第3章--場效應(yīng)管放大電路習(xí)題答案(共9頁)

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上第3章 場效應(yīng)管放大電路3-1判斷下列說法是否正確，用“”和“”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。（1）結(jié)型場效應(yīng)管外加的柵-源電壓應(yīng)使柵-源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證其RGS大的特點(diǎn)。（ ）（2）若耗盡型N溝道MOS管的UGS大于零，則其輸入電阻會明顯變小。（ ） 3-2選擇正確答案填入空內(nèi)。（1）UGS0V時(shí)，不能夠工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有 B 。 A. 結(jié)型管 B. 增強(qiáng)型MOS管 C. 耗盡型MOS管（2）當(dāng)場效應(yīng)管的漏極直流電流ID從2mA變?yōu)?mA時(shí)，它的低頻跨導(dǎo)gm將 A 。 A.增大 B.不變 C.減小3-3改正圖P3-3所示各電路中的錯(cuò)誤，使它們有可能放大

2、正弦波電壓。要求保留電路的共源接法。圖P3-3解：（a）源極加電阻RS。 （b）漏極加電阻RD。 （c）輸入端加耦合電容。 （d）在Rg支路加VGG，VDD改為VDD改正電路如解圖P3-3所示。解圖P3-33-4已知圖P3-4(a)所示電路中場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性分別如圖（b）(c)所示。 （1）利用圖解法求解Q點(diǎn)；（2）利用等效電路法求解、Ri和Ro 。圖P3-4解：（1）在轉(zhuǎn)移特性中作直線uGSiDRS，與轉(zhuǎn)移特性的交點(diǎn)即為Q點(diǎn)；讀出坐標(biāo)值，得出IDQ1mA，UGSQ2V。如解圖P3-4（a）所示。解圖P3-4在輸出特性中作直流負(fù)載線uDSVDDiD（RDRS），與UGSQ2V的那條

3、輸出特性曲線的交點(diǎn)為Q點(diǎn)，UDSQ3V。如解圖P3-4（b）所示。（2）首先畫出交流等效電路（圖略），然后進(jìn)行動態(tài)分析。 3-5 已知圖P3-5（a）所示電路中場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖（b）所示。求解電路的Q點(diǎn)和。圖P3-5解：（1）求Q點(diǎn)：根據(jù)電路圖可知， UGSQVGG3V。從轉(zhuǎn)移特性查得，當(dāng)UGSQ3V時(shí)的漏極電流 IDQ1mA 因此管壓降 UDSQVDDIDQRD5V。 （2）求電壓放大倍數(shù)： 3-6電路如圖3-6所示，已知場效應(yīng)管的低頻跨導(dǎo)為gm，試寫出、Ri和Ro的表達(dá)式。 圖P3-6解：、Ri和Ro的表達(dá)式分別為 3-7 電路如圖3-7所示。已知VDD=12V，=2V，RG=100

4、k，RD=1k, 場效應(yīng)管T的 IDSS=8mA、UGS(off)=4V。求該管子的IDQ及靜態(tài)工作點(diǎn)處的gm值。 圖P3-7解：=2 =3-8已知某種場效應(yīng)管的參數(shù)為UGS(th)=2V，U(BR)GS=30V, U(BR)DS=15V，當(dāng)UGS=4V、 UDS=5V時(shí)，管子的IDQ=9mA?，F(xiàn)用這種管子接成如圖p3-8所示的四種電 路，電路中的RG=100k， RD1=5.1K，RD2=3.3k，RD3=2.2k，RS=1k。試問各電路中的管子各工作于：放大、截止、可變電阻、擊穿四種狀態(tài)中的哪一種？ 圖P3-8解：先求場效應(yīng)管的x值。由已知的4v時(shí)9mA及2v，代人公式，可求得K2.25m

5、A.圖(a)管子擊穿.圖(b)管子擊穿 圖(c)可變電阻區(qū) 圖（d）放大區(qū)3-9在圖p3-9所示的四種電路中，RG均為100 k，RD均為3.3k，VDD=10V，=2V。又已知：T1的IDSS=3mA、UGS(off)=5V；T2的UGS(th)=3V；T3的IDSS=6mA、UGS(off)=4V；T4的IDSS=2mA、UGS(off)=2V。試分析各電路中的場效應(yīng)管工作于放大區(qū)、截止區(qū)、可變電阻區(qū)中的哪一個(gè)工作區(qū)？ 圖P3-9解：圖a T1為N溝道JFET，由圖可知T1工作于放大區(qū) 圖b T2工作于截止?fàn)顟B(tài) 圖c工作于可變電阻區(qū) 圖d 工作于放大區(qū)3-10 試判斷圖p3-10所示的四種

6、電路中，哪個(gè)（或哪幾個(gè)）電路具有電壓放大作用。 圖P3-10解d3-11 電路如圖3-11所示。其中VDD=20V，RG=1M， RD=10k, UGSQ=2V，管子的IDSS=2mA、UGS(off)=4V，各電容器的電容量均足夠大。試求：(a) IDQ及RS1的數(shù)值;(b) 為使管子能工作于恒流區(qū)，RS2不能超過什么值。解：（a） =-0.5 (b) 3-12 電路如圖3-12所示。已知VDD=30V，RG1=RG2=1M， RD=10k，管子的UGS(th)=3V，且當(dāng)UGS=5V時(shí)ID為0.8mA。試求管子的UGSQ、IDQ、UDSQ。解： =6V3-13電路如圖3-13所示。已知VD

7、D=40V，RG=1M，RD=12k，RS=1k，場效應(yīng)管的IDSS=6mA、UGS(off)=6V、rdsRD，各電容器的電容量均足夠大。試求：(a) 電路靜態(tài)時(shí)的IDQ、UGSQ、UDQ值；(b) 電路的Au、Ri、Ro值。解（a） (b)3-14電路如圖3-14所示。其中RG=1.1M，RS=10k，場效應(yīng)管的gm=0.9mS、 rds可以忽略，各電容器的電容量均足夠大，電源電壓VDD的大小已足以保證管子能工作于恒流區(qū)。試求Au、Ri和Ro的值。解： 圖P3-11 圖P3-12 圖P3-13 圖P3-143-15 在圖3-15所示的電路中，RD= RS=5.1k，RG2=1M, VDD=24V，場效應(yīng)管的IDSS=2.4mA、UGS(off)=6V，各電容器的電容量均足夠大。若要求管子的UGSQ=1.8V ，求：(a) 的數(shù)值;(b) 的值;(c) 及 的值。 解: (a) (b) (c) =0.74 =-0.74 圖P3-15 圖P3-163-16 電路如圖3-16所示。設(shè)場效應(yīng)管的跨導(dǎo)為gm，rds的影響必須考慮，各電容器的電容量均足夠大。試求該電路輸出電阻Ro的表達(dá)式。解：3-17 電