模電習(xí)題解放大電路的頻率響應(yīng)題解資料

1、第五章 放大電路的頻率響應(yīng)自 測(cè)題 一、（四版一）選擇正確答案填入空內(nèi)。（1）測(cè)試放大電路輸出電壓幅值與相位的變化，可以得到它的頻率響應(yīng)，條件是。A. 輸入電壓幅值不變，改變頻率B. 輸入電壓頻率不變，改變幅值C. 輸入電壓的幅值與頻率同時(shí)變化（2）放大電路在高頻信號(hào)作用時(shí)放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是，而低頻信號(hào)作用時(shí)放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是。A. 耦合電容和旁路電容的存在B. 半導(dǎo)體管極間電容和分布電容的存在。C. 半導(dǎo)體管的非線性特性D. 放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)不合適（3 ）當(dāng)信號(hào)頻率等于放大電路的fL或fH時(shí)，放大倍數(shù)的值約下降到中C.0.9 倍C.5dBfL時(shí)，U °與Ui相位關(guān)系

2、是C. 135 ?A.0.5 倍B.0.7 倍即增益下降。A.3dBB.4dB（4）對(duì)于單管共射放大電路，當(dāng)fA. + 45?B. 90 ?當(dāng)f = fH時(shí)，U°與Ui的相位關(guān)系是A. 45B. 135C. 225第五章題解15解：(1 ) A ( 2) B , A ( 3) B A ( 4) C C二、（四版二）電路如圖T5.2 所示。已知：Vcc = 12V ;晶體管的C “=4pF , fT = 50MHz , rbb = 100 Q , '-0 = 80。試求解：（1）中頻電壓放大倍數(shù)Ausm ；（2）百；（3）fH 和 fL ；4）畫出波特圖。nuh 2 wkio

3、o5圖 T5.2解：（1）靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的分析估算：1 BQVcc -U beqRb:22.6 口 AIeq =(1Ibq : 1.8mAU CEQ = VCC - 1 CQ Rc ：" 3Vrb'e = (1：) 26mV ： 1.17k1.11 EQbe 二 rbb， rb'e : 1.27 k11 R =rbe Rb : 1.27 k'-1:69.2mA/V-Rirb，eAZCLfRcLT8（2）估算C兀:fT02n rb'e (Cn ' Cg )C :2n rb'e f T:214pFc二=C(1 gmRc)5 : 1602pF(3

4、) 求解上限、下限截止頻率：R= rb'e / (rb'bRs / Rb)：咲 / (仏Rs) ： 567門1fH - 175kHz2冗 RCnl14 Hz2 n( Rs + Ri )C1(4) 在中頻段的增益為20 lg Ausm:45dB頻率特性曲線如解圖T5.2所示。解圖T5.2三、(四版三)已知某放大電路的波特圖如圖T5.3所示，填空：(1) 電路的中頻電壓增益20lg| Aum |= dB , Aum =(2) 電路的下限頻率fL Hz ,上限頻率fH kHz.(3) 電路的電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式 A =。201 gU J AIR圖 T5.3解：(1) 6010 4(2

5、) 10 10(3)-103100jf10(1八頑)(1 j右（1 P1嚅說明：該放大電路的中頻放大倍數(shù)可能為“ + ” 也可能為“一5.1 （四版5.1 ） 在圖P5.1所示電路中，已知晶體管的rbb'、C“、C n ,Ri Q rbe。填空：除要求填寫表達(dá)式的之外，其余各空填入增大、基本不變、 減小。61' _圖 P5.1(1 )在空載情況下，下限頻率的表達(dá)式fL =。當(dāng)Rs減小時(shí),fL將_；當(dāng)帶上負(fù)載電阻后，fL將(2)在空載情況下，若b-e間等效電容為，則上限頻率的表達(dá)式fH = ；當(dāng)Rs為零時(shí)，fH將 ；當(dāng)Rb減小時(shí),gm將 , 4將,fH將 。解：(1 )。；。2冗

6、(Rs + Rb / rbe)Ci;；，。12叫rbe / (血 +Rb / Rs)C江5.2 (四版 5.2 )已知某電路的波特圖如圖P5.2所示，試寫出Au的表達(dá)201glAI/dB3020100-90° -ns° -180p -225s-270°10° io' IO2 JO3 io4 05 107/Hz h圖 P5.2解：設(shè)電路為基本共射放大電路或基本共源放大電路。/32十；-3.2jfAu或 Auu10fuff(1)(1 j5)(1 j )(1 j 5)jf1010105.3 (四版5.3 )已知某共射放大電路的波特圖如圖P5.3所示，試

7、寫出Au的表達(dá)式。圖 P5.3解：觀察波特圖可知，中頻電壓增益為40dB，即中頻放大倍數(shù)為一100 ; 下 限截止頻率為1Hz和10Hz ,上限截止頻率為250kHz 。故電路 代的表達(dá)式 為A -100f 一 110(1)(1)(1 jjf jf10f2.5 105)2A =(1 jf)(l10)(1 j2.5 105)201gUj/dB=105Hz 時(shí),5.4 (四版5.4 ) 已知某電路的幅頻特性如圖P5.4所示，試問：(1) 該電路的耦合方式；(2) 該電路由幾級(jí)放大電路組成；(3) 當(dāng)f = 104Hz時(shí)，附加相移為 多少？當(dāng)f = 105時(shí)，附加相移又約為多 少？解：(1)因?yàn)橄孪?/p>

8、截止頻率為0, 所以電路為直接耦合電路；(2)因?yàn)樵诟哳l段幅頻特性為60dB/十倍頻，所以電路為三級(jí)放大電路；(3)當(dāng) f = 104Hz 時(shí)，$ = 135 0 ；當(dāng)5.5若某電路的幅頻特性如圖P5.4所示，試寫出 代的表達(dá)式，并近似估 算該電路的上限頻率fH。解：代的表達(dá)式和上限頻率分別為-103(1 j104)35.2kHz1.1 3 5.6 (四版5.5 ) 已知某電路電壓放大倍數(shù)Au-10jf5)試求解：(1 ) Aum = ? fL = ? fH = ?(2 )畫出波特圖。解：(1)變換電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式，求出Aum、fL、fH。-100j10Au(1 )(1 j10Aum =

9、-100105)fL =10Hz5fH =105Hz(2)波特圖如解圖P5.6所示。5.7 (四版5.6) 已知兩級(jí)共射放大電路的電壓放大倍數(shù)200 jff 104 1 j2.5 1051 j 1 j5(1 ) Aum = ? fL = ? fH = ?(2 )畫出波特圖。解：(1 )變換電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式，求出代皿、fL、fH。103(1 jf)(1 j5護(hù)1 j2.5 105fL =5HzfH : 104Hz(2)波特圖如解圖P5.7所示。5.8 (四版5.7 ) 電路如圖P5.8所示。已知：晶體管的：、rbb、C “均相 等，所有電容的容量均相等，靜態(tài)時(shí)所有電路中晶體管的發(fā)射極電流Ie

10、q均相 等。定性分析各電路，將結(jié)論填入空內(nèi)。lOOkfiQ5kQkto oo(d)圖 P5.8(1 )低頻特性最差即下限頻率最高的電路是(2) 低頻特性最好即下限頻率最低的電路是(3) 高頻特性最差即上限頻率最低的電路是解：(1) ( a)( 2) ( c)( 3) ( c)5.9在圖 P5.8 ( a)所示電路中，若= 100 , r be= 1k Q , C1 = C2 = C e=100卩F ,則下限頻率fL疋?解：由于所有電容容量相同，而Ce所在回路等效電阻最小，所以下限頻 率決定于Ce所在回路的時(shí)間常數(shù)。R = Re 匹 Rs “ Rb .電 &：20e + B 1+ P:8

11、0Hz2 n RCe5.10 (四版5.8 ) 在圖P5.8 ( b)所示電路中,若要求Ci與C?所在回路 的時(shí)間常數(shù)相等，且已知rbe=1k Q ,則Ci:C2 = ?若Ci與C2所在回路的時(shí)間常 數(shù)均為25ms，則Ci、C2各為多少？下限頻率fL沁?解：(1)求解Ci: C2因?yàn)镃i ( Rs+ Ri) = C2 ( Rc + Rl )將電阻值代入上式，求出Ci : C2= 5 : i 0(2)求解Ci、C2的容量和下限頻率Cii2.5Rs RiC2RcRl2.5 卩 F6.4HzfL ：1.2fLi 10Hz5.11 (四版5.9 ) 在圖P5.8 ( a)所示電路中，若Ce突然開路，則

12、中頻 電壓放大倍數(shù)Ausm、fH和fL各產(chǎn)生什么變化(是增大、減小、還是基本不變)？ 為什么？解：Ausm將減小，因?yàn)樵谕瑯臃档腢i作用下，Ib將減小，Ic隨之 減小，U o必然減小。fL減小，因?yàn)樯倭?一個(gè)影響低頻特性的電容。fH增大。因?yàn)镃；會(huì)因電壓放大倍數(shù)數(shù)值的減小而大大減小，所以雖然C； 所在回落的等效電阻有所增大，但時(shí)間常數(shù)仍會(huì)減小很多，故fH增大。5.12 在圖 P5.8 ( a)所示電路中，若 Ci > Ce, C2> Ce,： = 100 ,be =1k Q ,欲使fL = 60Hz ,則Ce應(yīng)選多少微法？解：下限頻率決定于Ce所在回路的時(shí)間常數(shù)，fL12 n R

13、CeR為Ce所在回路的等效電阻。R和Ce的值分別為：R = Re1 'beRs1-Ce12n RfL:' 133 F5.13在圖P5.8 ( d)所示電路中，已知晶體管的rbb' = 100 Q , rbe = 1k Q , 靜態(tài)電流 I eq = 2mA , C = 800pF ; Rs = 2k Q , Rb = 500 k Q , RC = 3.3 k Q , C=10JI1 F o試分別求出電路的fH、fL ,并畫出波特圖。解：(1 )求解fL2n (Rs Ri)2n (Rs 咲):5.3Hz(2 )求解fH和中頻電壓放大倍數(shù)=rbe - rb'b -

14、0-9k' 1gm2 冗rb'e / (rb'bRb / Rs )C n 2 冗rb'e / (rb'bRs )CnI EQftUt:77mA/VAusmRirb'eRs+R小就jRL27620lg Ausm:37.6dB316kHz其波特圖參考解圖P5.6 o5.14 (四版 5.10 )電路如圖 P5.14 所示，已知 C gs = Cgd = 5pF , g m = 5mS ,C1 = C2 = Cs= 10 1 F o試求fH、fL各約為多少，并寫出Aus的表達(dá)式。5IgF圖 P5.14解：fH、fL、Aus的表達(dá)式分析如下：第五章題解-

15、19AusmH； 1.1MHz2n(R； / Rg)Cgs 2n RsCgsAus七4%)RCgmRL)：gm% ： "2.4 Rs Ri1 tl16Hz2n RsCsCgs =Cgs (1 gmRL)Cgd ： 72pF 1 1(1 麻(1 jE) 5.15 (四版5.11 )在圖5.4.7( a)所示電路中，已知Rg = 2M Q , Rd =Rl = 10k Q , C = 10F;場(chǎng)效應(yīng) 管的 Cgs = Cgd = 4pF , gm = 4mS ( 10mS )。 試畫出電路的波特圖，并標(biāo)出有關(guān)數(shù)據(jù)。解：Aum = gmRL = -20, 20lg Aum 壬 26dBCg

16、s 二 Cgs (1 gmRL)Cgd 二 88pF1Tl0.796Hz2n( Rl)C1Th-904Hz2冗 RgCgs其波特圖參考解圖P5.6。5.16 （四版 5.12 ）已知一個(gè)兩級(jí)放大電路各級(jí)電壓放大倍數(shù)分別為Auio1-25j f14Au2Ui（1）寫出該放大電路的表達(dá)式；（2）求出該電路的f L和f H各約為多少；（3）畫出該電路的波特圖。解：（1）電壓放大電路的表達(dá)式Au-Au1 Au 2-50f（1 j4）（1 j50）（1 j10（2） fL和fH分別為：fL : 50Hz1 1庵5=fH1.1.2105fH ： 64.3kHz（3）根據(jù)電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式可知，中頻電壓放大倍數(shù)為104 ,增益 為80dB 。波特圖如解圖P5.16所示。5.17 （四版5.13） 電路如圖P5.17所示。試定性分析下列問題，并簡述 理由。（1）哪一個(gè)電容決定電路的下限頻率；（2）若T1和T2靜態(tài)時(shí)發(fā)射極電流相等，且rbb和Cp相等，則哪一級(jí)的 上限頻率低。600 kQC,ISkliUS k£l圖 P5.17解：（1）決定電路下限頻率的是Ce,因?yàn)樗诨芈返牡刃щ娮枳钚　?2 )因?yàn)镽