MOSFET的封裝技術圖解大全

1、MOSFE的封裝技術圖解大全GnZEEO主板MOSFET的封裝技術圖解大全主板的供電一直是廠商和用戶關注的焦點，視線從供電相數(shù)開始向MOSFE器件 轉移。這是因為隨著MOSFE技術的進展，大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET 以及多芯片DrMO耕始用在主板上，新的功率器件吸引了主板用戶的眼球。 本文 將對主板采用的MOSFE器件的封裝規(guī)格和封裝技術作簡要介紹。MOSFET芯片制作完成后，需要封裝才可以使用。所謂封裝就是給MOSFE芯片加一個外殼，這個外殼具有支撐、保護、冷卻的作用，同時還為芯片提供電氣 連接和隔離，以便MOSFE器件與其它元件構成完整的電路。芯片的材料、工藝是MOSFE性

2、能品質的決定性因素，MOSFE廠商自然注重 芯片內核結構、密度以及工藝的改進，以提高 MOSFE的性能。這些技術改進將 付出很高的成本。封裝技術也直接影響到芯片的性能和品質，對同樣的芯片以不同形式的封 裝，也能提高芯片的性能。所以芯片的封裝技術是非常重要的。以安裝在PCB的方式區(qū)分，功率MOSFE的封裝形式有插入式（Through Hole） 和表面貼裝式（Surface Mount ）二大類。插入式就是 MOSFE的管腳穿過PCB 的安裝孔焊接在PCB上。表面貼裝則是MOSFE的管腳及散熱法蘭焊接在 PCB表 面的焊盤上。常見的直插式圭寸裝如雙列直插式圭寸裝（DIP），晶體管外形圭寸裝（TC

3、），插 針網(wǎng)格陣列封裝（PGA等。插入武封裝典型的表面貼裝式如晶體管外形封裝 （D-PAK，小外形晶體管封裝（SOT， 小外形封裝（SOP，方形扁平封裝（QFP，塑封有引線芯片載體（PLCC等等。礙體菖外形小外形SHE営（D-PAK） （SOT）小外形封裝方型扁翠武封裝塑封育引線芯片戦體 （SOP）（CFP（PLCC）表面貼裝式封裝電腦主機板一般不采用直插式封裝的 MOSFET本文不討論直插式封裝的MOSFET一般來說，“芯片封裝”有2層含義，一個是封裝外形規(guī)格，一個是封裝技 術。對于封裝外形規(guī)格來說，國際上有芯片封裝標準，規(guī)定了統(tǒng)一的封裝形狀和 尺寸。封裝技術是芯片廠商采用的封裝材料和技術工

4、藝，各芯片廠商都有各自的技術，并為自己的技術注冊商標名稱，所以有些封裝技術的商標名稱不同， 但其 技術形式基本相同。我們先從標準的封裝外形規(guī)格說起。一、標準封裝規(guī)格1 、TO封裝TO （ Tran sistor Out-li ne）的中文意思是“晶體管外形”。這是早期的圭寸裝規(guī)格，例如TO-92, TO-92L，TO-22O, TO-252等等都是插入式封裝設計。近年 來表面貼裝市場需求量增大，TO封裝也進展到表面貼裝式封裝。TQ-247TO-220SuperTO-220/247 TO-25W-PAK TO-263/D2PAKTO封裝的遊展TO252 和TO263就是表面貼裝封裝。其中 TO-

5、252又稱之為D-PAK TO-263 又稱之為D2PAKD-PAK 封裝的MOSFET 3個電極，柵極（G）、漏極（D）、源極（S）。其 中漏極（D）的引腳被剪斷不用，而是使用背面的散熱板作漏極（D），直接焊接 在PCB上，一方面用于輸出大電流，一方面通過 PCB散熱。所以PCB的D-PAK 焊盤有三處，漏極（D）焊盤較大。D-PAK (TO-252)封裝2、SOT封裝SOT (Small Out-Line Transistor )小外形晶體管圭寸裝。這種圭寸裝就是貼片 型小功率晶體管封裝，比TO封裝體積小，一般用于小功率 MOSFET常見的規(guī)格 有：rSOT-23SOT323SOT89SO

6、T封裝SOT23-6SOT363/SOT26主板上常用四端引腳的SOT-89 MOSFETSO89封裝3、SOF封裝SOP (Small Out-L ine Package )的中文意思是“小外形封裝”。 SOP是表 面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出呈海鷗翼狀(L字形)。材料有塑料和陶 瓷兩種。SOP也叫 SOL 和 DFP SOF封裝標準有 SOP-8 SOP-16 SOP-20 SOP-28 等等，SOP后面的數(shù)字表示引腳數(shù)。MOSFE的SOF封裝多數(shù)采用SOP-8規(guī)格，業(yè) 界往往把“ P” 省略，叫 SO( Small Out-Line )。自日日自O145.37 MAXI.teas

7、)r mII$ 033二1(ZZIJ11PCBSfiSOP8封裝SO-8采用塑料封裝，沒有散熱底板，散熱不良，一般用于小功率MOSFETSO-8是PHILIP公司首先開發(fā)的，以后逐漸派生出 TSOP（薄小外形封裝）、 VSOP（甚小外形封裝）、 SSOP（縮小型SOP、TSSOFP薄的縮小型 SOP等標 準規(guī)格。這些派生的幾種封裝規(guī)格中，TSOP和TSSO常用于MOSFE封裝。TSOP-6TTSOP-850派生的封裝規(guī)相5、QFN-56封裝QFN （ Quad Flat No n-leaded package ）是表面貼裝型圭寸裝之一，中文叫做 四邊無引線扁平封裝，是一種焊盤尺寸小、體積小、以

8、塑料作為密封材料的新興 表面貼裝芯片封裝技術。現(xiàn)在多稱為 LCC QFN是日本電子機械工業(yè)會規(guī)定的名 稱。封裝四邊配置有電極接點，由于無引線，貼裝占有面積比QFP小,高度比QFPf氐。這種封裝也稱為LCG PCLC P- LCC等。QFN本來用于集成電路的封裝， MOSFE不會采用的。In tel提出的整合 驅動與MOSFE的DrMO采用QFN-56封裝, 56是指在芯片背面有56個連接Pin。11 ill mi nii：ii ill詐OODDDOOOODDOf3-匚1Or呂e-.1=3sC3巳 ram產(chǎn)00QFN56 封裝的 DrMOS、最新封裝形式由于CPU勺低電壓、大電流的發(fā)展趨勢，對

9、MOSFE提出輸出電流大，導通 電阻低，發(fā)熱量低散熱快，體積小的要求。MOSFE廠商除了改進芯片生產(chǎn)技術和工藝外，也不斷改進封裝技術，在與標準外形規(guī)格兼容的基礎上， 提出新的封 裝外形，并為自己研發(fā)的新封裝注冊商標名稱。下面分別介紹主要MOSFE廠商最新的封裝形式。1 、瑞薩（RENESAS的 WPAK LFPAK和 LFPAK-I 封裝WPAK是瑞薩開發(fā)的一種高熱輻射封裝，通過仿 D-PAK封裝那樣把芯片散熱板焊接在主板上，通過主板散熱，使小形封裝的WPA也可以達到D-PAK的輸出電流。WPAK-D封裝了高/低2顆MOSFET減小布線電感。WPAK封裝特占*tg與6礴舀超礴罰裝 * BBO-

10、Smm .比SO8S4%, ech-c=5/W(Tc=25)WPAK-D1 單 MOSWPAK-D2 雙 s s SGD DDGMOS2-TS2ELFPAK和LFPAK-I是瑞薩開發(fā)的另外2種與SO-8兼容的小形封裝。LFPAK 類似D-PAK比D-PAK體積小。LFPAK-i是將散熱板向上，通過散熱片散熱。LFPAK/LFPAK i 封裝LFPAK& EM0TOF*VTO特點 SOP-BPhi 抵幗擁懾砸hj AWIf 11mmLFPAK-ie & e &Fra in2 、威世（Vishay ）的 Power-PAK和 Polar-PAK 封裝Power-PAK是威世公司注冊的 MOSFE封裝名稱。Power-PAK包括有Power-PAK1212-8 Power-PAK SO-8兩種規(guī)格。Polar PAK是雙面散熱的小形封 裝。fPowerPAK 1212-8 封裝I+B*融世TwnthFET技術功率MOFT* *i hi u-=1 /ft iiiiiiiiMiin Dlklill QFN 56MKDiMOS性能對比10Q(J 字 IQ IE ED lb H SS 40 葉Q)功捱D b ID 1& 30 35 3C id五、MOSFE發(fā)展趨勢DrMO$WPAK (Dual)POL and Brick伴隨計算機技術發(fā)展對MOSFE的要求，MOSFE