電子基礎知識

1、電子基礎知識電路基本元件? 1.1 電阻器? 電阻器是電路中用于減小電流同時降低電壓的器件。通俗的說就是在電路中起阻礙電流流動作用的電子器件。用R表示。1.11 電阻器的分類： 根據(jù)電阻值的可變性分可變電阻器和固定電阻器?？勺冸娮杵?：電阻值隨著光或熱的變化而發(fā)生變化的一種電阻器。如：光敏電阻、熱敏電阻等） ，電位器也屬于電阻器的一種固定電阻器： 電阻器一經(jīng)做成之后電阻值在一定的條件下不會發(fā)生變 化的一種電阻器。 根據(jù)制作的材料分類：碳膜電阻： 它是將炭膜沉積在陶瓷小圓內(nèi)而制成的。特點是可靠性、可焊性、噪聲穩(wěn)定性、濕度穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性好。典型的功率為1/42W。碳合成電阻： 由碳粉末和黏合膠制

2、成的電阻。特點是：低電感、低電容。功率為1/82 W。金屬氧化膜電阻： 用金屬氧化膜包裹陶瓷心制成的通用的電阻。特點 是機械性、電穩(wěn)定性、可讀性，防腐蝕和潮濕。密金屬膜電阻： 它是用陶瓷做基層，包裹著金屬膜，外面是環(huán)氧樹脂外殼。特點是精確度咼、超低噪聲。功率為1/81/2W。大功率繞線電阻：它包含釉瓷外殼、 水泥外殼、 鋁殼。 特點是功率大。功率為25 0 0 W 。光敏電阻和熱敏電阻： 光敏電阻由半導體材料（如硫化鎘）制成。特 點是當加以熱和光時，電阻改變。貼片電阻： 片狀電阻是金屬玻璃鈾電阻的一種形式，它的電阻體是高 可靠的釕系列玻璃鈾材料經(jīng)過高溫燒結(jié)而成，電極采用銀鈀合金漿 料。特點是體

3、積小、精度、穩(wěn)定性、高頻特性好1.12 參數(shù) 標稱阻值： 描述電阻對電流的阻礙能力的數(shù)學表達， 單位為： 歐姆。我們也常用希臘字母Q表示。我們也常用到KQ（千歐）、MQ （兆歐） 的標識，其換算公式如下：1 MQ =103KQ= 106Q 功率 ：標準叫法是額定功率，是指電阻在一定條件下（壓力、溫度等）長期連 續(xù)工作能夠允許承受的最大功率。所以我們在一些電路中必須注意電阻功 率的選擇，否則由于電阻承受能力問題導致電阻損壞，甚至可能導致設備 其它元器件的損壞。 溫度系數(shù)： 描述電阻溫度對其阻值產(chǎn)生的影響。 誤差等級： 描述生產(chǎn)出來的電阻與標稱電阻的差別。1.2 電容器?電容器是由兩塊平行極板構成

4、的具有電荷存儲作用的器件。用字母C表示。? 1.21 電容器的分類：? 按結(jié)構分三大類： 固定電容器、 可變電容器和和微調(diào)電容器。? 按電解質(zhì)分類： 有機介質(zhì)電容器、無機介質(zhì)電容器、電解電容器和空氣介質(zhì)電容器等。? 按用途分： 高頻旁路、低頻旁路、濾波、調(diào)諧、高頻耦合、低頻耦合、去耦等。? 按材料分： 陶瓷電容器、 云母電容器、 玻璃膜電容器、 滌綸電容器、玻璃釉電容器、紙介電容器、鋁電解電容器、聚苯乙烯電容器、金屬 化紙介電容器、鉭電容等1.22 電容器主要特性參數(shù) 標稱容量和允許偏差 標稱電容量是標志在電容器上的電容量 , 常用容量單位有 F、 uF、 nF、 pF, 換算方法是：1 F

5、=106 uF=109 nF=1012 pF電容器實際電容量與標稱電容量的偏差稱誤差 , 在允許的偏差范圍稱 精度。精度等級與允許誤差對應關系： 00(01)- ± 1%、 0(02)- ± 2%、I- ± 5%、 n - ± 10%、 rn - ± 20%、 W - ( +20% -10%)、 V - (+50%-20%)、W - ( +50% -30%)。般電容器常用I、n、m級、電解電容器用W、v、w級、根據(jù)用途選取。 額定電壓在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電 壓有效值，一般直接標注在電容器外殼上，如果工作電壓超

6、過電容器 的耐壓，電容器擊穿，造成不可修復的永久性損壞。 絕緣電阻 直流電壓加在電容上，并產(chǎn)生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻。絕緣電 阻越大越好。 損耗 電容在電場作用下，在單位時間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫損耗。各類電容 都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值，電容的損耗主要由介質(zhì)損耗， 電導損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的 頻率特性 隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈下降的規(guī)律。1.23 電容器容量標示 直標法用數(shù)字和單位符號直接標出。如O1uF表示0.01微法,有些電容“ R'表示小數(shù)點，如 R56 表示 0.56 微法 ;56 表示 56pF,101 表示 100pF,102

7、表示1000pF,103表示lOnF。皮法單位可以不用標示。 文字符號法用數(shù)字和文字符號有規(guī)律的組合來表示容量。如p10 表示 0.1pF,1p0表示 1pF。 色標法 用色環(huán)或色點表示電容器的主要參數(shù)。電容器的色標法與電阻相同。電容器偏差標志符號： +100%-0H、 +100%-10%-R、 +50%-10%-T、 +30%-10%-Q、+50%-20%-S、+80%-20%-Z。 M=±20%、K=±10%、J=±5%、G=±2%、F=±1%、D=±0.5%、C=±0.25%、B=±0.1%、A=±

8、0.05%。1.3 電感線圈 電感線圈是由導線一圈靠一圈地繞在絕緣管上，導線彼此互相絕緣， 而絕緣管可以是空心的，也可以包含鐵芯或磁粉芯，簡稱電感。用 表示，常用單位有亨利（ H）、毫亨利（mH、微亨利（uH）、納亨利nH),1H=103 mH=106 uH=109 nH1.31 電感的分類按電感形式分類 : 固定電感、可變電感。按導磁體性質(zhì)分類：空芯線圈、鐵氧體線圈、鐵芯線圈、銅芯線圈。按工作性質(zhì)分類：天線線圈、振蕩線圈、扼流線圈、陷波線圈、偏轉(zhuǎn) 線圈。按繞線結(jié)構分類：單層線圈、多層線圈、蜂房式線圈。1.32 電感線圈的主要特性參數(shù) 電感量 L電感量 L 表示線圈本身固有特性 , 與電流大小

9、無關。除專門的電感線 圈（色碼電感）外，電感量一般不專門標注在線圈上，而以特定的名 稱標注 電抗 XL電感線圈對交流電流阻礙作用的大小稱感抗XL,單位是歐姆。它與電感量L和交流電頻f的關系為XL=2n fL 品質(zhì)因素 Q品質(zhì)因素Q是表示線圈質(zhì)量的一個物理量，Q為感抗XL與其等效的電阻的比值，即：Q=XL/R。線圈的Q值愈高，回路的損耗愈小。線圈的Q值與導線的直流電阻，骨架的介質(zhì)損耗， 屏蔽罩或鐵芯引起的損耗，高頻趨膚效應的影響等因素有關。線圈的Q值通常為幾十到幾百 分布電容 線圈的匝與匝間、線圈與屏蔽罩間、線圈與底版間存在的電容被稱為分布電容。分布電容的存在使線圈的Q值減小，穩(wěn)定性變差，因而線

10、圈的分布電容越小越好。1.33 常用線圈 單層線圈單層線圈是用絕緣導線一圈挨一圈地繞在紙筒或膠木骨架上。如晶體管收音機中波天線線圈。 蜂房式線圈 所繞制的線圈其平面不與旋轉(zhuǎn)面平行，而是相交成一定的角度，這種線圈 稱為蜂房式線圈。而其旋轉(zhuǎn)一周，導線來回彎折的次數(shù)，常稱為折點數(shù)。蜂房式繞法的優(yōu)點是體積小，分布電容小，而且電感量大。蜂房式線圈都 是利用蜂房繞線機來繞制，折點越多，分布電容越小。 鐵氧體磁芯和鐵粉芯線圈 線圈的電感量大小與有無磁芯有關。在空芯線圈中插入鐵氧體磁芯，可增 加電感量和提高線圈的品質(zhì)因素 銅芯線圈 銅芯線圈在超短波范圍應用較多，利用旋動銅芯在線圈中的位置來改變電 感量，這種調(diào)

11、整比較方便、耐用 色碼電感器 色碼電感器是具有固定電感量的電感器，其電感量標志方法同電阻一樣以 色環(huán)來標記。 阻流圈（扼流圈）限制交流電通過的線圈的線圈稱阻流圈，分高頻阻流圈和低頻阻流圈 偏轉(zhuǎn)線圈 偏轉(zhuǎn)線圈是電視機掃描電路輸出級的負載，偏轉(zhuǎn)靈敏度高、磁場均勻、 值高、體積小、價格低。2.1二極管半導體二極管是由一個PN結(jié)加上相應的電極和引線及管殼封裝而成。用 字母D表示，二極管的特征是 單向?qū)щ娦愿鶕?jù)結(jié)構不同可分面結(jié)觸型和點結(jié)觸型兩種二極管。面接觸型的PN結(jié)2.11 二極管分類 面積大，結(jié)電容量大，允許流過的電流也大，適宜于作大功率整流器件； 點接觸型二極管PN結(jié)面積小，結(jié)電容量小，能在高頻下

12、工作，適用于高 頻檢波和開關元件，但它允許流過的電流很小。 根據(jù)制作的晶片材料不同可分硅二極管和鍺二極管。 根據(jù)它的作用不同可分 : 普通二極管、變?nèi)荻O管、 穩(wěn)壓二極管、 發(fā)光二極管、光敏二極管等。 根據(jù)應用的范圍不同大致可分 整流二極管、檢波二極管、阻尼二極 管、鉗位二極管、 降壓二極管、 限幅二極管和穩(wěn)壓二極管等。2.12 伏安特性及主要參數(shù) 正向特性 當正向電壓很低時，正向電流幾乎為零，二極管呈現(xiàn)高電阻值，基本 上還處在截止狀態(tài)，當正向電壓超過某一值（稱此電壓為“死區(qū)”電 壓），此時二極管才呈現(xiàn)低電阻值，處于正向?qū)顟B(tài)。硅管的死區(qū) 電壓約為 0.5V, 鍺管約為 0.1V 。正向?qū)?/p>

13、后的二極管管壓降硅管為0.60.7V，鍺管為0.20.3V，溫度每升高1 C,二極管導通壓降下降22.5mV 反向特性反向電壓在一定范圍內(nèi)增大時，反向電流極其微小且基本不變，所以稱反向飽和電流，當溫度上升10C,反向飽和電流增加一倍。 擊穿特性 當反向電壓增加到一定值時，反向電流突然增大，此時對應的電壓稱反向 擊穿電壓。 最大整流電流 指管子長期工作時，允許流過二極管的最大正向平均電流，超過此值，會 引起PN結(jié)過熱而損壞。 最高反向工作電壓保證二極管不被反向擊穿而規(guī)定的反向工作峰值電壓，一般為反向擊 穿電壓的 1/31/2 。 反向峰值電流 二極管加上反向工作電壓時的反向飽和電流。 最高工作頻

14、率 工作頻率主要由PN結(jié)電容大小來決定。 超過此值，二極管的單向?qū)щ娦宰?差甚至會失去單向?qū)щ娦浴?.2 三極管 晶體三極管也稱雙極型晶體三極管 ，簡稱三極管，一般用字母Q表示2.21 三極管的類型按功率大小可分大功率、中功率和小功率管；按電路中的工作頻率可分高頻管和低頻管 按半導體材料的不同可分硅管和鍺管 根據(jù)封裝不同可分塑料封裝和金屬封裝 根據(jù)三極管結(jié)構的不同，無論是硅管或鍺管都有 PNP和NPN兩種類型。2.2.2 輸出特性曲線 截止區(qū) 當UC>UE>UB,由于IB=0 , IC= p IB，嚴格來說也應該為零，三極管處于斷開狀態(tài)。 飽和區(qū)集電極（或發(fā)射極）要接入電阻，如果電

15、源EC一定，那么當IC增大時，UCE將相應降低。UCE降低會削弱吸引電子的能力，即使IB再增大，IC幾乎不再增大，晶體管失去了放大作用處于飽和狀態(tài)。UCE=UBE寸的狀態(tài)為臨界飽和，UCEVUBE寸的狀態(tài)為深度飽和，此時晶體管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都 處于正向偏置。放大區(qū) 晶體管輸出特性曲線的飽和區(qū)和截止區(qū)之間的部分為放大區(qū)。工作在放大 區(qū)的晶體管才具有電流放大作用。此時發(fā)射結(jié)必須正偏，而集電結(jié)則為反 向偏置，即 UC>UB>U，E IC 只受 IB 控制2.3 場效應管 場效應管是較新型的半導體器件，利用電場效應來控制晶體管的電流，因而得名。場效應管具有很高的輸入電阻，可達（10710

16、15）Q，幾乎不取信號源的輸出電流，因而功耗小，體積小，易于集成化。廣泛應用于模擬 集成電路和數(shù)字集成電路中。2.31 場效應管的分類按其結(jié)構可分為結(jié)（J）型和絕緣柵（MOS）®場效應管； 從工作性能可分 耗盡型 和增強型 兩類; 根據(jù)所用基片（襯底）材料不同，又可分P溝道和N溝道兩種導電溝 道，因此有結(jié)型P溝道和N溝道，絕緣柵耗盡型P溝道和N溝道及增強 型P溝道和N溝道六種類型場效應管。電子知識代碼標準尺寸（MM)代碼標準尺（0603 ( 1608)1.6*0.81812( 4832)4.8*3.20805 ( 2012)2.0*1.252220( 5650)5.6*5.01206

17、 (3216)3.2*1.60402( 1005)1.0*0.51210 (3225)3.2*2.5注：括號內(nèi)為日本尺寸表示法，前面為中國表示法。、 貼片元件代碼及標準尺寸對照電阻、電容字母代碼誤差：MM)1、B=± 0.1 PF C =± 0.25PF D =± 0.5PF10%2、F=± 1% G =± 2% J =± 5% K =±M =± 20% S = +50%-20% Z = +80%-20%注：在阻值、容值相同情況下，誤差小的可代用誤差大的 貼片電容作用：通交流隔直流0.1UF-1UF 0603 封裝電容、耐壓16V（額定電壓）誤差± 20%5%1UF以上（不含1UF）的包括鉏電容，耐壓不定誤差 +80%-20%寸壓大的可代用耐壓小的（在容量材質(zhì)封裝，誤差一致的情況下）貼片電阻的誤差± 之內(nèi)SMD電阻 R 0603 L 102 J T電阻代號 封裝阻值 誤差SMD電容 C 0603 Y5V 1C 474 Z電容代號封裝材質(zhì)容值 誤差Y5V：第三類材質(zhì)X7R：第二類材質(zhì)，其容量可隨電壓、溫度、時間而改變NPO：第一類材質(zhì)，屬穩(wěn)定型，低損耗電容三鉏電容規(guī)格型號3216352860327343規(guī)格尺寸（ MM）英寸3.2*1.60.126*0.0633.5*280.138*