材料科學(xué)基礎(chǔ)選擇題精編版

1、1、極化會對晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生顯著影響，可使鍵性由（B）過渡，最終使晶體結(jié)構(gòu)類型發(fā)生變化。（A）共價鍵向離子鍵（B）離子鍵向共價鍵（C）金屬鍵向共價鍵（D）鍵金屬向離子鍵2、離子晶體中，由于離子的極化作用，通常使正負(fù)離子間的距離（B），離子配位數(shù)（）。（A）增大，降低（B）減小，降低（C）減小，增大（D）增大，增大3、氯化鈉具有面心立方結(jié)構(gòu)，其晶胞分子數(shù)是（C）。（A）5（B）6（C）4（D）34、NaCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為4，Na+填充在Cl-所構(gòu)成的（B）空隙中。（A）全部四面體（B）全部八面體（C）1/2四面體（D）1/2八面體5、CsCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為1，Cs+填充在Cl-所

2、構(gòu)成的（C）空隙中。（A）全部四面體（B）全部八面體（C）全部立方體（D）1/2八面體6、MgO晶體屬NaCl型結(jié)構(gòu)，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子組成，其一個單位晶胞中有（B）個MgO分子。（A）2（B）4（C）6（D）87、螢石晶體可以看作是Ca2+作面心立方堆積，F(xiàn)-填充了（D）。（A）八面體空隙的半數(shù)（B）四面體空隙的半數(shù)（C）全部八面體空隙（D）全部四面體空隙8、螢石晶體中Ca2+的配位數(shù)為8，F(xiàn)-配位數(shù)為（B）。（A）2（B）4（C）6（D）89、CsCl晶體中Cs+的配位數(shù)為8，Cl-的配位數(shù)為（D）。（A）2（B）4（C）6（D）810、硅酸鹽晶體的分類原則是（

3、B）。（A）正負(fù)離子的個數(shù)（B）結(jié)構(gòu)中的硅氧比（C）化學(xué)組成（D）離子半徑11、鋯英石ZrSiO4是（A）。（A）島狀結(jié)構(gòu)（B）層狀結(jié)構(gòu)（C）鏈狀結(jié)構(gòu)（D）架狀結(jié)構(gòu)12、硅酸鹽晶體中常有少量Si4+被Al3+取代，這種現(xiàn)象稱為（C）。（A）同質(zhì)多晶（B）有序無序轉(zhuǎn)變（C）同晶置換（D）馬氏體轉(zhuǎn)變13.鎂橄欖石Mg2SiO4是（A）。（A）島狀結(jié)構(gòu)（B）層狀結(jié)構(gòu)（C）鏈狀結(jié)構(gòu)（D）架狀結(jié)構(gòu)14、對沸石、螢石、MgO三類晶體具有的空隙體積相比較，其由大到小的順序為（A）。（A）沸石>螢石>MgO（B）沸石>MgO>螢石（C）螢石>沸石>MgO（D）螢石>M

4、gO>沸石15、根據(jù)鮑林（Pauling）規(guī)則，離子晶體MX2中二價陽離子的配位數(shù)為8時，一價陰離子的配位數(shù)為（B）。（A）2（B）4（C）6（D）816、構(gòu)成硅酸鹽晶體的基本結(jié)構(gòu)單元SiO4四面體，兩個相鄰的SiO4四面體之間只能（A）連接。（A）共頂（B）共面（C）共棱（D）A+B+C17、點缺陷與材料的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、材料的高溫動力學(xué)過程等有關(guān)，以下點缺陷中屬于本征缺陷的是（D）。（A）弗侖克爾缺陷（B）肖特基缺陷（C）雜質(zhì)缺陷（D）A+B18、位錯的（A）是指在熱缺陷的作用下，位錯在垂直滑移方向的運動，結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少。（A）攀移（B）攀移（C）增值（D）減

5、少19、對于形成雜質(zhì)缺陷而言，低價正離子占據(jù)高價正離子位置時，該位置帶有負(fù)電荷，為了保持電中性，會產(chǎn)生（D）。（A）負(fù)離子空位（B）間隙正離子（C）間隙負(fù)離子（D）A或B20、對于形成雜質(zhì)缺陷而言，高價正離子占據(jù)低價正離子位置時，該位置帶有正電荷，為了保持電中性，會產(chǎn)生（D）。（A）正離子空位（B）間隙負(fù)離子（C）負(fù)離子空位（D）A或B21、形成固溶體后對晶體的性質(zhì)將產(chǎn)生影響,主要表現(xiàn)為（D）。（A）穩(wěn)定晶格（B）活化晶格（C）固溶強(qiáng)化（D）A+B+C22、固溶體的特點是摻入外來雜質(zhì)原子后原來的晶體結(jié)構(gòu)不發(fā)生轉(zhuǎn)變，但點陣畸變，性能變化。固溶體有有限和無限之分，其中（B）。（A）結(jié)構(gòu)相同是無限固

6、溶的充要條件（B）結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的必要條件，不是充分條件（C）結(jié)構(gòu)相同是有限固溶的必要條件（D）結(jié)構(gòu)相同不是形成固溶體的條件23、缺陷對晶體的性能有重要影響，常見的缺陷為（D）。（A）點缺陷（B）線缺陷（C）面缺陷（D）A+B+C24、按照晶體結(jié)構(gòu)缺陷形成的原因，可將晶體結(jié)構(gòu)缺陷的類型分為（D）。（A）熱缺陷（B）雜質(zhì)缺陷（C）非化學(xué)計量缺陷（D）A+B+C25、晶體中的熱缺陷的濃度隨溫度的升高而增加，其變化規(guī)律是（B）。（A）線性增加（B）呈指數(shù)規(guī)律增加（C）無規(guī)律（D）線性減少26、間隙式固溶體亦稱填隙式固溶體，其溶質(zhì)原子位于點陣的間隙中。討論形成間隙型固溶體的條件須考慮（D）。（A）

7、雜質(zhì)質(zhì)點大?。˙）晶體（基質(zhì)）結(jié)構(gòu)（C）電價因素（D）A+B+C27、位錯的滑移是指位錯在（A）作用下，在滑移面上的運動，結(jié)果導(dǎo)致永久形變。（A）外力（B）熱應(yīng)力（C）化學(xué)力（D）結(jié)構(gòu)應(yīng)力28、柏格斯矢量（BurgersVector）與位錯線垂直的位錯稱為（A），其符號表示為（）。（A）刃位錯；（B）刃位錯；VX（C）螺位錯；（D）刃位錯；29、熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點（原子或離子）。當(dāng)離子晶體生成肖特基缺陷（Schottkydefect）時，（B）。（A）正離子空位和負(fù)離子空位是同時成對產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的縮?。˙）正離子空位和負(fù)離子空位是同時成對

8、產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的增加（C）正離子空位和負(fù)離子間隙是同時成對產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的增加（D）正離子間隙和負(fù)離子空位是同時成對產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的增加30、熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點（原子或離子）。生成弗侖克爾缺陷（Frenkeldefect）時，（A）。（A）間隙和空位質(zhì)點同時成對出現(xiàn)（B）正離子空位和負(fù)離子空位同時成對出現(xiàn)（C）正離子間隙和負(fù)離子間隙同時成對出現(xiàn)（D）正離子間隙和位錯同時成對出現(xiàn)31、位錯的具有重要的性質(zhì)，下列說法不正確的是（C）。（A）位錯不一定是直線（B）位錯是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的邊界（C）位錯可以中斷于晶體內(nèi)部（D）

9、位錯不能中斷于晶體內(nèi)部32、位錯的運動包括位錯的滑移和位錯的攀移，其中（A）。（A）螺位錯只作滑移，刃位錯既可滑移又可攀移（B）刃位錯只作滑移，螺位錯只作攀移（C）螺位錯只作攀移，刃位錯既可滑移又可滑移（D）螺位錯只作滑移，刃位錯只作攀移33、硅酸鹽熔體中各種聚合程度的聚合物濃度（數(shù)量）受（D）因素的影響。（A）組成（B）溫度（C）時間（D）A+B+C34、當(dāng)熔體組成不變時，隨溫度升高，低聚物數(shù)量（C），粘度（）。（A）降低；增加（B）不變；降低（C）增加；降低（D）增加；不變35、當(dāng)溫度不變時，熔體組成的O/Si比高，低聚物（C），粘度（）。（A）降低；增加（B）不變；降低（C）增加；降低（

10、D）增加；不變36、硅酸鹽熔體的粘度隨O/Si升高而（B），隨溫度下降而（）。（A）增大，降低（B）降低，增大（C）增大，增大（D）降低，降低37、由結(jié)晶化學(xué)觀點知，具有（A）的氧化物容易形成玻璃。（A）極性共價鍵（B）離子鍵（C）共價鍵（D）金屬鍵38、Na2O·Al2O3·4SiO2熔體的橋氧數(shù)為（D）。（A）1（B）2（C）3（D）439、Na2OCaOAl2O3SiO2玻璃的橋氧數(shù)為（B）。（A）2.5（B）3（C）3.5（D）440、如果在熔體中同時引入一種以上的R2O時，粘度比等量的一種R2O高，這種現(xiàn)象為（B）。（A）加和效應(yīng)（B）混合堿效應(yīng)（C）中和效應(yīng)（D

11、）交叉效應(yīng)41、對普通硅酸鹽熔體，隨溫度升高，表面張力將（A）。（A）降低（B）升高（C）不變（D）A或B42、熔體的組成對熔體的表面張力有很重要的影響，一般情況下，O/Si減小，表面張力將（A）。（A）降低（B）升高（C）不變（D）A或B43、由熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變的過程是（C）的過程。（A）可逆與突變（B）不可逆與漸變（C）可逆與漸變（D）不可逆與突變44、當(dāng)組成變化時，玻璃的物理、化學(xué)性質(zhì)隨成分變化具有（C）。（A）突變性（B）不變性（C）連續(xù)性（D）A或B45、熔體組成對熔體的表面張力有重要的影響，一般情況下，O/Si減小，表面張力將（A）。（A）降低（B）升高（C）不變（D）A或B46

12、、不同氧化物的熔點TM和玻璃轉(zhuǎn)變溫度Tg的比值（Tg/TM）接近（B）易形成玻璃。（A）二分之一（B）三分之二（C）四分之一（D）五分之一47、可用三T（Time-Temperature-Transformation）曲線來討論玻璃形成的動力學(xué)條件，三T曲線前端即鼻尖對應(yīng)析出106體積分?jǐn)?shù)的晶體的時間是最少的，由此可得出形成玻璃的臨界冷卻速率，通常，該臨界冷卻速率愈大，則系統(tǒng)形成玻璃（A）。（A）愈困難（B）愈容易（C）質(zhì)量愈好（D）質(zhì)量愈差48、不同O/Si比對應(yīng)著一定的聚集負(fù)離子團(tuán)結(jié)構(gòu)，形成玻璃的傾向大小和熔體中負(fù)離子團(tuán)的聚合程度有關(guān)。聚合程度越低，形成玻璃（A）。（A）越不容易（B）越容

13、易（C）質(zhì)量愈好（D）質(zhì)量愈差49、當(dāng)熔體中負(fù)離子集團(tuán)以（C）的歪曲鏈狀或環(huán)狀方式存在時，對形成玻璃有利。（A）低聚合（B）不聚合（C）高聚合（D）A或C25、橋氧離子的平均數(shù)Y是玻璃的結(jié)構(gòu)參數(shù)，玻璃的很多性質(zhì)取決于Y值。在形成玻璃范圍內(nèi)，隨Y的增大，粘度（D），膨脹系數(shù)（）。（A）增大；不變（B）降低；增大（C）不變；降低（D）增大；降低50、對于實際晶體和玻璃體，處于物體表面的質(zhì)點，其境遇和內(nèi)部是不同的，表面的質(zhì)點處于（A）的能階，所以導(dǎo)致材料呈現(xiàn)一系列特殊的性質(zhì)。（A）較高（B）較低（C）相同（D）A或C51、由于固相的三維周期性在固體表面處突然中斷，表面上原子產(chǎn)生的相對于正常位置的上、

14、下位移，稱為（B）。（A）表面收縮（B）表面弛豫（C）表面滑移（D）表面擴(kuò)張52、固體的表面能與表面張力在數(shù)值上不相等，一般說來，同一種物質(zhì)，其固體的表面能（B）液體的表面能。（A）小于（B）大于（C）小于等于（D）等于53、重構(gòu)表面是指表面原子層在水平方向上的周期性與體內(nèi)（），垂直方向的層間距與體內(nèi)（A）。（A）不同；相同（B）相同；相同（C）相同；不同（D）不同；不同54、粘附劑與被粘附體間相溶性（C），粘附界面的強(qiáng)度（）。（A）越差；越牢固（B）越好；越差（C）越好；越牢固（D）越好；不變55、離子晶體MX在表面力作用下，極化率小的正離子應(yīng)處于穩(wěn)定的晶格位置，易極化的負(fù)離子受誘導(dǎo)極化偶極

15、子作用而移動，從而形成表面（C，這種重排的結(jié)果使晶體表面能量趨于穩(wěn)定。（A）收縮（B）弛豫（C）雙電層（D）B+C56、表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會強(qiáng)烈地影響表面性質(zhì)，對于脆性材料的強(qiáng)度這種影響尤為重要，微裂紋長度（），斷裂強(qiáng)度（A）。（A）越長；越低（B）越長；越高（C）越短；越低（D）越長；不變57、界面對材料的性質(zhì)有著重要的影響，界面具有（D）的特性。（A）會引起界面吸附（B）界面上原子擴(kuò)散速度較快（C）對位錯運動有阻礙作用（D）A+B+C58、只要液體對固體的粘附功（B）液體的內(nèi)聚功，液體即可在固體表面自發(fā)展開。（A）小于（B）大于（C）小于等于（D）等于59

16、、當(dāng)液體對固體的潤濕角90°時，即在潤濕的前提下，表面粗糙化后，液體與固體之間的潤濕（C）。（A）更難（B）不變（C）更易（D）A或B60、當(dāng)液體對固體的潤濕角90°時，即在不潤濕的前提下，表面粗糙化后，液體與固體之間的潤濕（A）。（A）更難（B）不變（C）更易（D）A或B61、粘附功數(shù)值的大小，標(biāo)志著固-液兩相輔展結(jié)合的牢固程度，粘附功數(shù)值（B），固-液兩相互相結(jié)合（）；相反，粘附功越小，則越易分離。（A）越大；越松散（B）越大；越牢固（C）越?。辉嚼喂蹋―）越大；不變62、為了提高液相對固相的潤濕性，在固-氣和液-氣界面張力不變時，必須使液-固界面張力（B）。（A）降低

17、（B）升高（C）保持不變（D）有時升高，有時降低63、對于附著潤濕而言，附著功表示為W=SV+LV-SL，根據(jù)這一原理，（A）才能使陶瓷釉在坯體上附著牢固。（A）盡量采用化學(xué)組成相近的兩相系統(tǒng)（B）盡量采用化學(xué)組成不同的兩相系統(tǒng)（C）采用在高溫時不發(fā)生固相反應(yīng)的兩相系統(tǒng)（D）前三種方法都不行64、將高表面張力的組分加入低表面張力的組分中去，則外加組分在表面層的濃度（C）體積內(nèi)部的濃度。（A）等于（B）大于（C）小于（D）A或B65、表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會強(qiáng)烈地影響表面性質(zhì)，對于脆性材料的強(qiáng)度這種影響尤為重要，微裂紋長度（A），斷裂強(qiáng)度（）。（A）越長；越低（B）

18、越長；越高（C）越短；越低（D）越長；不變66、吸附膜使固體表面張力（B）。（A）增大（B）減?。–）不變（D）A或B67、粗糙度對液固相潤濕性能的影響是：C（A）固體表面越粗糙，越易被潤濕（B）固體表面越粗糙，越不易被潤濕（C）不一定（D）粗糙度對潤濕性能無影響68、下列關(guān)于晶界的說法哪種是錯誤的。A（A）晶界上原子與晶體內(nèi)部的原子是不同的（B）晶界上原子的堆積較晶體內(nèi)部疏松（C）晶界是原子、空位快速擴(kuò)散的主要通道（D）晶界易受腐蝕69、相平衡是指在多相體系中，物質(zhì)在各相間分布的平衡。相平衡時，各相的組成及數(shù)量均不會隨時間而改變，是（C）。（A）絕對平衡（B）靜態(tài)平衡（C）動態(tài)平衡（D）暫時

19、平衡70、二元凝聚系統(tǒng)平衡共存的相數(shù)最多為3，而最大的自由度數(shù)為（A）。（A）2（B）3（C）4（D）571、熱分析法是相平衡的研究方法之一，其原理是根據(jù)系統(tǒng)在冷卻過程中溫度隨時間的變化情況來判斷系統(tǒng)中是否發(fā)生了相變化，該方法的特點是（D）。（A）簡便（B）測得相變溫度僅是一個近似值（C）能確定相變前后的物相（D）A+B72、淬冷法是相平衡的研究的動態(tài)方法，其特點是（D）。（A）準(zhǔn)確度高（B）適用于相變速度慢的系統(tǒng)（C）適用于相變速度快的系統(tǒng)（D）A+B73、可逆多晶轉(zhuǎn)變是一種同質(zhì)多晶現(xiàn)象，多晶轉(zhuǎn)變溫度（A）兩種晶型的熔點。（A）低于（B）高于（C）等于（D）A或B74、不可逆多晶轉(zhuǎn)變的多晶轉(zhuǎn)

20、變溫度（B種晶型的熔點。（A）低于（B）高于（C）等于（D）A或B75、在熱力學(xué)上，每一個穩(wěn)定相有一個穩(wěn)定存在的溫度范圍，超過這個范圍就變成介穩(wěn)相。在一定溫度下，穩(wěn)定相具有（C）的蒸汽壓。（A）最高（B）與介穩(wěn)相相等（C）最低（D）A或B76、多晶轉(zhuǎn)變中存在階段轉(zhuǎn)變定律，系統(tǒng)由介穩(wěn)狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定態(tài)不是直接完成的，而是依次經(jīng)過中間的介穩(wěn)狀態(tài)，最后變?yōu)樵摐囟认碌姆€(wěn)定狀態(tài)。最終存在的晶相由（D）決定。（A）轉(zhuǎn)變速度（B）冷卻速度（C）成型速度（D）A與B77、二元凝聚系統(tǒng)的相圖中，相界線上的自由度為（C）。（A）3（B）2（C）1（D）078、根據(jù)杠杠規(guī)則，在二元凝聚系統(tǒng)的相圖中，如果一個總質(zhì)量為M

21、的相分解為質(zhì)量G1和G2的兩個相，則生成兩個相的質(zhì)量與原始相的組成到兩個新生相的組成點之間線段（B。（A）成正比（B）成反比（C）相等（D）A或C79、三元相圖中，相界線上的自由度為（C）。（A）3（B）2（C）1（D）080、固體中質(zhì)點的擴(kuò)散特點為：（D）。（A）需要較高溫度（B）各向同性（C）各向異性（D）A+C81、在離子型材料中，影響擴(kuò)散的缺陷來自兩個方面：熱缺陷與不等價置換產(chǎn)生的點缺陷，后者引起的擴(kuò)散為（C）。（A）互擴(kuò)散（B）無序擴(kuò)散（C）非本征擴(kuò)散（D）本征擴(kuò)散82、固體中質(zhì)點的擴(kuò)散特點為：D（A）需要較高溫度（B）各向同性（C）各向異性（D）A+C83、擴(kuò)散之所以能進(jìn)行，在本質(zhì)

22、上是由于體系內(nèi)存在（A）。（A）化學(xué)位梯度（B）濃度梯度（C）溫度梯度（D）壓力梯度84、固溶體的類型及溶質(zhì)的尺寸對溶質(zhì)擴(kuò)散的活化能有較大影響。則H、C、Cr在-Fe中擴(kuò)散的活化能的大小順序為（B）。（A）QH>QC>QCr（B）QCr>QC>QH（C）QC>QH>QCr（D）QCr>QH>QC85、晶體的表面擴(kuò)散系數(shù)Ds、界面擴(kuò)散系數(shù)Dg和體積擴(kuò)散系數(shù)Db之間存在（A）的關(guān)系。（A）Ds>Dg>Db（B）Db<Dg<Ds（C）Dg>Ds>Db（D）Dg<Ds<Db86、在離子型材料中，影響擴(kuò)散的缺

23、陷來自兩個方面：熱缺陷和摻雜點缺陷。由它們引起的擴(kuò)散分別稱為（B）。（A）自擴(kuò)散和互擴(kuò)散（B）本征擴(kuò)散和非本征擴(kuò)散（C）無序擴(kuò)散和有序擴(kuò)散（D）穩(wěn)定擴(kuò)散和不穩(wěn)定擴(kuò)散87、穩(wěn)定擴(kuò)散（穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散）是指在垂直擴(kuò)散方向的任一平面上，單位時間內(nèi)通過該平面單位面積的粒子數(shù)（B）。（A）隨時間而變化（B）不隨時間而變化（C）隨位置而變化（D）A或B88、不穩(wěn)定擴(kuò)散（不穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散）是指擴(kuò)散物質(zhì)在擴(kuò)散介質(zhì)中濃度隨（A）。（A）隨時間和位置而變化（B）不隨時間和位置而變化（C）只隨位置而變化（D）只隨時間而變化89、菲克（Fick）第一定律指出，擴(kuò)散通量與濃度梯度成正比，擴(kuò)散方向與濃度梯度方向（C）。（A）相同（B）

24、無關(guān)（C）相反（D）前三者都不是90、由于處于晶格位置和間隙位置的粒子勢能的不同，在易位擴(kuò)散、間隙擴(kuò)散和空位擴(kuò)散三種機(jī)制中，其擴(kuò)散活化能的大小為（C）。（A）易位擴(kuò)散=間隙擴(kuò)散>空位擴(kuò)散（B）易位擴(kuò)散>間隙擴(kuò)散=空位擴(kuò)散（C）易位擴(kuò)散>間隙擴(kuò)散>空位擴(kuò)散（D）易位擴(kuò)散<間隙擴(kuò)散<空位擴(kuò)散91、一般晶體中的擴(kuò)散為（D）。（A）空位擴(kuò)散（B）間隙擴(kuò)散（C）易位擴(kuò)散（D）A和B92、由肖特基缺陷引起的擴(kuò)散為（A）（A）本征擴(kuò)散（B）非本征擴(kuò)散（C）正擴(kuò)散（D）負(fù)擴(kuò)散93、空位擴(kuò)散是指晶體中的空位躍遷入鄰近原子，而原子反向遷入空位，這種擴(kuò)散機(jī)制適用于（C）的擴(kuò)散。（

25、A）各種類型固溶體（B）間隙型固溶體（C）置換型固溶體（D）A和B94、擴(kuò)散過程與晶體結(jié)構(gòu)有密切的關(guān)系，擴(kuò)散介質(zhì)結(jié)構(gòu)（A），擴(kuò)散（）。（A）越緊密；越困難（B）越疏松；越困難（C）越緊密；活化能越?。―）越疏松；活化能越大95、不同類型的固溶體具有不同的結(jié)構(gòu)，其擴(kuò)散難易程度不同，間隙型固溶體比置換型（D）。（A）難于擴(kuò)散（B）擴(kuò)散活化能大（C）擴(kuò)散系數(shù)小（D）容易擴(kuò)散96、擴(kuò)散相與擴(kuò)散介質(zhì)性質(zhì)差異越大，（B）。（A）擴(kuò)散活化能越大（B）擴(kuò)散系數(shù)越大（C）擴(kuò)散活化能不變（D）擴(kuò)散系數(shù)越小97、在晶體中存在雜質(zhì)時對擴(kuò)散有重要的影響，主要是通過（D），使得擴(kuò)散系數(shù)增大。（A）增加缺陷濃度（B）使晶格發(fā)生畸變（C）降低缺陷濃度（D）A和B98、通常情況下，當(dāng)氧化物在雜質(zhì)濃度較低時，其在高溫條件下引起的擴(kuò)散主要是（A）。（A）本征擴(kuò)散（B）非本征擴(kuò)散（C）互擴(kuò)散（D）A+B99、按熱力學(xué)方法分類，相變可以分為一級相變和二級相變，一級相變是在相變時兩相化學(xué)勢相等，其一階偏微熵不相等，因此一級相變（B）。（A）有相變潛熱，無體積改變（B）有相變潛熱，并伴隨有體積改變（C）無相