半導(dǎo)體器件復(fù)習(xí)

1、 半導(dǎo)體器件簡(jiǎn)單回顧 一、 半導(dǎo)體二極管 1. 電路符號(hào)正極+負(fù)極- 2. 伏安特性（V-I關(guān)系） （1）當(dāng)正極電壓比負(fù)極高0.7V,二極管導(dǎo)電，其二端壓降為0.7V。（二極管正偏） 當(dāng)負(fù)極電壓比正極高（二極管反偏）時(shí),二極管截止，流過二極管的電流為零，二極管兩端承受反壓（2）二極管理想特性（理想二極管） 當(dāng)正極電壓高于負(fù)極，二極管就導(dǎo)電，相當(dāng)于開關(guān)閉合，二極管兩端壓降為0；當(dāng)正極電壓低于負(fù)極，二極管截止，相當(dāng)于開關(guān)斷開。 3. 組成“與”門電路VAVBDADBVO 0 0導(dǎo)電導(dǎo)電 0 0 3導(dǎo)電截止 0 3 0截止導(dǎo)電 0 3 3導(dǎo)電導(dǎo)電 3ABO 0 0 0 0 1 0 1 0 0 11

2、1“與”邏輯真值表 4. 組成“或”門電路VAVBD1D2VZ 0 0截止截止 0 0 3截止導(dǎo)電3 3 0導(dǎo)電截止 3 3 3導(dǎo)電導(dǎo)電 3 A BZ 0 0 0 0 1 11 0 11 1 1“或”邏輯真值表 二、 半導(dǎo)體三極管1.電路符號(hào)集電極發(fā)射極基極工作時(shí)二個(gè)PN結(jié)的條件 發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置三極管于放大狀態(tài) 發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)正向偏置三極管于飽和狀態(tài) 發(fā)射結(jié)反向偏置，集電結(jié)正向偏置倒置工作狀態(tài) 發(fā)射結(jié)反向偏置，集電結(jié)反向偏置三極管于截止?fàn)顟B(tài) 輸出特性曲線 線性放大區(qū) （恒流區(qū)） iB 可以控制iC 的變化 iB大于0小于IBS，VCE大于0.7V而小于VCCIE=IC+

3、IBIC=IBVCE=VCC-ICRc （a）當(dāng)be間加上正向電壓，cb間加上反向電壓時(shí)，三個(gè)電極將產(chǎn)生圖示方向的三個(gè)電流IB、IC、IE。bBEBBBRVVI2.組成開關(guān)電路及工作原理當(dāng)Rb IB IC ICRc VCE 0.7V （b）當(dāng)IB足夠大時(shí)，三極管可以作開關(guān)運(yùn)用，其等效電路如圖： 當(dāng)be間加上反向電壓，cb間也加上反向電壓時(shí)，三個(gè)電極電流都將為零。此時(shí)，稱三極管為截止?fàn)顟B(tài)。 在數(shù)字邏輯電路中，半導(dǎo)體三極管主在數(shù)字邏輯電路中，半導(dǎo)體三極管主要用作開關(guān)。要用作開關(guān)。三極管工作在線性放大狀態(tài)用作放大器 共射電路輸入回路情況 共射電路輸出回路情況3.組成“非”門電路4.組成“或”邏輯關(guān)系

4、VAVBT1D2VZ 0 0截止截止 0 0 3截止導(dǎo)電3 3 0導(dǎo)電截止 3 3 3導(dǎo)電導(dǎo)電 3假定VCC=3V三、場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)與參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制電流型器件。其工場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制電流型器件。其工作電流主要由多數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)形成，作電流主要由多數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)形成，故又稱為故又稱為單極型晶體管。單極型晶體管。根據(jù)結(jié)構(gòu)和制造工藝的不同，場(chǎng)效應(yīng)管分為根據(jù)結(jié)構(gòu)和制造工藝的不同，場(chǎng)效應(yīng)管分為兩大類：兩大類： 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（J JFETFET） 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOSMOSFETFET）FETPFETJMOSFETFETN型（耗盡型）耗盡型增強(qiáng)

5、型型場(chǎng)效應(yīng)管的分類：場(chǎng)效應(yīng)管的分類：絕緣柵場(chǎng)效絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管符號(hào)應(yīng)管符號(hào)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管.)(constUGSDDSUfi20) 1(TGSDDUUIi開啟電壓開啟電壓TU0DI是TGSUU2時(shí)的漏極電流伏安特性和電流方程伏安特性和電流方程( 以增強(qiáng)型NMOSFET為例) （1 1）轉(zhuǎn)移特性）轉(zhuǎn)移特性.)(constvDSDGSvfi輸出特性分為三個(gè)工作區(qū)： 可變電阻區(qū)、放大區(qū)和夾斷區(qū)（2）輸出特性）輸出特性AID500VUT2增強(qiáng)型NMOS管轉(zhuǎn)移特性和輸出特性需要滿足的條件是：需要滿足的條件是：TGSDSTGSUUUUU,此時(shí)，溝道未預(yù)夾斷，溝道較寬，此時(shí)，溝道未預(yù)夾斷，溝道較寬，用一個(gè)體電阻等效用一個(gè)體電阻等效。.ConstUDDSDSGSIUR（a a）可變電阻區(qū)）可變電阻區(qū)（b）放大區(qū)（恒流區(qū)、飽和區(qū)）工作條件：TGSDSTGSUUUUU,TGSDSUUU滿足漏端預(yù)夾斷點(diǎn)的連線是放大區(qū)和可變電阻區(qū)的分界線Di主要受GSu控制，與DSu幾乎無關(guān)表現(xiàn)為較好的恒流特性TGSUU0Di（c）夾斷區(qū)（截止區(qū)）導(dǎo)電溝道消失，整個(gè)溝道被夾斷FET工作在截止?fàn)顟B(tài)耗盡型NMOS管的伏安特性曲線UP稱為夾斷電壓工作在放大區(qū)條件：PGSDSPGSUUUUU,轉(zhuǎn)移特性用電流方程：2)1 (PGSDSSDUUIiIDSS稱為飽和漏極電流耗盡型耗盡型MOSFET結(jié)型