GJB548B2005微電子器件試驗辦法和程序文件

1、精心整理GJB548B-2005微電子器件試驗方法和程序點擊次數(shù)：181發(fā)布時間：2011-3-114:24:07GJB548B-2005弋替 GJB548A-1996 ?中華人民共和國國家軍用標(biāo)準(zhǔn)微電子器件試驗方法和程序Testmethodsa ndp roceduresformicroelectro nicdevice方法1009.2鹽霧（鹽汽）1目的本試驗是為了模擬海邊空氣對器件影響的一個加速的腐蝕試驗1.1術(shù)語和定義 1.1.1 腐蝕 corrosion指涂層和（或）底金屬由于化學(xué)或電化學(xué)的作用而逐漸地?fù)p壞1.1.2 腐蝕部位 corrosionsite指涂層和（或）底金屬被腐蝕的部位

2、，即腐蝕位置1.1.3 腐蝕生成物(淀積物)corrosionproduct(dcposit) 指腐蝕作用的結(jié)果（即銹或氧化鐵、氧化鎳、氧化錫等）。腐蝕生成物可能在原來腐蝕部位，或者由 于鹽液的流 動或蔓延而覆蓋非腐蝕區(qū)域。1.1.4 腐蝕色斑 corrosionstain腐蝕色斑是由腐蝕產(chǎn)生的半透明沉淀物。1.1.5 氣泡 blister指涂層和底金屬之間的局部突起和分離1.1.6 針孔 pin hole指涂層中產(chǎn)生的小孔，它是完全貫穿涂層的一種缺陷。1.1.7 凹坑 Pitting指涂層和（或）底金屬的局部腐蝕，在某一點或小區(qū)域形成空洞1.1.8 起皮 flaking指局部涂層分離，而使底

3、金屬顯露2設(shè)備鹽霧試驗所用設(shè)備應(yīng)包括:a）帶有支撐器件夾具的試驗箱。該箱及其附件應(yīng)彩不會與鹽霧發(fā)生作用的材料 （玻璃、塑料等）制造。 在試驗 箱內(nèi)，與試驗樣品接觸的所有零件， 應(yīng)當(dāng)用不產(chǎn)生電解腐蝕的材料制造。 該箱應(yīng)適當(dāng)通風(fēng)，以防止 產(chǎn)生“高壓” ，并保持鹽霧的均勻分布;b）能適當(dāng)?shù)胤乐怪車h(huán)境條件對鹽溶液容器的影響。如需要，為了進(jìn)行長時間試驗，可采用符合試 驗條件C和D（-見3.2）要求的備用鹽溶液容器;c）使鹽液霧化的手段，包括合適的噴嘴和壓縮空氣或者由20%氧80%J組成的混合氣體（應(yīng)防止諸如油和灰塵 等雜質(zhì)隨氣體進(jìn)入霧化器中）；d）試驗箱應(yīng)能加熱和控制 e）在高于試驗箱溫度的某溫度下，

4、使空氣潮濕的手段;f）空氣或惰性氣體于燥器;精心整理g）1倍3倍、10倍20倍和30倍60倍的放大鏡。3程序 3.1試驗箱的維護(hù)和初始處理試驗箱的清洗是為了保證把會對試驗結(jié)果產(chǎn)生不良影響的所有物質(zhì)清除出試驗箱。使試驗箱工作在（35 3） C某些試，用去離子水或蒸餾水進(jìn)行必要的清洗。每當(dāng)容器里的鹽溶液用完時，就應(yīng)當(dāng)清洗試驗箱。 驗可能在清洗之前進(jìn)行，這取決于盛鹽溶液的容器的大小和所規(guī)定的試驗條件（見3.2）。當(dāng)需要做長時間試驗（見3.2的試驗- 條件C和D）時，盛鹽溶液的容器可采用備用的容器來補充，以便試驗不中斷。清洗后，試驗箱開 始工作時，鹽溶液應(yīng)補滿該容器，并且應(yīng)對試驗箱進(jìn)行適當(dāng)?shù)乜刂?，使?/p>

5、溫度穩(wěn)定（見3.1.4）。如果試驗箱中斷工作超過一個星期，即使還留有鹽溶液，也應(yīng)廢棄。而且試驗箱在重新開始工作之前應(yīng)當(dāng)進(jìn)行清洗。如果鹽溶液的pH值和濃度 保持在3.1.1中規(guī)定的范圍之內(nèi)，允許試驗箱不連續(xù)工作。3.1.1鹽溶液,的鹽應(yīng)為氯化鈉，其碘化鈉的質(zhì)量百分比不得多于0.1%，且總雜質(zhì)的質(zhì)量百分比不得多于 0.3%。在（35 3） C下測量時，鹽溶液的pH值應(yīng)在6.57.2之間。只能用化學(xué)純的鹽酸或氫氧化鈉（稀溶液）來調(diào)整pH 值。3.1.2引線的預(yù)處理除另有規(guī)定外，試驗樣品不應(yīng)進(jìn)行預(yù)處理。當(dāng)有要求時（見4C），樣品進(jìn)行試驗之前，器件引線應(yīng)按方法2004試精心整理驗條件B1的要求，承受彎曲

6、應(yīng)力的初始處理。如果進(jìn)行試驗的樣品已經(jīng)作為其他試驗的一部分進(jìn) 行過所要求的初 始處理，那么，其引線無需重新彎曲。3.1.3試驗樣品的安置樣品應(yīng)按下述方位安置在固定的夾具上（有機(jī)玻璃棒、尼龍或玻璃纖維篩、尼龍繩等）。樣品應(yīng)這樣 安置，使它 們彼此不接觸，彼此不遮擋，能自由地接受鹽霧作用，腐蝕生成物和凝聚物不會從一個樣品落到另 一個樣品上。a）引線固定于封裝側(cè)面或引線從封裝側(cè)面引出的雙列封裝（例：側(cè)面纖焊雙列封裝和陶瓷玻璃熔封雙列封裝） :蓋面向上，偏離垂直方向15 45。將有引線的一個封裝側(cè)面向上，偏離垂直方向大于或等于15 （見圖 la） b）引線固定于封裝底部（與蓋板相對的那一面）或引線從底

7、部引出的封裝（例如金屬圓形封裝，金屬 平板圭寸裝）:蓋板偏離垂直方向15 45。試驗時一半樣品應(yīng)蓋面向上；剩下一半，引線向上（見圖1b）c）引線固定于封裝某一面或從某一面引出，且與蓋板平行的封裝（例如扁平封裝）：蓋板偏離垂直方向 15 45 _.。將有引線的封裝面向上，且偏離垂直方向或等于150對金屬殼封裝，試驗時一半樣品封帽向上。剩下的樣品 外殼向上。其他封裝都應(yīng)蓋板向上做試驗（見圖1c） 0d）無引線或有引線片式載體：蓋板偏離垂直方向15 45 ,試驗時一半樣品蓋板向上，剩余的樣品蓋板向下（ 見圖1d） 注1:對于要求進(jìn)行兩種取向的試驗，應(yīng)把規(guī)定的樣品數(shù)分成兩等份 （或盡可能接近一半）。在

8、所有 的情況下， 對所有的圭寸裝表面按3.4進(jìn)行試驗后的檢查。注2:對開有窗口的紫外線可擦器件進(jìn)行試驗時，要采取保護(hù)措施，以防止光感應(yīng)電動勢產(chǎn)生電解 作用。3.1.4試驗箱的控制按照第3章的要求對試驗箱進(jìn)行處理之后，具有溫度至少35r的鹽霧在規(guī)定的試驗時間內(nèi)（見3.2） 流過試驗箱。 試驗箱內(nèi)的溫度應(yīng)保持在（35 3） r。鹽霧的濃度和速度應(yīng)調(diào)節(jié)到使得鹽在試驗區(qū)域內(nèi)的淀積速率在（20-50）g/（ m2- d）之間。鹽的淀積速率可以用體積的、重要的或其他方法來測定（由用戶任意選擇）。在試驗箱底部收 集的鹽液應(yīng)廢棄。3.2試驗時間應(yīng)從下列試驗條件中規(guī)定試驗的最短時間。除另有規(guī)定外，應(yīng)采用試驗條件

9、A 3.3樣品檢驗的準(zhǔn)備工作完成試驗后，試驗樣品應(yīng)立即用自由流動的去離子水 （水溫不得超過38C）至少沖洗5min,以便除-I去樣品表面沉 淀的鹽。而后樣品用空氣或惰性氣體吹干，進(jìn)行下述檢查。表1試驗條件 試驗條件？?試驗時間h精心整理D?240 3.4失效判據(jù)除3.4.1b）和3.4.1c）另有規(guī)定外，所有檢查都應(yīng)在放大10倍20倍的情況下進(jìn)行。注3:引線端頭的腐蝕和由此腐蝕產(chǎn)生的腐蝕生成物，不應(yīng)判為不合格。作進(jìn)一步試驗的引線，應(yīng)根據(jù)）失效判據(jù)進(jìn)行判定。3.4.1帶有表面鍍涂的產(chǎn)品器件出現(xiàn)以下情況則不能接收:a）腐蝕缺陷面積超過除引線外的任何封裝零件（例如蓋板、管帽或外殼）鍍涂或底金屬面積的

10、5% 在測量中要 計入的腐蝕缺陷有：凹坑、氣泡、起皮和腐蝕生成物。腐蝕缺陷面積由以下方法確定：用已知缺陷 面積的卡片或 照片（見圖2）進(jìn)行比較，用網(wǎng)格或類似的測量器具或鏡像分析儀直接測量。b）引線缺損、斷裂或部分分離。此外，若引線出現(xiàn)針孔、凹坑、氣泡、起皮、腐蝕生成物完全跨越 引線，或玻 璃封裝中出現(xiàn)針孔、凹坑、氣泡、起皮、腐蝕生成或腐蝕色斑的引線，應(yīng)進(jìn)一步做如下試驗：在引 線缺陷處彎曲90 使拉伸應(yīng)力加到缺陷處。若出現(xiàn)引線的斷裂或底層金屬的破裂面超過引線橫截面積的 應(yīng)拒收。若有多處出現(xiàn)缺陷，應(yīng)在腐蝕最嚴(yán)重處進(jìn)行彎曲。對10根以上引線出現(xiàn)缺陷的封裝，只需對最多10根腐蝕最嚴(yán)重引線 進(jìn)行彎曲。應(yīng)放大30倍60倍進(jìn)行破裂情況檢查。c）規(guī)定標(biāo)志的一部分脫落、褪色、弄臟、模糊或不可辨認(rèn)。該檢查應(yīng)在室內(nèi)正常照明下放大1倍3 倍進(jìn)行。342封裝元件 ?作為來料檢查，在封裝裝配之前，對封裝元件或部分組裝的封裝殼體進(jìn)行本試驗，或作為一種選 擇性的質(zhì)量控 制在完成封裝之前進(jìn)行本試驗，或作為一種要求的試驗 （見4d）時，呈現(xiàn)下列現(xiàn)象的元件不得接收:a）腐蝕缺陷面積超過蓋板鍍涂面積或底金屬面積的1.0%，或超過除引線以外其他任何