南昌大學(xué)論文格式(本科

1、南昌大學(xué)本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）書(shū)寫(xiě)式樣一、頁(yè)面設(shè)置：上 2.54cm, 下 2.54cm, 左 3.67cm, 右 2.67cm, 頁(yè)眉 1.5cm, 頁(yè)腳1.75cm ，行間距 1.35 倍。二、目錄：“目錄”兩字小三號(hào)宋體加粗，目錄內(nèi)容小四號(hào)宋體，頁(yè)碼數(shù)字對(duì)齊。三、頁(yè)眉和頁(yè)碼：頁(yè)眉和頁(yè)碼從中文摘要開(kāi)始，頁(yè)眉為相應(yīng)內(nèi)容的標(biāo)題，頁(yè)碼從中文摘要、Abstract、目錄用羅馬數(shù)字（1,11, ）編排，從正文第一章開(kāi)始 按照阿拉伯?dāng)?shù)字（1，2，3）編排。四、摘要1 中文摘要：標(biāo)題小二號(hào)宋體加粗， “專(zhuān)業(yè)、準(zhǔn)考證、姓名、指導(dǎo)教師”五 號(hào)宋體，“摘要”兩字四號(hào)宋體，摘要內(nèi)容小四號(hào)宋體， “關(guān)鍵詞”三字

2、小四號(hào)宋體加粗，2英文摘要：標(biāo)題小二號(hào) Times New RomanNANCHANG UNIVERSITY畢業(yè)論文PAPERS FOR BACHELOR（2008 年一2012 年）題 目專(zhuān)業(yè)班級(jí)：學(xué)生姓名：準(zhǔn)考證號(hào)：指導(dǎo)教師：標(biāo)題：宋體，四號(hào)，兩端對(duì)齊， 1.35倍行距 內(nèi)容：中文宋體，外文字符 Times NewRoman小四, 鍵、短波加粗激光鍵詞用“；”分隔專(zhuān)業(yè):學(xué)生姓名：光探測(cè)器以及高頻和大功率電子器件等方面有著前景。1994III- V族氮化物及其高亮度藍(lán)光宋體，小二號(hào)，居中LED外延片的MOCVD生長(zhǎng)和性質(zhì)研究摘要度發(fā)寬禁帶III - V族氮化物半導(dǎo)體材料在短波長(zhǎng)高亮年日本日亞

3、化學(xué)工業(yè)公司率先在國(guó)際上突破了 GaN基藍(lán)光LED外延材料生長(zhǎng)技術(shù)以來(lái)，美、日等國(guó)十余家公司相繼報(bào)導(dǎo)掌握了這項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，并分別實(shí)現(xiàn)了批 量或小批量生產(chǎn)GaN基LED。盡管如此，這項(xiàng)高技術(shù)仍處于高度保密狀態(tài)，材 料生長(zhǎng)的關(guān)鍵思想及核心技術(shù)仍未公開(kāi)，還無(wú)法從參考文獻(xiàn)及專(zhuān)利公報(bào)中獲取最 重要的材料生長(zhǎng)信息。本論文就是在這種情況下立題的，旨在研究GaN基材料生長(zhǎng)中的物理及化學(xué)問(wèn)題，為生長(zhǎng)可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供 科學(xué)依據(jù)。本文在自制常壓MOCVD和英國(guó)進(jìn)口 MOCVD系統(tǒng)上對(duì)III -V族氮化物的生長(zhǎng)機(jī)理進(jìn)行了研究，對(duì)材料的性能進(jìn)行了表征。通過(guò)設(shè)計(jì)并優(yōu)化外延片多層結(jié)構(gòu)，生長(zhǎng)的藍(lán)光LE

4、D外延片質(zhì)量達(dá)到了目前國(guó)際上商品化的中高檔水平。并獲得了如下有創(chuàng)新和有意義的研究結(jié)果：1 首次提出了采用偏離化學(xué)計(jì)量比的緩沖層在大晶格失配的襯底上生長(zhǎng)單 晶膜的思想，并在GaN外延生長(zhǎng)上得以實(shí)現(xiàn)。采用這種緩沖層，顯著改善了 GaN 外延膜的結(jié)晶性能，使GaN基藍(lán)光LED器件整體性能大幅度提高，大大降低了 GaN基藍(lán)光LED的反向漏電流，降低了正向工作電壓，提高了光輸出功率。本文得到了國(guó)家863計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金以及教育部發(fā)光材料與器件工程研究中心項(xiàng)目的資助。關(guān)鍵詞：氮化物；MOCVD ; LED;盧瑟福背散射溝道；光致發(fā)光；光透射譜Times NewRoman 小二 號(hào)，居中Study o

5、n MOCVD growth and properties ofIII- Vnitrides and high brightness blue LEDwafersAbstractGaN based 川-V nitrides have potential applications on highbright ness LEDs, short wavele ngth lasers, temperature and high power electro nic devices. Stultravioletdetectors,high標(biāo)題：Times New Roman，四號(hào)，兩端對(duì)齊,tonRSsm

6、小四關(guān)兩端對(duì)齊,關(guān)鍵詞：“1.35倍行距1.35倍行距"分隔and tech no logies semic on ductor.of nitridesopen a new area ofgen erati ondevelopedthe nitridesgrowthtech no logysince Nichia company inJapan firstrealized thecommercializati onof GaNbasedblue LED in1994.In thisthesis,GaNand itsternary were grownby ahome-madeMore

7、 than ten companiesin America and Japan reported to haveatmosphere pressure metalorga nic chemical vapor depositi on (MOCVD)and Thomas Swan 6 x 2 ” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obta ined by optimiz ing the n itrides growth tech no logy and wafer structure. Some en couragi ng resul

8、ts are followi ng as:1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates.This idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilayer crystalli ne quality was improved and the dislocati on den sity was dec

9、reased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectra exhibited thatthe minimum yieldxmin of GaN layers was just on ly 1.5%. The leak electriccurre nt of GaN based LED was obviously decreased and lower tha n 1pAat 5 volt reverse voltag

10、e by using this new buffertechnology.This work was supported by 863 program in China.Keyword: Nitrides ；MOCVD ；LED；Photoluminescence ；RBS/channeling ；Optical absorption摘要宋體，小三號(hào)，居中目錄體nAbstract第一章GaN基半導(dǎo)體材料及器件進(jìn)展(多數(shù)文章為“緒論” )11 .1 III族氮化物材料及其器件的進(jìn)展與應(yīng)用1.2 III族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì) 1.3摻雜和雜質(zhì)特性121.4氮化物材料的制備131.5氮化物器件19

11、1.6 GaN 基材料與其它材料的比較 221. 7本論文工作的內(nèi)容與安排 24第二章氮化物MOCVD生長(zhǎng)系統(tǒng)和生長(zhǎng)工藝 312. 1 MOCVD 材料生長(zhǎng)機(jī)理312. 2本論文氮化物生長(zhǎng)所用的參考文獻(xiàn)(References )-致謝-目錄內(nèi)容：中文宋體，英文和數(shù)字 Times NewRoman小四頁(yè).碼編號(hào)：.摘.要,Abptract.使用頁(yè)碼IJI,.；"正 文開(kāi)始使用頁(yè)碼“ 1,2,3,'”；;小節(jié)標(biāo)題左側(cè)縮進(jìn)1 字符；頁(yè)碼數(shù)字居中對(duì)齊-32 - 138 -150 章標(biāo)題：中文宋體，英文 Times New Roman，四號(hào)居中第一章 GaN基半導(dǎo)體材料及器件進(jìn)展1 .

12、1 III族氮化物材料及其器件的進(jìn)展與應(yīng)用在科學(xué)技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程中，、材料永遠(yuǎn)扮演著重要角色。在與現(xiàn)代科技成就息息相關(guān)的千萬(wàn)種材料中節(jié)標(biāo)半導(dǎo)體材料英文乍用尤其如此ma四號(hào)居左為代表的第一代半導(dǎo)體誕生于20世紀(jì)40年代末，它們促成了晶體管、集成電路和計(jì)算機(jī)的發(fā)明以GaAs為代表的第二代半導(dǎo)體誕生于 20世紀(jì)Times New Roman，小四,漢字電子距1.35倍器件的基礎(chǔ)。III V族氮化物半導(dǎo)體材料及器,展緩慢，后10年發(fā)展迅猛。由于III族氮化物特有的帶隙范正文文字：中文宋體，英文'齊年代T彳它們成為制個(gè)漢牛研究歷有數(shù)學(xué)公式寸余可根據(jù)表達(dá)需要設(shè)年進(jìn)段的行距），段前0行，段后0行。，優(yōu)

13、良的光、電性質(zhì)，優(yōu)異的材料機(jī)械和化學(xué)性能，使得它在短波長(zhǎng)光電子器件方面有著廣泛的應(yīng)用前景；并且非常適合制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件III V族氮化物半導(dǎo)體材料已引起了國(guó)內(nèi)外眾多研究者的興趣。1 . 2 III族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì)表標(biāo)題置于表的上方，中文宋體，英文TimesNew Roman，五號(hào)加粗居中，表序與表名文字 之間空一個(gè)漢字符寬度；內(nèi)容：中文宋體，英文 Times New Roman，五號(hào)，行距 1.35。表1-1用不同技術(shù)得到的帶隙溫度系數(shù)、Eg0、c和T0的值樣品類(lèi)型實(shí)驗(yàn)方法帶隙溫度系數(shù)dEg/dT(eV/K)T=300KEg0 (eV)c(eV/K)T0

14、(K)參考文獻(xiàn)GaN/Al 2O3光致發(fā)光-5.3210-43.5035.0810-4-99661GaN/Al 2O3光致發(fā)光3.4897.321700590-4GaN/Al 2O3光致發(fā)光-4.010-4-7.210-460062GaN/Al 2O3光吸收-4.510-43.471-9.310-477263圖標(biāo)題置于圖的下方，中文宋體，英文TimesNew Roman，五號(hào)加粗居中，圖序與圖名文字 之間空一個(gè)漢字符寬度；內(nèi)容：中文宋體，英 文 Times New Roman，五號(hào)，行距 1.35 。氣流口測(cè)溫元件測(cè)溫元件圖1-1熱風(fēng)速計(jì)原理第二章 氮化物MOCVD生長(zhǎng)系統(tǒng)和生長(zhǎng)工藝2.1 M

15、OCVD 材料生長(zhǎng)機(jī)理頻率信號(hào)源波形數(shù)據(jù)設(shè)置濾波器圖2-1 DDS方式AWG 的工作流程標(biāo)題：中文宋體，四號(hào)，居中參考文獻(xiàn)1 Well . Multiple-modulator fractio n-n dividerP . US Pate nt , 5038117 . 1986-02-022 Brian Miller . A multiple modulatorfractionldividerJ . IEEE參考文獻(xiàn)內(nèi) 容: 1 中文宋體,4英（2） : Times NewRoman，四號(hào)，1.35倍行距，參考文獻(xiàn)應(yīng)在文 中相應(yīng)地方按出現(xiàn)順序標(biāo)引。Tran sact ion on in str

16、ume ntatio n and Measureme 578-583 .M.北京：人民郵3 萬(wàn)心平，張厥盛.集成鎖相環(huán)路一一原理、特性、電出版社，1990 . 302-307 .4 Miler . Freque ncy syn thesizersP .US Pate nt , 4609881 . 1991-08-065 Candy J C . A use of double-integretion in sigma-deltamodulationJ. IEEE Trans Commun，1985，33(COM) : 249-258 . 丁孝永.調(diào)制式小數(shù)分頻鎖相研究D.北京：航天部第二研究院，1997 .常見(jiàn)參考文獻(xiàn)格式：