；w：vdd=2.5v & vddq=1.8v；s： vdd=1.8v & vddq=1.8v）4 芯片容量密度和刷新速度：（64：64m 4k 刷新； 66： 64m 2k 刷新； 28：

2、 128m 4k 刷新； 56：256m 8k 刷新； 57 ：256m 4k 刷新； 12：512m 8k 刷新； 1g：1g 8k 刷新）5 內(nèi)存條芯片結(jié)構(gòu)： （44 顆芯片； 8 8 顆芯片； 1616 顆芯片； 3232 顆芯片）6 內(nèi)存 bank （儲(chǔ)蓄位）： （ 12 bank ；24 bank ；38 bank ）7 接口類型：（1=sstl_3 ；2=sstl_2 ；3=sstl_18 ）8 內(nèi)核代號(hào)：（空白 =第 1 代； a=第 2 代； b=第 3 代； c=第 4 代）9 能源消耗：（空白 =普通； l=低功耗型）10 封裝類型：（t=tsop ；q=lofp ；ffb

3、ga ；fc fbga （utc:8x13mm ） ）11 封裝堆棧：（空白 =普通； s=hynix ；k=m&t ；j其它； m=mcp （hynix ） ；mu mcp（utc ） ）12 封裝原料：（空白 =普通； p=鉛； h鹵素； r=鉛+鹵素）13 速度： （ d43 ddr400 3-3-3 ；d4=ddr400 3-4-4；jddr333 ；mddr333 2-2-2；kddr266a ； h ddr266b ；l ddr200 ）14 工作溫度：（ i=工業(yè)常溫（ -40 - 85 度） ；e= 擴(kuò)展溫度（ -25 - 85 度） ）由上面 14 條注解，我們不難發(fā)

4、現(xiàn)，其實(shí)最終我們只需要記住2、3、6、13 等幾處數(shù)字的實(shí)際含義，就能輕松實(shí)現(xiàn)對(duì)使用現(xiàn)代ddr sdram內(nèi)存顆粒的產(chǎn)品進(jìn)行辨別。尤其是第13位數(shù)字，它將明確的告訴消費(fèi)者，這款內(nèi)存實(shí)際的最高工作狀態(tài)是多少。假如，消費(fèi)者買到一款這里顯示為l 的產(chǎn)品（也就是說(shuō)，它只支持ddr 200的工作頻率），那么就算內(nèi)存條上貼的標(biāo)簽或者包裝盒上吹的再好，它也只是一款低檔產(chǎn)品。常見(jiàn) sdram 編號(hào)識(shí)別維修 sdram 內(nèi)存條時(shí)，首先要明白內(nèi)存芯片編號(hào)的含義，在其編號(hào)中包括以下幾個(gè)內(nèi)容：廠商名稱（代號(hào)） 、容量、類型、工作速度等，有些還有電壓和一些特殊標(biāo)志等。通過(guò)對(duì)這些參數(shù)的分析比較，就可以正確認(rèn)識(shí)和理解該內(nèi)存

5、條的規(guī)格以及特點(diǎn)。(1)世界主要內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠商的前綴標(biāo)志如下： hy hyundai - 現(xiàn)代 mt micron - 美光 gm lg -semicon hyb siemens - 西門子 hm hitachi - 日立 mb fujitsu - 富士通 tc toshiba - 東芝 km samsung - 三星 ks kingmax - 勝創(chuàng)(2)內(nèi)存芯片速度編號(hào)解釋如下: -7 標(biāo)記的 sdram 符合pc143 規(guī)范 ,速度為 7ns. 75 標(biāo)記的 sdram 符合 pc133 規(guī)范 ,速度為 7.5ns. 8 標(biāo)記的 sdram 符合 pc125 規(guī)范 ,速度為 8ns. 7

6、k/-7j/10p/10s標(biāo)記的 sdram 符合 pc100 規(guī)范 ,速度為 10ns. 10k 標(biāo)記的 sdram 符合 pc66 規(guī)范 ,速度為 15ns. (3) 編 號(hào) 形 式hy 5a b ccc dd e f g h ii-jj 其中 5a 中的 a 表示芯片類別 ,7-sdram; dddr sdram. b 表示電壓 ,v3.3v; u-2.5v; 空白 5v. ccc 表示容量 ,1616m; 65 64m; 129 129m; 256 256m. dd 表示帶寬。f 表示界面， 0lvttl ； 1sstl （3） ； 2sstl_2. g 表示版本號(hào)，b第三代。h 表示

7、電源功耗，l 低功耗；空白 普通型。ii 表示封裝形式，tc400mil tsop h. jj 表示速度， 7 143mhz; 75 133mhz;8 125mhz; 10p 100mhz(cl=2);10s100mhz(cl=3) 10100mhz( 非 pc100) 。例： 1） hy57v651620b tc-75 按照解釋該內(nèi)存條應(yīng)為：sdram ， 3.3v, 64m, 133mhz. 2) hy57v653220b tc-7 按照解釋該內(nèi)存條應(yīng)為：sdram ， 3.3v, 64m, 143mhz 全球主要內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠家(掌握內(nèi)存芯片生產(chǎn)技術(shù)的廠家主要分布在美國(guó)、韓國(guó)、日本、德國(guó)、臺(tái)灣 )：序號(hào)品牌國(guó)家 /地區(qū)標(biāo)識(shí) 備注1 三星韓國(guó)samsung 2 現(xiàn)代韓國(guó)hy 3 樂(lè)金韓國(guó)lgs 已與 hy 合并4 邁克龍美國(guó)mt 5 德州儀器美國(guó)ti 已與 micro