模擬電子技術(shù)5章習題答案復習過程

1、模 擬 電 子 技 術(shù) 5 章 習題答案精品資料5放大電路的頻率響應自我檢測題一選擇和填空1. 放大電路對高頻信號的放大倍數(shù)下降，主要是因為的影響；低頻時放大倍數(shù)下降，主要是因為的影響。(A.耦合電容和旁路電容；B.晶體管的非線性；C.晶體管的極間電容和分布電容)2. 共射放大電路中當輸入信號頻率為fL、fH時，電路放大倍數(shù)的幅值約下降為中頻時的 A :或者說是下降了 D dB ;此時與中頻相比，放大倍數(shù)的附加相移約為G度。(A. 0.7, B. 0.5，C. 0.9); (D. 3dB，E. 5dB, F. 7dB); (G. -45°,H. -90° :I. -180

2、°)3. 某放大電路Av|的對數(shù)幅頻響應如圖選擇題3所示。由圖可見，該電 路的中頻電壓增益 幾丨=1000 ;上限頻率fH = 108 Hz ;下限頻率fL = 102 Hz ;當ffH時電路的實際增益=57 dB;當ffL時電路的實際增益=57 dB。圖選擇題34. 若放大電路存在頻率失真，則當Vi為正弦波時，Vo D 。( A.會產(chǎn)生 線性失真B.為非正弦波C.會產(chǎn)生非線性失真D.為正弦波)5. 放大電路如圖選擇題5所示，其中電容C 1增大，貝U導致D（A.輸入電阻增大B.輸出電阻增大C.工作點升高D.下限頻率降低）圖選擇題5二.判斷題（正確的在括號內(nèi)畫V,錯誤的畫X）1. 改用

3、特征頻率fT咼的晶體管，可以改善阻容耦合放大電路的咼頻響應 特性。（V）2. 增大分布電容的容量，可以改善阻容耦合放大電路的低頻響應特性。（X）3. 幅度失真和相位失真統(tǒng)稱為非線性失真。（ X）4. 當某同相放大電路在輸入一個正弦信號時產(chǎn)生了頻率失真，則輸出電 壓波形將為非正弦。（X）5. 當放大電路輸入一個三角波電壓時，輸出電壓波形的上升、下降斜線明顯彎曲，因此可以肯定該放大電路的非線性失真較大。（V）6. 當晶體管選定后，在信號頻率遠大于上限截止頻率時，放大電路增益 與信號頻率乘積近似為一個常數(shù)。（X）7. 當晶體管和放大電路的結(jié)構(gòu)選定之后，提高放大電路的電壓放大倍 數(shù)，必會犧牲放大電路的

4、頻帶寬度。（ V ）8. 在阻容耦合放大電路中，增大耦合電容的容量，有利于高頻信號暢 通，因此可以改善高頻響應特性。(X)習題5.1某放大電路的fL 100Hz , fH 1MHz，現(xiàn)輸入信號頻率為2MHz的正弦 波，試問輸出波形是否會產(chǎn)生頻率失真？若輸入信號是由 100kHz和2MHz兩 種頻率分量組成的波形，問此時輸出信號波形有無頻率失真？解：(1)輸入信號頻率為2MHz的正弦波時，輸出不會產(chǎn)生頻率失真。(2)若輸入信號是由100kHz和2MHz兩種頻率分量組成的波形，則輸出 波形有頻率失真。5.2 一共射放大電路的通頻帶為100Hz 100kHz,中頻電壓增益Am| 40dB，最大不失真

5、交流輸出電壓范圍為-4V +4V，試求：(1) 若輸入一個10sin 4 103t mV的正弦信號，輸出波形是否會產(chǎn)生頻率失真和非線性失真？若不失真，則輸出電壓的峰值是多大？V。與V間的相位差是多少？(2) 若v 50sin 4 25 103t mV，重復回答(1)中的問題。(3) 若v 10sin 4 60 10、mV，輸出波形是否會失真？解：(1)因為輸入信號的工作頻率 f 2kHz，處于中頻區(qū)Vom Vim Avm| 10mV 100 1V 4V所以輸出波形不會產(chǎn)生非線性失真，又因為輸入信號是單一頻率的正 弦波，所以輸出也不會產(chǎn)生頻率失真。根據(jù)上述計算可知，輸出電壓 的峰值為1V，因是共

6、射電路，Vo與V間的相位差是-180°(2)因為輸入信號的工作頻率f 50kHz，處于中頻區(qū)Vom Vim Avm|50 mV 100 5V 4V所以輸出波形會產(chǎn)生非線性失真，但因輸入是單一頻率的正弦波，故 不會產(chǎn)生頻率失真。(3)因為輸入信號的工作頻率 f 120kHz，處于高頻區(qū)，電壓放大倍數(shù)小 于中頻放大倍數(shù)，即Vom Vim Avm|10 mV 100 1V所以輸出即不會產(chǎn)生非線性失真。又因為輸入信號是單一頻率的正弦 波，輸出不會產(chǎn)生頻率失真。5.3已知某放大電路電壓放大倍數(shù)的頻率特性為1000j丄Avioi j- iio.fj眉試求該電路的上、下限頻率，中頻電壓增益的分貝數(shù)

7、，輸出電壓與輸入電壓在 中頻區(qū)的相位差解：將A的表達式分子、分母同時除以j，可得:1000i jf i jf10io6僅供學習與交流，如有侵權(quán)請聯(lián)系網(wǎng)站刪除 謝謝149對比簡單RC高通、低通濾波電路的放大倍數(shù)表達式，可知：上限頻率fH 1000kHz，下限頻率fL 10Hz，中頻電壓增益|Avm| 1000 60dB，輸入電壓與輸出電壓在中頻區(qū)的相位差為0°5.4已知某放大電路的電壓放大倍數(shù)的頻率特性為A V （1譚）d）f105試畫出該電路的幅頻響應波特圖，并求出中頻增益、上限頻率fH和下限頻率fL o解：將Av的表達式與簡單RC高通、低通濾波電路的放大倍數(shù)表達式進行對比，可知：I

8、avmI 105 100dB，上限頻率fH 100kHz，下限頻率忙20Hz。 該電路的幅頻響應波特圖如下：5.5一個高頻晶體管，在Ieq 2mA時，其低頻H參數(shù)為：碌1.5k ，0 100，晶體管的特征頻率fT 100MHz，Cbc 3pF，試求混合n型模型參數(shù):g m、 rbe、 rbb'、 Cbe o解:gmI EQVt2 mA26mV77mS ,rbe1Vl1 100 26 1.3k ,I EQ2% ge 心1.5 1.30.2k,Cbegm771062 3.14 100 10123 pF5.6放大電路如圖題5.6所示,已知三極管為3DG8D,50 , FS2k220k， Rc

9、 2k ， Rl 10k，Cb1 10 F ， Cb2 20 F ，gm38.5ms， Cbe 41 pF，畫出電路的高頻小信號等效電路，估算其上限頻率 畫出電路的低頻小信號bb100，Cbc 4pF ， VBE0.6V ，Vcc 5V，試求：Cb1+(1)(2)+Vccc解b2 ( 1 )Vo(a)原理圖等效電路，估算其下F限頻率f L 01«_o + Vcc(+5V)Rb nRnCb2CbJ 加 LI +Rb360kVoH ,C1J)R- 0Rs高頻小信號等效電路如下:rbb'+Vcc (+12V)RcC210 FVoRlVi圖題5.6b'Cb'cpRbr

10、b'e-Cb'e 吟Rc1 r!g m Vb'(e+Vs'1.3k(b)高頻小信號等效電路U Dgm38.5mSberbb'r'be0.11.31.4kR(Rs Rrbb)be220 2 0.1 1.30.8kCbe1gmR- Cbc411 38.510 2112RC2 3.143120.8 10302 1050匚C4302 pF659kHzfHRsVs(2)低頻小信號等效電路如下:Cb1IbCb2卄fLRsVsO12 R|Cb112 RSfL2fLfL1 4.68 HzRbrb W IbRcRlVo354.68Hz2 （Rs Rbbe）Cb12

11、 （2 220/1.4） 103 10 51 2_2 10 102 （Rc尺心 2-0.66 Hz20 105.7已知圖題5.7所示放大電路中, 頻增益為40dB以下限截止頻率為fL+VCc (+5V)lCb2RbCb1RcRlVo解:MMFC4OdBbeTvM rbe:fL 1 10Hz"2 （Rbbe）C,C12 （Rbe）fL50，b 1k ，要求中晶體管的10Hz，試確定Rc和C1的大小。 +Vcc （+12V）Rb360kC1+Vi9100RcC2±0H10 FVo-o圖題5.7310010小2k5012360k 1k 1016 F5.8電路如圖題5.8所示，設(shè)信

12、旦120，Vbe 0.7V，bb 50示。試求：(1)混合n型模型參數(shù):，fT號源內(nèi)阻RS 500，其中晶體管參數(shù)為:500MHz，Cbc 1pF ；其余參數(shù)如圖中所bcgm、be、Cbe ；電路的上限頻率fH ；(3)中頻區(qū)電壓增益; 增益帶寬積。+ V DD(+15V)C1RgRdC2V。Rl20k圖題5.8解：（1）I EQRe2215 0.733_221.4mA3.9I EQgm1.4mArb'ebeCb'eVtbb'26mV53.8mS(2)CbfH(3)(4)體管解:Vt1 EQrb'egm2 fT(RjRb0.052 RCkvsMAMfH120 亠

13、 2.2k1.42.22.25k353.8 102 3.14100 106Lb ) J33 22 0.5Rl Cbc171 53.82 3.140.44 10Rlrbe942.725.9已知晶體管電路如圖題，Re可視為開路17 pF0.05 2.20.44k4.7 4133 10 121204.7 |42.251133 pF2.72MHz33 22 2.250.533122 2.2594106255.68MHz5.8所示，設(shè)信號源內(nèi)阻為Rs50 ，Vbe0.7V，估算電路的下限頻率fL。500,已知晶(1)輸入回路:fL 112 (R IO230.5 2.2510645 Hz0.09 10(2

14、)輸出回路:fL234.74101 1018HzL2fLfL1 645Hz5.10有一個N溝道耗盡型MOS場效應管(Idss = 1mA)，三個電阻(分 別為1M 、100k、10k )和兩個電容(分別為0.1 pF、10 pF)，要求從中選擇合適的電阻、電容組裝一個如圖題 5.10所示的放大電路(其負載電阻為20k )，并希望該放大電路有較高的輸入電阻和盡量低的下限截止頻率Vcc (+15V)Rb2 RCC2C1RsvsVoCeRlRl20k解：(1)為使電路有盡可能高的輸入電阻，Rg必須取大值，所以應取1M(2)在此電路中，Vgs 0，則Id Idss 1mA，所以，為保證電路具有合適的 靜態(tài)工作點，Rd應取10k。因為fL1 1 ,fL21 ，若fL1、fL2兩者相差4倍以上，電2 RgC,2 Rd Rl C路最終的下限截止頻率取決于兩者中較大的下限頻率，所以要使下限截止頻率 盡可能低，C1應取0.1 F， C2取10 F。5.11已知圖題5.11所示電路中，兩個晶體管的和be相同，1250 ， rbe1 = rbe2 2k ，試分析：(1) 定性分析C1、C2、G3中哪一個電容