半導(dǎo)體物理學(xué)第一章習(xí)題解_第1頁
半導(dǎo)體物理學(xué)第一章習(xí)題解_第2頁
半導(dǎo)體物理學(xué)第一章習(xí)題解_第3頁
半導(dǎo)體物理學(xué)第一章習(xí)題解_第4頁
半導(dǎo)體物理學(xué)第一章習(xí)題解_第5頁
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半導(dǎo)體物理學(xué)第一章習(xí)題(公式要正確顯示，請安裝字體MT extra) 1設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格，導(dǎo)帶極小值附近能量Ec(k)和價帶極大值附近能量EV(k)分別為： （1）禁帶寬度;（2）導(dǎo)帶底電子有效質(zhì)量;（3）價帶頂電子有效質(zhì)量;（4）價帶頂電子躍遷到導(dǎo)帶底時準(zhǔn)動量的變化解：（1） 2. 晶格常數(shù)為0.25nm的一維晶格，當(dāng)外加102V/m，107 V/m的電場時，試分別計算電子自能帶底運動到能帶頂所需的時間。解：根據(jù)： 得 補充題1分別計算Si（100），（110），（111）面每平方厘米內(nèi)的原子個數(shù)，即原子面密度（提示：先畫出各晶面內(nèi)原子的位置和分布圖）Si在（100），（110）和（111）面上的原子分布如圖1所示： （a）(100)晶面 （b）(110)晶面 （c）(111)晶面 補充題2 一維晶體的電子能帶可寫為，式中a為 晶格常數(shù)，試求 （1）布里淵區(qū)邊界； （2）能帶寬度； （3）電子在波矢k狀態(tài)時的速度； （4）能帶底部電子的有效質(zhì)量；（5）能帶頂部空穴的有效質(zhì)量解：（1）由 得 （n=0，±1，±2）進一步分析 ，E（k）有極大值，時，E（k）有極小值所以布里淵區(qū)邊界為 (2)能帶寬度為(3）電子在波矢k狀態(tài)的速度（4）電子的有效質(zhì)量能帶底

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