反相器設(shè)計(jì)前仿與后仿流程

1、目錄前端電路設(shè)計(jì)與仿真 2第一節(jié)雙反相器的前端設(shè)計(jì)流程 21、畫雙反相器的visio 原理圖 22、編寫.sp文件2第二節(jié)后端電路設(shè)計(jì) 4一、開啟linux 系統(tǒng) 42、然后桌面右鍵重新打開Terminal 6雙反相器的后端設(shè)計(jì)流程 7一、schematic 電路圖繪制 7二、版圖設(shè)計(jì) 21畫版圖一些技巧： 30三、后端驗(yàn)證和提取 31第三節(jié)后端仿真 37其它知識(shí) 40前端電路設(shè)計(jì)與仿真第一節(jié)雙反相器的前端設(shè)計(jì)流程1、畫雙反相器的visio原理圖VDd臼M2HIM3outVDdT_M M0 in -J-faI向1圖1.1其中雙反相器的輸入為in輸出為out, fa為內(nèi)部節(jié)點(diǎn)。電源電壓Vdd=1

2、.8V,MOS 管用的是TSMC的1.8V典型MOS管（在Hspice里面的名稱為pch和nch,在 Cadence里面的名稱為pmos2v和nmos2v）。2、編寫.sp文件新建dualinv.txt文件然后將后綴名改為dualinv.sp文件 具體實(shí)例.sp文件內(nèi)容如下：dnakinv - iiLi 4-女薦國(guó)I dMiD持式® Itu?事助M卜小皿皿匕JB犁的其隨-U Lb ' F :I J J pu-hgjnuptataXrl llll- L' I I,-subcki dualLnu Lm out qndhq .a In g44 u4d 口5 | -1*91H

3、l fri :ln ynt gnri rich 1-11 IkiAD-1.VHhP 13 .VR>iF 13i FD-I .Hlr TH PX-I.Hf Hd nrH-1.*irH-rH nr-l.rt2 QUK. fa 1 udd pLh I - 1d tn “NJ 仙，3的FD-a.M-M PS-2.iit-iK nnd-«.3K m>5-«>37£m out F> E qnd nth 1-帕Bn，睚X科-1.PB“-忖 FUH木片-酹nrd-1 ,MWW 時(shí)斫中法第融. LT.TH以下是加觸后信號(hào)ITTT - bdn in «

4、; p«l-se(i 1：B 1m ms tn寫 73 4ns|i 3 vdd » 1 .*«n gnrl riv tl duK 下是 Mji(閡百句aoptlQn p”t ,trjn .Ans.-M金£U尸。CrM AUgpDMr Inq pNlJ Fr««餐二-Hfjsui'r tr-Mi qrlsr TRIOvein)UftL-l.flAlhsrise-1 TRRnuCtlUHL-I.*rjr-1 iwsurt tr M Qf 11* THICWd的UhL-fl.fll-lns* TAROUftL-i.*IKkisfal

5、l-1-nd.lib 'F:Program Filessynopsysrf018.l' TT 是 TSMC 用于仿真的模型文件位置和選擇的具體工藝角*這里選擇TT工藝角*劃紅線部分的數(shù)據(jù)請(qǐng)參考excel文件尺寸對(duì)應(yīng)6參數(shù)，MOS管的W不同對(duì)應(yīng)的6個(gè)尺寸是不同的，但是這六個(gè)尺寸不隨著L的變化而變化。劃紫色線條處的端口名稱和順序一定要一致MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管描述語(yǔ)句：（與后端提取pex輸出的網(wǎng)表格式相同）MMX D G S B MNAME <L=val> <W= val > <AD= val > <AS= val > <PD= v

6、al >* PS= val > <NRD= val > <NRS= val >2.1、 在wind owXP開始一程序這里打開 Hspice程序NSPICE Z-2007. 03 Microsaft Office 哥 SPICE Explorer 2007.1 +Avanwaves Z=zD07 03HSPICE MT Z-200T.03HSfICE Z-200T.03HSPICERF Z-2007.03Hspui E-2口葉.032.2、 彈出以下畫面然后進(jìn)行仿真真按鈕形查看波形按鈕按下后彈出以下對(duì)話框如果要查看內(nèi)部節(jié)點(diǎn)的波形，雙擊 Top處如果有多 個(gè)子

7、電路 請(qǐng)單擊此 處的Top 查看如果要查看測(cè)量語(yǔ)句的輸出結(jié)果請(qǐng)查看.MTO文件（用記事本打開）avgpuwtr aug p(xl) fran=Brs to=6J«ns.measurfi trdn+ TRIG V(ln)* TARG l>(OUt)Qrise UflL-0.9 TD=Dns rise=1 VflL-fl.? TD=9ns rise-1.measure trdn ms u(in)* TARG Xout)Qfall ME.9 UAL-1.9T&-SnsT&-8ns而LITdualinvMTO文件：L KB至此前端仿真教程結(jié)束第二節(jié)后端電路設(shè)計(jì)前序（打開

8、Cadence軟件）、開啟linux系統(tǒng)雙擊桌面虛擬機(jī)的圖標(biāo)ELul lihl -Hi ir Linui.。一 Tltiu v VvfIC-kI bI lutvlilt Edit 山 r、Fmrar«d On. Fivcri In技必值匯!白； ；屯二I庖電器爭(zhēng) 51 fteJ Hat Eiitcriirwe1 LlnvifR&cJ Hat Enterprise I iriwc 4StiE：PMcttdoffGuest gWd hWt Erterpriso Liuc 1Lcc*bm:也甘為 Wbjal MBdresledHit EntEq:fwe 5uk MIRe,fefif

9、cn:WnKstetioflS.S加工 vsrt uri sw由irwLcmmarwix) hgw 0 IHf # W rwX心 岫 vtftual dhKlint 謝國(guó) En3 曲IE fwt匕陽(yáng)(Whdt l£ *CE?)Dewes* HtWPrM«5iX54叫叱區(qū) 0CD/DMXIM： H Fkw% 窗篦也比f(wàn)ifiL理 Ou&B Circle / EojndCa 0匚語(yǔ)NotM選擇Power on thisvirtualmachine開啟linux之后在桌面右鍵選擇Open Terminalrixit' IccalhoM：-Eite Edii 如ew

10、 LerminaJ T 邊s Hdp rootfllocalhMt «# xhost locali|輸入 xhost local:命令按回車CcimpulprTrahicu才予 IncallhcK/rDatEfe &M Mew gtniM TaJzs JjelpLr-MtliiKalhMt shost local:hM-neiwark Local -confteLiMfi b&ing added(o 吧control listr-CKl tOlOTA lhO5 t -Jif 5U XUErucfllDCJilhDst r»t fjrp5hflrr之后輸入su

11、 xue命令按回車，這樣就進(jìn)入了 xue用戶xue jocalhcstz/noor日 Ie E向 Wew lerminaJ Tajjs HelproDt9loealhogt -# xhost local:non-network local connections being added to access control listroq t©l ocal host T# su Kuexueilocalhost root£ /hone/eda/Mentor/ixl_c a 1_2008. l_20- 15/bin/lmgrd -c /home/da/mentor/ixl_c

12、a 1.200 呂. l_20,15/license, dat1、輸入命令加載calibre 軟件的license ,按回車，等到出現(xiàn)以下畫面再關(guān)閉Terminal 窗口斯時(shí)(ngcld) udunlxquadlzbIucukIcZBluoouelB152150 tugeld) ziurezjKax-lMnznedcsin1S: 52: 5D (ngcld) autcheckznchcckaxisKnruheckcrs16:S2: ED (Bgcld) znch吩匚上isznchE-ckidntznchc-ckpldn-50 (PEcld) mcheck«vzwrklrtlznoii

13、ibrwFflrIS:52:50 (ncld) zncwlzdedltorzndecrvrtzndftZL6:醛4口 tngcld) ziwliBacenerzn 卬 gaznfxaiH16:52:5D (ngcld) mintFriuilzniplicgenznloiaiieir16:52: 50 (Bgc ld) Z3mnag.pznnninbamenede1 死 52 : 5口 (becU) 3»nc&ixlls»n已比 rdazriHrHidTraii16r&?;50 (niEcLd mrihtbznmiblinkziwilpcIS: SO CBgc

14、Ld) ziunpeiznimpcixZHMnpctKSO16:52:5D (ngtld) ZMilpoyphylZznBilpusphyUEtuinjMJxphfl可16: S2: ED (ngcld) zj1anqdr2ra.11ziuuirap idioznjinsdrjn16:53： SO (“eld xnmsifuranErwnspigZznfirruEbll(nEcld zawiutoplallZTwnutoplal? znunutopia 13116: 52 5 50 (BgcLd) EiwciutqplaMmianitor&in znsimrt16:52:5D Cnge

15、ld)打mrfl1B:52:5D (ngcld)uiurnmvhdl6:52: 50 (ngrld) Licon3s ar-o- 1 翼二雕：5。(BK?ld)ca&a sc-nsitiw for Bgcld1S:S2:5O (Bgcld> EXTERNAL FILTERS are OFFlfi：:52s5D 門iigEJ 想打白 using TCF-gft 12771既 &ih Mjew RiithM T曲 tldp2、然后桌面右鍵重新打開 Terminal進(jìn)入學(xué)用戶，開啟 Cadence軟件，如下圖rQOtdlQCaIhost su xuexuelocalhost r

16、oatS icfb&1 4637fxue0localhost roatS然后出現(xiàn)cadence軟件的界面關(guān)閉這個(gè)help窗口，剩下下面這個(gè)窗口，這樣 cadence軟件就開啟了如果在操作過(guò)程中關(guān)閉了 cadence,只需要執(zhí)行步驟2即可，步驟1加載calibre 的license只在linux重啟或者剛開啟的時(shí)候運(yùn)行一次就可以了。雙反相器的后端設(shè)計(jì)流程、schematic電路圖繪制1、注息在Cadence中畫schematic電路圖時(shí)，每一個(gè)節(jié)點(diǎn)都需要命名，不然在參數(shù)提取之后沒(méi)有命名的那些節(jié)點(diǎn)會(huì)被系統(tǒng)自動(dòng)命名，導(dǎo)致用HSPICE看內(nèi)部節(jié)點(diǎn)波形時(shí)難以迅速找到自己需要的節(jié)點(diǎn)。2、打開Cad

17、ence軟件新建庫(kù)和單元 Cell View用命令icfb&打開Cadence軟件后彈出以下CIW窗口選才F Flie-New-Libirary之后彈出以下窗口這里我們新建一個(gè)名為ttest的庫(kù)。（注意：在新建library的時(shí)候要attach to an existing techfile點(diǎn)擊OK以后彈出以下窗口在 technology library 這里選擇我們的 TSMC 庫(kù) tsmc18f然后點(diǎn)擊OK在CIW窗口的tools菜單中選擇第二個(gè)library manager之后彈出以下窗口我們可以看到左邊Library里面有我們之間建立的ttest庫(kù)，用鼠標(biāo)左鍵選擇ttest,

18、發(fā)現(xiàn)它的Cell和View都是空的。然后在該窗口的File-New-Cell View新建一個(gè)單元Cell View彈出以下窗口在窗口的Cell name中輸入我們需要取的名字，這里取的是dualinv。點(diǎn)擊OK后自動(dòng)彈出畫schematic的窗口3、畫schematic電路圖點(diǎn)擊上面的這個(gè)作圖版面，在鍵盤上按快捷鍵i會(huì)出現(xiàn)添加器件的窗口點(diǎn)擊Browse后彈出以下窗口這里選中TSMC的庫(kù)tsmc18rf,在Cell中選中pmos2v, view中選中symbol 然后鼠標(biāo)移到外面的畫圖板上，就會(huì)出現(xiàn)一個(gè) PMOS管，左鍵點(diǎn)擊就可以放上 去了，按ESC回到正常的光標(biāo)狀態(tài)。中點(diǎn)u，I:伯階I fi

19、ngersr1同理，選中TSMC庫(kù)中的nmos2v,就可以添加NMOS管。（按快捷鍵M ,然后 再點(diǎn)擊一下（選中）器件即可以移動(dòng)器件）制陰戳nniv currnnl mxljvicnODF PwwmH翊以即6YMade! iignwpchOffdtiKEripiliuniOffMWKtfft* (M)3 kndlWliflfe(M)加tfrffNimifieror FindersgOffMulliiilivr4MTMiDfHiHb Mbririy接下來(lái)修改MOS管的尺寸，我們看到上述MOS管的默認(rèn)尺寸都是L=180n W=2u我們這里將PMOS管修改為 W=720n NMOS管修改為 W=22

20、0n（注意：TSMC 0.18um庫(kù)nmos2V和pmos2V最小的 W 只能設(shè)置到220nm,而 不能設(shè)置到180nm）鼠標(biāo)左鍵選中一個(gè)器件（如M0）,然后按快捷鍵Q （property）,出現(xiàn)以下調(diào)整MOS管屬性窗口：3hnwsystem user CPFPh9a 打陽(yáng)帕DuplaybfcE X®匕穌1如4NTSI Nara羽但加valueIflnw Hianft酬吐口LMfhi削Slfttfi Nfiilf算網(wǎng)口打在w（M）的文本框中修改前面的2u修改成我們需要的720n然后點(diǎn)擊OK即可 同理修改NMOS管的W=220n。之后開始連線 按快捷鍵 W （wire）即可然后添加PI

21、N腳（即與外部信號(hào)相連的端口，從圖1.1可以看出這個(gè)雙反相器電路涉及到的PIN腳有in out vdd gnd）注意：由于目前的工藝是P阱襯底，所以全部NMOS管的襯底即B端要接gnd, 而PMOS管的襯底可以接自己的S端或者vdd, 一般只接VDD不接S 知識(shí)補(bǔ)充：MOS管的襯底B端接S才能不引起襯偏，襯偏了會(huì)造成閾值電壓增大按快捷鍵P就可以添加PIN腳在pin name中輸入名稱 Direction中選中pin腳的方向（其中in的direction是input out 的 direction 是 output gnd 和 vdd 的 direction 是 inputoutput）然后按回

22、車，光標(biāo)上就會(huì)出現(xiàn)一個(gè) pin的光影，點(diǎn)擊鼠標(biāo)左鍵即可擺放擺放pin腳之后，將PIN腳與電路相連，同樣用快捷鍵 W來(lái)連線由于圖1.1中還有一個(gè)內(nèi)部節(jié)點(diǎn)fa,這里我們就需要給內(nèi)部節(jié)點(diǎn)命名。按快捷鍵L,出現(xiàn)命名窗口在names這里輸入fa,然后按回車然后鼠標(biāo)上出現(xiàn)fa光影，將fa移到內(nèi)部需要命名的線上點(diǎn)擊左鍵即可。然后保存電路通用，也可以用快捷鍵L來(lái)連接兩個(gè)單元：這樣就不用連線，卻能保證兩個(gè)單元連接到一起。n12llNM5*口121 產(chǎn)w:12Gnl:60nE：1n12llw:120胸elkm： "nl2llMw:120nl:60nTuul D括i£在畫圖板左邊工具欄里面選中第

23、一個(gè)check and save4、將電路圖創(chuàng)建成為一個(gè)symbol ,用于仿真電路v I Qnci:Set: 0VirtuoseToolsDesign Window Edit AddQieck Sheet 0才Oieck and SaveXSave (not neededSSave As.飛HierarchyOrate CellviewrFrom GeiMew.New.From 科楫 List.怦Open.From Instance.'Open SymboL.=蹣SK決f啜更襟區(qū)Makje Read Only.怦Probe RotRenumber Instances.選擇 Desig

24、nCreate Cellview- From Cellview 彈出以下窗口點(diǎn)擊OK彈出以下窗口這里主要是Top Pins和Botton Pins這里需要修改，修改成如下圖UinuosiF- SyMtaol EMng. ncsi diullnv s)-nibalUml;K*. uTmta MH小 幅向f Edt 修M Qvck點(diǎn)擊OK彈出以下電路fn&tanceNamebartr<omeTools Iw點(diǎn)擊save按鈕保存這樣我們就會(huì)看到在library manager里面就多出了一個(gè)該電路的symbol5、用spectre仿真器仿真電路（這里仿真一下電路主要是驗(yàn)證一下自己電路有

25、沒(méi)有畫錯(cuò)，如果電路邏輯功能正確，那么基本上可以保證自己剛才畫的電路是正確的）新建一個(gè)名為 dualtest 的 Cell View 單元（在 Library Manager下）|回OK按快捷鍵i添加我們之前給雙反相器電路創(chuàng)建的 symbol然后出現(xiàn)下圖接下來(lái)就要給各個(gè)端口加激勵(lì)信號(hào)和電源了按I添加器件，在analoglib中首先選擇直流電壓 Vdc,另外還要選擇vpwl作為 線性分段信號(hào)源。按Q修改vdc的屬性hoursystum usnr CDFR*Wt *啟坳忙 L中帕愴伊劃3V口卸1納ft*刖yVtdiieUHrar NameCt!i NtanitH.l 口中可 wdc。而nrrKtew

26、 N»hr5kbdlferr網(wǎng)orrAddUdetcHadirUur Prn parlyMute glu口1 uud VakiRnteplaytvlgwmIKUE0vrrCDF 'ETOtfr州詡MUI鑿A£ jih»5«DC voflagt*IkKC flilc mimeUfeutKr nt nntsnd'FEbq paars 口Vf rviinu-liAjiLn1口腳相Yerrorrnrorrnrrnrr"0鵬 Cancel Ap0y 口的皿幅（Yewiciiia HeM在DC voltage這里將電壓值設(shè)置為1.8v（注意

27、，只要填入1.8即可，不要帶入單位）即6個(gè)點(diǎn)），如下圖同樣修改vpwl的屬性（這里我們?cè)O(shè)置一個(gè)3段線性信號(hào),CDF PBraiiieterValueDisptayInuiubvr uf 網(wǎng)憎 tlF puirnbeWorrAC muuiiUMiRkMTAC plkas«IoffDC V阿BrDfFTime-1口*10 0 £MrTlrrtB- 2:后tei 3vfHVoH曄 20 0 ?.»TFTimu- 3ss.m 4陽(yáng)¥由利押3tfffTlrw 4non. 4啪VMl曄 4i g三DflTTwine- 5>130 Oln *arr0 口耳時(shí)rT

28、ime- E20Qn 4時(shí)iaije£0 a EttfFFfe甲川:fii:y rwunn- fcr 1 UnwindJOffHol腳 W HEVTC1時(shí)rHu面her nT iMds«m«q pairs更OfliXF iTi.iliiUi 版r»rrrn:irnii!li iripoff此外我們還要添加一個(gè)gnd器件作為基準(zhǔn)地信號(hào)（在analoglib中選擇）添加完器件之后如下圖（注意：電路的gnd與標(biāo)準(zhǔn)地gnd之間要添加一個(gè)0V的直流電壓）接下來(lái)連線以及給輸出端添加一個(gè)PIN,如下圖然后按check and sav嘛存ScheimaticSimula

29、tion選擇 tools 中的 Analog environmentcm。：Sel: 0Tools Design Window Edit Add CheiAMS Opts.Analog EnvironmentDesign Symthssins DivaRnorjilari/SclieifTiatjcsHierarchy Editor Mixed Signal Opt樂(lè) PCD彈出以下窗口Virtuosox Analog Design EnviroiamQnr Cl)Ubraj7# TypeAcgunentfl.c . EnsbleDesign網(wǎng)ViewSlalus: Uitinilialire

30、dRjEaatw二 spectreflSirasiuh SEtlip Ansdyss gwiabl日& Outpuls Siniiulaliun Re苫nils TuatsHelp> Welcome W Virtuoso© Analog Design Eiwironnieiit口喝l典 VwtablesOulput選擇右邊工具框中的第二個(gè) 生，彈出以下窗口-ViflHOW1.ign Envirnnn這里設(shè)置仿真的停止時(shí)間（該時(shí)間根據(jù)自己具體需要填寫），然后點(diǎn)OK接下來(lái)設(shè)置需要看波形的那些端口Analog iksign Environment (1)outputs To

31、Be Plotted Select On SchematicT=Z7 C Simulatees Outputs Simulation Results ToolsSetupMysesrYP1 To Be Saved3tl 30JOn1g He HuttedSelect On SchematicSave Ail .趣武1：建然后在要看波形的線條上單擊鼠標(biāo)左鍵點(diǎn)一下即可點(diǎn)元之后該線條會(huì)變顏色以及閃爍，之刖的 Analog environment窗口的outputs 中也會(huì)出現(xiàn)相應(yīng)的名稱1二1上|包V|；riuos£>nj Anilc Dtslgn £1M2口瓶上，值）T-2

32、7 C siftiMiabjr: spectreDesignAnalyses»Jh«ury ttest# lypeJhigiu4nti： EnahLeGel dualtits t1 trsn0前如yeaffw schenatic。制gw WfcjjiicsM帆嶼¥烤UWly：# 出酬邛單LvaPLo< 5.e 用單F/h*1M號(hào)tEyea 社13 :nu2 outyea： allo noHntUtti miNJe:Rngjiace> Sslecl oh Sehetmattc Outputs Id He Flotlfd施碗口 h 3副印 Ah 壯加蜷 V

33、汨山蝙 OnlpiJil Sirv Hi lotion RimilK ToolsWGili國(guó) Z 3 8然后點(diǎn)擊右邊工具欄中得倒數(shù)第三個(gè)Netlist and Run電路正確的話就會(huì)有波形點(diǎn)擊該圖標(biāo)是分離重疊的波形其他快捷鍵E看symol里面的電路Ctrl+E退出看內(nèi)部電路F讓原理圖居中P PIN管腳快捷鍵W連線L命名連線C Q MU復(fù)制器件屬性 移動(dòng) 撤銷 其他相關(guān)設(shè)置：設(shè)置回退次數(shù) CIW 窗口 -options-user preferenceUiixId Limit多個(gè)器件屬性一起修改，用shift選中以后然后選all selected以先是only current)Edit objec

34、t PrTo <onty currentin:51ao匚日al SBlectEdShowal user CDF、版圖設(shè)計(jì)打開 dualinv 的 schematic 電路圖，然后 Tools-Design Synthesis-Layout XLCreate New File點(diǎn)擊OK就會(huì)自動(dòng)彈出畫layout的版面此時(shí)鍵盤上按E鍵，出現(xiàn)設(shè)置窗口«|這里修改分辨率，將X Snap Spacing和Y Snap Spacing修改為0.005,方便之 后的畫圖。點(diǎn)擊OK在畫layout版面的菜單中選擇 Design-Gen From source(F)3*Tools Desufik

35、Window Create Edit 'X： -12.1¥: 9.5王I然后彈出以下窗口點(diǎn)擊OK即可，版面上就生成與原schematic電路圖相對(duì)于尺寸的MOS管，如下圖注：可以不gen from source而直接在畫版圖的版面按快捷鍵I添加layout器件， 再修改尺寸，這樣也可以通過(guò) LVS（經(jīng)過(guò)測(cè)試即使版圖中MOS的編號(hào)和schemati4的不同，但是最終輸出子電路中 MOS管編號(hào)跟schematic1相同的）選擇那四個(gè)綠色的方Ig和紫色的線，按 delete刪除，刪除后就剩下四個(gè)MOS管。按shift+F將MOS管轉(zhuǎn)換為可視的layout結(jié)構(gòu)，并用M快捷鍵來(lái)移動(dòng)MO

36、S管, 此時(shí)整個(gè)版面上就剩下四個(gè) MOS管了， （ Ctrl+F可以還原為Schematic結(jié)構(gòu)） 如下圖自二期工具欄左邊的放大鏡可以放大和縮小，或者使用快捷鍵Z（放大），shift+z縮?。ò戳?Z鍵要選某一個(gè)區(qū)域才能放大，不是直接放大與縮?。┙酉聛?lái)開始畫圖:1、 畫PMOS管和NMOS管相連的柵極（用LSW窗口中得POLY1來(lái)畫）選中POLY1 drw然后點(diǎn)版圖，然后按R（畫方框），Q屬性可以看到是dg（在空白處）按S鍵，鼠標(biāo)移到矩形框的邊，就能修改矩形框。修改之后讓矩形框與PMOS管NMOS管的柵極對(duì)齊。（一定要對(duì)齊，不然DRC 報(bào)錯(cuò)）放大可以看到他們是否對(duì)齊，這樣的是對(duì)齊的。這樣就是沒(méi)

37、對(duì)齊。畫好POLY1以后如下圖2、畫金屬走線LSW 中的 metallP（走線），然后按F3（設(shè)置線CONT忖E |OK OncK | Apply 陋 AUnbuUrCi削板閥皿凱 帆加由于該電路簡(jiǎn)單，只需要一層金屬即可，所以只需要 在LSW中選中METAL1 drw ,然后點(diǎn)版圖，然后按 寬為0.5） , Q屬性可以看到是dg畫完后如下圖（注意金屬要整個(gè)覆蓋住 MOS管的D端，接觸面積大才能保證電 流）3、畫POLY1和metall之間的連接不同材料之間相連要打孔。比如Metall和polyl相連，就選M1_POLY1 , Metall 和Metal2相連就選M2_M1 , NMOS的襯底接

38、觸和體相連用 M1_SUB, PMOS 管的襯底接觸和體相連而 M1_NWELLLSW中選中poly1-drw,按P,按F3,設(shè)置為0.5寬度，畫一段poly然后在這段poly上打孔，按字母。鍵,彈出以下窗口在Contact Type這里選擇 M1_POLY1,Rows這里輸入2,然后回車 （鼠標(biāo)右鍵可以旋轉(zhuǎn)器件）將這個(gè)通孔放于之前的polyl上然后metall與這個(gè)通孔相連即實(shí)現(xiàn)了金屬1層與polyl之間的連接I也接下來(lái)輸入信號(hào)in這里也要這樣畫，畫好之后的整體圖如下4、畫襯底接觸這里要分別畫PMOS管的襯底接觸和NMOS管的襯底接觸。按快捷鍵字母O, 在Contact Type這里選擇 M

39、1_SUB,這個(gè)是NMOS管的襯底接觸。按快捷鍵字母O,在Contact Type這里選擇M1_NWELL ,這個(gè)是PMOS管的襯 底接觸。5、給PMOS管打阱因?yàn)楝F(xiàn)在是P阱工藝，整個(gè)畫圖的版面就是一個(gè) P型襯底，而NMOS管是做在 P型襯底上面的，所以畫NMOS管的時(shí)不需要畫阱，而畫PMOS管時(shí)要畫nwell（即 它的襯底），nwell要包圍住PMOS管和它的襯底接觸。hvw訴TI在LSW中選中NWELL-drw，按R,畫矩形框，如下圖6、畫管腳PIN在LSW 中選中metall pin.1一一 二， | 卜I 購(gòu) METAL1|pin11 H METALSpin L彈出以下窗口接著點(diǎn)擊空白

40、處，然后按快捷鍵在Label這里輸入名稱（注意這個(gè)名稱要與schematic圖中節(jié)點(diǎn)的名稱要相同），Height這里設(shè)置字體的高度，F(xiàn)ont這里設(shè)置 字體的樣式，然后按回車，將 PIN腳擺放到正確位置7、補(bǔ)全其它連線因?yàn)樯蠄D并不完整，還有很多連線沒(méi)有連。在熟悉版圖畫法之后這一步是放在 前面做的，因?yàn)槲覀兪煜ぎ嫹ê缶椭滥睦锸荲DD、gnd、輸入和輸出畫完這個(gè)7步驟以后點(diǎn)左邊工具欄的SAVE保存，然后就可以進(jìn)行后面的DRC、 LVS 和 PEX 了。補(bǔ)充知識(shí)-多層金屬連線:（以下講解兩層金屬 metall和metal2的布線）由于金屬走線經(jīng)常會(huì)交叉，所以單層金屬是不夠的，這就涉及到多層金屬的布線

41、metal2 drw是金屬層2metall和metal2之間用通孔 M2_M1畫版圖一些技巧：1、所有的MOS管最好同方向（豎方向），不要有有橫有豎。最好是PMOS管放 一起（比如一起放上面），NMOS管放一起（一起放下面），不一定是按照schematic 電路圖上的MOS管順序來(lái)擺放。2、走線不要穿過(guò)MOS管，要繞過(guò)去。3、單排襯底接觸最長(zhǎng)不要超過(guò)100um,比較敏感的管子要多加些接觸（兩排或多 排），襯底接觸少了電阻會(huì)大。一般情況我們采用單排襯底（即rows或columns=1） 4、橫線用金屬2,豎線用金屬1,金屬越寬電阻越小。我們一般取0.5u寬度。寄生電容與發(fā)生寄生電容的兩導(dǎo)體面積成

42、正比，因此線寬就0.5u夠了（能承受1mA）,不需要再大。（TED）5、版圖的PMOS管和NMOS管 源極和漏極是不區(qū)分的，上下的 poly1都是柵 極。6、襯底接觸一般在下面畫一排接觸即可，對(duì)于數(shù)?；旌想娐纺硞€(gè)MOS管是特 別敏感的那用襯底全包圍。7、走線盡可能短，盡量畫的緊湊，減少延時(shí) 。8、盡量不用POLY來(lái)走線，如果兩個(gè)柵極之間具體太長(zhǎng)，中間用金屬走線。poly 的長(zhǎng)度最多是 3-5um。9、同一層Metal之間的距離要大于最小值 0.23um, 一般是設(shè)置成大于0.5um。比如兩條metall走線之間的距離要大于0.5um。10、PMOST的襯底全部接VDD NMOST的襯底全部接地

43、各種器件之間的距離：1、PMOS管和NMOS管之間的距離一般控制在1um以上，太近DRC報(bào)錯(cuò)2、兩個(gè)不同電壓nwell之間的距離要大于1.4u,因此一開始要預(yù)留5um3、Nwell和NMOS管之間的距離推薦是大于1u4、Nwell和襯底接觸以及PMOS管的距離0.5u左右5、襯底接觸和mos管距離一般設(shè)置為0.5u電容和電阻器件不選擇analoglib里面的cap和res（這兩個(gè)是理想電容電阻），電 容一般選擇tsmc里面的mimcap,電阻則要看電阻率等具體要求。（TED&黃）快捷鍵K尺寸距離（shift + k撤銷尺寸）S修整M移動(dòng)選上后右鍵可旋轉(zhuǎn)Z放大（ctrl+z放大兩倍，sh

44、ift +z縮小兩倍）Shift選擇多個(gè)器件Shift+F顯示NMOS和PMOS器件的版圖O 打孔（pmos管襯底屬性選擇 M1_NWELL nmos管選擇M1_SUB 金屬和poly 打孔屬性選擇M1_POLY1）三、后端驗(yàn)證和提取后端仿真首先要DRC,然后LVS,然后PEX提取寄生參數(shù)。最后用Hspice仿 真器仿真提取參數(shù)后的網(wǎng)表。這里主要用到的是calibre工具1、 DRC（上面工具欄中 calibre一選才i Run DRC彈出下面窗口Runset File是RUN DRC時(shí)需要填入的一些設(shè)置，方便于下次 RUN,可直接取 消掉DRC主要設(shè)置rules的位置和DCR Run的路徑其

45、余的都默認(rèn)Rules這里選擇TSMC庫(kù)文件中calibre文件下的calibre.drc（這里的DRC Run Directory是自己創(chuàng)建的一個(gè)文件夾，su xuecd /home/xue mkdir drc）這里 dcr 改為 verify/dcr"Calibre Interactive - nmDRC v2011.2 34.26然后點(diǎn)擊Run DRC 彈出以下窗口Topee'll inv . a Rg/uiw in B ar mb ChEcks）早 Cell Inv - B Redlte OD erteck F.凡3 -1 %白euiiLl 匐 Cltack Ml.R.

46、l - 1 ResultE： 3 Check. M2.B.1 - 1 ResuH-西 Chflck. M3.P 1 -1 RbwR- W ChflCk M4 R 1 -1 ResuH-F 國(guó) CMck M5,R1 - 1F Ckeck Mg.R-1 - i R©如修-m H Check UTMZOKRJ - 1 Resun（運(yùn)行完成之后的彈出的窗口）比如點(diǎn)開看，如果是area coverage那就是覆蓋率的問(wèn)題，這種錯(cuò)誤不用理會(huì)。 上圖中得這8個(gè)錯(cuò)誤是沒(méi)關(guān)系的2、Run LVS同樣Runset File點(diǎn)取消 設(shè)置 rules 和 input 的 netlist日伯 Iranscrl

47、plgslupit1 vs 埼r lipRUl«$inputs海WHO幽Ue/|Mk/C9NbE限ilbr號(hào)小色. I Vi&w LOOutputsLVS Run DirmcMryRun 日nfngl *|一二一 :(【新】lvs改為verify/lvs【新】lvs改為verify/lvs Calibre Interactive - nmLVS v2011.2 34,26 Calibre Interactive - nmLVS v2011.2_3426帥utsll Layom 壯 N酬夙Nsllrstvs NeUistNgHIM 日衣ad10rlQuip MsRun Cont

48、rolLayout | Netiisfi | H-Cells |TranscriptFlies：mv.sn'.riftl1| 2| 喇BW |Rum LVSF oriTtHt：aPICE Export (roin schematic viewerInputs Netlist 這里選擇 Export from schematic viewer點(diǎn)擊run LVS后彈出以下窗口如果是綠色笑臉則表示LVS通過(guò)，表示版圖和schematic原理圖是匹配的，說(shuō)明 我們的版圖沒(méi)有畫錯(cuò)。如果是紅色臉蛋，表示有錯(cuò)誤，那要點(diǎn)開看具體的錯(cuò)誤說(shuō) 明，再排除錯(cuò)誤。3、Run PEX同樣Runset File點(diǎn)取

49、消Rules設(shè)置新/home/gengliang/ic/verify/pexInputs-netlist 設(shè)置 Export from schematic view 選上Outputs- extraction type選擇R+C（即提取寄生電阻和電容），format這里選擇 hspice（用于Hspice仿真器仿真）（如果后仿是用spectre仿真器仿真，那么format這里選擇CALIBREVIEW ）SVD6view£iie Iran script 瑩elupRulesExtractian Mode xRC /.ccurac1： 200'Calibre Interacti

50、ve - PEX v2011.2_34.26Accuracy 200No InductanceNetllstNets ReportsSVD 日Exiraction Mode： xRCTransistor Level R + CRun EEXStar! RVERun PEXFormat ELDQ Usa Names Fra h Nd R/C View nefllsl after fex finishesExtraction Type：CALIBREVIEWFile： dindg中EKjnetflstRun ControlTranscriplExtractian Tjjpe： Transiista

51、i Level R * C Nd InduclanceSlart RVEFile Hcff.pex JKtlistViewFile： Icf DSPF> ELDOF PRIMETIME HSIMF ADITRAILTranscnptFormat HSPics Ufe Nam&s From： schematicRun REXSlartRi£E Viewnelllst altar PEX Hn4$hesNEW£ile Iranscript elupQutpuhNets. | ReportsNelli式 | Net GeometryRulesInputsErirac

52、ton Type： mnql第lar Lwl| R C| 即 Mductai聞QulpuURun £.CinlralNeilEEthlels j RBporis SWDB |R + C + CCRulasInputsOutputsRun £ontralTranscriptHbHICtFormat； hshceUse Names From：SCHEMATIC IRun£an|nol |Tr即翔nmNEWOutputs reports這里 選上 generate PEX report和 View report after PEX finishesMM Mels 罔5VD0 Gemal? P£：K 叫EPEX depart Ale vtvjmk.fupdfI Viow Hapcrt srRar FWX InishetLUS Rs-nort Fla invJvx-reportJ V1M ftepal 兩f LS 題甲lw$然后run PEX之后在/home/xue/pex文件夾下面生成三個(gè)我們需要用到的文件list （里面是電路的網(wǎng)表）list.pex （里面是各個(gè)節(jié)點(diǎn)的寄生參數(shù)）list.DUALINV.pxi （里面是一些