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1、一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的 雜質(zhì)濃度 ，而少數(shù)載流子的濃度則與 溫度 有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流 大于 漂移電流，耗盡層 變窄 。當(dāng)外加反向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流 小于 漂移電流，耗盡層 變寬 。3、在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子， 空穴 為少數(shù)載流子。1、半導(dǎo)體二極管當(dāng)正偏時(shí)，勢(shì)壘區(qū) 變窄 ，擴(kuò)散電流 大于 漂移電流。2、 在常溫下，硅二極管的門(mén)限電壓約 0.6 V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約0.7 V；鍺二極管的門(mén)限電壓約 0.1 V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約 0.2 V。3、在常溫下，發(fā)光二極管的正向?qū)妷杭s 1.22V

2、， 高于 硅二極管的門(mén)限電壓；考慮發(fā)光二極管的發(fā)光亮度和壽命，其工作電流一般控制在 510 mA。4、利用硅PN結(jié)在某種摻雜條件下反向擊穿特性陡直的特點(diǎn)而制成的二極管，稱(chēng)為 普通（穩(wěn)壓）二極管。請(qǐng)寫(xiě)出這種管子四種主要參數(shù)，分別是 最大整流電流 、 反向擊穿電壓 、 反向電流 和 極間電容 。二、選擇題1、二極管加正向電壓時(shí)，其正向電流是由（ a ）。 a. 多數(shù)載流子擴(kuò)散形成 b. 多數(shù)載流子漂移形成 c. 少數(shù)載流子漂移形成 d. 少數(shù)載流子擴(kuò)散形成2、PN結(jié)反向偏置電壓的數(shù)值增大，但小于擊穿電壓，（ c ）。 a. 其反向電流增大 b. 其反向電流減小 c. .其反向電流基本不變 d. 其

3、正向電流增大3、穩(wěn)壓二極管是利用PN結(jié)的（ d ）。 a. 單向?qū)щ娦?b. 反偏截止特性 c. 電容特性 d. 反向擊穿特性 4、二極管的反向飽和電流在20時(shí)是5A，溫度每升高10，其反向飽和電流增大一倍，當(dāng)溫度為40時(shí)，反向飽和電流值為（ c ）。 a. 10A b. 15A c. 20A d. 40A5、變?nèi)荻O管在電路中使用時(shí)，其PN結(jié)是（ b ）。 a. 正向運(yùn)用 b. 反向運(yùn)用一、填空題1. 三極管處在放大區(qū)時(shí)，其 集電結(jié) 電壓小于零， 發(fā)射結(jié) 電壓大于零。2. 三極管的發(fā)射區(qū) 雜質(zhì) 濃度很高，而基區(qū)很薄。3. 在半導(dǎo)體中，溫度變化時(shí) 少 數(shù)載流子的數(shù)量變化較大，而 多 數(shù)載流子的

4、數(shù)量變化較小。4. 三極管實(shí)現(xiàn)放大作用的內(nèi)部條件是： 發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度要遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，同時(shí)基區(qū)厚度要很小 ；外部條件是： 發(fā)射結(jié)要正向偏置、集電結(jié)要反向偏置 。5. 處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是 少數(shù)載流 子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。 6. 工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng)IB從12A增大到22A時(shí)，IC從1mA變?yōu)?mA，那么它的約為 100 。7. 三極管的三個(gè)工作區(qū)域分別是 飽和區(qū) 、 放大區(qū) 和 截止區(qū) 。8. 雙極型三極管是指它內(nèi)部的 參與導(dǎo)電載流子 有兩種。9. 三極管工作在放大區(qū)時(shí)，它的發(fā)射結(jié)保持 正向 偏置，集電結(jié)保持 反向 偏置。10. 某放大電路在負(fù)載開(kāi)路時(shí)的輸出電壓為5V，

5、接入12kW的負(fù)載電阻后，輸出電壓降為2.5V，這說(shuō)明放大電路的輸出電阻為 12 kW。11. 為了使高內(nèi)阻信號(hào)源與低電阻負(fù)載能很好的配合，可以在信號(hào)源與低電阻負(fù)載間接入 共集電極 組態(tài)的放大電路。 12. 題圖3.0.1所示的圖解，畫(huà)出了某單管共射放大電路中晶體管的輸出特性和直流、交流負(fù)載線。由此可以得出：（1）電源電壓= 6V ；（2）靜態(tài)集電極電流= 1mA ；集電極電壓= 3V ；（3）集電極電阻= 3k ；負(fù)載電阻= 3k ；（4）晶體管的電流放大系數(shù)= 50 ，進(jìn)一步計(jì)算可得電壓放大倍數(shù)= 50 ；（取200）；（5）放大電路最大不失真輸出正弦電壓有效值約為 1.06V ；（6）要

6、使放大電路不失真，基極正弦電流的振幅度應(yīng)小于 20A 。題圖3.0.113. 穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)的常用方法有 射極偏置電路 和 集電極基極偏置電路 。14. 有兩個(gè)放大倍數(shù)相同，輸入電阻和輸出電阻不同的放大電路A和B，對(duì)同一個(gè)具有內(nèi)阻的信號(hào)源電壓進(jìn)行放大。在負(fù)載開(kāi)路的條件下，測(cè)得A放大器的輸出電壓小，這說(shuō)明A的輸入電阻 小 。 15. 三極管的交流等效輸入電阻隨 靜態(tài)工作點(diǎn) 變化。16. 共集電極放大電路的輸入電阻很 大 ，輸出電阻很 小 。17. 放大電路必須加上合適的直流 偏置 才能正常工作。18. 共射極、共基極、共集電極 放大電路有功率放大作用；19. 共射極、共基極 放大電路有電壓放大作

7、用；20. 共射極、共集電極 放大電路有電流放大作用；21. 射極輸出器的輸入電阻較 大 ，輸出電阻較 小 。22. 射極輸出器的三個(gè)主要特點(diǎn)是 輸出電壓與輸入電壓近似相同 、 輸入電阻大 、 輸出電阻小 。23.“小信號(hào)等效電路”中的“小信號(hào)”是指 “小信號(hào)等效電路”適合于微小的變化信號(hào)的分析，不適合靜態(tài)工作點(diǎn)和電流電壓的總值的求解 ，不適合大信號(hào)的工作情況分析。24. 放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)由它的 直流通路 決定，而放大器的增益、輸入電阻、輸出電阻等由它的 交流通路 決定。25. 圖解法適合于 求靜態(tài)工作Q點(diǎn)；小、大信號(hào)工作情況分析 ，而小信號(hào)模型電路分析法則適合于 求交變小信號(hào)的工作情況分析

8、 。26. 放大器的放大倍數(shù)反映放大器 放大信號(hào)的 能力；輸入電阻反映放大器 索取信號(hào)源信號(hào)大小的能力 ；而輸出電阻則反映出放大器 帶負(fù)載 能力。27. 對(duì)放大器的分析存在 靜態(tài) 和 動(dòng)態(tài) 兩種狀態(tài)，靜態(tài)值在特性曲線上所對(duì)應(yīng)的點(diǎn)稱(chēng)為 Q點(diǎn) 。28.  在單級(jí)共射放大電路中，如果輸入為正弦波形，用示波器觀察VO和VI的波形，則VO和VI的相位關(guān)系為 反相 ；當(dāng)為共集電極電路時(shí)，則VO和VI的相位關(guān)系為 同相 。29. 在由NPN管組成的單管共射放大電路中，當(dāng)Q點(diǎn) 太高 （太高或太低）時(shí)，將產(chǎn)生飽和失真，其輸出電壓的波形被削掉 波谷 ；當(dāng)Q點(diǎn) 太低 （太高或太低）時(shí)，將產(chǎn)生截止失真，其輸

9、出電壓的波形被削掉 波峰 。30. 單級(jí)共射放大電路產(chǎn)生截止失真的原因是 放大器的動(dòng)態(tài)工作軌跡進(jìn)入截止區(qū) ，產(chǎn)生飽和失真的原因是 放大器的動(dòng)態(tài)工作軌跡進(jìn)入飽和區(qū) 。31. NPN三極管輸出電壓的底部失真都是 飽和 失真。32. PNP三極管輸出電壓的 頂部 部失真都是飽和失真。33. 多級(jí)放大器各級(jí)之間的耦合連接方式一般情況下有RC耦合， 直接耦合， 變壓器耦合。34. BJT三極管放大電路有 共發(fā)射極 、 共集電極 、 共基極 三種組態(tài)。35. 不論何種組態(tài)的放大電路，作放大用的三極管都工作于其輸出特性曲線的放大區(qū)。因此，這種BJT接入電路時(shí)，總要使它的發(fā)射結(jié)保持 正向 偏置，它的集電結(jié)保持

10、 反向 偏置。36. 某三極管處于放大狀態(tài)，三個(gè)電極A、B、C的電位分別為-9V、-6V和-6.2V，則三極管的集電極是 A ，基極是 C ，發(fā)射極是 B 。該三極管屬于 PNP 型，由 鍺 半導(dǎo)體材料制成。37. 電壓跟隨器指共 集電 極電路，其 電壓 的放大倍數(shù)為1； 電流跟隨器指共 基 極電路，指 電流 的放大倍數(shù)為1。38. 溫度對(duì)三極管的參數(shù)影響較大，當(dāng)溫度升高時(shí)， 增加 ， 增加 ，正向發(fā)射結(jié)電壓 減小 ， 減小 。39. 當(dāng)溫度升高時(shí)，共發(fā)射極輸入特性曲線將 左移 ，輸出特性曲線將 上移 ，而且輸出特性曲線之間的間隔將 增大 。40. 放大器產(chǎn)生非線性失真的原因是 三極管或場(chǎng)效應(yīng)

11、管工作在非放大區(qū) 。41. 在題圖3.0.2電路中，某一參數(shù)變化時(shí)，的變化情況（a. 增加，b，減小，c. 不變，將答案填入相應(yīng)的空格內(nèi)）。題圖3.0.2（1）增加時(shí)，將 增大 。（2）減小時(shí)，將 增大 。（3）增加時(shí)，將 減小 。（4）增加時(shí)，將 不變 。（5）減小時(shí)（換管子），將 增大 。（6）環(huán)境溫度升高時(shí)，將 減小 。42. 在題圖3.0.3電路中，當(dāng)放大器處于放大狀態(tài)下調(diào)整電路參數(shù)，試分析電路狀態(tài)和性能的變化。（在相應(yīng)的空格內(nèi)填“增大”、“減小”或“基本不變”。）（1）若阻值減小，則靜態(tài)電流IB將 增大 ，將 減小 ，電壓放大倍數(shù)將 增大。（2）若換一個(gè)值較小的晶體管，則靜態(tài)的將 不

12、變 ，將 增大，電壓放大倍數(shù)將 減小。題圖3.0.3（3）若阻值增大，則靜態(tài)電流將 不變 ， 將 減小 ，電壓放大倍數(shù)將 增大 。43. 放大器的頻率特性表明放大器對(duì) 不同頻率信號(hào) 適應(yīng)程度。表征頻率特性的主要指標(biāo)是 中頻電壓放大倍數(shù) ， 上限截止頻率 和 下限截止頻率 。44. 放大器的頻率特性包括 幅頻響應(yīng) 和 相頻響應(yīng) 兩個(gè)方面，產(chǎn)生頻率失真的原因是 放大器對(duì)不同頻率的信號(hào)放大倍數(shù)不同 。45. 頻率響應(yīng)是指在輸入正弦信號(hào)的情況下， 放大器對(duì)不同頻率的正弦信號(hào)的穩(wěn)態(tài)響應(yīng)。46.  放大器有兩種不同性質(zhì)的失真，分別是 線性 失真和 非線性 失真。47. 幅頻響應(yīng)的通帶和阻帶的界限

13、頻率被稱(chēng)為 截止頻率 。48. 阻容耦合放大電路加入不同頻率的輸入信號(hào)時(shí)，低頻區(qū)電壓增益下降的原因是由于存在 耦合電容和旁路電容的影響 ；高頻區(qū)電壓增益下降的原因是由于存在 放大器件內(nèi)部的極間電容的影響 。49. 單級(jí)阻容耦合放大電路加入頻率為的輸入信號(hào)時(shí)，電壓增益的幅值比中頻時(shí)下降了 3 dB，高、低頻輸出電壓與中頻時(shí)相比有附加相移，分別為 -45º 和+45º 。50. 在單級(jí)阻容耦合放大電路的波特圖中，幅頻響應(yīng)高頻區(qū)的斜率為 -20dB/十倍頻 ，幅頻響應(yīng)低頻區(qū)的斜率為-20dB/十倍頻 ；附加相移高頻區(qū)的斜率為 -45º/十倍頻 ，附加相移低頻區(qū)的斜率為

14、+45º/十倍頻 。51. 一個(gè)單級(jí)放大器的下限頻率為，上限頻率為，如果輸入一個(gè)mV的正弦波信號(hào)，該輸入信號(hào)頻率為 50kHz ，該電路 不會(huì) 產(chǎn)生波形失真。52. 多級(jí)放大電路與組成它的各個(gè)單級(jí)放大電路相比，其通頻帶變 窄 ，電壓增益 增大 ，高頻區(qū)附加相移 增大 。二、判斷題1. 下列三極管均處于放大狀態(tài)，試識(shí)別其管腳、判斷其類(lèi)型及材料，并簡(jiǎn)要說(shuō)明理由。（1）3.2V，5V，3V；解：鍺NPN型BJT管 VBE=0.2 V 所以為鍺管；5V為集電極，3.2V為基極，3V為發(fā)射極，（2）9V，5V，5.7V解：硅PNP型BJT管；9V為集電極，5.7V為基極，5V為發(fā)射極（3）2V

15、，2.7V，6V；解：硅NPN型BJT管；6V為集電極，2.7V為基極，2V為發(fā)射極（4）5V，1.2V，0.5V；解：硅NPN型BJT管；5V為集電極，1.2V為基極，0.5V為發(fā)射極 （5）9V，8.3V，4V解：硅PNP型BJT管 9V為發(fā)射極，8.3V為基極，4V為集電極（6）10V，9.3V，0V解：硅PNP型BJT管， 10V為發(fā)射極，9.3V為基極，0V為集電極（7）5.6V，4.9V，12V；解：硅NPN型BJT管，12V為集電極，5.6V為基極，4.9V為發(fā)射極，（8）13V，12.8V， 17V；解：鍺NPN型BJT管，17V為集電極，13V為基極，12.8V為發(fā)射極，（9

16、）6.7V，6V，9V；解：硅NPN型BJT管，9V為集電極，6.7V為基極，6V為發(fā)射極，2. 判斷三極管的工作狀態(tài)和三極管的類(lèi)型。1管：答：NPN管，工作在放大狀態(tài)。2管：答：NPN管，工作在飽和狀態(tài)。3管：答：NPN管，工作在截止?fàn)顟B(tài)。3. 題圖3.0.4所列三極管中哪些一定處在放大區(qū)？題圖3.0.46V3VA6V2.3V2.3VC3V9.3V5.7VD5V0V1.9VB1.6V 答：題圖3.0.4所列三極管中，只有圖（D）所示的三極管處在放大區(qū)。4. 放大電路故障時(shí)，用萬(wàn)用表測(cè)得各點(diǎn)電位如題圖3.0.5，三極管可能發(fā)生的故障是什么？答：題圖3.0.5所示的三極管，B、E極之間短路，發(fā)射

17、結(jié)可能燒穿。題圖3.0.5 5. 測(cè)得晶體管3個(gè)電極的靜態(tài)電流分別為0.06mA，3.66mA和3.6mA，則該管的 為。為60。 為61。 0.98。 無(wú)法確定。6. 只用萬(wàn)用表判別晶體管3個(gè)電極，最先判別出的應(yīng)是 b極 。e極 b極 c極 7. 共發(fā)射極接法的晶體管，工作在放大狀態(tài)下，對(duì)直流而言其 。輸入具有近似的恒壓特性，而輸出具有恒流特性。輸入和輸出均具近似的恒流特性。輸入和輸出均具有近似的恒壓特性。輸入具有近似的恒流特性，而輸出具有恒壓特性。8. 共發(fā)射極接法的晶體管，當(dāng)基極與發(fā)射極間為開(kāi)路、短路、接電阻R時(shí)的c，e間的擊穿電壓分別用V（BR）CEO ，V（BR）CES和V（BR）C

18、ER表示，則它們之間的大小關(guān)系是 。V（BR）CEOV（BR）CESV（BR）CER。V（BR）CESV（BR）CER V（BR）CEO。V（BR）CERV（BR）CESV（BR）CEO。V（BR）CESV（BR）CEOV（BR）CER。9題圖3.0.6所示電路中，用題圖3.0.6直流電壓表測(cè)出VCE0V，有可能是因?yàn)?C或D 。 A Rb開(kāi)路 B Rc 短路 C Rb 過(guò)小 D b過(guò)大 一、填空題1. 場(chǎng)效應(yīng)管利用外加電壓產(chǎn)生的電 場(chǎng) 來(lái)控制漏極電流的大小，因此它是電 壓 控制器件。2. 為了使結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管正常工作，柵源間兩PN結(jié)必須加 反向 電壓來(lái)改變導(dǎo)電溝道的寬度，它的輸入電阻比MOS管

19、的輸入電阻 小 。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管外加的柵-源電壓應(yīng)使柵源間的耗盡層承受 反 向電壓，才能保證其RGS大的特點(diǎn)。3. 場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流由 多數(shù) 載流子的漂移運(yùn)動(dòng)形成。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管的漏極電流由載流子的漂移運(yùn)動(dòng)形成。JFET管中的漏極電流 不能 穿過(guò)PN結(jié)（能，不能）。4. 對(duì)于耗盡型MOS管，VGS可以為 正、負(fù)或者零 。5. 對(duì)于增強(qiáng)型N型溝道MOS管，VGS只能為 正 ，并且只能當(dāng)VGS >VTH 時(shí)，才能形有。6. P溝道增強(qiáng)型MOS管的開(kāi)啟電壓為 負(fù) 值。N溝道增強(qiáng)型MOS管的開(kāi)啟電壓為 正 值。7. 場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管相比較，其輸入電阻 高 ；噪聲 低 ；溫度穩(wěn)定性 好 ；飽和壓降

20、大 ；放大能力 較差 ；頻率特性 較差（工作頻率低） ；輸出功率 較小 。8. 場(chǎng)效應(yīng)管屬于 電壓 控制器件，而三極管屬于 電流 控制器件。9. 場(chǎng)效應(yīng)管放大器常用偏置電路一般有 自偏壓電路 和 分壓器式自偏壓電路 兩種類(lèi)型。10. 由于晶體三極管 是電子、空穴兩種載流子同時(shí)參與導(dǎo)電 ，所以將它稱(chēng)為雙極型的，由于場(chǎng)效應(yīng)管 只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電 ，所以將其稱(chēng)為單極型的。11. 跨導(dǎo)反映了場(chǎng)效應(yīng)管 柵源電壓 對(duì) 漏極電流 控制能力，其單位為 ms(毫西門(mén)子) 。12. 若耗盡型N溝道MOS管的VGS大于零，其輸入電阻 不 會(huì)明顯變小。13. 一個(gè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線如題圖4.1所示，則它是

21、 N 溝道的效應(yīng)管，它的夾斷電壓Vp是 4.5V ，飽和漏電流IDSS是 5.4mA 。題圖4.0.1 填空題13圖1. 功率放大電路的最大輸出功率是在輸入電壓為正弦波時(shí)，輸出基本不失真情況下，負(fù)載上可能獲得的最大 交流功率 。（交流功率 直流功率 平均功率）2. 與甲類(lèi)功率放大器相比較，乙類(lèi)互補(bǔ)推挽功放的主要優(yōu)點(diǎn)是 能量效率高 。（無(wú)輸出變壓器 能量效率高 無(wú)交越失真）3. 所謂功率放大電路的轉(zhuǎn)換效率是指 負(fù)載得到的有用信號(hào)功率和電源供給的直流功率 之比。 4. 在OCL乙類(lèi)功放電路中，若最大輸出功率為1W，則電路中功放管的集電極最大功耗約為 0.2W 。5. 在選擇功放電路中的晶體管時(shí)，應(yīng)

22、當(dāng)特別注意的參數(shù)有 （1） 最大允許功耗 ；（2） 集電極發(fā)射極間的反向擊穿電壓； （3）最大集電極電流 。6. 若乙類(lèi)OCL電路中晶體管飽和管壓降的數(shù)值為VCES，則最大輸出功率。題圖5.1.18. 電路如題圖5.1.1所示，已知T1和T2的飽和管壓降VCES2V，直流功耗可忽略不計(jì)。R3、R4和T3的作用是 為T(mén)1和T2 提供適當(dāng)?shù)钠珘?，使之處于微?dǎo)通狀態(tài)，消除交越失真 。負(fù)載上可能獲得的最大輸出功率 Pom 16W 和電路的轉(zhuǎn)換效率 69.8% 。設(shè)最大輸入電壓的有效值為1V。為了使電路的最大不失真輸出電壓的峰值達(dá)到16V，電阻R6至少應(yīng)取 10.3千歐。9. 甲類(lèi)功率放大電路的能量轉(zhuǎn)換

23、效率最高是 50% （峰值功率）。 甲類(lèi)功率放大電路的輸出功率越大，則功放管的管耗 越小 ，則電源提供的功率 越大 。 10. 乙類(lèi)互補(bǔ)推挽功率放大電路的能量轉(zhuǎn)換效率最高是 78.5% 。若功放管的管壓降為Vces 乙類(lèi)互補(bǔ)推挽功率放大電路在輸出電壓幅值為 ，管子的功耗最小。 乙類(lèi)互補(bǔ)功放電路存在的主要問(wèn)題是 輸出波形嚴(yán)重失真 。在乙類(lèi)互補(bǔ)推挽功率放大電路中，每只管子的最大管耗為 0.2 。設(shè)計(jì)一個(gè)輸出功率為 20W 的功放電路，若用乙類(lèi)互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大，則每只功放管的最大允許功耗 PCM 至小應(yīng)有 4W 。雙電源乙類(lèi)互補(bǔ)推挽功率放大電路最大輸出功率為 。 11. 為了消除交越失真，應(yīng)當(dāng)使功率

24、放大電路工作在 甲乙類(lèi) 狀態(tài)。 12. 單電源互補(bǔ)推挽功率放大電路中，電路的最大輸出電壓為 。 13. 由于功率放大電路工作信號(hào)幅值 大 ，所以常常是利用 圖解法 分析法進(jìn)行分析和計(jì)算的。1. 差動(dòng)放大電路采用了 對(duì)稱(chēng) 的三極管來(lái)實(shí)現(xiàn)參數(shù)補(bǔ)償，其目的是為了克服 零點(diǎn)漂移 。2. 集成放大電路采用直接耦合方式的原因是集成工藝難于制造大容量電容 ，選用差分放大電路作為輸入級(jí)的原因是 利用其對(duì)稱(chēng)性減小電路的溫漂 。3. 差分放大電路的差模信號(hào)是兩個(gè)輸入端信號(hào)的 差 ，共模信號(hào)是兩個(gè)輸入端信號(hào)的 算術(shù)平均值 。4. 用恒流源取代長(zhǎng)尾式差分放大電路中的發(fā)射極電阻Re，將提高電路的 共模抑制比。5. 三極

25、管構(gòu)成的電流源之所以能為負(fù)載提供恒定不變的電流，是因?yàn)槿龢O管工作在輸出特性的 放大 區(qū)域；三極管電流源具有輸出電流 恒定 ，直流等效電阻 小 ，交流等效電阻 大 的特點(diǎn)。6.在放大電路中，采用電流源作有源負(fù)載的目的是為了 提高 電壓放大倍數(shù)，在含有電流源的放大電路中，判斷電路是放大電路還是電流源電路的方法是：電流源是一個(gè) 單口 網(wǎng)絡(luò)，而放大電路是一個(gè) 雙口 網(wǎng)絡(luò)。二、判斷題1. 在多級(jí)放大電路中，即能放大直流信號(hào)，又能放大交流信號(hào)的是 C 多級(jí)放大電路。 A阻容耦合， B變壓器耦合， C直接耦合， D光電耦合。2. 在多級(jí)放大電路中，不能抑制零點(diǎn)漂移的 C 多級(jí)放大電路。 A阻容耦合， B變壓

26、器耦合， C直接耦合， D光電耦合，3. 集成運(yùn)放是一種高增益的、 C 的多級(jí)放大電路。 A阻容耦合， B變壓器耦合， C直接耦合， D光電耦合，4. 通用型集成運(yùn)放的輸入級(jí)大多采用 C 。 A共射極放大電路， B射極輸出器， C差分放大電路， D互補(bǔ)推挽電路。5. 通用型集成運(yùn)放的輸出級(jí)大多采用 D 。 A共射極放大電路， B射極輸出器， C差分放大電路， D互補(bǔ)推挽電路。6. 差分放大電路能夠 C 。 A提高輸入電阻， B降低輸出電阻， C克服溫漂， D提高電壓放大倍數(shù)。7. 典型的差分放大電路是利用 C 來(lái)克服溫漂。 A直接耦合， B電源，C電路的對(duì)稱(chēng)性和發(fā)射極公共電阻， D調(diào)整元件參數(shù)

27、。8. 差分放大電路的差模信號(hào)是兩個(gè)輸入信號(hào)的 B 。 A和， B差， C乘積， D平均值。 9. 差分放大電路的共模信號(hào)是兩個(gè)輸入信號(hào)的 D 。 A和， B差， C乘積， D平均值。 10. 共摸抑制比 KCMR越大，表明電路 C 。 A放大倍數(shù)越穩(wěn)定， B 交流放大倍數(shù)越低， C抑制零漂的能力越強(qiáng)， D輸入電阻越高。11. 差分放大電路由雙端輸出變?yōu)閱味溯敵?，則差模電壓增益 B 。 A增加， B減小， C不變。 12. 電流源電路的特點(diǎn)是： A 。 A端口電流恒定，交流等效電阻大，直流等效電阻小。 B端口電壓恒定，交流等效電阻大。 C端口電流恒定，交流等效電阻大，直流等效電阻大 。13.

28、在差分放大電路中，用恒流源代替差分管的公共射極電阻 Re是為了 C 。 A提高差模電壓放大倍數(shù)， B提高共模電壓放大倍數(shù)， C提高共模抑制比， D 提高偏置電流，一、填空題1. 為了穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)，應(yīng)在放大電路中引入 直流 負(fù)反饋；2. 在放大電路中引入串聯(lián)負(fù)反饋后，電路的輸入電阻 增加。3. 欲減小電路從信號(hào)源索取的電流，增大帶負(fù)載能力，應(yīng)在放大電路中引入引入負(fù)反饋的類(lèi)型是 電壓串聯(lián)負(fù)反饋 ；4. 欲從信號(hào)源獲得更大的電流，并穩(wěn)定輸出電流，應(yīng)在放大電路中引入引入負(fù)反饋的類(lèi)型是 電流并聯(lián)負(fù)反饋 。5. 欲得到電流電壓轉(zhuǎn)換電路，應(yīng)在放大電路中引入 電壓并聯(lián) 負(fù)反饋；6. 負(fù)反饋放大器自激振蕩的條件為 。7. 欲將電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成與之成比例的電流信號(hào)，應(yīng)在放大電路中引入負(fù)反饋的類(lèi)型是 電流串聯(lián) 。二、選擇題1. 放大電路中有反饋的含義是 B 。A、輸出與輸入之間有信號(hào)通路 B、電路中存在反向傳輸?shù)男盘?hào)通路 C、除放大電路以外還有信號(hào)通道 2. 根據(jù)反饋的極性，反饋