XRF定量分析原理

1、 XRF XRF分析原理分析原理 高新華高新華 教授教授 1. 基體效應(yīng) 2. 光譜重疊影響 3. 背景影響 4. 定量分析方法選擇 5. 樣品制備 定量分析的基本問(wèn)題基體效應(yīng)的校正 樣品基體的定義 基體是指樣品中除了分析元素外的其他組成元素的總和。 在多元體系中不同的分析元素具有不同的樣品基體. .例如 樣品由A,B,C.M個(gè)元素組成，當(dāng)A為分析元素時(shí)，M-A 則為分析元素A的基體；當(dāng)B為分析元素時(shí)M-B為樣品基體。 基體的分類(lèi)基體的分類(lèi)樣品的基體可分成如下三種類(lèi)型樣品的基體可分成如下三種類(lèi)型 ： 當(dāng)基體的吸收當(dāng)基體的吸收( ( / / ) )M- I M- I 低于分析元素自身的吸收系數(shù)低

2、于分析元素自身的吸收系數(shù) ( ( / / ) )i i時(shí)，這種基體屬于輕基體；時(shí)，這種基體屬于輕基體； 2. 2. 當(dāng)當(dāng)( ( / / ) )M-i M-i ( ( / / ) )i i時(shí)，屬于中性基體時(shí)，屬于中性基體 3. 3. 當(dāng)當(dāng)( ( / / ) )M-iM-i ( ( / / ) )i i時(shí)，屬于重基體時(shí)，屬于重基體0 1020 3040 50 60 70 80 90020406080100Wt (%)計(jì)數(shù)率計(jì)數(shù)率( ( KCPS)KCPS)基體對(duì)校準(zhǔn)曲線的影響基體對(duì)校準(zhǔn)曲線的影響增強(qiáng)影響吸收影響 基體效應(yīng)基體效應(yīng)在理想情況下在理想情況下, ,分析線的強(qiáng)度與元素濃度呈現(xiàn)簡(jiǎn)單的線性分析

3、線的強(qiáng)度與元素濃度呈現(xiàn)簡(jiǎn)單的線性關(guān)系關(guān)系: R: Ri,M i,M = = (W(Wi,Mi,M ,R ,Ri,ii,iM)M)但由于基體效應(yīng)的存在但由于基體效應(yīng)的存在, ,很難實(shí)現(xiàn)這種關(guān)系。多色激發(fā)時(shí)，很難實(shí)現(xiàn)這種關(guān)系。多色激發(fā)時(shí)， 熒光強(qiáng)度公式為：熒光強(qiáng)度公式為： I Ii i = = sinsin2100)()()(mmiAiWIKiAiWK基體效應(yīng)的分類(lèi)基體效應(yīng)的分類(lèi) 根據(jù)基體對(duì)分析線強(qiáng)度影響的不同根據(jù)基體對(duì)分析線強(qiáng)度影響的不同, ,可分為兩類(lèi)：可分為兩類(lèi)： (1) (1) 吸收吸收-增強(qiáng)效應(yīng)：由于基體的化學(xué)組成引起增強(qiáng)效應(yīng)：由于基體的化學(xué)組成引起 (2) (2) 物理狀態(tài)影響物理狀態(tài)

4、影響: :由樣品的粒度、均勻性，密由樣品的粒度、均勻性，密 度，微觀結(jié)構(gòu)、表面狀態(tài)及價(jià)態(tài)等因素所致。度，微觀結(jié)構(gòu)、表面狀態(tài)及價(jià)態(tài)等因素所致。吸收效應(yīng)吸收效應(yīng) 當(dāng)初級(jí)輻射射入樣品和樣品產(chǎn)生的熒光射出樣品時(shí)，受當(dāng)初級(jí)輻射射入樣品和樣品產(chǎn)生的熒光射出樣品時(shí)，受 樣品原子的吸收導(dǎo)致熒光強(qiáng)度減弱的現(xiàn)象稱(chēng)為吸收效應(yīng)；樣品原子的吸收導(dǎo)致熒光強(qiáng)度減弱的現(xiàn)象稱(chēng)為吸收效應(yīng)； 是由于初級(jí)輻射和樣品元素特征線的波長(zhǎng)剛好位于分析是由于初級(jí)輻射和樣品元素特征線的波長(zhǎng)剛好位于分析 元素吸收限的短波側(cè)所致。元素吸收限的短波側(cè)所致。增強(qiáng)效應(yīng)增強(qiáng)效應(yīng) 分析元素除受分析元素除受X X光管激發(fā)外還受基體元素特征輻射的再光管激發(fā)外還受

5、基體元素特征輻射的再 激發(fā)，導(dǎo)致分析線強(qiáng)度的額外增加，稱(chēng)為增強(qiáng)。基體激發(fā)，導(dǎo)致分析線強(qiáng)度的額外增加，稱(chēng)為增強(qiáng)?；w 元素特征線波長(zhǎng)位于分析元素吸收限的短波側(cè)，使分元素特征線波長(zhǎng)位于分析元素吸收限的短波側(cè)，使分 析元素受到基體輻射的強(qiáng)烈激發(fā)。析元素受到基體輻射的強(qiáng)烈激發(fā)。 典型的吸收典型的吸收-增強(qiáng)效應(yīng)（增強(qiáng)效應(yīng)（Cr-Fe-Ni） CrK (2.29A0) FeK (1.94A0) NiK (1.66A0) X光管輻射直接激發(fā)的光管輻射直接激發(fā)的CrK ：占：占CrK輻射總量的輻射總量的72.5% FeK輻射直接激發(fā)的輻射直接激發(fā)的CrK：占：占CrK輻射總量的輻射總量的23.5% ; NiK

6、輻射直接激發(fā)的輻射直接激發(fā)的CrK ：占：占CrK輻射總量的輻射總量的2.5% NiK輻射激發(fā)的輻射激發(fā)的FeK輻射激發(fā)的輻射激發(fā)的CrK（第三元素激發(fā)）（第三元素激發(fā)） 占占CrK輻射總量的輻射總量的1.5% CrFeNi元素吸收限與分析線能量關(guān)系元素吸收限與分析線能量關(guān)系NiK NiKabNik FeKabFeK NiK FeK CrKabCrK 基體影響校正模型基體影響校正模型 式中式中Z為濃度或計(jì)數(shù)率；為濃度或計(jì)數(shù)率；N為樣品中存在的元為樣品中存在的元 素?cái)?shù)；素?cái)?shù)； ， ， ， 為基體影響校正系數(shù)；為基體影響校正系數(shù)；I 為分析元素；為分析元素；j, k 共存的基體元素共存的基體元素

7、Ci = (Di + Ei Ri )(1+M)基體影響校正模型基體影響校正模型 CDER* CDERWi jjJ*1 CDERWWWi jjJi kkiK*11 KikikJjijWWWREDC1*1* CDERWW Wi jjJi j kjkj*1 2. 光譜重疊影響的校正光譜重疊影響的校正光譜重疊影響 光譜干擾有兩種形式：光譜干擾有兩種形式： 1. 波長(zhǎng)干擾：即干擾線與分析線的波長(zhǎng)相同或相近波長(zhǎng)干擾：即干擾線與分析線的波長(zhǎng)相同或相近 或具有相同或相近的或具有相同或相近的n 值。值。 2. 能量干擾：干擾線與分析線的脈沖高度分布重疊能量干擾：干擾線與分析線的脈沖高度分布重疊 能量干擾只有在使

8、用脈沖高度分析器時(shí)能觀察到。能量干擾只有在使用脈沖高度分析器時(shí)能觀察到。 3. 22號(hào)號(hào)Ti 27 Co間，（間，（Z-1)K ZK ; WL NiK ; BrL AlK ; AsK PbL 的的干擾等干擾等.光譜重疊的來(lái)源光譜重疊的來(lái)源 1. X光管發(fā)射的靶線和燈絲雜質(zhì)在靶體上的升華、濺光管發(fā)射的靶線和燈絲雜質(zhì)在靶體上的升華、濺 射物或沉積物的發(fā)射線的干擾；射物或沉積物的發(fā)射線的干擾； 2. 樣品內(nèi)部，樣品面罩及附件發(fā)射線的干擾；樣品內(nèi)部，樣品面罩及附件發(fā)射線的干擾； 3. 支撐體或樣品杯的痕量雜質(zhì)線干擾；支撐體或樣品杯的痕量雜質(zhì)線干擾； 4. 由光子、反沖電由光子、反沖電 子、俄歇電子激發(fā)

9、的圖解線、伴子、俄歇電子激發(fā)的圖解線、伴 線和禁線的干擾；線和禁線的干擾； 5. 晶體高次反射線與一次線間的重疊干擾。晶體高次反射線與一次線間的重疊干擾。光譜重疊的校正方法光譜重疊的校正方法010020030040050060060616263646566 計(jì)數(shù)率計(jì)數(shù)率( (KCPS 分析線角度分析線角度(2(2 o o) )CrK干擾峰干擾峰MnK分析峰分析峰重疊線干擾峰分析峰光譜重疊校正系數(shù)的計(jì)算方法光譜重疊校正系數(shù)的計(jì)算方法 1. 空白試樣法空白試樣法 : : 利用僅含干擾元素的樣品分別測(cè)量干擾元素峰位、分 析線峰位和背景位置上的干擾線強(qiáng)度 Ri,Rintp和Rb, 然后計(jì)算出干擾校正系

10、數(shù) L=L= R R凈凈 = Rp = Rp L L ( Ri Rb ) ( Ri Rb ) 2. 多元回歸法多元回歸法: 標(biāo)準(zhǔn)樣品干擾元素的強(qiáng)度與濃度擬合的多元回歸計(jì) 算法bibPRRRR 分析峰的能量干擾 重元素高次線與輕元素一級(jí)線的干擾重元素高次線與輕元素一級(jí)線的干擾; 晶體熒光的能譜與分析線能譜的干擾晶體熒光的能譜與分析線能譜的干擾; 共存元素逃逸峰與分析峰能譜的干擾共存元素逃逸峰與分析峰能譜的干擾; 晶體熒光與分析峰的重疊 用用Ge(111)晶體測(cè)定晶體測(cè)定P時(shí)，時(shí)，GeL 對(duì)對(duì)PK 的干擾的干擾 晶體熒光能量干擾PX1 PX1 多層薄膜晶體分析石灰石中的多層薄膜晶體分析石灰石中的

11、MgO MgO ：W W，Si,Ca Si,Ca 的干擾的干擾 用用 TlAP TlAP 晶體分析石灰石中晶體分析石灰石中MgOMgO，TlMTlM線干擾線干擾 晶體熒光的能量干擾 探測(cè)器探測(cè)器逃逸峰的干擾 測(cè)量重晶石中Al2O3 和SiAlBaFe合金中的Al時(shí)BaL(3)的 逃逸峰干擾 重元素高次線干擾 ZrO2 ZrO2 中中 ZrKZrK 對(duì)對(duì)HfLHfL 的干擾的干擾3.3.光譜峰位背景的校正光譜峰位背景的校正光譜連續(xù)背景的分布光譜連續(xù)背景的分布背景類(lèi)型背景類(lèi)型 光譜背景來(lái)自光譜背景來(lái)自X光管初級(jí)輻射的連續(xù)譜受樣品在整個(gè)光管初級(jí)輻射的連續(xù)譜受樣品在整個(gè) 波長(zhǎng)范圍內(nèi)，背景呈現(xiàn)十分復(fù)雜的

12、分布規(guī)律。大致可波長(zhǎng)范圍內(nèi)，背景呈現(xiàn)十分復(fù)雜的分布規(guī)律。大致可 分為三種類(lèi)型：分為三種類(lèi)型： 1. 恒定區(qū)即：在分析峰兩側(cè)背景強(qiáng)度相等恒定區(qū)即：在分析峰兩側(cè)背景強(qiáng)度相等 2. 線性變化區(qū)，即分析峰兩側(cè)的背景強(qiáng)度呈現(xiàn)線性線性變化區(qū)，即分析峰兩側(cè)的背景強(qiáng)度呈現(xiàn)線性 變化關(guān)系，可用中值定理或插值法計(jì)算；變化關(guān)系，可用中值定理或插值法計(jì)算； 3. 在分析峰兩側(cè)的背景呈現(xiàn)復(fù)雜的非線性分布規(guī)律。在分析峰兩側(cè)的背景呈現(xiàn)復(fù)雜的非線性分布規(guī)律。 光譜峰位背景光譜峰位背景三種光譜背景: 1. 恒定背景(常數(shù)背景); 2. 斜率背景； 3. 非線性背景（彎曲背景） (1) (2) (2) 恒定背景區(qū)峰底背景的計(jì)算恒

13、定背景區(qū)峰底背景的計(jì)算BPBHBP = Rb = BH = 1 峰底背景峰底背景線性區(qū)峰底背景強(qiáng)度的計(jì)算線性區(qū)峰底背景強(qiáng)度的計(jì)算 BPB1B22BBBHlpeak非線性區(qū)峰底背景計(jì)算非線性區(qū)峰底背景計(jì)算 峰底背景利用通過(guò)峰底背景利用通過(guò)4個(gè)背景點(diǎn)的多項(xiàng)式進(jìn)行計(jì)算：式中個(gè)背景點(diǎn)的多項(xiàng)式進(jìn)行計(jì)算：式中: BgC表示常數(shù)項(xiàng)；表示常數(shù)項(xiàng)；BgL表示線性項(xiàng)；表示線性項(xiàng)；BgQ表示二次項(xiàng)；表示二次項(xiàng)； BgT 表示高次項(xiàng)。表示高次項(xiàng)。X表示離主峰中心位置的表示離主峰中心位置的 (2 ); R(background)表示峰位的背景強(qiáng)度表示峰位的背景強(qiáng)度4.4.定量分析的基本方法定量分析的基本方法 定量分析方

14、法根據(jù)基體影響處理不同可分為：定量分析方法根據(jù)基體影響處理不同可分為： 實(shí)驗(yàn)校正和數(shù)學(xué)校正兩類(lèi)：實(shí)驗(yàn)校正和數(shù)學(xué)校正兩類(lèi)： 1. 實(shí)驗(yàn)校正方法實(shí)驗(yàn)校正方法: 外標(biāo)法，內(nèi)標(biāo)法，散射內(nèi)標(biāo)法和標(biāo)準(zhǔn)加入法。外標(biāo)法，內(nèi)標(biāo)法，散射內(nèi)標(biāo)法和標(biāo)準(zhǔn)加入法。 2. 數(shù)學(xué)校正法數(shù)學(xué)校正法: 經(jīng)驗(yàn)系數(shù)法，理論系數(shù)法和基本參數(shù)法經(jīng)驗(yàn)系數(shù)法，理論系數(shù)法和基本參數(shù)法1. 實(shí)驗(yàn)校正法實(shí)驗(yàn)校正法 工作曲線法工作曲線法 ：以一組標(biāo)樣的分析元素測(cè)量強(qiáng)度對(duì)濃度以一組標(biāo)樣的分析元素測(cè)量強(qiáng)度對(duì)濃度 繪制的校準(zhǔn)曲線繪制的校準(zhǔn)曲線( (最小二乘法最小二乘法) )進(jìn)行未知樣品分析的方進(jìn)行未知樣品分析的方法。這種方法也稱(chēng)校準(zhǔn)曲線法。法。這種方法也

15、稱(chēng)校準(zhǔn)曲線法。 實(shí)驗(yàn)校正法實(shí)驗(yàn)校正法(內(nèi)標(biāo)法內(nèi)標(biāo)法) ) 試樣中定量加入某種已知的元素，以分析線與內(nèi)標(biāo)線試樣中定量加入某種已知的元素，以分析線與內(nèi)標(biāo)線 的強(qiáng)度比對(duì)分析元素濃度繪制校準(zhǔn)曲線，計(jì)算樣品的的強(qiáng)度比對(duì)分析元素濃度繪制校準(zhǔn)曲線，計(jì)算樣品的 濃度濃度. .這種方法的優(yōu)點(diǎn)這種方法的優(yōu)點(diǎn): :能有效地補(bǔ)償基體的吸收增能有效地補(bǔ)償基體的吸收增 強(qiáng)效應(yīng)和樣品狀態(tài)變化產(chǎn)生的影響。強(qiáng)效應(yīng)和樣品狀態(tài)變化產(chǎn)生的影響。 散射內(nèi)標(biāo)法散射內(nèi)標(biāo)法 以波長(zhǎng)與分析線相近的散射靶線或背景作為比較以波長(zhǎng)與分析線相近的散射靶線或背景作為比較 線，以分析線與散射線的強(qiáng)度比對(duì)分析濃度作校線，以分析線與散射線的強(qiáng)度比對(duì)分析濃度作

16、校 準(zhǔn)曲線準(zhǔn)曲線 ，分析未知樣品的元素濃度。通常用，分析未知樣品的元素濃度。通常用 銠靶的銠靶的RhKa-C RhKb-CRhKa-C RhKb-C康普頓線作為內(nèi)標(biāo)線康普頓線作為內(nèi)標(biāo)線. .2. 數(shù)學(xué)校正法數(shù)學(xué)校正法 數(shù)學(xué)校正法數(shù)學(xué)校正法: : 以數(shù)學(xué)解析方法校正基體的吸收增強(qiáng)影響，實(shí)現(xiàn)分以數(shù)學(xué)解析方法校正基體的吸收增強(qiáng)影響，實(shí)現(xiàn)分 析線強(qiáng)度與濃度的準(zhǔn)確換算。該方法可分為經(jīng)驗(yàn)系數(shù)析線強(qiáng)度與濃度的準(zhǔn)確換算。該方法可分為經(jīng)驗(yàn)系數(shù) 法、理論法、理論 AlphaAlpha系數(shù)法和基本參數(shù)法。系數(shù)法和基本參數(shù)法。數(shù)學(xué)校正法數(shù)學(xué)校正法 1. 經(jīng)驗(yàn)系數(shù)法：經(jīng)驗(yàn)系數(shù)法： 利用一組標(biāo)樣的強(qiáng)度與濃度數(shù)據(jù)和多元線性

17、回歸法利用一組標(biāo)樣的強(qiáng)度與濃度數(shù)據(jù)和多元線性回歸法 計(jì)算基體的影響系數(shù)，實(shí)現(xiàn)強(qiáng)度與濃度的準(zhǔn)確換算計(jì)算基體的影響系數(shù)，實(shí)現(xiàn)強(qiáng)度與濃度的準(zhǔn)確換算; ; 為了獲得準(zhǔn)確的校正系數(shù)，必須使用數(shù)量足夠的標(biāo)為了獲得準(zhǔn)確的校正系數(shù)，必須使用數(shù)量足夠的標(biāo) 準(zhǔn)樣品，根據(jù)精度公式，計(jì)算經(jīng)驗(yàn)系數(shù)必須的標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)樣品，根據(jù)精度公式，計(jì)算經(jīng)驗(yàn)系數(shù)必須的標(biāo)準(zhǔn) 樣品數(shù)量：樣品數(shù)量：n =3K+2n =3K+2。這樣可保證回歸計(jì)算的精度。這樣可保證回歸計(jì)算的精度。 RMSCCnkchemcalc S S2經(jīng)驗(yàn)校正數(shù)學(xué)模型 CDER* CDERWi jjJ*1 CDERWWWi jjJi kkiK*11 KikikJjijWWWRE

18、DC1*1* CDERWW Wi jjJi j kjkj*1 數(shù)學(xué)模型經(jīng)驗(yàn)系數(shù)校正的計(jì)算方法經(jīng)驗(yàn)系數(shù)校正的計(jì)算方法 濃度型校正濃度型校正: : 利用標(biāo)準(zhǔn)樣品中的元素濃度計(jì)算影響利用標(biāo)準(zhǔn)樣品中的元素濃度計(jì)算影響 系數(shù)。這種方法適用于寬范圍校正；系數(shù)。這種方法適用于寬范圍校正； 強(qiáng)度型校正強(qiáng)度型校正: : 利用影響元素的強(qiáng)度計(jì)算影響系數(shù)利用影響元素的強(qiáng)度計(jì)算影響系數(shù); ; 這種方法適用于濃度未知的影響元素這種方法適用于濃度未知的影響元素 校正和較窄的濃度范圍。校正和較窄的濃度范圍。經(jīng)驗(yàn)校正系數(shù)的計(jì)算方法經(jīng)驗(yàn)校正系數(shù)的計(jì)算方法經(jīng)驗(yàn)系數(shù)法校正項(xiàng)的選擇原則經(jīng)驗(yàn)系數(shù)法校正項(xiàng)的選擇原則: 根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)系列中各元

19、素的濃度散布范圍的寬窄選擇校根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)系列中各元素的濃度散布范圍的寬窄選擇校正項(xiàng)正項(xiàng); 濃度散布范圍越寬濃度散布范圍越寬,越應(yīng)選為計(jì)算經(jīng)驗(yàn)系數(shù)越應(yīng)選為計(jì)算經(jīng)驗(yàn)系數(shù) 的校正項(xiàng)的校正項(xiàng); 2. 根據(jù)分析元素與影響元素原子序數(shù)的遠(yuǎn)近選擇校正根據(jù)分析元素與影響元素原子序數(shù)的遠(yuǎn)近選擇校正項(xiàng)項(xiàng); 影響元素的原子序數(shù)越接近分析元素影響元素的原子序數(shù)越接近分析元素,越應(yīng)選做越應(yīng)選做 校正項(xiàng)校正項(xiàng); 3. 基體元素對(duì)分析線質(zhì)量吸收系數(shù)越大越應(yīng)選作校正基體元素對(duì)分析線質(zhì)量吸收系數(shù)越大越應(yīng)選作校正項(xiàng)項(xiàng);理論理論 (基本參數(shù)基本參數(shù))經(jīng)驗(yàn)系數(shù)經(jīng)驗(yàn)系數(shù) (回歸法計(jì)算回歸法計(jì)算) 元素間基體影響的判斷規(guī)則元素間基體影響的判

20、斷規(guī)則鄰近元素?zé)o元素輻射鄰近元素跳1號(hào)元素.跳2號(hào)元素跳3號(hào)元素跳3號(hào)元素跳4號(hào)元素跳5號(hào)元素 1. Alpha系數(shù)可用理論方法計(jì)算系數(shù)可用理論方法計(jì)算,不需要附加額外的不需要附加額外的 標(biāo)準(zhǔn)樣品標(biāo)準(zhǔn)樣品. 鋼鐵、鋼鐵、 Cu合金等合金等. -1 alpha 9 氧化物、熔融片氧化物、熔融片. -1 alpha 40 塑料、油、纖微素塑料、油、纖微素 -1 alpha 2502. 對(duì)于十分嚴(yán)重的基體影響，需要額外的校正系數(shù)對(duì)于十分嚴(yán)重的基體影響，需要額外的校正系數(shù).221Alphas系數(shù)校正了校正了 和和L重疊重疊Ni的校準(zhǔn)曲線的校準(zhǔn)曲線未校正未校正已校正已校正加入經(jīng)驗(yàn)校正加入經(jīng)驗(yàn)校正(項(xiàng)項(xiàng))

21、系數(shù)系數(shù)數(shù)學(xué)校正法數(shù)學(xué)校正法 2. 2. 理論理論 AlphaAlpha法法利用理論方程和某些基本參數(shù)計(jì)算的理論利用理論方程和某些基本參數(shù)計(jì)算的理論系數(shù)校正基系數(shù)校正基體效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)強(qiáng)度與濃度準(zhǔn)確換算。輔以少量標(biāo)準(zhǔn)樣品體效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)強(qiáng)度與濃度準(zhǔn)確換算。輔以少量標(biāo)準(zhǔn)樣品建立校準(zhǔn)曲線建立校準(zhǔn)曲線 ，并計(jì)算未知樣品的分析濃度。隨儀器配，并計(jì)算未知樣品的分析濃度。隨儀器配備的應(yīng)用軟件都可以進(jìn)行這種計(jì)算。備的應(yīng)用軟件都可以進(jìn)行這種計(jì)算。理論理論 AlphaAlpha系數(shù)法數(shù)學(xué)模型系數(shù)法數(shù)學(xué)模型Ci = (Di + Ei Ri )(1+M)說(shuō)明說(shuō)明: 用該數(shù)學(xué)模型計(jì)算理論用該數(shù)學(xué)模型計(jì)算理論 系數(shù)時(shí)系數(shù)時(shí),Z

22、只代表濃度只代表濃度;用用于經(jīng)驗(yàn)公式時(shí)既可代表濃度于經(jīng)驗(yàn)公式時(shí)既可代表濃度,也可代表強(qiáng)度也可代表強(qiáng)度.基本參數(shù)法基本參數(shù)法 3. 3. 基本參數(shù)法基本參數(shù)法利用由若干基本參數(shù)構(gòu)成的理論強(qiáng)度計(jì)算方程計(jì)算分析利用由若干基本參數(shù)構(gòu)成的理論強(qiáng)度計(jì)算方程計(jì)算分析線的理論強(qiáng)度，并與測(cè)量強(qiáng)度擬合線的理論強(qiáng)度，并與測(cè)量強(qiáng)度擬合, ,計(jì)算靈敏度參數(shù)，用計(jì)算靈敏度參數(shù)，用迭代方法求得分析元素的濃度。這種方法不能獲得強(qiáng)度迭代方法求得分析元素的濃度。這種方法不能獲得強(qiáng)度與分析濃度的顯函數(shù)與分析濃度的顯函數(shù)( (校準(zhǔn)曲線校準(zhǔn)曲線) )。5.樣品制備樣品制備的目的樣品制備的目的: 獲得均勻的有代表性的分析的樣品獲得均勻的

23、有代表性的分析的樣品制備要求制備要求: 測(cè)量結(jié)果的精密度測(cè)量結(jié)果的精密度,準(zhǔn)確度滿足分析要求準(zhǔn)確度滿足分析要求. 準(zhǔn)確度準(zhǔn)確度 精密度精密度精密準(zhǔn)確精密準(zhǔn)確取樣要求取樣要求均勻性均勻性顆粒度顆粒度組分的整體代表性組分的整體代表性四分法統(tǒng)計(jì)取樣和混樣四分法統(tǒng)計(jì)取樣和混樣樣品的表面狀態(tài)樣品的表面狀態(tài) 光譜強(qiáng)度隨樣品表面至靶面的距離的函數(shù)關(guān)系光譜強(qiáng)度隨樣品表面至靶面的距離的函數(shù)關(guān)系: R(kcps) = f ( 1/d 2) 非平面樣品非平面樣品: : 凹面凹面: : 存在距離存在距離差異和屏蔽影響差異和屏蔽影響 凸面凸面: : 存在距離存在距離差異和屏蔽影響差異和屏蔽影響 表面光潔度表面光潔度:

24、: 存在趨向差異和屏蔽影響存在趨向差異和屏蔽影響MatrixMg KaCr KaSn Ka1.25 keV5.41 keV25.19 keVLead0,6 450Brass0,7 20170Iron0,9 30260Fe2O31,6 60550SiO27 1008000 (8 mm)Beads12 80050000 (5 cm)Water14 90050000 (5 cm)熒光的逸散深度熒光的逸散深度 (mm)(mm)固體樣品的制備固體樣品的制備黑色金屬樣品黑色金屬樣品: : 切割切割 研磨表面研磨表面 凊洗表面凊洗表面 有色金屬樣品有色金屬樣品: : 切割切割( (粗加工粗加工) ) 車(chē)或銑

25、金屬表面車(chē)或銑金屬表面( (精加工精加工) )固體試樣表面粗糙的度影響固體試樣表面粗糙的度影響 輕元素輻射受表面粗糙度的影響比重元素輻射嚴(yán)重輕元素輻射受表面粗糙度的影響比重元素輻射嚴(yán)重. 表面越粗影響越大。表面越粗影響越大。 表面粗糙度表面粗糙度 m 計(jì)數(shù)率計(jì)數(shù)率(Kcps)Si-Al合金中合金中的的SiK 強(qiáng)度強(qiáng)度青銅中的青銅中的SnK 表面光潔度對(duì)強(qiáng)度的影響表面光潔度對(duì)強(qiáng)度的影響 分析波長(zhǎng)越長(zhǎng)要求表面光潔度越高分析波長(zhǎng)越長(zhǎng)要求表面光潔度越高 原子序數(shù)低于原子序數(shù)低于13(Al)13(Al)的的K K系線系線, ,要求光潔度為要求光潔度為30-50m30-50m光潔度光潔度 相對(duì)計(jì)數(shù)率相對(duì)計(jì)

26、數(shù)率% 粉末樣品的制備粉末樣品的加工: 大塊樣品破碎 粉碎研磨 研磨細(xì)粉 壓片顆粒度和壓力對(duì)光譜強(qiáng)度的影響顆粒度和壓力對(duì)光譜強(qiáng)度的影響在相等的壓力下，顆粒度越大，強(qiáng)度越低；同一粒度在相等的壓力下，顆粒度越大，強(qiáng)度越低；同一粒度下，壓力越大，強(qiáng)度越大，然后逐趨平衡。下，壓力越大，強(qiáng)度越大，然后逐趨平衡。 ZnK 強(qiáng)度Kcps 壓力( 頓 ) 粘結(jié)劑對(duì)分析線強(qiáng)度的影響粘結(jié)劑對(duì)分析線強(qiáng)度的影響當(dāng)粘結(jié)劑重量相等時(shí)，隨輻射波長(zhǎng)的加長(zhǎng)，相對(duì)強(qiáng)度下當(dāng)粘結(jié)劑重量相等時(shí)，隨輻射波長(zhǎng)的加長(zhǎng)，相對(duì)強(qiáng)度下降；對(duì)于同一輻射，隨粘結(jié)劑重量加大強(qiáng)度下降。降；對(duì)于同一輻射，隨粘結(jié)劑重量加大強(qiáng)度下降。 相對(duì)強(qiáng)度相對(duì)強(qiáng)度% 粘結(jié)

27、劑的重量粘結(jié)劑的重量 （克）（克） 粉末壓片粉末壓片HBOHBO3 3樣品襯墊樣品襯墊1. 1. 沒(méi)有足夠的試樣材料時(shí)使用沒(méi)有足夠的試樣材料時(shí)使用2. 2. 壓片后可獲得較平滑的表面壓片后可獲得較平滑的表面3. 3. 對(duì)于極少量樣品，可將其撒在襯墊上壓片對(duì)于極少量樣品，可將其撒在襯墊上壓片 ( (僅指輕元素僅指輕元素) )4. 4. 適用于壓片困難的樣品適用于壓片困難的樣品 ( (如如鈦白粉鈦白粉TiOTiO2 2 ) )熔融法熔融法 影響熔融效果的重要參數(shù)：影響熔融效果的重要參數(shù)：n 樣品樣品/ /熔劑比熔劑比 1 1：5 5 至至 1 1：2020n 熔劑類(lèi)型熔劑類(lèi)型 LiLi2 2B B

28、4 4O O7 7 或或 LiBOLiBO2 2n 溫度和時(shí)間溫度和時(shí)間 1150 - 1250 1150 - 1250 o oC Cn 爐子或熔融設(shè)備爐子或熔融設(shè)備 馬弗爐或熔融爐馬弗爐或熔融爐n 氧化劑氧化劑 (NH (NH4 4)NO)NO3 3或或LiNOLiNO3 3n 添加劑添加劑 LiBrLiBr 或或 NHNH4 4BrBrn 坩堝和碟的材質(zhì)坩堝和碟的材質(zhì) 95% Pt + 5% Au95% Pt + 5% Aun 冷卻與固化冷卻與固化 強(qiáng)風(fēng)或自然冷卻強(qiáng)風(fēng)或自然冷卻試樣試樣/ /熔劑比熔劑比 試樣與熔劑的稀釋比：試樣與熔劑的稀釋比： 1 1 ：4 1 4 1 ：20 20 之間；之間； 較高的稀釋較高的稀釋 : : 降低靈敏度，增加背景計(jì)數(shù)率降低靈敏度，增加背景計(jì)數(shù)率 ； 較低的稀釋較低的稀釋 : : 試樣不能完全溶解；試樣不能完全溶解；n 溶解速率低；溶解速率低；n 容易結(jié)晶容易結(jié)晶 ( (石灰石石灰石) )n 熔融片與碟間的粘連熔融片與碟間的粘連 ( (Cr Cr 礦和礦和CuCu礦礦) )熔劑類(lèi)型的選擇熔劑類(lèi)型的選擇 Na Na