370A測試儀操作指導(dǎo)書(共14頁)

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上 主題：370A測試儀操作指導(dǎo)書 編制部門: 供應(yīng)商品保部 文件管制:發(fā)布日期: 年 月 日 保密等級： 更新層次： 起草者: 薛小華 日期: 09 年 3 月 4 日審 查: 日期: 年 月 日核 準(zhǔn): 日期: 年 月 日專心-專注-專業(yè)文 件 更 改 記 錄 本程序根據(jù)實(shí)際需要作如下更改，已經(jīng)相關(guān)部門會(huì)簽并呈報(bào)核準(zhǔn)，簽核意見及變更具體內(nèi)容見附頁文件新建/更改申請單。版本修改內(nèi)容紀(jì)要修訂者核準(zhǔn)者更改日期更改單號A文件格式變更，同時(shí)修改版本控制方式薛小華1.目的：確保儀器設(shè)備的正確使用及測試結(jié)果的準(zhǔn)確性，防止儀器設(shè)備的誤操作。2.適用范圍：適用于公司內(nèi)所使用各類分立半

2、導(dǎo)體電參數(shù)測量。3.儀器主要功能：用于測量晶體二、三極管擊穿電壓、正向壓降、漏電流、放大倍數(shù)等電性參數(shù)。1112311511411611711811911101112134.面板說明: “OUTPUTS”開關(guān)：測試時(shí)，需將開關(guān)上拔向“ENABLED”。測量完畢，將“OUTPUT”開關(guān)下拔置于“DISABLED”。 電源開關(guān)。 測試夾具的插孔。 選擇測試夾具的位置按鍵:如測試夾具插在左邊，則按左邊的按鍵，使之指示燈亮。 電壓或電流大小的微調(diào)旋鈕。 “CURSOR”指針按鍵，測試時(shí)置于“DOT”. 輸出為曲線或點(diǎn)的選擇鍵，一般置于“LONG”或“SHORT”，防止晶體管過熱，引起測試損壞。除非需要

3、確認(rèn)曲線狀況，則置于“OFFSET”。（短時(shí)間確認(rèn)）。 最大電壓和功率量程選擇鍵：為防止對零件的破壞，需視具體功率大小設(shè)置最大量程。 輸入波形選擇鍵：視測試參數(shù)選擇。 波形上的測試點(diǎn)選擇位置：若測試輸出曲線時(shí)，需將曲線上的“亮點(diǎn)”移到曲線的最上端，以確保測試參數(shù)的正確性。 “HORIZONTAL”“VERTICAL”的刻度值旋鈕。 輸入“電壓”或“電流”選擇按鈕：測試二、三極管等電流控制元件，選擇為“電流”，測試MOSFET壓控元件，選擇為“電壓”。 “STEP GENERATOR ” 產(chǎn)生合適的STEP輸出特性圖.5.具體操作步驟說明：5.1開機(jī)5.1.1 檢查“OUTPUTS”開關(guān)，使之置

4、于“ENABLED”位置。5.1.2 打開電源開關(guān)，經(jīng)10秒鐘自檢后，370A處于初始化狀態(tài)。5.1.3 為了后續(xù)測量的方便，按“SAVE”鍵，供后續(xù)測量狀態(tài)參考。5.1.4 選擇夾具，依據(jù)SPEC. 正確安裝待測器件，并正確選擇測量功率、電壓及測量波形。5.1.5 依據(jù)夾具插的位置，選擇“LEFT、STANDBY、RIGHT”于LEFT或RIGHT位置。5.1.6 置“CURSOR”于“DOT”。5.1.7 依所測晶體管按照下面的2、3、4點(diǎn)進(jìn)行設(shè)置。5.1.8 按照晶體管的具體SPEC.設(shè)置“HORIZONTAL”“VERTICAL”的刻度值。5.1.9 將測量體置于測試夾具中，開始測量。

5、5.1.10 若為了測量方便可按“SAVE”鍵儲(chǔ)存入E區(qū)，若須再測時(shí)可按“RECALL”鍵.5.1.11 測量完畢，將“OUTPUT”置于“DISABLED”。5.2 二極管參數(shù)的測量5.2.1 VF(正向電壓)的測量設(shè)置： CONFIGURATION： COLLECTOR=COLLECTOR SUPPLY BASE=OPEN(EXT) EMITTER=COMMONCOLLECTOR SUPPLY POLARITY：+ HORIZONTAL：COLLECTOR VERTICAL：COLLECTOR將“OUTPUTS”開關(guān)置于“ENABLED”，慢慢旋動(dòng)“COLLECTOR SUPPLY” 使

6、COLLECTOR值慢慢增大，當(dāng)正向電流IF滿足SPEC要求時(shí)，HORIZONTAL CURSOR 即指示正向電壓VF。注：當(dāng)感覺到測量體在發(fā)熱時(shí)，應(yīng)使用“PULSE”中“LONG”或“SHORT”。5.2.2 反向電流IR設(shè)置： CONFIGURATION： COLLECTOR=COLLECTOR SUPPLY BASE=OPEN(EXT) EMITTER=COMMONCOLLECTOR SUPPLY POLARITY：-LEAKAGE(功率二極體選-DC) HORIZONTAL：COLLECTOR VERTICAL：COLLECTOR將“OUTPUTS”開關(guān)置于“ENABLED”，慢慢增大

7、“COLLECTOR SUPPLY” 當(dāng)所加的反向電壓VR滿足SPEC要求時(shí)，VERTICAL CURSOR即指示反向電流IR 5.2.3 ZENER二極體的ZENER電壓VZT設(shè)置： CONFIGURATION： COLLECTOR=COLLECTOR SUPPLY BASE=OPEN(EXT) EMITTER=COMMON COLLECTOR SUPPLY POLARITY：- HORIZONTAL：COLLECTOR VERTICAL：COLLECTOR將“OUTPUTS”開關(guān)置于“ENABLED”，慢慢增大“COLLECTOR SUPPLY” 當(dāng)反向電流滿足SPEC要求時(shí)，HORIZO

8、NTAL CURSOR 即指示ZENER電壓VZT。5.3 三極體主要參數(shù)的測量以NPN三極體為例進(jìn)行說明：5.3.1 HFE的測試設(shè)置： CONFIGURATION： COLLECTOR=COLLECTOR SUPPLY BASE=STEP GEN EMITTER=COMMON COLLECTOR SUPPLY POLARITY：+ (PNP：- ) HORIZONTAL：COLLECTORVERTICAL：COLLECTORSTEP GENERATOR：CURRENT 將“OUTPUTS”開關(guān)置于“ENABLED”，慢慢增大“COLLECTOR SUPPLY” 同時(shí)調(diào)節(jié)“STEP GENE

9、RATOR ”，產(chǎn)生合適的輸出特性圖，移動(dòng)光點(diǎn)，調(diào)節(jié) “OFFSET”，使光點(diǎn)處電壓VCE及電流IC滿足SPEC要求，則指示出HFE的值。注：若測量體發(fā)熱或測量大功率時(shí)，應(yīng)使用“PULSE”中的“LONG”或 “SHORT”。 5.3.2 VCE(sat)的測試設(shè)置： CONFIGURATION： COLLECTOR=COLLECTOR SUPPLY BASE=STEP GEN EMITTER=COMMON COLLECTOR SUPPLY POLARITY：+ (PNP：- ) HORIZONTAL：COLLECTOR VERTICAL：COLLECTOR依據(jù) SPEC. 給定的 IB 選擇

10、合適的 STEP 的數(shù)目和每個(gè) STEP 的數(shù)值，調(diào)節(jié) “COLLECTOR SUPPLY”使IC滿足SPEC.要求。當(dāng)IB和IC滿足SPEC.要求時(shí)，HORIZONTAL CURSOR即指示 VCE(sat)之值。注：若測量體發(fā)熱或測量大功率時(shí)，應(yīng)使用“PULSE”中的“LONG”或 “SHORT”。5.3.3 VBE(sat)的測試按3.2節(jié)步驟調(diào)節(jié)IB、IC，在IB、IC滿足SPEC條件下，將“HORIZONTAL”置 BASE/EMITTER，則HORIZONTAL CURSOR 即指示 VBE(sat)之值。 注：若測量體發(fā)熱或測量大功率時(shí)，應(yīng)使用“PULSE”中的“LONG”或 “

11、SHORT”。5.3.4 Icbo的測試設(shè)置： CONFIGURATION： COLLECTOR=COLLECTOR SUPPLY BASE=COMMON EMITTER=OPEN(EXT) COLLECTOR SUPPLY POLARITY：+LEAKAGE(PNP：-LEAKAGE) HORIZONTAL：COLLECTOR VERTICAL：EMITTER 當(dāng)光點(diǎn)處VCB滿足SPEC之規(guī)定時(shí)，VERTICAL CURSOR 即指示Icbo。5.3.5 Iebo的測試設(shè)置： CONFIGURATION： COLLECTOR=OPEN BASE=COLLECTOR SUPPLY EMITTE

12、R=COMMON COLLECTOR SUPPLY POLARITY：-LEAKAGE(PNP：+LEAKAGE) HORIZONTAL：COLLECTOR ERTICAL：EMITTER 當(dāng)光點(diǎn)滿足VEB值時(shí)，VERTICAL CURSOR即指示Iebo。5.3.6 V(BR)CBO的測試設(shè)置： CONFIGURATION： COLLECTOR=COLLECTOR SUPPLY BASE=COMMON EMITTER=OPEN(EXT) COLLECTOR SUPPLY POLARITY：+ (PNP：- ) HORIZONTAL：COLLECTOR VERTICAL：COLLECTOR調(diào)節(jié)

13、COLLECTOR SUPPLY， 使漏電流IC達(dá)到SPEC規(guī)定值，此時(shí)HORIZONTAL CURSOR 指示為V(BR)CBO。5.3.7 V(BR)CEO的測試設(shè)置： CONFIGURATION： COLLECTOR=COLLECTOR SUPPLY BASE=OPEN(EXT) EMITTER=COMMON COLLECTOR SUPPLY POLARITY：+ (PNP：- ) HORIZONTAL：COLLECTOR VERTICAL：COLLECTOR調(diào)節(jié)COLLECTOR SUPPLY，使漏電流IC達(dá)到SPEC規(guī)定值，此時(shí)HORIZONTAL CURSOR指示為V(BR)CEO

14、。5.3.8 V(BR)EBO的測試設(shè)置： CONFIGURATION： COLLECTOR=OPEN BASE=COLLECTOR SUPPLY EMITTER=COMMON COLLECTOR SUPPLY POLARITY：- (PNP：+ ) HORIZONTAL：COLLECTOR VERTICAL：COLLECTOR調(diào)節(jié)COLLECTOR SUPPLY，使漏電流IE達(dá)到SPEC規(guī)定值，此時(shí)HORIZONTAL、 CURSON即為 V(BR)EBO。5.4 MOS管主要參數(shù)的測試 以N溝道為例進(jìn)行測試說明，P溝道則“COLLECTOR SUPPLY POLARITY”與 N溝道相反。

15、 5.4.1 BVDSS的測試設(shè)置： CONFIGURATION： COLLECTOR=COLLECTOR SUPPLY BASE=SHORT(EMITTER) EMITTER=COMMON COLLECTOR SUPPLY POLARITY：+ HORIZONTAL：COLLECTORVERTICAL：COLLECTOR STEP GENERATOR:VOLTAGE調(diào)節(jié)COLLECTOR SUPPLY，當(dāng)ID滿足SPEC時(shí)，此時(shí)HORIZONTAL CURSOR 指示為BVDSS。5.4.2 IDSS的測試：設(shè)置：CONFIGURATION： COLLECTOR=COLLECTOR SUPP

16、LY BASE=SHORT(EMITTER) EMITTER=COMMONCOLLECTOR SUPPLY POLARITY：+ LEAKAGE HORIZONTAL：COLLECTORVERTICAL：COLLECTOR STEP GENERATOR:VOLTAGE調(diào)節(jié)COLLECTOR SUPPLY，當(dāng)VDS滿足SPEC時(shí)，此時(shí)VERTICAL CURSOR指示為IDSS。5.4.3 VGS(th)的測試設(shè)置：CONFIGURATION：COLLECTOR=COLLECTOR SUPPLY BASE=OPEN EMITTER=COMMON COLLECTOR SUPPLY POLARITY

17、：+HORIZONTAL：COLLECTORVERTICAL：COLLECTORSTEP GENERATOR：VOLTAGE調(diào)節(jié)COLLECTOR SUPPLY，當(dāng)滿足SPEC所規(guī)定的VDS、ID時(shí)CURSON即指示出 VGS(th)。注：若測量體發(fā)熱或測量大功率時(shí)，應(yīng)使用“PULSE”中的“LONG”或 “SHORT”。5.4.4 Igss的測試 設(shè)置： CONFIGURATION： COLLECTOR=OPEN BASE=COLLECTOR SUPPLY EMITTER=COMMON COLLECTOR SUPPLY POLARITY：+ LEAKAGE HORIZONTAL：COLLEC

18、TOR VERTICAL：EMITTER STEP GENERATOR：VOLTAGE外部將DS極短路，當(dāng)VGS滿足SPEC要求時(shí)，CURSOR即指示出Igss。5.4.5 RDS(ON)的測試設(shè)置： CONFIGURATION：COLLECTOR=COLLECTOR SUPPL BASE=STEP GEN EMITTER=COMMONCOLLECTOR SUPPLY POLARITY：+HORIZONTAL：COLLECTORVERTICAL：COLLECTORSTEP GENERATOR：VOLTAGE調(diào)整VDS、ID，使之滿足SPEC給定條件，置“CURSOR”于“LINE”，此時(shí) VE

19、RTICAL CURSOR即指示出 跨導(dǎo)RDS(ON) 之值。注：若測量體發(fā)熱或測量大功率時(shí)，應(yīng)使用“PULSE”中的“LONG”或 “SHORT”。5.5 可控硅/晶閘管主要參數(shù)的測試AC；GB；KE5.5.1 IDRM：晶閘管加上斷太重復(fù)峰值電壓時(shí)的峰值電流的測試設(shè)置：CONFIGURATION：COLLECTOR=COLLECTOR SUPPLY BASE=OPEN（EXT） EMITTER=COMMONCOLLECTOR SUPPLY POLARITY：+ LEAKAGE HORIZONTAL：COLLECTORVERTICAL：COLLECTOR將“OUTPUTS”開關(guān)置于“ENAB

20、LED”，慢慢增大“COLLECTOR SUPPLY”，當(dāng)所加的VAK滿足SPEC要求時(shí)，VERTICAL CURSOR即IDRM值。5.5.2 IRRM：晶閘管加上反向重復(fù)峰值電壓時(shí)的峰值電流設(shè)置：CONFIGURATION：COLLECTOR=COLLECTOR SUPPLY BASE=OPEN（EXT） EMITTER=COMMONCOLLECTOR SUPPLY POLARITY：- LEAKAGE HORIZONTAL：COLLECTORVERTICAL：COLLECTOR5.5.3 VTM：晶閘管通以n倍或其他規(guī)定倍數(shù)的額定通態(tài)平均電流時(shí)的瞬態(tài)峰值電壓設(shè)置：CONFIGURATION：COLLECTOR=COLLECTOR SUPPLY BASE=STEP GEN EMITTER=COMMONCOLLECTOR SUPPLY POLARITY：+ HORIZONTAL：COLLECTORVERTICAL：COLLECTORSTEP GENERATOR：VOLTAGE調(diào)節(jié)“COLLECTOR SUPPLY”，當(dāng)縱坐標(biāo)電流IATM達(dá)到SPEC值時(shí)，水平坐標(biāo)對應(yīng)點(diǎn)即VTM。注：讀數(shù)時(shí)用點(diǎn)掃描。5.5.4 IGT：使晶閘管由斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)所必須的最小G極電流。設(shè)置：CONF